JPS63115074A - 半導体高温加速試験装置 - Google Patents

半導体高温加速試験装置

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JPS63115074A
JPS63115074A JP26162186A JP26162186A JPS63115074A JP S63115074 A JPS63115074 A JP S63115074A JP 26162186 A JP26162186 A JP 26162186A JP 26162186 A JP26162186 A JP 26162186A JP S63115074 A JPS63115074 A JP S63115074A
Authority
JP
Japan
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temperature
temperature sensor
semiconductor
semiconductor device
test
Prior art date
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Pending
Application number
JP26162186A
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English (en)
Inventor
Keiichi Sawada
圭一 澤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS63115074A publication Critical patent/JPS63115074A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体高温加速試験装置に関し、特に多品種
の半導体装置の温度加速試験又は電圧加速試験を実施す
る際の温度制御の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
第6図及び第7図はそれぞれ従来の半導体高温加速試験
装置の概観および内部構造を示す。第6図において、1
は電圧を印加するための電源部であり、1aは電源部1
の制御部、1bは電源部1の電源パネル、ICは電源部
1のモニタ(表示部)である、2は恒温槽で、この中に
第8図の試験用半導体装置を搭載した基板を収容する。
3は恒温槽内部の温度制御部で、3aは温度制御部3の
温度設定用ボリューム、3bは恒温槽内部の温度の時間
的変化を記録する部分、3Cは恒温槽を加熱するヒータ
のON、OFF状態を示すパイロ・ノドランプである。
16はこの装置全体のメインスイッチである0次に第7
図において、4は試験用半導体装置に電圧を印加するた
めのコネクタ、5は第8図の基板を挿入するためのガイ
ド(スリット)・6は恒温槽内部の温度センサ、1)は
コネクタ4へ電圧を供給する電源本体、12は恒温槽を
加熱するヒータ、13はコネクタ4と電源本体1iを接
続するケーブルである。第8図において、7aは試験用
半導体装置を搭載する基板、7bはコネクタ4との接合
部である。コネクタ接合部7bより電圧が各半導体装置
に印加される。8は半導体装置取付用のソケットである
従来の半導体高温加速試験装置で試験を行なうには、ま
ず、試験用半導体装置を基板7a上のソケット8に必要
個数分挿入し、この基板7aをガイドに沿って恒温槽2
内部に入れ、コネクタ接合部7bをコネクタ4に接合す
る9次に装置の制御部1aにより印加電圧を設定し、電
源1)によりケーブル13を介して半導体装置に上記印
加電圧をかける。そして温度設定用ボリヱーム3aによ
り恒温槽内部の温度を設定して高温加速試験を開始する
。試験中の恒温槽2内部の温度は温度センサ6で測定さ
れる。温度センサ6で測定された温度により試験中の半
導体装置内部のトランジスタの温度を求めるには次のよ
うにする。
一般に、このトランジスタの温9度をトランジスタ接合
部の温度で表すと次のようになる。
TJ=Ta+Q3a−Pd ただし、Tjはトランジスタ接合部温度(℃)、Taは
周囲温度(’C)、Qjaは熱抵抗(’C/W)、Pd
は消費電力(W)とする。この式によりトランジスタ接
合部温度Tjは印加電圧による消g電力Pdによって起
こる自己発熱と、周囲温度Taにより決まる。従って従
来の高温加速試験装置は、恒温槽の内部温度Taと印加
電圧によって決まる消費電力Pdとをトランジスタの種
類によって変化させ、トランジスタ接合部の温度Tjを
決定していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
近年、半導体装置が多様化したことにより、同一の試験
装置で同時に多種類の半導体装置を試験しなければなら
ない必要性が生じてきた。従来の半導体試験装置では、
温度センサは恒温槽の内壁に1つしか設けられていない
ため、恒温槽内の温度のばらつきにより各半導体装置の
温度を正確に設定することができないという問題点があ
った。
又それぞれ熱抵抗の異なる半導体装置を同一の試験装置
で同時に試験することができないという問題点があった
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、多種類の半導体装置を同時にかつ正確に高温
加速試験をすることのできる半導体高温加速試験装置を
得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明にかかる半導体高温加速試験装置は、試験用半
導体装置を収容する恒温槽と、−該恒温槽を加熱するヒ
ータと、上記半導体装置に電圧を印加する電源と、上記
恒温槽内に設けられた温度センサと、上記半導体装置又
はそのソケット上に設けられた温度センサと、上記温度
センサの出力に応じて上記ヒータを制御する制御手段と
を設けたものである。
〔作用〕
この発明においては、M類の異なる試験用半導体装置上
又はその取付用ソケット上及び恒温層内に温度センサを
配置することにより正確に各々の半導体装置の温度の設
定ができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例による半導体高温加速試験
装置の内部構造を示し、第2図は該装置で試験される半
導体装置を搭載した基板を示す。
4〜6.7a、7b、8.1)〜13は第7図と同一の
ものである。9は取付用ソケット8に設けられた温度セ
ンサ、IOは該温度センサ9の端子、14はヒータ制御
装置、15は温度センサ6及び9からの出力をヒータ制
御装置14に入力するためのケーブルである。
本実施例における半導体高温加速試験装置で試験を行な
うには、まず、第2図のように基板7a上のソケット8
のいずれかに温度センサ9を設け、該温度センサの出力
端子10をコネクタ接合部7bに接合する0次に、試験
用半導体装置を基板7aのソケット8に挿入し、この基
板7aを第1図の試験装置のスリット5に差し込み、コ
ネクタ接合部7bをコネクタ4に接合する0次に、印加
電圧を制御部1aにより設定し、温度設定用ボリューム
3aにより半導体装置7の試験温度(平均埴土範囲値)
を設定して高温加速試験を開始する。
試験中、温度センサ9により検出された各半導体装置7
の温度を温度センサ制御装置14に入力する。該制御装
置14内に組み込まれた制御回路は、第3図フローチャ
ートに従い、入力された実際の測定温度Tjと設定温度
とを比較し、各半導体装置7の測定温度Tjが設定温度
に合致するようにヒータのON、OFFを制御する。一
方、恒温槽内に設けられた温度センサ6により検出され
た恒温槽の温度を上記温度センサ7の出力と同様に制御
装置14に入力し、あらかじめ設定された温度を越えた
場合に警告を発するようにしておけば、異常加熱時に火
災の発生を防止することができる。
また、スリット5が多数のブロックに分かれている場合
、各ブロック毎に同種類の半導体装置を収容し、各ブロ
ックのいずれか1つの半導体装置に設けた各温度センサ
の出力を温度制御装置に入力し、ヒータを制御するよう
にすれば多種類の半導体装置を効率良く高温加速試験す
ることができる。
なお、上記実施例では温度の出力端子を基板上のコネク
タ接合部を介してヒータ制御装置に接続したものを示し
たが、この出力端子は、第4図に示すようにコネクタ4
を介さずに、直接ヒータ制御装置14に接続してもよい
また、上記実施例の温度センサは試験用半導体装置のチ
ップ上に設けてもよく、この場合の一例を第5図(a)
に示す。
また、上記温度センサは試験用半導体装置と同品種の半
導体装置でもよく、特に半導体装置がトランジスタであ
る場合の温度測定の原理は次のようになる。第5図中)
はこの温度センサの回路を示す6図において、21はト
ランジスタのベース、22はそのエミッタ、23はその
コレクタで、24は定電流源である。トランジスタのベ
ース21゜エミッタ22間とベース21.コレクタ23
間を図のように結線し、ベース21.エミッタ22の間
に、定電流源24を入れる。この状態で定電流をエミン
タ、ベース間に流すことにより、ベース。
エミッタ間電圧VBEが生じる。この電圧VBEは、ト
ランジスタの温度Tjに依存して変化し、通常、この温
度Tjが高ければ、vBEは大きく、低ければ小さな値
となり、Tjに対して比例関係(TJ=aVBE+b 
(a、bは係数))にある、従って、この電圧VBEを
実測すればこの温度換算式からTjが求められる。実際
の測定においては、第5図(a)のように、温度センサ
を半導体チップ上に設け、半導体装置の発Pi!)Tj
−t−温度センサの電圧値VBEとして検出し、温度換
算式により半導体装置自身のTjとする。このような温
度センサを高温加速試験を実施する全品種に対して用意
することにより、正確なTjの測定が可能となる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明にかかる半導体高温加速試験装置に
よれば、温度センサを、恒温槽及び各試験用半導体装置
上又はその取付用ソケットに設け、上記温度センサから
の出力によりヒータの制御を行なうようにしたので、多
品種の半導体装置の高温加速試験が同時にかつ正確に実
施でき、装置の操作性を向上させることができる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体高温は制御用
のフローチ中−ト図、第4図は本発明の他の実施例によ
る半導体高温加速試験装置の内部構造を示す図、第5図
(alは半導体チップ上に温度センサを搭載した状態を
示す図、第5図(blは該温度センサの回路図、第6図
は従来の半導体高温加速試験装置の概観を示す図、第7
図は該装置の内部構造を示す図、第8図は該装置で試験
する半導体装置を搭載した基板である。 図において、1は電源部、laは制御部、1bは電源パ
ネル、ICはモニタ、2は恒温槽、3は温度制御部、3
aは温度設定用ボリューム、3bは記録部、3cはパイ
ロットランプ、4はコネクタ、5はガイド、6は温度セ
ンサ、7aは基板、7bはコネクタ接合部、8はソケッ
ト、9は温度センサ、10は温度センサ測定用端子、1
)は電源本体、12はヒータ、13はケーブル、14は
ヒータ制御装置、15は温度測定用ケーブル、16はメ
インスイッチ、17は温度センサ用端子、1Bはヒータ
制御用ケーブル、19は半導体チップ、20は温度セン
サ、21はベース、22はエミフタ、23はコレクタ、
24は定電流源である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の半導体装置を搭載した基板を収容する恒温
    槽と、 該恒温槽内部を加熱するための加熱手段と、上記半導体
    装置に電圧を印加するための電圧印加手段と、 上記恒温槽内に設けられた温度センサと、 上記半導体装置又はその取付用ソケット上に設けられた
    温度センサと、 上記温度センサの出力に応じて上記加熱手段を制御する
    ための制御手段とを備えたことを特徴とする半導体高温
    加速試験装置。
  2. (2)上記温度センサは、トランジスタである上記半導
    体装置と同一特性を有するトランジスタと、そのベース
    ・エミッタ間に設けられた定電流源とからなる回路によ
    り構成したものであることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の半導体高温加速試験装置。
JP26162186A 1986-10-31 1986-10-31 半導体高温加速試験装置 Pending JPS63115074A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0372376U (ja) * 1989-11-20 1991-07-22
JPH0992697A (ja) * 1995-09-28 1997-04-04 Nec Yamagata Ltd 半導体ウェハとその試験方法
US7023229B2 (en) 2001-12-19 2006-04-04 Fujitsu Limited Dynamic burn-in equipment

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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