JPH08334545A - 半導体装置の測定装置 - Google Patents

半導体装置の測定装置

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JPH08334545A
JPH08334545A JP7140407A JP14040795A JPH08334545A JP H08334545 A JPH08334545 A JP H08334545A JP 7140407 A JP7140407 A JP 7140407A JP 14040795 A JP14040795 A JP 14040795A JP H08334545 A JPH08334545 A JP H08334545A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
temperature
measuring apparatus
heat generation
measuring
Prior art date
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Pending
Application number
JP7140407A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Wada
雄二 和田
Akihiko Shibamori
昭彦 柴森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Akita Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP7140407A priority Critical patent/JPH08334545A/ja
Publication of JPH08334545A publication Critical patent/JPH08334545A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 測定対象の半導体装置自体の発熱を管理し
て、半導体装置の測定時に正確な温度を得ることができ
る半導体装置の測定装置を提供する。 【構成】 所定の雰囲気温度に管理され、測定対象の半
導体装置が収容される恒温槽1と、この恒温槽1内の温
度条件を所定の範囲内に制御する制御部2と、半導体装
置の電気的特性を測定するテスタ3とから構成される半
導体装置の測定装置であって、恒温槽1の内部には、ス
テージ5に搭載される半導体装置4の極めて近傍に、測
定中の半導体装置4の動的温度を検出するための温度セ
ンサ6が配置されており、この温度センサ6によって半
導体装置4自体の動的な温度が検出され、この結果に応
じてモータ9およびヒータ10のON/OFFが制御部
2によって制御されるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の電気的特
性をテストする測定技術に関し、特に測定対象の半導体
装置自体の発熱を管理して適正な温度条件による特性測
定に好適な半導体装置の測定装置に適用して有効な技術
に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば、発明者が検討したところによ
れば、ICなどの半導体装置は製造装置で製造された
後、テスト装置において各種のテストが行われており、
このテスト装置の一例として、電気的な測定を行うテス
タと、テスタに接続してICをハンドリングするICハ
ンドラが考えられる。
【0003】このICハンドラにおいては、測定対象の
半導体装置を所定の温度範囲内に加熱あるいは冷却する
必要があり、この部分の機構の例としては、たとえば特
開平6−167537号公報に記載される技術が挙げら
れる。これは、複数の半導体装置をキャリアに収容し、
恒温槽の雰囲気温度にて半導体装置に温度を印加するも
のである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
なICハンドラのテスト機構においては、半導体装置の
テスト時間の長時間化、半導体装置のパッケージの小型
・薄型化に伴う低熱容量化につれて、テスト中の半導体
装置の自己発熱による温度変化が問題となり、雰囲気温
度内での温度印加のみでは正確な温度コントロールが困
難となってきていると考えられる。
【0005】そこで、本発明の目的は、測定対象の半導
体装置自体の発熱を管理して、半導体装置の測定時に正
確な温度を得ることができる半導体装置の測定装置を提
供することにある。
【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0008】すなわち、本発明の半導体装置の測定装置
は、測定対象の半導体装置の電気的特性をテストする測
定装置に適用されるものであり、前記半導体装置の電気
的特性を測定する際に、この半導体装置の動的な温度状
態を管理する手段を有するものである。
【0009】特に、前記温度状態の管理手段として、半
導体装置の近傍の発熱を検出する検出手段と、この検出
手段の結果に応じて内部流体の状態を制御する制御手段
とを設けたり、または半導体装置の発熱パターンを予め
記憶する記憶手段と、この記憶手段に記憶されている発
熱パターンに応じて内部流体の状態を制御する制御手段
とを設けるようにしたものである。
【0010】さらに、半導体装置の冷却効率を高めた
り、低温測定などを考慮して、前記内部流体として窒素
などの気体または液体を用いるようにしたものである。
【0011】
【作用】前記した半導体装置の測定装置によれば、たと
えば半導体装置の近傍の発熱を検出手段によって検出
し、この結果に応じて風などの内部流体の状態を制御手
段によって制御することにより、電気的特性の測定中に
おいても、半導体装置の動的な温度状態を管理して適正
な温度条件で測定を行うことができる。
【0012】また、記憶手段に予め記憶されている発熱
パターンに応じて内部流体の状態を制御手段により制御
する場合にも、前記同様に電気的特性の測定中における
半導体装置の動的な温度状態を管理し、これによって適
正な温度条件で測定を行うことができる。
【0013】さらに、内部流体として窒素などの気体ま
たは液体などの流体を用いる場合には、半導体装置の発
熱が高い場合などに冷却効率を高めることができ、また
低温の雰囲気温度による特性測定などの場合に良好に適
用することができる。
【0014】これにより、半導体装置の電気的特性の測
定において、測定対象の半導体装置自体の発熱を管理し
て、測定中でも半導体装置の温度を正確に保つことがで
きるので、信頼性の高い特性測定を実施することができ
る。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
【0016】(実施例1)図1は本発明の実施例1であ
る半導体装置の測定装置を示す概略構成図、図2は本実
施例の測定装置を組み込んだハンドラの一例を示す概略
斜視図である。
【0017】まず、図1により本実施例の半導体装置の
測定装置の構成を説明する。
【0018】本実施例の測定装置は、たとえば半導体装
置の電気的な特性測定を恒温槽内で行う測定装置とさ
れ、所定の雰囲気温度に管理され、測定対象の半導体装
置が収容される恒温槽1と、この恒温槽1内の温度条件
を所定の範囲内に制御する制御部2(制御手段)と、半
導体装置の電気的特性を測定するテスタ3とから構成さ
れている。
【0019】恒温槽1の内部には、測定対象の半導体装
置4が搭載されるステージ5が下側に配置され、このス
テージ5に搭載される半導体装置4の極めて近傍に、測
定中の半導体装置4の動的温度を検出するための温度セ
ンサ6(検出手段)が配置されている。さらに、恒温槽
1内の雰囲気温度は他の温度センサ7により監視されて
いる。
【0020】また、恒温槽1内において、半導体装置4
の上方にはファン8が配置され、このファン8はモータ
9によって回転される。ファン8と半導体装置4の間に
はヒータ10が配置されており、ファン8によって発生
した風はヒータ10によって加熱されるようになってい
る。
【0021】制御部2は、恒温槽1内に配置されてい
る、半導体装置4の動的な温度センサ6、モータ9およ
びヒータ10、さらに恒温槽1内の温度センサ7に接続
されており、温度センサ6によって半導体装置4自体の
動的な温度が検出され、この結果に応じてモータ9およ
びヒータ10のON/OFFが制御されるとともに、温
度センサ7による検出結果に応じても恒温槽1内の温度
管理がモータ9およびヒータ10の制御によって行われ
る。
【0022】テスタ3は、恒温槽1内に配置されている
ステージ5を介して、このステージ5上の半導体装置4
のリード11に対して電気経路12によって電気的に接
続されており、電気経路12を通じて半導体装置4の電
気的特性の測定が行われるようになっている。
【0023】以上のように構成される測定装置は、たと
えば図2に示すような水平搬送ハンドラのテストステー
ションに組み込まれている。ここで、この水平搬送ハン
ドラの構成を簡単に説明する。なお、このハンドラにお
いては、2組のテストステーションが設けられ、並行し
てテストが行われるようになっている。
【0024】図2において、水平搬送ハンドラは、ロボ
ット13によって半導体装置4を供給トレイ14から供
給するローダ15と、コンベア16を介して恒温槽1内
に搬送し、半導体装置4の電気的特性を測定する2組の
テストステーション17と、ロボット18によって測定
結果に基づいて半導体装置4を所定の回収トレイ19に
良品、不良品別、あるいは特性別に分類するアンローダ
20とから構成されている。
【0025】次に、本実施例の作用について、測定装置
における温度管理の制御動作を説明する。
【0026】まず、たとえばSOP型ICなどの半導体
装置4を測定するに先立って、恒温槽1内のヒータ10
を通電し、同時にモータ9によってファン8を回転させ
て熱風を循環させている。このとき、温度センサ7が恒
温槽1の雰囲気温度を計測し、この計測結果の信号を制
御部2に入力する。
【0027】そして、制御部2においては、計測結果の
信号に基づいてモータ9およびヒータ10を制御、たと
えば所定の温度に満たない場合にはON状態にし、所定
の温度に達した場合にはOFF状態に制御して、恒温槽
1内の温度を一定にコントロールする。
【0028】この状態で、半導体装置4の測定を開始
し、テスタ3は半導体装置4との間で電気経路12を通
して各種電気信号の入出力を行う。この測定結果に基づ
いて、半導体装置4は良品、不良品別、あるいは特性別
に分類される。
【0029】この測定中に、半導体装置4は自己発熱を
生ずる。このとき、半導体装置4の極めて近傍に配置さ
れている温度センサ6により半導体装置4の発熱による
実際の温度を計測し、この計測結果の信号を制御部2に
入力する。
【0030】そして、制御部2において、計測結果の信
号に基づいて前述と同様にモータ9およびヒータ10の
制御を実施する。このようにして、恒温槽1の雰囲気温
度のみではなく半導体装置4の近傍の温度により制御す
るので、より正確な温度にて測定を実施することができ
る。
【0031】従って、本実施例の測定装置によれば、半
導体装置4の極めて近傍に配置される温度センサ6の検
出結果に基づいて動的な雰囲気温度を制御することによ
り、半導体装置4の電気的特性の測定中においても、半
導体装置4自体の温度を正確に保つことができるので、
信頼性の高い特性測定を実施することができる。
【0032】(実施例2)図3は本発明の実施例2であ
る半導体装置の測定装置を示す概略構成図である。
【0033】本実施例の測定装置は、実施例1と同様に
半導体装置の電気的な特性測定を恒温槽内で行う測定装
置とされ、実施例1との相違点は、半導体装置の発熱パ
ターンを予め記憶しておき、この発熱パターンに応じて
内部流体の状態を制御するようにした点である。
【0034】すなわち、本実施例においては、図3に示
すように、所定の雰囲気温度に管理され、測定対象の半
導体装置が収容される恒温槽1a、この恒温槽1a内の
温度条件を所定の範囲内に制御する制御部2a、半導体
装置の電気的特性を測定するテスタ3aに加えて、制御
部2aに発熱パターンを記憶するための記憶部21(記
憶手段)が接続された構成となっている。
【0035】これにより、恒温槽1aの雰囲気温度は温
度センサ7により監視して実施例1と同様に制御すると
ともに、半導体装置4自体の発熱による温度制御につい
ては、予め半導体装置4の発熱パターンを実験で測定
し、この測定された発熱パターンを記憶部21に記憶し
ておくことにより、制御部2aはこの発熱パターンに基
づいてファン8を回転させるモータ9およびヒータ10
のシーケンシャルな制御を実施することができる。
【0036】従って、本実施例の測定装置によれば、記
憶部21に予め記憶されている発熱パターンに基づいて
半導体装置4の動的な雰囲気温度を制御することによ
り、実施例1と同様に半導体装置4の電気的特性の測定
中においても、半導体装置4自体の温度を正確に保つこ
とができるので、信頼性の高い特性測定を実施すること
ができる。
【0037】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例1および2に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【0038】たとえば、前記実施例の測定装置において
は、モータおよびヒータをON/OFF状態で制御する
場合について説明したが、本発明は前記実施例に限定さ
れるものではなく、段階的にヒータ出力やモータ回転を
変えるように制御する場合などについても広く適用可能
である。
【0039】また、恒温槽内を循環させる流体として
は、ファンによる熱風の他に窒素などの流体を用いるこ
とも可能であり、さらに液体窒素を併用してヒータとと
もに温度制御を実施してもよい。この場合には半導体装
置の発熱が高い場合などに冷却効率を高めることができ
る。
【0040】さらに、前記実施例では高温測定時を記載
したが、液体窒素または冷却装置と組み合わせて低温測
定時にも適用でき、このような場合にも低温の雰囲気温
度を正確に保持して信頼性の高い特性測定を行うことが
できる。
【0041】また、測定対象の半導体装置についても、
SOP型ICに限定されるものではなく、DIP型、P
LCC型などのような種々のリード形状の半導体装置に
ついても適用可能であることはいうまでもない。
【0042】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野である半導体装置の電気
的特性を測定するテスト工程に適用した場合について説
明したが、これに限定されるものではなく、他のエージ
ング工程などについても適用可能である。
【0043】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0044】(1).半導体装置の近傍の発熱を検出し、こ
の検出結果に応じて内部流体の状態を制御して、半導体
装置の電気的特性の測定中においても、半導体装置自体
の動的な温度状態を管理することができるので、適正な
温度条件で半導体装置の測定を行うことが可能となる。
【0045】(2).半導体装置の発熱パターンを予め記憶
し、この記憶されている発熱パターンに応じて内部流体
の状態を制御して、前記(1) と同様に電気的特性の測定
中における半導体装置自体の動的な温度状態を管理し、
これによって適正な温度条件における半導体装置の測定
が可能となる。
【0046】(3).内部流体に窒素などの気体または液体
を用いて、半導体装置の発熱が高い場合などに冷却効率
を高めることができ、また低温の雰囲気温度による特性
測定などの場合においても良好に適用可能となる。
【0047】(4).前記(1) 〜(3) により、半導体装置の
電気的特性の測定において、測定対象の半導体装置自体
の発熱を管理して、測定中でも半導体装置の温度を正確
に保つことができるので、信頼性の高い特性測定によっ
て半導体装置の歩留り向上、品質向上に貢献することが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1である半導体装置の測定装置
を示す概略構成図である。
【図2】実施例1の測定装置を組み込んだハンドラの一
例を示す概略斜視図である。
【図3】本発明の実施例2である半導体装置の測定装置
を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1,1a 恒温槽 2,2a 制御部(制御手段) 3,3a テスタ 4 半導体装置 5 ステージ 6 温度センサ(検出手段) 7 温度センサ 8 ファン 9 モータ 10 ヒータ 11 リード 12 電気経路 13 ロボット 14 供給トレイ 15 ローダ 16 コンベア 17 テストステーション 18 ロボット 19 回収トレイ 20 アンローダ 21 記憶部(記憶手段)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 測定対象の半導体装置の電気的特性をテ
    ストする測定装置であって、前記半導体装置の電気的特
    性を測定する際に、この半導体装置の動的な温度状態を
    管理する手段を有することを特徴とする半導体装置の測
    定装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の測定装置で
    あって、前記温度状態の管理手段として、前記半導体装
    置の近傍の発熱を検出する検出手段と、この検出手段の
    結果に応じて内部流体の状態を制御する制御手段とが設
    けられていることを特徴とする半導体装置の測定装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の半導体装置の測定装置で
    あって、前記温度状態の管理手段として、前記半導体装
    置の発熱パターンを予め記憶する記憶手段と、この記憶
    手段に記憶されている発熱パターンに応じて内部流体の
    状態を制御する制御手段とが設けられていることを特徴
    とする半導体装置の測定装置。
  4. 【請求項4】 請求項1、2または3記載の半導体装置
    の測定装置であって、前記内部流体として窒素などの気
    体または液体を用いることを特徴とする半導体装置の測
    定装置。
JP7140407A 1995-06-07 1995-06-07 半導体装置の測定装置 Pending JPH08334545A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1299408C (zh) * 2004-09-09 2007-02-07 长春理工大学 半导体激光器参数测试用填充液态导热媒质控温装置
JP5000803B2 (ja) * 1998-07-14 2012-08-15 デルタ・デザイン・インコーポレイテッド 電子デバイスの速応温度反復制御を液体を利用して広範囲に行うための装置、方法

Cited By (2)

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