JP2834047B2 - 半導体ウェハとその試験方法 - Google Patents
半導体ウェハとその試験方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハとその
製造方法に関し、特に半導体ウェハに多数配列された半
導体ペレットの温度の検出素子と、この素子を利用して
温度補正を行った状態で試験をする方法に関する。
製造方法に関し、特に半導体ウェハに多数配列された半
導体ペレットの温度の検出素子と、この素子を利用して
温度補正を行った状態で試験をする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】製造した半導体装置が設計通りの規格値
を満足しているか否かの確認のための試験は、抜き取り
的にまたは全数を対象に実施されている。半導体装置内
には、温度依存性のある特性を備えたダイオードやトラ
ンジスタ等が使用されているため、仮に種々の温度補償
回路を組み込んだとしても、装置としての規格値の温度
依存性を、実質的に除去することができない。正確な試
験データを得るためには、半導体装置、特に半導体ペレ
ットを厳密な所定の雰囲気温度の管理下に置くことが必
要となる。このような試験は、半導体ペレットをパッケ
ージに封入した完成品を対象として行われるだけでな
く、半導体ウェハ内に配列された未分離の半導体ペレッ
トを対象として行われることが、不良ペレットを製造途
中で除去してコスト低減を図る上で、重要である。
を満足しているか否かの確認のための試験は、抜き取り
的にまたは全数を対象に実施されている。半導体装置内
には、温度依存性のある特性を備えたダイオードやトラ
ンジスタ等が使用されているため、仮に種々の温度補償
回路を組み込んだとしても、装置としての規格値の温度
依存性を、実質的に除去することができない。正確な試
験データを得るためには、半導体装置、特に半導体ペレ
ットを厳密な所定の雰囲気温度の管理下に置くことが必
要となる。このような試験は、半導体ペレットをパッケ
ージに封入した完成品を対象として行われるだけでな
く、半導体ウェハ内に配列された未分離の半導体ペレッ
トを対象として行われることが、不良ペレットを製造途
中で除去してコスト低減を図る上で、重要である。
【０００３】上述した未分離の半導体ペレットには、す
でに所定の回路機能が形成されており、その主表面には
テスタのプローブに当接させるためのパッドもすでに形
成されている。
でに所定の回路機能が形成されており、その主表面には
テスタのプローブに当接させるためのパッドもすでに形
成されている。
【０００４】従って、各半導体ペレットに順にプローブ
を当接して、所定のバイアス電圧を印加し、所定の入力
信号を印加してその際に得られた出力信号を、テスタ内
にあらかじめ設定された期待値と比較することにより、
許容値内の規格値を備えているか否かの判別を行う。次
に、許容値外のペレットには、機械的または電気的にマ
ークが施され、後工程で分離されたあと廃棄される。こ
の判別の場合にも、半導体ペレットの温度を、正確に所
望の一定値に管理しておかなければ、正確にして信頼の
高い試験データを得ることができない。
を当接して、所定のバイアス電圧を印加し、所定の入力
信号を印加してその際に得られた出力信号を、テスタ内
にあらかじめ設定された期待値と比較することにより、
許容値内の規格値を備えているか否かの判別を行う。次
に、許容値外のペレットには、機械的または電気的にマ
ークが施され、後工程で分離されたあと廃棄される。こ
の判別の場合にも、半導体ペレットの温度を、正確に所
望の一定値に管理しておかなければ、正確にして信頼の
高い試験データを得ることができない。
【０００５】試験データを得る時の雰囲気温度は、ユー
ザーサイドの通常使用温度、使用最高温度や使用最低温
度等を参考にして、単一または複数の温度を設定して、
試験が行われる。
ザーサイドの通常使用温度、使用最高温度や使用最低温
度等を参考にして、単一または複数の温度を設定して、
試験が行われる。
【０００６】ちなみに、半導体装置の試験装置を示す特
開平２−３０６１７８号公報に記載された図４のブロッ
ク図を参照すると、試験を受ける集積回路５８は、その
内部に温度の検出素子であるダイオード５９を有する。
テスタ５３は、ダイオード５９の検出信号を受け、集積
回路５８の試験を行ない、あるいは温度制御装置５５の
設定値を変化させる。
開平２−３０６１７８号公報に記載された図４のブロッ
ク図を参照すると、試験を受ける集積回路５８は、その
内部に温度の検出素子であるダイオード５９を有する。
テスタ５３は、ダイオード５９の検出信号を受け、集積
回路５８の試験を行ない、あるいは温度制御装置５５の
設定値を変化させる。
【０００７】この装置の動作を示す図５を参照すると、
まず、ステップ６０でテスタ５３が温度制御装置５５の
温度設定を行ない、ステップ６５でダイオード５９の順
方向電圧ＶＦを測定する。ダイオード５９の順方向電圧
ＶＦは一定の温度依存性がある。いま、目標のチップ温
度がＴ０℃であるとし、そのときの準方向電圧がＶＦ０
であるとする。ステップ７０でテスタ５３が測定した順
方向電圧ＶＦ１と、上記ＶＦ０とを比較する。｜ＶＦ０
−ＶＦ１｜≦ａ（ａは許容値）の関係が満たされる
（Ｙ）と、目標のチップ温度に到達したと判断して、ス
テップ７５へ進み試験を開始する。この試験の終了後、
次の集積回路の温度設定を行なうために、ステップ６０
に移る。
まず、ステップ６０でテスタ５３が温度制御装置５５の
温度設定を行ない、ステップ６５でダイオード５９の順
方向電圧ＶＦを測定する。ダイオード５９の順方向電圧
ＶＦは一定の温度依存性がある。いま、目標のチップ温
度がＴ０℃であるとし、そのときの準方向電圧がＶＦ０
であるとする。ステップ７０でテスタ５３が測定した順
方向電圧ＶＦ１と、上記ＶＦ０とを比較する。｜ＶＦ０
−ＶＦ１｜≦ａ（ａは許容値）の関係が満たされる
（Ｙ）と、目標のチップ温度に到達したと判断して、ス
テップ７５へ進み試験を開始する。この試験の終了後、
次の集積回路の温度設定を行なうために、ステップ６０
に移る。
【０００８】上式の関係が満たされない場合（Ｎ）に
は、テスタ５３はステップ６０に戻り、温度制御装置５
５の温度設定をやり直し、再び集積回路内部の温度検出
用ダイオード５９の順方向電圧ＶＦを設定し、目標温度
に達するまでこれを繰り返す。こうして、ＶＦ１をＶＦ
０に近付けていき、各目標温度での集積回路５８の試験
を自動的に連続して行なう。
は、テスタ５３はステップ６０に戻り、温度制御装置５
５の温度設定をやり直し、再び集積回路内部の温度検出
用ダイオード５９の順方向電圧ＶＦを設定し、目標温度
に達するまでこれを繰り返す。こうして、ＶＦ１をＶＦ
０に近付けていき、各目標温度での集積回路５８の試験
を自動的に連続して行なう。
【０００９】尚、ダイオード５９は、温度設定のために
特別に設けられたもの使用していたが、回路内に使用さ
れているダイオードを用いる場合もある。
特別に設けられたもの使用していたが、回路内に使用さ
れているダイオードを用いる場合もある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
試験方法を、半導体ウェハ内のペレットに適用した場
合、順次ペレットの温度検出素子の測定を行った後試験
を行うことになるため、ペレット当りの平均試験時間や
半導体ウェハの試験時間が長くなってしまうという問題
がある。即ち、実質的に温度測定を行う必要のないペレ
ット群までも温度測定を行い、時間を費やしてしまうか
らである。
試験方法を、半導体ウェハ内のペレットに適用した場
合、順次ペレットの温度検出素子の測定を行った後試験
を行うことになるため、ペレット当りの平均試験時間や
半導体ウェハの試験時間が長くなってしまうという問題
がある。即ち、実質的に温度測定を行う必要のないペレ
ット群までも温度測定を行い、時間を費やしてしまうか
らである。
【００１１】最近の半導体ウェハの直径は、６インチか
ら８インチへと大きくなり、さらに大径のウェハが供給
されつつある。このような大きな直径の半導体ウェハ
を、温度制御装置により、均一な温度に設定することは
困難である。一枚の半導体ウェハのうち、ある部分のペ
レット群は許容値内に温度設定されているので、あらた
めて温度測定の必要はないが、他の部分のペレット群
は、別途温度測定を行い、温度補正を行った後試験を行
う必要がある。
ら８インチへと大きくなり、さらに大径のウェハが供給
されつつある。このような大きな直径の半導体ウェハ
を、温度制御装置により、均一な温度に設定することは
困難である。一枚の半導体ウェハのうち、ある部分のペ
レット群は許容値内に温度設定されているので、あらた
めて温度測定の必要はないが、他の部分のペレット群
は、別途温度測定を行い、温度補正を行った後試験を行
う必要がある。
【００１２】このため、温度補正を行った後に試験を行
うペレットと、一旦温度補正を行うとその後は補正を行
わないで試験を行うペレットとを適宜分類して、順にペ
レット試験を行うことが、能率良くかつ信頼の高いデー
タを得るために必要であることが判明した。
うペレットと、一旦温度補正を行うとその後は補正を行
わないで試験を行うペレットとを適宜分類して、順にペ
レット試験を行うことが、能率良くかつ信頼の高いデー
タを得るために必要であることが判明した。
【００１３】また、半導体ウェハの中には、初期不良と
なるペレットが、ある割合で存在しており、皆無にする
ことは技術上無理である。仮に、このような初期不良の
温度検出素子に基いて、温度補正を行うと、例えば許容
範囲外の高い温度が設定された状態で、試験を行うこと
になるため、間違ったデータを得ることになる。即ち、
温度検出素子としては、温度−検出電圧または電流の特
性が正常な値を示していることが、試験の前提条件とし
て必要不可欠である。
なるペレットが、ある割合で存在しており、皆無にする
ことは技術上無理である。仮に、このような初期不良の
温度検出素子に基いて、温度補正を行うと、例えば許容
範囲外の高い温度が設定された状態で、試験を行うこと
になるため、間違ったデータを得ることになる。即ち、
温度検出素子としては、温度−検出電圧または電流の特
性が正常な値を示していることが、試験の前提条件とし
て必要不可欠である。
【００１４】さらに、雰囲気温度が外的要因により急変
した場合には、ペレットの温度も急変するため、正確な
試験データを得ることができない。
した場合には、ペレットの温度も急変するため、正確な
試験データを得ることができない。
【００１５】また、半導体ペレットの通電時の自己発熱
によっても、ペレットの温度が上昇する場合がある。特
に、消費電力の大きい半導体ペレットにみられる。この
ような場合に備えて、試験通電の直後に、もう一度温度
検出素子から温度を測定して、対処することが大切であ
ると考える。
によっても、ペレットの温度が上昇する場合がある。特
に、消費電力の大きい半導体ペレットにみられる。この
ような場合に備えて、試験通電の直後に、もう一度温度
検出素子から温度を測定して、対処することが大切であ
ると考える。
【００１６】以上のような知見及び諸問題点に鑑み、本
発明は、次の課題を挙げる。
発明は、次の課題を挙げる。
【００１７】（１）試験に際し、半導体ペレットの温度
を正確に所望の一定値に設定できるようにすること。
を正確に所望の一定値に設定できるようにすること。
【００１８】（２）能率良く、かつ信頼の高い試験デー
タが得られるようにすること。
タが得られるようにすること。
【００１９】（３）試験の前に、初期不良の温度検出素
子を除外すること。
子を除外すること。
【００２０】（４）特に大きい直径の半導体ウェハに多
数配列された各ペレットの試験に際して、能率良くかつ
信頼の高いデータが得られるようにすること。
数配列された各ペレットの試験に際して、能率良くかつ
信頼の高いデータが得られるようにすること。
【００２１】（５）特に外的要因によるペレットの温度
の急変にも、備えること。
の急変にも、備えること。
【００２２】（６）特に半導体ペレットの通電的の自己
発熱による温度の変動にも備えること。
発熱による温度の変動にも備えること。
【００２３】
【課題を解決するための手段】 本発明の半導体ウェハ
の試験方法は、所定の回路機能が形成された半導体ペレ
ットが多数配列されると共に、前記半導体ペレットのう
ち複数のペレットが、このペレット自体の温度の検出素
子を備えた温度モニタペレットからなる半導体ウェハの
試験方法において、前記温度モニタペレットが所定特性
の規格値内に入っているか否かを検出して、前記規格値
内に入っていない不良の温度モニタペレットを除外する
と共に、前記規格値内に入っている良品の温度モニタペ
レットに基いて、許容値内に温度設定を行った状態で、
前記半導体ペレットを順次試験することを特徴としてい
る。
の試験方法は、所定の回路機能が形成された半導体ペレ
ットが多数配列されると共に、前記半導体ペレットのう
ち複数のペレットが、このペレット自体の温度の検出素
子を備えた温度モニタペレットからなる半導体ウェハの
試験方法において、前記温度モニタペレットが所定特性
の規格値内に入っているか否かを検出して、前記規格値
内に入っていない不良の温度モニタペレットを除外する
と共に、前記規格値内に入っている良品の温度モニタペ
レットに基いて、許容値内に温度設定を行った状態で、
前記半導体ペレットを順次試験することを特徴としてい
る。
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】かかる本発明の試験方法によれば、不良の
温度モニタペレットが除外されるため、間違った温度補
正を行う心配がなく、信頼の高い試験データを得ること
ができる。
温度モニタペレットが除外されるため、間違った温度補
正を行う心配がなく、信頼の高い試験データを得ること
ができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態で測定対象
となる半導体ウェハを示す図１の平面図を参照すると、
この半導体ウェハ１は、第１乃至第４の温度モニタペレ
ット２，４，６，８を備える。これらのペレット２，
４，６，８は、各々温度検出素子を備えている。温度検
出素子は、温度依存性のある所定の電圧または電流特性
を有しており、ダイオードやトランジスタ素子等が利用
される。温度検出素子には、後述するテスタのプローブ
をパッドに当接して、電圧または電流を検出するが、温
度検出素子に適切なバイアスが必要な場合には、テスタ
の他のプローブをこの他のパッドに当接して、電圧また
は電流を印加する。
となる半導体ウェハを示す図１の平面図を参照すると、
この半導体ウェハ１は、第１乃至第４の温度モニタペレ
ット２，４，６，８を備える。これらのペレット２，
４，６，８は、各々温度検出素子を備えている。温度検
出素子は、温度依存性のある所定の電圧または電流特性
を有しており、ダイオードやトランジスタ素子等が利用
される。温度検出素子には、後述するテスタのプローブ
をパッドに当接して、電圧または電流を検出するが、温
度検出素子に適切なバイアスが必要な場合には、テスタ
の他のプローブをこの他のパッドに当接して、電圧また
は電流を印加する。
【００３２】このような温度検出素子は、温度モニタペ
レット２，４，６，８に各々専用に備えられているが、
この他に通常の回路内に使用されている温度を検出でき
る素子を代用してもよい。
レット２，４，６，８に各々専用に備えられているが、
この他に通常の回路内に使用されている温度を検出でき
る素子を代用してもよい。
【００３３】第１のペレット群３の試験に際しては、第
１の温度モニタペレット２の温度測定に基いて、温度補
正を行う。第２，第３，第４のペレット群５，７，９の
試験に際しては、各々第２，第３，第４の温度モニタペ
レット４，６，８の温度測定に基いて、温度補正を行
う。第１のペレット群３の試験の終了時に、第２の温度
モニタペレット４で温度測定を行うが、この温度測定値
が許容値内に入っていない場合には、温度補正を行って
第１のペレット群３の試験を再度行うことが好ましく、
このため、第２の温度モニタペレット４は、第１のペレ
ット群３の境界近くに存在する。この点は第３，第４の
温度モニタペレット６，８についても、共通している。
１の温度モニタペレット２の温度測定に基いて、温度補
正を行う。第２，第３，第４のペレット群５，７，９の
試験に際しては、各々第２，第３，第４の温度モニタペ
レット４，６，８の温度測定に基いて、温度補正を行
う。第１のペレット群３の試験の終了時に、第２の温度
モニタペレット４で温度測定を行うが、この温度測定値
が許容値内に入っていない場合には、温度補正を行って
第１のペレット群３の試験を再度行うことが好ましく、
このため、第２の温度モニタペレット４は、第１のペレ
ット群３の境界近くに存在する。この点は第３，第４の
温度モニタペレット６，８についても、共通している。
【００３４】半導体ウェハ１は、４つのペレット群に分
割しているが、半導体ウェハの直径及びペレット数に応
じて、分割数を適宜増減する。特に半導体ウェハ１上の
温度分布の不均一性が心配される場合には、分割数をさ
らに増加することが好ましい。
割しているが、半導体ウェハの直径及びペレット数に応
じて、分割数を適宜増減する。特に半導体ウェハ１上の
温度分布の不均一性が心配される場合には、分割数をさ
らに増加することが好ましい。
【００３５】温度モニタペレット２，４，６，８内の温
度検出素子は、特定のペレットに限定されずすべてのペ
レットに備えられていてもよい。この場合は、所定の回
路機能がすべてのペレットに組み込まれている。
度検出素子は、特定のペレットに限定されずすべてのペ
レットに備えられていてもよい。この場合は、所定の回
路機能がすべてのペレットに組み込まれている。
【００３６】上述した半導体ウェハの試験装置を示す図
２のブロック図を参照すると、半導体ウェハ１１が吸着
法等により固定されるステージ１６には、加熱手段及び
冷却手段からなる温度調整装置が組み込まれている。半
導体ウェハ１の主表面上には、この主表面上のペレット
のパッドに当接するプローブ１７を備えたカード１８
が、上下前後左右に適宜移動させる制御装置に固定され
ている。プローブ１７は、必要数備えられ、テスタ１３
に電気的に各々接続され、半導体ウェハ１１に必要なバ
イアスや入力信号等を与え、半導体ウェハ１１から出力
信号を得るために、使用される。半導体ウェハ１１内の
特定のペレットから得られた電圧または電流値をテスタ
１３で検出し、これに基いてペレットの温度を算出す
る。
２のブロック図を参照すると、半導体ウェハ１１が吸着
法等により固定されるステージ１６には、加熱手段及び
冷却手段からなる温度調整装置が組み込まれている。半
導体ウェハ１の主表面上には、この主表面上のペレット
のパッドに当接するプローブ１７を備えたカード１８
が、上下前後左右に適宜移動させる制御装置に固定され
ている。プローブ１７は、必要数備えられ、テスタ１３
に電気的に各々接続され、半導体ウェハ１１に必要なバ
イアスや入力信号等を与え、半導体ウェハ１１から出力
信号を得るために、使用される。半導体ウェハ１１内の
特定のペレットから得られた電圧または電流値をテスタ
１３で検出し、これに基いてペレットの温度を算出す
る。
【００３７】テスタ１３で得られた算出値Ｔ１を、別途
入力しておいた温度特性情報１４の設定温度Ｔ０と比較
して、これが所定値内であれば、温度制御の必要はな
く、直ちに試験作業に移行する。ペレットの温度が所定
値内にはなく温度が高すぎるとテスタ１３が判断する
と、ステージ１６内の冷却手段を作動させ、逆に温度が
低すぎると判断すると、ステージ１６内の加熱手段を作
動させる。こうして、ペレットの温度を、常に所定値内
に入るように、温度制御装置１５が動作する。
入力しておいた温度特性情報１４の設定温度Ｔ０と比較
して、これが所定値内であれば、温度制御の必要はな
く、直ちに試験作業に移行する。ペレットの温度が所定
値内にはなく温度が高すぎるとテスタ１３が判断する
と、ステージ１６内の冷却手段を作動させ、逆に温度が
低すぎると判断すると、ステージ１６内の加熱手段を作
動させる。こうして、ペレットの温度を、常に所定値内
に入るように、温度制御装置１５が動作する。
【００３８】上述した実施の形態の動作を順次示す図３
のフロー図を参照すると、まず最初の処理２０にて、一
枚の半導体ウェハ１１がステージ１６上に、図２に示し
た通り、設定される。
のフロー図を参照すると、まず最初の処理２０にて、一
枚の半導体ウェハ１１がステージ１６上に、図２に示し
た通り、設定される。
【００３９】すでに、所定の回路機能を有するペレット
群と温度モニタペレット（以下ＴＭペレットと称す）と
が配列されており、処理２１にて、第１乃至第４のＴＭ
ペレット２，４，６，８の特性を順次プローブ１７を当
接して、これらのすべてをテストする。この処理２１の
テストでは、ペレット内の温度検出素子が良品となって
いるか否か、即ち規格内に入っているか否かの判断を処
理２２にて行う。ここでは、規格値内に入っているＴＭ
ペレットのみを選択して、次の試験において温度補正の
ための情報を得る手段として活用され、規格値外のペレ
ットは除外される。
群と温度モニタペレット（以下ＴＭペレットと称す）と
が配列されており、処理２１にて、第１乃至第４のＴＭ
ペレット２，４，６，８の特性を順次プローブ１７を当
接して、これらのすべてをテストする。この処理２１の
テストでは、ペレット内の温度検出素子が良品となって
いるか否か、即ち規格内に入っているか否かの判断を処
理２２にて行う。ここでは、規格値内に入っているＴＭ
ペレットのみを選択して、次の試験において温度補正の
ための情報を得る手段として活用され、規格値外のペレ
ットは除外される。
【００４０】仮りに、不良のＴＭペレットが第３のＴＭ
ペレット６であったとすると、第２のＴＭペレット４に
基づくペレット群を、第２，第３のペレット群５，７内
として、処理するように、処理２３にて、ＴＭペレット
とペレット群との再構成を行う。
ペレット６であったとすると、第２のＴＭペレット４に
基づくペレット群を、第２，第３のペレット群５，７内
として、処理するように、処理２３にて、ＴＭペレット
とペレット群との再構成を行う。
【００４１】次に処理２４にて、第１のＴＭペレット２
にプローブ１７を当接して、このプローブ１７から得ら
れた電流または電圧値から、このペレット２の温度Ｔ１
をテスタ１３で算出する。算出された温度Ｔ１が、温度
特性情報１４の設定温度Ｔ０と比較して許容値内の差Ｔ
Ｃになっている場合は、次の処理２７に移行する。許容
値内の差ＴＣになく許容値外となっている場合には、温
度制御装置１５を作動させ、次の処理２６にて、このペ
レット２の温度補正を行う。この際、第１のペレット群
３も共通の温度に設定されているものとみなし、処理２
７にて、第１のペレット群３のペレットを順に連続し
て、試験を行う。この時、各ペレットに順にプローブ１
７が当接するように、カード１８が、プログラム制御さ
れる。この試験が終了すると、直ちに第２のＴＭペレッ
ト４にプローブ１７を当接して、温度Ｔ１′を算出す
る。この際、第２のＴＭペレット４ではなく、第１のＴ
Ｍペレット２に再当接して、温度情報を得てもよい。
にプローブ１７を当接して、このプローブ１７から得ら
れた電流または電圧値から、このペレット２の温度Ｔ１
をテスタ１３で算出する。算出された温度Ｔ１が、温度
特性情報１４の設定温度Ｔ０と比較して許容値内の差Ｔ
Ｃになっている場合は、次の処理２７に移行する。許容
値内の差ＴＣになく許容値外となっている場合には、温
度制御装置１５を作動させ、次の処理２６にて、このペ
レット２の温度補正を行う。この際、第１のペレット群
３も共通の温度に設定されているものとみなし、処理２
７にて、第１のペレット群３のペレットを順に連続し
て、試験を行う。この時、各ペレットに順にプローブ１
７が当接するように、カード１８が、プログラム制御さ
れる。この試験が終了すると、直ちに第２のＴＭペレッ
ト４にプローブ１７を当接して、温度Ｔ１′を算出す
る。この際、第２のＴＭペレット４ではなく、第１のＴ
Ｍペレット２に再当接して、温度情報を得てもよい。
【００４２】以上のような処理２８を行った後、最初の
算出温度Ｔ１あるいは設定温度Ｔ０と比較して、再算出
温度Ｔ１′が許容値内にあれば、最初の算出温度Ｔ１に
基いた試験は有効となり（処理３０）、次の処理３３に
移行する。温度Ｔ１′が許容値内にない場合は、処理２
９にて温度補正の必要を判断し、処理３１にて再度温度
補正を行った後、最初に得た試験を無効となすと共に、
処理３２でそのペレット群の再連続試験を行い、この試
験データを有効データとなす。
算出温度Ｔ１あるいは設定温度Ｔ０と比較して、再算出
温度Ｔ１′が許容値内にあれば、最初の算出温度Ｔ１に
基いた試験は有効となり（処理３０）、次の処理３３に
移行する。温度Ｔ１′が許容値内にない場合は、処理２
９にて温度補正の必要を判断し、処理３１にて再度温度
補正を行った後、最初に得た試験を無効となすと共に、
処理３２でそのペレット群の再連続試験を行い、この試
験データを有効データとなす。
【００４３】以上の処理において、処理２４，２５，２
６は唯一回だけでなく、所定温度との差ＴＣが許容値内
に達するまで、繰り返される。処理２９，３１において
も、同様に許容値内に達するまで、繰り返されることが
好ましい。
６は唯一回だけでなく、所定温度との差ＴＣが許容値内
に達するまで、繰り返される。処理２９，３１において
も、同様に許容値内に達するまで、繰り返されることが
好ましい。
【００４４】以上で、第１のペレット群３の試験がすべ
て終了する。次に、処理３３にて未試験のペレット群が
ある場合は、このペレット群を対象として、処理２４か
ら処理３２までを、繰り返して行う。
て終了する。次に、処理３３にて未試験のペレット群が
ある場合は、このペレット群を対象として、処理２４か
ら処理３２までを、繰り返して行う。
【００４５】仮に、処理２２にてＴＭペレット自体が不
良となっていることが判明した場合には、その近くにあ
る他の良品のＴＭペレットを基準にして、そのペレット
群の試験を行う必要があるため、ＴＭペレットとしては
この不良となることを見込んで多く配置しておくことが
好ましい。
良となっていることが判明した場合には、その近くにあ
る他の良品のＴＭペレットを基準にして、そのペレット
群の試験を行う必要があるため、ＴＭペレットとしては
この不良となることを見込んで多く配置しておくことが
好ましい。
【００４６】ＴＭペレットには、温度検出素子だけでな
く、所定の回路機能も組み込むことが好ましく、このた
めにはペレットの空領域に温度検出素子を専用に設ける
か、または所定の回路内に使用されている素子を温度検
出用に兼用させて、半導体ウハの有効利用を図る。
く、所定の回路機能も組み込むことが好ましく、このた
めにはペレットの空領域に温度検出素子を専用に設ける
か、または所定の回路内に使用されている素子を温度検
出用に兼用させて、半導体ウハの有効利用を図る。
【００４７】尚、温度管理が厳密に要求されない場合に
は、処理２８，２９，３１，３２は省略することも可能
である。
は、処理２８，２９，３１，３２は省略することも可能
である。
【００４８】この実施の形態によれば、前記温度検出素
子が、ダイオードまたはトランジスタと、このダイオー
ドまたはトランジスタの電圧または電流を検出するため
のパッドとを備えているが、この他に前記温度検出素子
として、前記所定の回路機能内に形成された素子が使用
されてもよい。
子が、ダイオードまたはトランジスタと、このダイオー
ドまたはトランジスタの電圧または電流を検出するため
のパッドとを備えているが、この他に前記温度検出素子
として、前記所定の回路機能内に形成された素子が使用
されてもよい。
【００４９】また、前記温度モニタペレットにも、前記
所定の回路機能が形成されていることが、無駄のないペ
レットを確保する上で、好ましい。
所定の回路機能が形成されていることが、無駄のないペ
レットを確保する上で、好ましい。
【００５０】この実施の形態によれば、処理２１，２
２，２３があるため、不良のＴＭペレットに基いて間違
った温度設定を行う心配がない。また、あるペレット群
の試験の直前，直後で温度管理を行っているため、特に
室温等の外的要因で半導体ウェハの温度が変動した場合
でも、この間のペレットは再試験を行なうため、不良ペ
レットの混入率を極めて小さくすることができる。
２，２３があるため、不良のＴＭペレットに基いて間違
った温度設定を行う心配がない。また、あるペレット群
の試験の直前，直後で温度管理を行っているため、特に
室温等の外的要因で半導体ウェハの温度が変動した場合
でも、この間のペレットは再試験を行なうため、不良ペ
レットの混入率を極めて小さくすることができる。
【００５１】さらに、全ペレットに対して、温度モニタ
を実施せず、実質的に温度補正の必要がないと想定され
るところは試験のみを連続的に行うから、ウェハ当りの
試験時間を短縮することができ、温度モニタの必要性が
想定される部分には温度モニタペレットが配置されてい
るため、これを活用して温度管理を行うことにより、試
験データの信頼を高めることができる。
を実施せず、実質的に温度補正の必要がないと想定され
るところは試験のみを連続的に行うから、ウェハ当りの
試験時間を短縮することができ、温度モニタの必要性が
想定される部分には温度モニタペレットが配置されてい
るため、これを活用して温度管理を行うことにより、試
験データの信頼を高めることができる。
【００５２】この他の実施の形態として、半導体ウェハ
内のペレットではなく、ペレットがパッケージ内に封入
された個々の半導体装置を対象として連続的に試験する
場合に使用されてもよい。
内のペレットではなく、ペレットがパッケージ内に封入
された個々の半導体装置を対象として連続的に試験する
場合に使用されてもよい。
【００５３】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、所
定の間隔でペレット温度をモニタしながら試験を行うこ
とができるから、信頼の高い試験データを短時間に得る
ことができ、上述した上記（１）乃至（６）の各課題が
ことごとく達成された。
定の間隔でペレット温度をモニタしながら試験を行うこ
とができるから、信頼の高い試験データを短時間に得る
ことができ、上述した上記（１）乃至（６）の各課題が
ことごとく達成された。
【図１】本発明の実施の形態で試験対象となる半導体ウ
ェハを示す平面図である。
ェハを示す平面図である。
【図２】この実施の形態の試験装置を示すブロック図で
ある。
ある。
【図３】この実施の形態の試験方法を順に示すフロー図
である。
である。
【図４】従来の試験装置を示すブロック図である。
【図５】従来の試験装置の動作を示すフロー図である。
１，１１ 半導体ウェハ ２，４，６，８ 温度モニタペレット ３，５，７，９ ペレット群 １３，５３ テスタ １４ 温度特性情報 １５，５５ 温度制御装置 １６ ステージ １７ プローブ １８ カード ２０乃至３３ 処理 ５８ 集積回路 ５９ ダイオード ６０，６５，７０，７５ ステップ
Claims (1)
- 【請求項１】 所定の回路機能が形成された半導体ペレ
ットが多数配列されると共に、前記半導体ペレットのう
ち複数のペレットが、このペレット自体の温度の検出素
子を備えた温度モニタペレットからなる半導体ウェハの
試験方法において、前記温度モニタペレットが所定特性
の規格値内に入っているか否かを検出して、前記規格値
内に入っていない不良の温度モニタペレットを除外する
と共に、前記規格値内に入っている良品の温度モニタペ
レットに基いて、許容値内に温度設定を行った状態で、
前記半導体ペレットを順次試験することを特徴とする半
導体ウェハの試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7250607A JP2834047B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体ウェハとその試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7250607A JP2834047B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体ウェハとその試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992697A JPH0992697A (ja) | 1997-04-04 |
| JP2834047B2 true JP2834047B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=17210387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7250607A Expired - Lifetime JP2834047B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体ウェハとその試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2834047B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007066923A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェーハレベルバーンイン方法およびウェーハレベルバーンイン装置 |
| JP2007129090A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウエハテストシステム、プローバ、ウエハテスト方法及びプローブカード |
| JP5767836B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-08-19 | 株式会社東芝 | 検査システム、検査方法、および検査プログラム |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63115074A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体高温加速試験装置 |
| JPH0278241A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびウエハ |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP7250607A patent/JP2834047B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0992697A (ja) | 1997-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980203 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980908 |