JP2003279514A - 半導体デバイス封止製品の接合品質評価方法及びその評価装置 - Google Patents
半導体デバイス封止製品の接合品質評価方法及びその評価装置Info
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- JP2003279514A JP2003279514A JP2002085382A JP2002085382A JP2003279514A JP 2003279514 A JP2003279514 A JP 2003279514A JP 2002085382 A JP2002085382 A JP 2002085382A JP 2002085382 A JP2002085382 A JP 2002085382A JP 2003279514 A JP2003279514 A JP 2003279514A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】より安価な電極接合品質、封止状態のスクリー
ニングが行える半導体デバイス封止製品の接合品質評価
方法及びその評価装置を提供する。 【解決手段】図１（ａ）に示すように、半導体デバイス
１１内の電源間の寄生素子としての保護ダイオードに順
方向電流を与える。これにより、半導体デバイス１１は
ジュール熱により昇温する。モールド樹脂１４による保
温作用も得られるので、迅速な温度上昇が得られる。そ
の後、図１（ｂ）に示すように、半導体デバイス１１の
温度が所定温度範囲内にある所定時間内に、ボンディン
グワイヤ１３の接合部に対する通常のオープン／ショー
トの有無を検出するテストを実行する。例えば、ＤＣ測
定試験であり、外部端子（電源端子及びＩ／Ｏ端子）１
２の電圧や外部端子１２を通過する電流等をＤＣ的に測
定する。
ニングが行える半導体デバイス封止製品の接合品質評価
方法及びその評価装置を提供する。 【解決手段】図１（ａ）に示すように、半導体デバイス
１１内の電源間の寄生素子としての保護ダイオードに順
方向電流を与える。これにより、半導体デバイス１１は
ジュール熱により昇温する。モールド樹脂１４による保
温作用も得られるので、迅速な温度上昇が得られる。そ
の後、図１（ｂ）に示すように、半導体デバイス１１の
温度が所定温度範囲内にある所定時間内に、ボンディン
グワイヤ１３の接合部に対する通常のオープン／ショー
トの有無を検出するテストを実行する。例えば、ＤＣ測
定試験であり、外部端子（電源端子及びＩ／Ｏ端子）１
２の電圧や外部端子１２を通過する電流等をＤＣ的に測
定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に半導体デバイ
ス封止製品の高温環境下での電極接合品質の評価や封止
状態の評価を実施する半導体デバイス封止製品の接合品
質評価方法及びその評価装置に関する。
ス封止製品の高温環境下での電極接合品質の評価や封止
状態の評価を実施する半導体デバイス封止製品の接合品
質評価方法及びその評価装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造では、ウェハ状態での試験、
いわゆるプローブ試験をパスし、ダイシング工程を経
る。その後、プローブ試験以外の機能テストを実施する
場合もあり、以降、組み立て工程に入る。ここで、半導
体デバイスの電極へのボンディング、モールド樹脂封止
などの封止工程を経る。
いわゆるプローブ試験をパスし、ダイシング工程を経
る。その後、プローブ試験以外の機能テストを実施する
場合もあり、以降、組み立て工程に入る。ここで、半導
体デバイスの電極へのボンディング、モールド樹脂封止
などの封止工程を経る。
【０００３】このような工程を経た半導体デバイス封止
製品は、ボンディング等、接合部に対する欠陥や、気密
欠陥、クラック等の封止状態の欠陥をスクリーニングし
たり、評価することが行われる。通常、半導体デバイス
封止製品に対する熱サイクル試験であったり、温度及び
電圧ストレスを印加し、ストレスを加速した状況下に置
く加速度試験によって、初期不良品を除去する。
製品は、ボンディング等、接合部に対する欠陥や、気密
欠陥、クラック等の封止状態の欠陥をスクリーニングし
たり、評価することが行われる。通常、半導体デバイス
封止製品に対する熱サイクル試験であったり、温度及び
電圧ストレスを印加し、ストレスを加速した状況下に置
く加速度試験によって、初期不良品を除去する。
【０００４】上記のような試験に際し、高温環境を作る
には例えば専用ジグを配備したオーブンやベーク炉など
大きな装置が必要となる。特に熱サイクル試験などは高
温で長期保存をする必要上、時間も長く、テストコスト
もかかる。加速度試験についても同様であり、高温オー
ブン炉等の設備が必要となる。
には例えば専用ジグを配備したオーブンやベーク炉など
大きな装置が必要となる。特に熱サイクル試験などは高
温で長期保存をする必要上、時間も長く、テストコスト
もかかる。加速度試験についても同様であり、高温オー
ブン炉等の設備が必要となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体デバイス封止製
品におけるボンディング等、接合部に対する欠陥や、気
密欠陥、クラック等の封止状態の欠陥をスクリーニング
あるいは評価するには、デバイス加熱用のオーブンまた
はベーク炉の設備が必要であり、テスト時間も長く、設
備コスト、テストコストが高価になる問題があった。
品におけるボンディング等、接合部に対する欠陥や、気
密欠陥、クラック等の封止状態の欠陥をスクリーニング
あるいは評価するには、デバイス加熱用のオーブンまた
はベーク炉の設備が必要であり、テスト時間も長く、設
備コスト、テストコストが高価になる問題があった。
【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、より安価な電極接合品質、封止状態のスク
リーニングが行える半導体デバイス封止製品の接合品質
評価方法及びその評価装置を提供しようとするものであ
る。
れたもので、より安価な電極接合品質、封止状態のスク
リーニングが行える半導体デバイス封止製品の接合品質
評価方法及びその評価装置を提供しようとするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体デバ
イス封止製品の接合品質評価方法は、半導体デバイス封
止製品の所定の外部端子に通常とは異なる電気的接続を
所定時間施し封止内の半導体デバイス自体を発熱させる
昇温工程と、少なくとも前記昇温工程から所定時間内に
接合部に対するオープン／ショートの有無を検出するテ
ストを実行するテスト工程と、を具備したことを特徴と
する。
イス封止製品の接合品質評価方法は、半導体デバイス封
止製品の所定の外部端子に通常とは異なる電気的接続を
所定時間施し封止内の半導体デバイス自体を発熱させる
昇温工程と、少なくとも前記昇温工程から所定時間内に
接合部に対するオープン／ショートの有無を検出するテ
ストを実行するテスト工程と、を具備したことを特徴と
する。
【０００８】上記本発明に係る半導体デバイス封止製品
の接合品質評価方法によれば、昇温工程として半導体デ
バイス内部への通常とは異なる電気的接続を利用し、半
導体デバイス自体の発熱を促進させる。この発熱、その
後の余熱を加速試験として利用する。すなわち、半導体
デバイス自体が所定の高温環境下にされている間にテス
ト工程を経て、オープン／ショートの有無を検出するテ
ストを完了させる。封止体を外部から加熱するのではな
く、半導体デバイス自体を昇温させるため、迅速に所望
の温度条件に達することができ、テスト時間の短縮に寄
与する。
の接合品質評価方法によれば、昇温工程として半導体デ
バイス内部への通常とは異なる電気的接続を利用し、半
導体デバイス自体の発熱を促進させる。この発熱、その
後の余熱を加速試験として利用する。すなわち、半導体
デバイス自体が所定の高温環境下にされている間にテス
ト工程を経て、オープン／ショートの有無を検出するテ
ストを完了させる。封止体を外部から加熱するのではな
く、半導体デバイス自体を昇温させるため、迅速に所望
の温度条件に達することができ、テスト時間の短縮に寄
与する。
【０００９】なお、上記本発明に係る半導体デバイス封
止製品の接合品質評価方法では、好ましくは、前記昇温
工程は前記半導体デバイス内の電源間の保護素子に順方
向電流を与え、そのジュール熱によって達成されること
を特徴とする。半導体デバイス内部の温度に敏感なダイ
オードの順方向電圧特性を把握しておけば、半導体デバ
イス内がどのような温度条件に設定されるか大略知るこ
とができる。接合部における高温劣化の評価として信頼
性が得られる。
止製品の接合品質評価方法では、好ましくは、前記昇温
工程は前記半導体デバイス内の電源間の保護素子に順方
向電流を与え、そのジュール熱によって達成されること
を特徴とする。半導体デバイス内部の温度に敏感なダイ
オードの順方向電圧特性を把握しておけば、半導体デバ
イス内がどのような温度条件に設定されるか大略知るこ
とができる。接合部における高温劣化の評価として信頼
性が得られる。
【００１０】また、上記本発明に係る半導体デバイス封
止製品の接合品質評価方法において、少なくとも前記昇
温工程の前に前記半導体デバイス封止製品に対する吸湿
工程を経ることにより、前記テスト工程において前記半
導体デバイスの封止状態を評価するデータが取得される
ことを特徴とする。これにより、半導体デバイスに効率
良く熱ストレスを発生させることができる。クラック検
査について最も重要な封止境界面密着性の耐性が評価し
易い。
止製品の接合品質評価方法において、少なくとも前記昇
温工程の前に前記半導体デバイス封止製品に対する吸湿
工程を経ることにより、前記テスト工程において前記半
導体デバイスの封止状態を評価するデータが取得される
ことを特徴とする。これにより、半導体デバイスに効率
良く熱ストレスを発生させることができる。クラック検
査について最も重要な封止境界面密着性の耐性が評価し
易い。
【００１１】本発明に係る半導体デバイス封止製品の評
価装置は、半導体デバイス封止製品の設置領域と、少な
くとも前記半導体デバイス封止製品内の半導体デバイス
自らの発熱を促す特定の電気的接続及びオープン／ショ
ートの有無を検出する信号の授受を担う信号伝達機構
と、少なくとも前記特定の電気的接続及びオープン／シ
ョートの有無の検出に利用される信号の生成、解析に関
係するテストシステムが構築されたテスター本体と、を
具備し、前記テスター本体におけるテストシステムとし
て、前記特定の電気的接続から前記半導体デバイスが余
熱により所定温度範囲内にある所定時間内に少なくとも
接合部に対するオープン／ショートの有無を検出するテ
ストが実行されることを特徴とする。
価装置は、半導体デバイス封止製品の設置領域と、少な
くとも前記半導体デバイス封止製品内の半導体デバイス
自らの発熱を促す特定の電気的接続及びオープン／ショ
ートの有無を検出する信号の授受を担う信号伝達機構
と、少なくとも前記特定の電気的接続及びオープン／シ
ョートの有無の検出に利用される信号の生成、解析に関
係するテストシステムが構築されたテスター本体と、を
具備し、前記テスター本体におけるテストシステムとし
て、前記特定の電気的接続から前記半導体デバイスが余
熱により所定温度範囲内にある所定時間内に少なくとも
接合部に対するオープン／ショートの有無を検出するテ
ストが実行されることを特徴とする。
【００１２】上記本発明に係る半導体デバイス封止製品
の評価装置によれば、信号伝達機構として、電気的特性
検査に関る信号の授受の他に、半導体デバイス自体が発
熱するモードを備えている。これにより、半導体デバイ
ス内部が余熱で所定温度範囲にある間にオープン／ショ
ートの有無を検出するテストを完了させる。封止体を外
部から加熱するのではなく、半導体デバイス自体を昇温
させるため、迅速に所望の温度条件に達することがで
き、テスト時間の短縮に寄与する。
の評価装置によれば、信号伝達機構として、電気的特性
検査に関る信号の授受の他に、半導体デバイス自体が発
熱するモードを備えている。これにより、半導体デバイ
ス内部が余熱で所定温度範囲にある間にオープン／ショ
ートの有無を検出するテストを完了させる。封止体を外
部から加熱するのではなく、半導体デバイス自体を昇温
させるため、迅速に所望の温度条件に達することがで
き、テスト時間の短縮に寄与する。
【００１３】なお、上記本発明に係る半導体デバイス封
止製品の評価装置では、好ましくは、半導体デバイスに
おける特定の電気的接続は、前記半導体デバイス内の電
源間の保護素子に順方向電流が与えられることを特徴と
する。保護素子によるジュール熱を利用して、半導体デ
バイス内部を高温環境下にする。半導体デバイス内部の
温度に敏感なダイオードの順方向電圧特性を把握してお
き、半導体デバイス内部を所定温度範囲に置くように制
御する。
止製品の評価装置では、好ましくは、半導体デバイスに
おける特定の電気的接続は、前記半導体デバイス内の電
源間の保護素子に順方向電流が与えられることを特徴と
する。保護素子によるジュール熱を利用して、半導体デ
バイス内部を高温環境下にする。半導体デバイス内部の
温度に敏感なダイオードの順方向電圧特性を把握してお
き、半導体デバイス内部を所定温度範囲に置くように制
御する。
【００１４】また、上記本発明に係る半導体デバイス封
止製品の評価装置において、前記テスター本体における
テストシステムとして、前記半導体デバイスの封止状態
を評価するデータが取得され、封止欠陥の有無を判定す
ることを特徴とする。半導体デバイスに効率良く熱スト
レスを発生させ、クラック発生時におけるジャンクショ
ン温度の検出精度は優れる。封止境界面密着性の耐性が
評価し易い。
止製品の評価装置において、前記テスター本体における
テストシステムとして、前記半導体デバイスの封止状態
を評価するデータが取得され、封止欠陥の有無を判定す
ることを特徴とする。半導体デバイスに効率良く熱スト
レスを発生させ、クラック発生時におけるジャンクショ
ン温度の検出精度は優れる。封止境界面密着性の耐性が
評価し易い。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１（ａ），（ｂ）は、それぞれ
本発明の一実施形態に係る半導体デバイス封止製品の接
合品質評価方法を工程順に示す概略図である。一例とし
ての半導体パッケージ１０は、半導体デバイス１１と外
部端子１２がボンディングワイヤ１３により接続されモ
ールド樹脂１４により封止されている。便宜上、図１
（ａ）は外部端子１２のうち、各電源ＶＤＤ，ＶＳＳ端
子を表し、図１（ｂ）は外部端子１２のうち、任意の入
出力端子（Ｉ／Ｏ端子）を表す。
本発明の一実施形態に係る半導体デバイス封止製品の接
合品質評価方法を工程順に示す概略図である。一例とし
ての半導体パッケージ１０は、半導体デバイス１１と外
部端子１２がボンディングワイヤ１３により接続されモ
ールド樹脂１４により封止されている。便宜上、図１
（ａ）は外部端子１２のうち、各電源ＶＤＤ，ＶＳＳ端
子を表し、図１（ｂ）は外部端子１２のうち、任意の入
出力端子（Ｉ／Ｏ端子）を表す。
【００１６】まず、半導体デバイス内部への通常とは異
なる電気的接続により、前記半導体デバイス自体を発熱
させる昇温工程を経る。例えば、図１（ａ）に示すよう
に、半導体デバイス１１内の電源間の寄生素子としての
保護ダイオードに順方向電流を与える。デバイスの構造
にもよるが、電力は１Ｗ程度に抑えれば問題ない。これ
により、半導体デバイス１１はジュール熱により昇温す
る。モールド樹脂１４による保温作用も得られるので、
迅速な温度上昇が得られる。
なる電気的接続により、前記半導体デバイス自体を発熱
させる昇温工程を経る。例えば、図１（ａ）に示すよう
に、半導体デバイス１１内の電源間の寄生素子としての
保護ダイオードに順方向電流を与える。デバイスの構造
にもよるが、電力は１Ｗ程度に抑えれば問題ない。これ
により、半導体デバイス１１はジュール熱により昇温す
る。モールド樹脂１４による保温作用も得られるので、
迅速な温度上昇が得られる。
【００１７】半導体デバイス１１の昇温制御については
ダイオードの温度特性を利用する。図２は、半導体デバ
イス内のシリコンダイオードに関係する順方向電圧と温
度（ジャンクション温度）の関係を示す特性図である。
このようなダイオードの特性を利用し、デバイス温度が
大略設定可能である。例えばテスター側で半導体デバイ
ス１１自体の温度状況がどのようになっているか把握で
きる。これにより、半導体デバイス１１の温度を所定温
度範囲内（１５０℃〜４００℃）になるように近付け
る。
ダイオードの温度特性を利用する。図２は、半導体デバ
イス内のシリコンダイオードに関係する順方向電圧と温
度（ジャンクション温度）の関係を示す特性図である。
このようなダイオードの特性を利用し、デバイス温度が
大略設定可能である。例えばテスター側で半導体デバイ
ス１１自体の温度状況がどのようになっているか把握で
きる。これにより、半導体デバイス１１の温度を所定温
度範囲内（１５０℃〜４００℃）になるように近付け
る。
【００１８】その後、図１（ｂ）に示すように、半導体
デバイス１１の温度が所定温度範囲内にある所定時間内
に、ボンディングワイヤ１３の接合部に対する通常のオ
ープン／ショートの有無を検出するテストを実行する。
例えば、ＤＣ測定試験であり、外部端子（電源端子及び
Ｉ／Ｏ端子）１２の電圧や外部端子１２を通過する電流
等をＤＣ的に測定する。これにより、高レベル出力電
圧、低レベル出力電圧、高レベル入力電流、低レベル入
力電流、入力リーク電流、出力リーク電流、電源電流な
どを評価する。
デバイス１１の温度が所定温度範囲内にある所定時間内
に、ボンディングワイヤ１３の接合部に対する通常のオ
ープン／ショートの有無を検出するテストを実行する。
例えば、ＤＣ測定試験であり、外部端子（電源端子及び
Ｉ／Ｏ端子）１２の電圧や外部端子１２を通過する電流
等をＤＣ的に測定する。これにより、高レベル出力電
圧、低レベル出力電圧、高レベル入力電流、低レベル入
力電流、入力リーク電流、出力リーク電流、電源電流な
どを評価する。
【００１９】テスト時間を短縮するためには、ＤＣ測定
ユニットなどを複数配し、複数端子について同時に測
定、評価するようにしてもよい。テスト時間が長くなる
場合は、テストの合間に図１（ａ）に示すような、半導
体デバイス自体を発熱させる昇温工程を再度経るように
すればよい。これにより、信頼性のある実効的なテスト
ができるようにする。
ユニットなどを複数配し、複数端子について同時に測
定、評価するようにしてもよい。テスト時間が長くなる
場合は、テストの合間に図１（ａ）に示すような、半導
体デバイス自体を発熱させる昇温工程を再度経るように
すればよい。これにより、信頼性のある実効的なテスト
ができるようにする。
【００２０】上記実施形態の方法によれば、昇温工程と
して半導体デバイス１１内部への通常とは異なる電気的
接続を利用し、ジュール熱により半導体デバイス１１自
体の発熱を促進させる。この発熱、その後の余熱を加速
試験として利用する。半導体デバイス１１自体が所定の
高温環境下にされている間に、オープン／ショートの有
無を検出するテストを完了させる。
して半導体デバイス１１内部への通常とは異なる電気的
接続を利用し、ジュール熱により半導体デバイス１１自
体の発熱を促進させる。この発熱、その後の余熱を加速
試験として利用する。半導体デバイス１１自体が所定の
高温環境下にされている間に、オープン／ショートの有
無を検出するテストを完了させる。
【００２１】従来技術のように、モールド樹脂１４のよ
うな封止体の外部から加熱するのではなく、半導体デバ
イス１１自体を昇温させる。このため、迅速に所望の温
度条件に達することができ、テスト時間の短縮に寄与す
る。従って、高温環境を作るための、高温保存処理は必
要なく、デバイス加熱用のオーブンまたはベーク炉の設
備が不要となる。半導体デバイスの初期故障、短寿命品
などを除去するためのスクリーニング工程としての利用
も期待できる。
うな封止体の外部から加熱するのではなく、半導体デバ
イス１１自体を昇温させる。このため、迅速に所望の温
度条件に達することができ、テスト時間の短縮に寄与す
る。従って、高温環境を作るための、高温保存処理は必
要なく、デバイス加熱用のオーブンまたはベーク炉の設
備が不要となる。半導体デバイスの初期故障、短寿命品
などを除去するためのスクリーニング工程としての利用
も期待できる。
【００２２】また、応用例として、少なくとも上記昇温
工程の前に、半導体パッケージ１０に対して、恒温恒湿
槽などで所定の吸湿工程を経るようにすれば、上記オー
プン／ショートの有無を検出するテスト工程において半
導体パッケージ１０の封止状態を評価するデータが取得
できる。すなわち、半導体デバイス１１自体を昇温させ
るため、半導体デバイスに効率良く熱ストレスを発生さ
せることができる。このため、クラック検査について最
も重要な封止境界面密着性の耐性が評価し易くなる。
工程の前に、半導体パッケージ１０に対して、恒温恒湿
槽などで所定の吸湿工程を経るようにすれば、上記オー
プン／ショートの有無を検出するテスト工程において半
導体パッケージ１０の封止状態を評価するデータが取得
できる。すなわち、半導体デバイス１１自体を昇温させ
るため、半導体デバイスに効率良く熱ストレスを発生さ
せることができる。このため、クラック検査について最
も重要な封止境界面密着性の耐性が評価し易くなる。
【００２３】図３は、本発明の一実施形態に係る半導体
デバイス封止製品の評価装置の構成を示すブロック図で
ある。制御部３０はＣＰＵやメモリデータの入出力装置
などを含む。テスター部３１は、テスト信号パターンや
期待値パターン発生のための各種信号制御部、Ｄ−Ａ変
換器、ＤＣ測定ユニットなどが含まれる。プロービング
部３２は、測定される半導体デバイス封止製品（ＤＵＴ
デバイス）へ各種信号レベルを与えるためのデバイス設
置部であり、少なくともＤＵＴデバイス自らの発熱を促
す特定の電気的接続及びオープン／ショートの有無を検
出する信号の授受を担う信号伝達機構を有する。
デバイス封止製品の評価装置の構成を示すブロック図で
ある。制御部３０はＣＰＵやメモリデータの入出力装置
などを含む。テスター部３１は、テスト信号パターンや
期待値パターン発生のための各種信号制御部、Ｄ−Ａ変
換器、ＤＣ測定ユニットなどが含まれる。プロービング
部３２は、測定される半導体デバイス封止製品（ＤＵＴ
デバイス）へ各種信号レベルを与えるためのデバイス設
置部であり、少なくともＤＵＴデバイス自らの発熱を促
す特定の電気的接続及びオープン／ショートの有無を検
出する信号の授受を担う信号伝達機構を有する。
【００２４】上記構成によって、ＤＵＴデバイスは、プ
ロービング部３２において、制御部３０、テスター部３
１に従った制御で昇温工程がなされる。すなわち、ＤＵ
Ｔデバイス自体の内部発熱が促進される（図１（ａ）参
照）。この発熱、その後の余熱を加速試験として利用す
る。所定の高温環境下にされている間に、オープン／シ
ョートの有無を検出するテストを完了させる。
ロービング部３２において、制御部３０、テスター部３
１に従った制御で昇温工程がなされる。すなわち、ＤＵ
Ｔデバイス自体の内部発熱が促進される（図１（ａ）参
照）。この発熱、その後の余熱を加速試験として利用す
る。所定の高温環境下にされている間に、オープン／シ
ョートの有無を検出するテストを完了させる。
【００２５】また、上述したように、ＤＵＴデバイスが
前段の工程で恒温恒湿槽などで所定の吸湿工程を経るよ
うにすれば、上記オープン／ショートの有無を検出する
テスト工程においてＤＵＴデバイスの封止状態を評価す
るデータが取得できる。すなわち、ＤＵＴデバイス内部
からの昇温のため、内部のデバイスに効率良く熱ストレ
スを発生させることができる。このため、クラック検査
について最も重要な封止境界面密着性の耐性が評価し易
くなる。
前段の工程で恒温恒湿槽などで所定の吸湿工程を経るよ
うにすれば、上記オープン／ショートの有無を検出する
テスト工程においてＤＵＴデバイスの封止状態を評価す
るデータが取得できる。すなわち、ＤＵＴデバイス内部
からの昇温のため、内部のデバイスに効率良く熱ストレ
スを発生させることができる。このため、クラック検査
について最も重要な封止境界面密着性の耐性が評価し易
くなる。
【００２６】上記実施形態の構成によれば、封止体の外
部から加熱されるのではなく、ＤＵＴデバイス内部から
自ら昇温される。このため、迅速に所望の温度条件に達
することができ、テスト時間の短縮に寄与する。従っ
て、高温環境を作るための、高温保存処理は必要なく、
デバイス加熱用のオーブンまたはベーク炉の設備が不要
となる。半導体デバイスの初期故障、短寿命品などを除
去するためのスクリーニング工程としての利用も十分に
期待できる。
部から加熱されるのではなく、ＤＵＴデバイス内部から
自ら昇温される。このため、迅速に所望の温度条件に達
することができ、テスト時間の短縮に寄与する。従っ
て、高温環境を作るための、高温保存処理は必要なく、
デバイス加熱用のオーブンまたはベーク炉の設備が不要
となる。半導体デバイスの初期故障、短寿命品などを除
去するためのスクリーニング工程としての利用も十分に
期待できる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体デバイス自体が発熱するモードを備える。これによ
り、迅速に所望の温度条件に達することができ、その後
の余熱を加速試験として利用する。半導体デバイス自体
が所定の高温環境下にされている間にテスト工程を経
て、オープン／ショートの有無を検出するテストを完了
させる。デバイス加熱用のハード装備が不要でテストコ
ストは削減でき、テスト時間の短縮に寄与する。この結
果、より安価な電極接合品質、封止状態のスクリーニン
グが行える半導体デバイス封止製品の接合品質評価方法
及びその評価装置を提供することができる。
導体デバイス自体が発熱するモードを備える。これによ
り、迅速に所望の温度条件に達することができ、その後
の余熱を加速試験として利用する。半導体デバイス自体
が所定の高温環境下にされている間にテスト工程を経
て、オープン／ショートの有無を検出するテストを完了
させる。デバイス加熱用のハード装備が不要でテストコ
ストは削減でき、テスト時間の短縮に寄与する。この結
果、より安価な電極接合品質、封止状態のスクリーニン
グが行える半導体デバイス封止製品の接合品質評価方法
及びその評価装置を提供することができる。
【図１】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の一実施形
態に係る半導体デバイス封止製品の接合品質評価方法を
工程順に示す概略図である。
態に係る半導体デバイス封止製品の接合品質評価方法を
工程順に示す概略図である。
【図２】半導体デバイス内のシリコンダイオードに関係
する順方向電圧と温度（ジャンクション温度）の関係を
示す特性図である。
する順方向電圧と温度（ジャンクション温度）の関係を
示す特性図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体デバイス封止
製品の評価装置の構成を示すブロック図である。
製品の評価装置の構成を示すブロック図である。
１０…半導体パッケージ
１１…半導体デバイス
１２…外部端子
１３…ボンディングワイヤ
１４…モールド樹脂
３０…制御部
３１…テスター部
３２…プロービング部
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体デバイス封止製品の所定の外部端
子に通常とは異なる電気的接続を所定時間施し封止内の
半導体デバイス自体を発熱させる昇温工程と、 少なくとも前記昇温工程から所定時間内に接合部に対す
るオープン／ショートの有無を検出するテストを実行す
るテスト工程と、を具備したことを特徴とする半導体デ
バイス封止製品の接合品質評価方法。 - 【請求項２】 前記昇温工程は前記半導体デバイス内の
電源間の保護素子に順方向電流を与え、そのジュール熱
によって達成されることを特徴とする請求項１記載の半
導体デバイス封止製品の接合品質評価方法。 - 【請求項３】 少なくとも前記昇温工程の前に前記半導
体デバイス封止製品に対する吸湿工程を経ることによ
り、前記テスト工程において前記半導体デバイスの封止
状態を評価するデータが取得されることを特徴とする請
求項２または３記載の半導体デバイス封止製品の接合品
質評価方法。 - 【請求項４】 半導体デバイス封止製品の設置領域と、 少なくとも前記半導体デバイス封止製品内の半導体デバ
イス自らの発熱を促す特定の電気的接続及びオープン／
ショートの有無を検出する信号の授受を担う信号伝達機
構と、 少なくとも前記特定の電気的接続及びオープン／ショー
トの有無の検出に利用される信号の生成、解析に関係す
るテストシステムが構築されたテスター本体と、を具備
し、 前記テスター本体におけるテストシステムとして、前記
特定の電気的接続から前記半導体デバイスが余熱により
所定温度範囲内にある所定時間内に接合部に対するオー
プン／ショートの有無を検出するテストが実行されるこ
とを特徴とする半導体デバイス封止製品の評価装置。 - 【請求項５】 前記半導体デバイスにおける特定の電気
的接続は、前記半導体デバイス内の電源間の保護素子に
順方向電流が与えられることを特徴とする請求項４記載
の半導体デバイス封止製品の評価装置。 - 【請求項６】 前記テスター本体におけるテストシステ
ムとして、前記半導体デバイスの封止状態を評価するデ
ータが取得され、封止欠陥の有無を判定することを特徴
とする請求項４または５記載の半導体デバイス封止製品
の評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002085382A JP2003279514A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 半導体デバイス封止製品の接合品質評価方法及びその評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002085382A JP2003279514A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 半導体デバイス封止製品の接合品質評価方法及びその評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003279514A true JP2003279514A (ja) | 2003-10-02 |
Family
ID=29232371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002085382A Withdrawn JP2003279514A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 半導体デバイス封止製品の接合品質評価方法及びその評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003279514A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007024542A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 検査方法及び検査装置 |
| JP2010151608A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | 封止樹脂の難燃性評価方法および難燃性評価用試験体 |
-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002085382A patent/JP2003279514A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007024542A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 検査方法及び検査装置 |
| JP2010151608A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | 封止樹脂の難燃性評価方法および難燃性評価用試験体 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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