JP2962129B2 - 半導体試験装置 - Google Patents
半導体試験装置Info
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- JP2962129B2 JP2962129B2 JP5352381A JP35238193A JP2962129B2 JP 2962129 B2 JP2962129 B2 JP 2962129B2 JP 5352381 A JP5352381 A JP 5352381A JP 35238193 A JP35238193 A JP 35238193A JP 2962129 B2 JP2962129 B2 JP 2962129B2
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- test
- test apparatus
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/2856—Internal circuit aspects, e.g. built-in test features; Test chips; Measuring material aspects, e.g. electro migration [EM]
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
- G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICの信頼性保証を行
う半導体試験装置に関し、特に被試験ICを加熱するこ
とにより信頼性加速寿命試験を行う半導体試験装置に関
する。
う半導体試験装置に関し、特に被試験ICを加熱するこ
とにより信頼性加速寿命試験を行う半導体試験装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】試験装置内において、ICを個々に試験
する場合の半導体試験装置は特開平2−52263号公
報に示されている。この半導体試験装置の構成を図6に
示す。この図6に示される半導体試験装置は、被試験I
C102の内部に本来必要とされる機能部113の他に
温度センサー部114を設け、この温度センサー部11
4によって検出された温度を計測部104によって測定
し所定の温度かどうかをコントローラ107で比較す
る。その結果、センサー部114によって検出された温
度、すなわち試験装置112内の温度が所定の温度にな
っている場合には測定装置115を使用して被試験IC
102の測定を開始し、所定の温度になっていない場合
にはコントローラ105は外部加熱冷却装置103に制
御信号を送り、被試験IC102の温度が所定の温度に
なるように試験装置112を加熱冷却する外部加熱冷却
装置103を制御するものが示されている。このよう
に、外部加熱冷却装置103によって試験装置112の
温度を変化させることによって一定の温度での試験を保
証していた。
する場合の半導体試験装置は特開平2−52263号公
報に示されている。この半導体試験装置の構成を図6に
示す。この図6に示される半導体試験装置は、被試験I
C102の内部に本来必要とされる機能部113の他に
温度センサー部114を設け、この温度センサー部11
4によって検出された温度を計測部104によって測定
し所定の温度かどうかをコントローラ107で比較す
る。その結果、センサー部114によって検出された温
度、すなわち試験装置112内の温度が所定の温度にな
っている場合には測定装置115を使用して被試験IC
102の測定を開始し、所定の温度になっていない場合
にはコントローラ105は外部加熱冷却装置103に制
御信号を送り、被試験IC102の温度が所定の温度に
なるように試験装置112を加熱冷却する外部加熱冷却
装置103を制御するものが示されている。このよう
に、外部加熱冷却装置103によって試験装置112の
温度を変化させることによって一定の温度での試験を保
証していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図6に示され
た半導体試験装置では、外部加熱冷却装置103によっ
て試験装置内全体の温度を変化させずには被試験IC1
02の温度を変化させることができなかった。また、複
数のICの試験を一度に行う場合に、試験装置112内
の温度を所定の温度にしても個々のICによって温度に
ばらつきがあるため、複数のICの温度を同一にして試
験を行うことができないという問題点があった。すなわ
ち、複数のICの信頼性を測定する信頼性加速寿命試験
において、加速係数が入力される電圧およびICの温度
に依存するために、各ICの温度が異なっていると、信
頼性加速寿命試験の結果が信用できないものとなってし
まう。
た半導体試験装置では、外部加熱冷却装置103によっ
て試験装置内全体の温度を変化させずには被試験IC1
02の温度を変化させることができなかった。また、複
数のICの試験を一度に行う場合に、試験装置112内
の温度を所定の温度にしても個々のICによって温度に
ばらつきがあるため、複数のICの温度を同一にして試
験を行うことができないという問題点があった。すなわ
ち、複数のICの信頼性を測定する信頼性加速寿命試験
において、加速係数が入力される電圧およびICの温度
に依存するために、各ICの温度が異なっていると、信
頼性加速寿命試験の結果が信用できないものとなってし
まう。
【0004】
【課題を解決するための手段】 本発明の半導体試験装
置は、被試験ICと、被試験ICがその内部に入れられ
る試験装置と、試験装置の内部の温度を測定する第1の
測定手段と、被試験ICの温度を測定する第2の測定手
段と、第1及び第2の測定手段が接続され第1の測定手
段からの入力に応答して第1の制御信号を出力し第2の
測定手段からの入力に応答して第2の制御信号を出力す
るコントローラと、第1の制御信号に応答して試験装置
内の温度を調整する加熱冷却装置と、第2の制御信号に
応答して被試験ICに供給されるパルスの周波数を変更
するパルスジェネレータとを有することを特徴とする。
置は、被試験ICと、被試験ICがその内部に入れられ
る試験装置と、試験装置の内部の温度を測定する第1の
測定手段と、被試験ICの温度を測定する第2の測定手
段と、第1及び第2の測定手段が接続され第1の測定手
段からの入力に応答して第1の制御信号を出力し第2の
測定手段からの入力に応答して第2の制御信号を出力す
るコントローラと、第1の制御信号に応答して試験装置
内の温度を調整する加熱冷却装置と、第2の制御信号に
応答して被試験ICに供給されるパルスの周波数を変更
するパルスジェネレータとを有することを特徴とする。
【0005】
【実施例】以下、図面により本発明の実施例につき説明
する。
する。
【0006】本発明の第1の実施例による半導体試験装
置を図1に示す。
置を図1に示す。
【0007】この半導体試験装置は、内部に機能部11
3と温度センサー部114とを設けられた被試験IC1
02(図2)と、試験装置112内に入れられた各々の
被試験IC102の電源用端子109に電源を供給する
電源装置101と、被試験IC102に設けられた温度
検出用端子110に接続される温度測定器104と、試
験装置112の内部に設けられた温度センサー107
と、温度センサー107に接続される温度測定器108
と、温度測定器104および温度測定器108に接続さ
れたコントローラ105と、コントローラ105に接続
された外部加熱冷却装置103と、コントローラ105
に接続される被試験IC102に対応して設けられ被試
験IC102の信号入出力用端子111に出力が接続さ
れる複数のパルスジェネレータ106とによって構成さ
れている。
3と温度センサー部114とを設けられた被試験IC1
02(図2)と、試験装置112内に入れられた各々の
被試験IC102の電源用端子109に電源を供給する
電源装置101と、被試験IC102に設けられた温度
検出用端子110に接続される温度測定器104と、試
験装置112の内部に設けられた温度センサー107
と、温度センサー107に接続される温度測定器108
と、温度測定器104および温度測定器108に接続さ
れたコントローラ105と、コントローラ105に接続
された外部加熱冷却装置103と、コントローラ105
に接続される被試験IC102に対応して設けられ被試
験IC102の信号入出力用端子111に出力が接続さ
れる複数のパルスジェネレータ106とによって構成さ
れている。
【0008】ここでは、被試験IC102として図2の
ものを使用しており、温度センサー部114としてダイ
オードを使用している。このダイオードは被試験IC1
02の機能部の素子を構成する工程で共に構成されたも
のであり、その特性は機能部の素子と同一となってい
る。温度センサー部114としてダイオードを使用した
のは、ダイオードのアノードとカソードとの両端に発生
する電圧と、そのときのダイオードの温度とが対応して
おり、ダイオードの両端の電圧を測定することによって
ダイオードの温度を決定することができるためである。
ものを使用しており、温度センサー部114としてダイ
オードを使用している。このダイオードは被試験IC1
02の機能部の素子を構成する工程で共に構成されたも
のであり、その特性は機能部の素子と同一となってい
る。温度センサー部114としてダイオードを使用した
のは、ダイオードのアノードとカソードとの両端に発生
する電圧と、そのときのダイオードの温度とが対応して
おり、ダイオードの両端の電圧を測定することによって
ダイオードの温度を決定することができるためである。
【0009】まず最初に、試験装置112内に被試験I
C102をセッティングし、電源用端子109に電源1
01を接続し、信号入出力用端子111にパルスジェネ
レータ106を接続し、温度検出用端子110に温度測
定器104を接続する。そして、外部加熱冷却装置10
3を動作させずに、すなわち試験装置112内を加熱せ
ずにコントローラ105によって被試験IC102の温
度・動作周波数特性を決定する。この温度・動作周波数
特性は、周波数と電流との間にI=fcV(I:電流、
f:周波数、c:容量、V:電圧)という関係があるこ
とを利用して得ることができる。すなわち、周波数の変
化に応答して電流が変化し、電流が変化することによっ
て消費電力が変化し、その結果としてジャンクション温
度が変化するという現象を利用している。この温度・動
作周波数特性を得るための手段として、被試験IC10
2に入力するパルスの周波数を制御するコントローラ1
05およびコントローラ105からの制御信号に基づい
て被試験IC102に出力するパルスの周波数を変更す
るパルスジェネレータ106を備えている。その測定方
法は、適当な周波数のパルスを被試験IC102に入力
して、そのときのジャンクション温度を測定するという
動作を所定回繰り返すことによって、それぞれの周波数
の場合に対応したジャンクション温度を得ることができ
る。このときの温度・動作周波数特性の例を図7に示
す。
C102をセッティングし、電源用端子109に電源1
01を接続し、信号入出力用端子111にパルスジェネ
レータ106を接続し、温度検出用端子110に温度測
定器104を接続する。そして、外部加熱冷却装置10
3を動作させずに、すなわち試験装置112内を加熱せ
ずにコントローラ105によって被試験IC102の温
度・動作周波数特性を決定する。この温度・動作周波数
特性は、周波数と電流との間にI=fcV(I:電流、
f:周波数、c:容量、V:電圧)という関係があるこ
とを利用して得ることができる。すなわち、周波数の変
化に応答して電流が変化し、電流が変化することによっ
て消費電力が変化し、その結果としてジャンクション温
度が変化するという現象を利用している。この温度・動
作周波数特性を得るための手段として、被試験IC10
2に入力するパルスの周波数を制御するコントローラ1
05およびコントローラ105からの制御信号に基づい
て被試験IC102に出力するパルスの周波数を変更す
るパルスジェネレータ106を備えている。その測定方
法は、適当な周波数のパルスを被試験IC102に入力
して、そのときのジャンクション温度を測定するという
動作を所定回繰り返すことによって、それぞれの周波数
の場合に対応したジャンクション温度を得ることができ
る。このときの温度・動作周波数特性の例を図7に示
す。
【0010】以上の様にして、温度・動作周波数特性を
決定した後で、試験装置112内の温度を温度センサー
107および温度測定器108によって測定された試験
装置112内の温度に基づき外部加熱冷却装置103を
コントローラ105により制御して、試験装置112内
を予め定められた一定の温度にする。
決定した後で、試験装置112内の温度を温度センサー
107および温度測定器108によって測定された試験
装置112内の温度に基づき外部加熱冷却装置103を
コントローラ105により制御して、試験装置112内
を予め定められた一定の温度にする。
【0011】次に、被試験IC102のジャンクション
温度を所定の温度とするために、コントローラ105は
被試験IC102に入力するパルスの動作周波数f0を
先ほど求めた温度・動作周波数特性を用いて決定し、パ
ルスジェネレータ106に制御信号を供給することによ
って、動作周波数f0のパルスを被試験IC102に印
加させる。
温度を所定の温度とするために、コントローラ105は
被試験IC102に入力するパルスの動作周波数f0を
先ほど求めた温度・動作周波数特性を用いて決定し、パ
ルスジェネレータ106に制御信号を供給することによ
って、動作周波数f0のパルスを被試験IC102に印
加させる。
【0012】試験中に被試験IC102のジャンクショ
ン温度が所定の温度から変化した場合でも、被試験IC
102内に温度センサー部114が設けられており、常
に被試験IC102のジャンクション温度を測定してい
るため、コントローラ105には温度測定器104を介
してジャンクション温度に基づく信号が入力されてい
る。したがって、コントローラ105は、すでに求めて
ある温度・動作周波数特性に基づいて動作周波数を再設
定し、パルスジェネレータ106に再設定された動作周
波数を出力させるための制御信号を出力する。このよう
にして、再設定された動作周波数のパルスが被試験IC
102に入力され、常に一定のジャンクション温度に被
試験IC102を保ったままで加速寿命試験を行うこと
ができる。すなわち、試験装置112内全体の温度を変
化させることなく、被試験IC102のジャンクション
温度を温度センサー部114および温度測定器104に
よって測定された温度と温度・動作周波数特性とに基づ
いて入力パルスの周波数を変化させて、すなわちジャン
クション温度の変化をフィードバックして被試験IC1
02のジャンクション温度を一定に制御することができ
る。
ン温度が所定の温度から変化した場合でも、被試験IC
102内に温度センサー部114が設けられており、常
に被試験IC102のジャンクション温度を測定してい
るため、コントローラ105には温度測定器104を介
してジャンクション温度に基づく信号が入力されてい
る。したがって、コントローラ105は、すでに求めて
ある温度・動作周波数特性に基づいて動作周波数を再設
定し、パルスジェネレータ106に再設定された動作周
波数を出力させるための制御信号を出力する。このよう
にして、再設定された動作周波数のパルスが被試験IC
102に入力され、常に一定のジャンクション温度に被
試験IC102を保ったままで加速寿命試験を行うこと
ができる。すなわち、試験装置112内全体の温度を変
化させることなく、被試験IC102のジャンクション
温度を温度センサー部114および温度測定器104に
よって測定された温度と温度・動作周波数特性とに基づ
いて入力パルスの周波数を変化させて、すなわちジャン
クション温度の変化をフィードバックして被試験IC1
02のジャンクション温度を一定に制御することができ
る。
【0013】以上の説明では、被試験IC102として
図2のものを使用して説明したが、図3に示されるよう
な被試験IC102を使用することもできる。すなわ
ち、図2の被試験IC102は通常の信号入出力用端子
111および電源端子109に加えて新たに温度検出用
端子110を設けているため、被試験IC102の端子
数が少ないときには、通常時に信号入出力用端子111
として使用している端子を温度検出用端子110として
兼用して使用するものが必要になる。そのために、通常
は信号入出力用端子111として使用されているテスト
信号入力用端子119に所定の電圧、例えば負の電圧、
がコントローラ105によって印加されたときに、通常
は信号入出力用端子110として使用されている兼用端
子118に温度センサー部114の出力が接続される被
試験IC102を使用して試験を行うこともできる。
図2のものを使用して説明したが、図3に示されるよう
な被試験IC102を使用することもできる。すなわ
ち、図2の被試験IC102は通常の信号入出力用端子
111および電源端子109に加えて新たに温度検出用
端子110を設けているため、被試験IC102の端子
数が少ないときには、通常時に信号入出力用端子111
として使用している端子を温度検出用端子110として
兼用して使用するものが必要になる。そのために、通常
は信号入出力用端子111として使用されているテスト
信号入力用端子119に所定の電圧、例えば負の電圧、
がコントローラ105によって印加されたときに、通常
は信号入出力用端子110として使用されている兼用端
子118に温度センサー部114の出力が接続される被
試験IC102を使用して試験を行うこともできる。
【0014】さらに、本発明の第2の実施例として図4
に示すように、コントローラ105からの制御信号が入
力されるパルスジェネレータ116をまとめて、パルス
ジェネレータ116に入力される制御信号に応じて、そ
れぞれ対応する被試験IC102に入力されるパルスの
周波数を変化させるものによって試験を行うこともでき
る。このパルスジェネレータは、基本パルスジェネレー
タ117と、この基本パルスジェネレータ117からの
パルスが入力されかつコントローラ105からの制御信
号に応答して分周を行う複数の分周回路116によって
構成される。その他の部分は、図3で説明したものと同
じであるので説明を省略する。
に示すように、コントローラ105からの制御信号が入
力されるパルスジェネレータ116をまとめて、パルス
ジェネレータ116に入力される制御信号に応じて、そ
れぞれ対応する被試験IC102に入力されるパルスの
周波数を変化させるものによって試験を行うこともでき
る。このパルスジェネレータは、基本パルスジェネレー
タ117と、この基本パルスジェネレータ117からの
パルスが入力されかつコントローラ105からの制御信
号に応答して分周を行う複数の分周回路116によって
構成される。その他の部分は、図3で説明したものと同
じであるので説明を省略する。
【0015】また、本発明の第3の実施例として図5に
示すように、被試験IC102の温度を測定する温度セ
ンサーとして、被試験IC102の外部に設けられた赤
外線センサー120を使用することによって個々の被試
験IC102の温度を測り、被試験IC102の内部に
温度センサーを設けない構造、すなわち、機能部位外に
余分な素子を備えないICをも試験することができる。
その他の部分は、図3で説明したものと同じであるので
説明を省略する。
示すように、被試験IC102の温度を測定する温度セ
ンサーとして、被試験IC102の外部に設けられた赤
外線センサー120を使用することによって個々の被試
験IC102の温度を測り、被試験IC102の内部に
温度センサーを設けない構造、すなわち、機能部位外に
余分な素子を備えないICをも試験することができる。
その他の部分は、図3で説明したものと同じであるので
説明を省略する。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明により、被試
験ICの温度を試験装置内の温度を変化させることなく
被試験ICに入力されるパルスの周波数を変更すること
によって一定に保ち、信頼性保証試験(信頼性加速寿命
試験)を行うことができる。したがって、被試験ICの
各々が同じ温度という同一の条件の下で試験することが
でき、信頼性試験の結果を正確なものとすることができ
る。
験ICの温度を試験装置内の温度を変化させることなく
被試験ICに入力されるパルスの周波数を変更すること
によって一定に保ち、信頼性保証試験(信頼性加速寿命
試験)を行うことができる。したがって、被試験ICの
各々が同じ温度という同一の条件の下で試験することが
でき、信頼性試験の結果を正確なものとすることができ
る。
【図1】本発明の半導体試験装置の第1の実施例を示す
図
図
【図2】本発明の半導体試験装置に使用する第1のIC
の構造を示す図
の構造を示す図
【図3】本発明の半導体試験装置に使用する第2のIC
の構造を示す図
の構造を示す図
【図4】本発明の半導体試験装置の第2の実施例を示す
図
図
【図5】本発明の半導体試験装置の第3の実施例を示す
図
図
【図6】従来の半導体試験装置を示す図
【図7】温度と動作周波数の関係を示す図
102 被試験IC 103 加熱冷却装置 105 コントローラ 106 パルスジェネレータ 107 温度センサー 112 試験装置 114 温度センサー部 120 赤外線センサー
Claims (5)
- 【請求項1】 被試験ICと、前記被試験ICがその内
部に入れられる試験装置と、前記試験装置の内部の温度
を測定する第1の測定手段と、前記被試験ICの温度を
測定する第2の測定手段と、前記第1及び第2の測定手
段が接続され前記第1の測定手段からの入力に応答して
第1の制御信号を出力し前記第2の測定手段からの入力
に応答して第2の制御信号を出力するコントローラと、
前記第1の制御信号に応答して前記試験装置内の温度を
調整する加熱冷却装置と、前記第2の制御信号に応答し
て前記被試験ICに供給されるパルスの周波数を変更す
るパルスジェネレータとを有することを特徴とする半導
体試験装置。 - 【請求項2】 前記被試験ICは通常時に必要とされる
機能部と、温度を検出するために必要とされる温度セン
サー部とを有し、該温度センサー部の出力が前記第2の
測定手段に供給されることを特徴とする請求項1記載の
半導体試験装置。 - 【請求項3】 前記被試験IC内の温度センサー部は半
導体素子で構成されていることを特徴とする請求項2記
載の半導体試験装置。 - 【請求項4】 前記被試験ICは機能部に接続された特
定の端子に所定の信号が入力されたときに機能部に接続
された所定の端子に前記温度センサー部からの出力を接
続することを特徴とする請求項2記載の半導体試験装
置。 - 【請求項5】 前記パルスジェネレータは前記被試験I
Cの各々に対応して設けられ、前記コントローラからの
第2の制御信号によって各々制御された周波数のパルス
を前記被試験ICに供給することを特徴とする請求項1
記載の半導体試験装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5352381A JP2962129B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体試験装置 |
US08/366,097 US5473259A (en) | 1993-12-29 | 1994-12-29 | Semiconductor device tester capable of simultaneously testing a plurality of integrated circuits at the same temperature |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5352381A JP2962129B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体試験装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07198777A JPH07198777A (ja) | 1995-08-01 |
JP2962129B2 true JP2962129B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=18423688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5352381A Expired - Fee Related JP2962129B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体試験装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5473259A (ja) |
JP (1) | JP2962129B2 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2773709B2 (ja) * | 1995-10-31 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の試験方法および試験装置 |
JP2850816B2 (ja) * | 1995-12-18 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | バンプ接合検査装置及び検査方法 |
JP3019782B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路の試験装置 |
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