JP2003279617A - Ｉｃチップのテスト方法及びそのテスト装置 - Google Patents
Ｉｃチップのテスト方法及びそのテスト装置Info
- Publication number
- JP2003279617A JP2003279617A JP2002085383A JP2002085383A JP2003279617A JP 2003279617 A JP2003279617 A JP 2003279617A JP 2002085383 A JP2002085383 A JP 2002085383A JP 2002085383 A JP2002085383 A JP 2002085383A JP 2003279617 A JP2003279617 A JP 2003279617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- test
- temperature
- electrical connection
- test program
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】より安価な高温環境下での機能テストを可能と
するＩＣチップのテスト方法及びそのテスト装置を提供
する。 【解決手段】ＩＣチップ内部への通常とは異なる電気的
接続により前記ＩＣチップ自体を発熱させる昇温工程を
経る（処理Ｓ１）。昇温工程は、例えばＩＣチップ内の
電源間の保護ダイオードに順方向電流を与える。ＩＣチ
ップ内はジュール熱により昇温する。所定温度範囲内と
判断されれば（処理Ｓ２）、高温環境下による所定のテ
ストプログラムを実行する（処理Ｓ３）。テストプログ
ラムを複数に分割し、適当な間隔でテストプログラムを
実行させる。基本的には、分割した一つのテストプログ
ラム実行後、常にＩＣチップ内が所定温度範囲内にある
か判断し（処理Ｓ３，Ｓ４）、実効的なテストプログラ
ムができるようにする。
するＩＣチップのテスト方法及びそのテスト装置を提供
する。 【解決手段】ＩＣチップ内部への通常とは異なる電気的
接続により前記ＩＣチップ自体を発熱させる昇温工程を
経る（処理Ｓ１）。昇温工程は、例えばＩＣチップ内の
電源間の保護ダイオードに順方向電流を与える。ＩＣチ
ップ内はジュール熱により昇温する。所定温度範囲内と
判断されれば（処理Ｓ２）、高温環境下による所定のテ
ストプログラムを実行する（処理Ｓ３）。テストプログ
ラムを複数に分割し、適当な間隔でテストプログラムを
実行させる。基本的には、分割した一つのテストプログ
ラム実行後、常にＩＣチップ内が所定温度範囲内にある
か判断し（処理Ｓ３，Ｓ４）、実効的なテストプログラ
ムができるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にＩＣチップの
高温環境下での機能テストを実施するＩＣチップのテス
ト方法及びそのテスト装置に関する。
高温環境下での機能テストを実施するＩＣチップのテス
ト方法及びそのテスト装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造の組立工程前におけるウェハ
状態での試験、いわゆるプローブ試験済みの製品に対
し、ＩＣチップ状態での機能テスト、つまり電気的特性
検査を行う評価技術がある。例えばバーンインは、半導
体集積回路デバイスの初期故障、短寿命品などを除去す
るための一手法である。通常、半導体製品のスクリーニ
ング工程として、ＩＣチップに対し温度及び電圧ストレ
スを印加し、ストレスを加速した状況下に置く。これに
より、初期不良品を除去する。
状態での試験、いわゆるプローブ試験済みの製品に対
し、ＩＣチップ状態での機能テスト、つまり電気的特性
検査を行う評価技術がある。例えばバーンインは、半導
体集積回路デバイスの初期故障、短寿命品などを除去す
るための一手法である。通常、半導体製品のスクリーニ
ング工程として、ＩＣチップに対し温度及び電圧ストレ
スを印加し、ストレスを加速した状況下に置く。これに
より、初期不良品を除去する。
【０００３】高温環境を作るには例えばオーブンや専用
ジグを配備する必要がある。例えば、ＩＣハンドラに関
していえば、量産されたＩＣチップを所望の温度環境下
で機能テストを実施し、そのデータを測定し、検査結果
に応じて分類収納する装置である。このようなＩＣハン
ドラは、ＩＣチップ供給用のローダ部、検査前のＩＣチ
ップを所望の温度条件に近付ける予備チャンバ（ソーク
チャンバ）、テスターに繋がるテストヘッドに接続され
ＩＣチップのデータ測定が行われる測定チャンバ、測定
後のＩＣチップを搬入させる予備チャンバ、及び、検査
後のＩＣチップを分類収納するアンローダ部から構成さ
れている。
ジグを配備する必要がある。例えば、ＩＣハンドラに関
していえば、量産されたＩＣチップを所望の温度環境下
で機能テストを実施し、そのデータを測定し、検査結果
に応じて分類収納する装置である。このようなＩＣハン
ドラは、ＩＣチップ供給用のローダ部、検査前のＩＣチ
ップを所望の温度条件に近付ける予備チャンバ（ソーク
チャンバ）、テスターに繋がるテストヘッドに接続され
ＩＣチップのデータ測定が行われる測定チャンバ、測定
後のＩＣチップを搬入させる予備チャンバ、及び、検査
後のＩＣチップを分類収納するアンローダ部から構成さ
れている。
【０００４】上記のように、ＩＣハンドラでは予備チャ
ンバ（ソークチャンバ）が装備され、ＩＣチップを高温
環境下に置くことができる。通常、測定チャンバにもソ
ークチャンバと同様、温度制御系が備えられ、ＩＣチッ
プに対し予備チャンバからの温度を引き継ぎできるよう
になっている。
ンバ（ソークチャンバ）が装備され、ＩＣチップを高温
環境下に置くことができる。通常、測定チャンバにもソ
ークチャンバと同様、温度制御系が備えられ、ＩＣチッ
プに対し予備チャンバからの温度を引き継ぎできるよう
になっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＩＣチップの高温環境
下での機能テストを実施するためには予備チャンバ（ソ
ークチャンバ）、温度制御系等、デバイス加熱用の装備
が必要である。定温コントロール性は悪くないが、その
技術開発はテストコストをより高価にする問題があっ
た。
下での機能テストを実施するためには予備チャンバ（ソ
ークチャンバ）、温度制御系等、デバイス加熱用の装備
が必要である。定温コントロール性は悪くないが、その
技術開発はテストコストをより高価にする問題があっ
た。
【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、より安価な高温環境下での機能テストを可
能とするＩＣチップのテスト方法及びそのテスト装置を
提供しようとするものである。
れたもので、より安価な高温環境下での機能テストを可
能とするＩＣチップのテスト方法及びそのテスト装置を
提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るＩＣチップ
のテスト方法は、ＩＣチップの常温とは異なる高温環境
下での機能テストに関し、前記ＩＣチップ内部への通常
とは異なる電気的接続により前記ＩＣチップ自体を発熱
させる昇温工程と、前記昇温工程から前記ＩＣチップ内
部が余熱で所定温度範囲を維持している間に前記ＩＣチ
ップに対し所定のテストプログラムを実行するテスト工
程と、を具備したことを特徴とする。
のテスト方法は、ＩＣチップの常温とは異なる高温環境
下での機能テストに関し、前記ＩＣチップ内部への通常
とは異なる電気的接続により前記ＩＣチップ自体を発熱
させる昇温工程と、前記昇温工程から前記ＩＣチップ内
部が余熱で所定温度範囲を維持している間に前記ＩＣチ
ップに対し所定のテストプログラムを実行するテスト工
程と、を具備したことを特徴とする。
【０００８】上記本発明に係るＩＣチップのテスト方法
によれば、昇温工程としてＩＣチップ内部への通常とは
異なる電気的接続を利用し、ＩＣチップ自体の発熱を促
進させる。この余熱によりＩＣチップ自体が所定温度範
囲を維持している間に所定のテストプログラムを実行す
れば、高温環境下でのテストとして十分な信頼性が得ら
れる。
によれば、昇温工程としてＩＣチップ内部への通常とは
異なる電気的接続を利用し、ＩＣチップ自体の発熱を促
進させる。この余熱によりＩＣチップ自体が所定温度範
囲を維持している間に所定のテストプログラムを実行す
れば、高温環境下でのテストとして十分な信頼性が得ら
れる。
【０００９】なお、上記本発明に係るＩＣチップのテス
ト方法では、好ましくは、前記昇温工程は前記ＩＣチッ
プ内の電源間の保護素子に順方向電流を与え、そのジュ
ール熱によって達成されることを特徴とする。これによ
り、ＩＣチップ内部の温度に敏感なダイオードの順方向
電圧特性を把握しておき、ＩＣチップ内部を所定温度範
囲に移行させ、高温環境下を作る。
ト方法では、好ましくは、前記昇温工程は前記ＩＣチッ
プ内の電源間の保護素子に順方向電流を与え、そのジュ
ール熱によって達成されることを特徴とする。これによ
り、ＩＣチップ内部の温度に敏感なダイオードの順方向
電圧特性を把握しておき、ＩＣチップ内部を所定温度範
囲に移行させ、高温環境下を作る。
【００１０】また、上記本発明に係るＩＣチップのテス
ト方法において、前記テストプログラムは実質的に複数
に分割され、前記昇温工程とテスト工程が交互に行われ
ることを特徴とする。昇温工程停止によって余熱が所定
温度範囲を外れたら、テストプログラムに実効力はない
ので、再び昇温工程を経ることにより、ＩＣチップに対
し高温環境下を作る。これにより、テストプログラムを
続行する。
ト方法において、前記テストプログラムは実質的に複数
に分割され、前記昇温工程とテスト工程が交互に行われ
ることを特徴とする。昇温工程停止によって余熱が所定
温度範囲を外れたら、テストプログラムに実効力はない
ので、再び昇温工程を経ることにより、ＩＣチップに対
し高温環境下を作る。これにより、テストプログラムを
続行する。
【００１１】本発明に係るＩＣチップのテスト装置は、
ＩＣチップの設置領域と、少なくとも前記ＩＣチップに
おける自らの発熱を促す特定の電気的接続及び電気的特
性検査に関る信号の授受を担う信号伝達機構と、前記特
定の電気的接続及び電気的特性検査に利用されるための
信号の生成、解析に関係するテストシステムが構築され
たテスター本体と、を具備し、前記テスター本体におけ
るテストシステムとして、前記特定の電気的接続から前
記ＩＣチップ内部が余熱で所定温度範囲を維持している
間に前記電気的特性検査に関る各テスト項目が記述され
た全プログラムのうちから、テスト項目が選択され前記
電気的特性検査が実施されることを特徴とする。
ＩＣチップの設置領域と、少なくとも前記ＩＣチップに
おける自らの発熱を促す特定の電気的接続及び電気的特
性検査に関る信号の授受を担う信号伝達機構と、前記特
定の電気的接続及び電気的特性検査に利用されるための
信号の生成、解析に関係するテストシステムが構築され
たテスター本体と、を具備し、前記テスター本体におけ
るテストシステムとして、前記特定の電気的接続から前
記ＩＣチップ内部が余熱で所定温度範囲を維持している
間に前記電気的特性検査に関る各テスト項目が記述され
た全プログラムのうちから、テスト項目が選択され前記
電気的特性検査が実施されることを特徴とする。
【００１２】上記本発明に係るＩＣチップのテスト装置
によれば、信号伝達機構として、電気的特性検査に関る
信号の授受の他に、ＩＣチップ自体を発熱させるモード
を備えている。これにより、ＩＣチップ内部が余熱で所
定温度範囲を維持している間に所定のテスト項目が選択
されプログラムが実行されれば、高温環境下でのテスト
として十分な信頼性が得られる。
によれば、信号伝達機構として、電気的特性検査に関る
信号の授受の他に、ＩＣチップ自体を発熱させるモード
を備えている。これにより、ＩＣチップ内部が余熱で所
定温度範囲を維持している間に所定のテスト項目が選択
されプログラムが実行されれば、高温環境下でのテスト
として十分な信頼性が得られる。
【００１３】なお、上記本発明に係るＩＣチップのテス
ト装置では、好ましくは、ＩＣチップにおける特定の電
気的接続は、前記ＩＣチップ内の電源間の保護素子に順
方向電流が与えられることを特徴とする。保護素子によ
るジュール熱を利用して、ＩＣチップ内部を高温環境下
にする。ＩＣチップ内部の温度に敏感なダイオードの順
方向電圧特性を把握しておき、ＩＣチップ内部を所定温
度範囲に置くように制御する。
ト装置では、好ましくは、ＩＣチップにおける特定の電
気的接続は、前記ＩＣチップ内の電源間の保護素子に順
方向電流が与えられることを特徴とする。保護素子によ
るジュール熱を利用して、ＩＣチップ内部を高温環境下
にする。ＩＣチップ内部の温度に敏感なダイオードの順
方向電圧特性を把握しておき、ＩＣチップ内部を所定温
度範囲に置くように制御する。
【００１４】また、上記本発明に係るＩＣチップのテス
ト装置において、前記信号伝達機構において、特定の電
気的接続の期間と電気的特性検査の期間が交互に設けら
れることを特徴とする。ＩＣチップに対し特定の電気的
接続による余熱を得た後、その余熱が所定温度範囲を外
れたら、テストプログラムに実効力はないので、再び特
定の電気的接続の期間を経ることにより、ＩＣチップに
対し高温環境下を作る。これにより、テストプログラム
を続行する。
ト装置において、前記信号伝達機構において、特定の電
気的接続の期間と電気的特性検査の期間が交互に設けら
れることを特徴とする。ＩＣチップに対し特定の電気的
接続による余熱を得た後、その余熱が所定温度範囲を外
れたら、テストプログラムに実効力はないので、再び特
定の電気的接続の期間を経ることにより、ＩＣチップに
対し高温環境下を作る。これにより、テストプログラム
を続行する。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
るＩＣチップのテスト方法を示す流れ図である。また、
図２は、ＩＣチップの加熱手段を示す概略図、図３は、
ＩＣチップ内のシリコンダイオードに関係する順電流−
電圧特性と温度の関係を示す特性図、図４は、ＩＣチッ
プ内のシリコンダイオードに関係する順方向電圧と温度
の関係を示す特性図である。
るＩＣチップのテスト方法を示す流れ図である。また、
図２は、ＩＣチップの加熱手段を示す概略図、図３は、
ＩＣチップ内のシリコンダイオードに関係する順電流−
電圧特性と温度の関係を示す特性図、図４は、ＩＣチッ
プ内のシリコンダイオードに関係する順方向電圧と温度
の関係を示す特性図である。
【００１６】図１に示すＩＣチップのテスト方法につい
て、図２〜図４を適宜参照しながら説明する。ＬＳＩ製
造の組立工程前におけるウェハ状態での試験、いわゆる
プローブ試験済みのチップ製品に対し、ＩＣチップ状態
における高温状況下の機能テスト（電気的特性検査）が
行われる。まず、ＩＣチップ内部への通常とは異なる電
気的接続により前記ＩＣチップ自体を発熱させる昇温工
程を経る（処理Ｓ１）。
て、図２〜図４を適宜参照しながら説明する。ＬＳＩ製
造の組立工程前におけるウェハ状態での試験、いわゆる
プローブ試験済みのチップ製品に対し、ＩＣチップ状態
における高温状況下の機能テスト（電気的特性検査）が
行われる。まず、ＩＣチップ内部への通常とは異なる電
気的接続により前記ＩＣチップ自体を発熱させる昇温工
程を経る（処理Ｓ１）。
【００１７】上記昇温工程は、例えばＩＣチップ内の電
源間の保護ダイオードに順方向電流を与える。図２に示
すように、ＩＣチップ内に配線されたＶＳＳ−ＶＤＤ間
の保護ダイオードＤ１，Ｄ２に順方向電流を流す。ＩＣ
の構造にもよるが、電力は１Ｗ程度に抑えれば問題な
い。これにより、ＩＣチップ内はジュール熱により昇温
する。特にＩＣチップがモールド樹脂で封止されている
ものなら、モールド樹脂による保温作用も得られる。
源間の保護ダイオードに順方向電流を与える。図２に示
すように、ＩＣチップ内に配線されたＶＳＳ−ＶＤＤ間
の保護ダイオードＤ１，Ｄ２に順方向電流を流す。ＩＣ
の構造にもよるが、電力は１Ｗ程度に抑えれば問題な
い。これにより、ＩＣチップ内はジュール熱により昇温
する。特にＩＣチップがモールド樹脂で封止されている
ものなら、モールド樹脂による保温作用も得られる。
【００１８】ＩＣチップ内昇温について、予め図３，図
４に示されるように、ダイオードの温度特性の情報をテ
スター側で持っていれば、ＩＣチップ自体の温度状況が
どのようになっているかを知る通信手段となる。これを
踏まえてＩＣチップ全体の温度を所定温度範囲内になる
ように近付ける。所定温度範囲内であると判断されれば
（処理Ｓ２）、高温環境下（例えば１２０℃〜１７０℃
くらい）による所定のテストプログラムを実行する（処
理Ｓ３）。
４に示されるように、ダイオードの温度特性の情報をテ
スター側で持っていれば、ＩＣチップ自体の温度状況が
どのようになっているかを知る通信手段となる。これを
踏まえてＩＣチップ全体の温度を所定温度範囲内になる
ように近付ける。所定温度範囲内であると判断されれば
（処理Ｓ２）、高温環境下（例えば１２０℃〜１７０℃
くらい）による所定のテストプログラムを実行する（処
理Ｓ３）。
【００１９】テストプログラム実行中、当然のことなが
ら電源間ダイオードには電流が流せないことを注意すべ
きである。つまり、昇温工程は停止されているので、Ｉ
Ｃチップ内の余熱が所定温度範囲を外れる時がくる。そ
の時はテストプログラムの実効力がなくなる。よって、
テストプログラムを複数に分割し、適当な間隔でテスト
プログラムを実行させる。基本的には、分割した一つの
テストプログラム実行後、常にＩＣチップ内が所定温度
範囲内にあるか判断し、信頼性のある実効的なテストプ
ログラムができるようにする。
ら電源間ダイオードには電流が流せないことを注意すべ
きである。つまり、昇温工程は停止されているので、Ｉ
Ｃチップ内の余熱が所定温度範囲を外れる時がくる。そ
の時はテストプログラムの実効力がなくなる。よって、
テストプログラムを複数に分割し、適当な間隔でテスト
プログラムを実行させる。基本的には、分割した一つの
テストプログラム実行後、常にＩＣチップ内が所定温度
範囲内にあるか判断し、信頼性のある実効的なテストプ
ログラムができるようにする。
【００２０】例えば、分割した一つのテストプログラム
実行後、再び処理Ｓ４のように、経時変化を見込んだ処
理Ｓ２より低い設定で所定温度範囲内にあるか否かを判
断する。この再度の温度判定で所定範囲外になった場合
は、処理Ｓ１で昇温工程を経ることにより、ＩＣチップ
に対し再び高温環境下を作る。また、この処理Ｓ４の温
度判定で所定範囲内を外れなくても、処理Ｓ２の温度判
定をする。処理Ｓ２で所定範囲外と判断されれば、処理
Ｓ１の昇温工程を経て再びＩＣチップに対し高温環境下
を作る。これにより、所定のテストプログラムを続行す
る（Ｓ２，Ｓ３）。
実行後、再び処理Ｓ４のように、経時変化を見込んだ処
理Ｓ２より低い設定で所定温度範囲内にあるか否かを判
断する。この再度の温度判定で所定範囲外になった場合
は、処理Ｓ１で昇温工程を経ることにより、ＩＣチップ
に対し再び高温環境下を作る。また、この処理Ｓ４の温
度判定で所定範囲内を外れなくても、処理Ｓ２の温度判
定をする。処理Ｓ２で所定範囲外と判断されれば、処理
Ｓ１の昇温工程を経て再びＩＣチップに対し高温環境下
を作る。これにより、所定のテストプログラムを続行す
る（Ｓ２，Ｓ３）。
【００２１】上記実施形態の方法によれば、ＩＣチップ
内部への通常とは異なる電気的接続によりＩＣチップ自
体を発熱させる昇温工程を経る（処理Ｓ１）。従って、
高温環境を作るための、例えばオーブンや専用ジグを配
備する必要はない。また、テスターの情報から、検査さ
れているＩＣチップ自体の温度状況がどのようになって
いるか温度特性をモニタしつつ、テストプログラムを進
めることができる。常に定温での測定にはならないが、
厳密を要さない高温状況下の機能テストなら十分に対応
できる。例えばバーンインのような、ＩＣチップの初期
故障、短寿命品などを除去するためのスクリーニング工
程としての利用が期待できる。
内部への通常とは異なる電気的接続によりＩＣチップ自
体を発熱させる昇温工程を経る（処理Ｓ１）。従って、
高温環境を作るための、例えばオーブンや専用ジグを配
備する必要はない。また、テスターの情報から、検査さ
れているＩＣチップ自体の温度状況がどのようになって
いるか温度特性をモニタしつつ、テストプログラムを進
めることができる。常に定温での測定にはならないが、
厳密を要さない高温状況下の機能テストなら十分に対応
できる。例えばバーンインのような、ＩＣチップの初期
故障、短寿命品などを除去するためのスクリーニング工
程としての利用が期待できる。
【００２２】図５は、本発明の一実施形態に係るＩＣチ
ップのテスト装置の構成を示すブロック図である。前記
図１に示すテスト方法を実現するＩＣハンドラの構成で
ある。テスト装置５０は、量産されたＩＣチップを所望
の温度環境で検査し、所定のデータを測定し、データ結
果に応じて分類収納する装置である。すなわち、ＩＣチ
ップ供給用のローダ部５１、テスター６０に繋がるテス
トヘッド６１に接続されＩＣチップのデータ測定が行わ
れる測定チャンバ５２、及び、測定後のＩＣデバイスを
分類収納するアンローダ部５３から構成されている。
ップのテスト装置の構成を示すブロック図である。前記
図１に示すテスト方法を実現するＩＣハンドラの構成で
ある。テスト装置５０は、量産されたＩＣチップを所望
の温度環境で検査し、所定のデータを測定し、データ結
果に応じて分類収納する装置である。すなわち、ＩＣチ
ップ供給用のローダ部５１、テスター６０に繋がるテス
トヘッド６１に接続されＩＣチップのデータ測定が行わ
れる測定チャンバ５２、及び、測定後のＩＣデバイスを
分類収納するアンローダ部５３から構成されている。
【００２３】上記測定チャンバ５２では、１個または複
数のＩＣチップが検査される。ＩＣチップは樹脂封止製
品またはベアチップ製品が考えられる。測定チャンバ５
２に繋がるテストヘッド６１では、信号伝達機構５２１
が含まれている。信号伝達機構５２１は、少なくともＩ
Ｃチップにおける自らの発熱を促す特定の電気的接続、
つまり図１の処理Ｓ１を実現する回路接続と、通常の電
気的特性検査に関る信号の授受の両者を切替え制御する
ことができる。これにより、このテスト装置において、
チップ加熱のための予備チャンバや測定チャンバ５２内
の温度雰囲気と連動させる温度制御系が不要である。
数のＩＣチップが検査される。ＩＣチップは樹脂封止製
品またはベアチップ製品が考えられる。測定チャンバ５
２に繋がるテストヘッド６１では、信号伝達機構５２１
が含まれている。信号伝達機構５２１は、少なくともＩ
Ｃチップにおける自らの発熱を促す特定の電気的接続、
つまり図１の処理Ｓ１を実現する回路接続と、通常の電
気的特性検査に関る信号の授受の両者を切替え制御する
ことができる。これにより、このテスト装置において、
チップ加熱のための予備チャンバや測定チャンバ５２内
の温度雰囲気と連動させる温度制御系が不要である。
【００２４】テスター６０本体は、上記特定の電気的接
続及び特定の電気的接続及び電気的特性検査に利用され
るための信号の生成、解析に関係するテストシステムが
構築される。従って、このテストシステムには、図１の
処理Ｓ１〜Ｓ４を実現するためのプログラムも含まれて
いる。
続及び特定の電気的接続及び電気的特性検査に利用され
るための信号の生成、解析に関係するテストシステムが
構築される。従って、このテストシステムには、図１の
処理Ｓ１〜Ｓ４を実現するためのプログラムも含まれて
いる。
【００２５】テスター６０本体におけるテストシステム
として、図１の処理Ｓ１のような特定の電気的接続から
ＩＣチップ内部が余熱で所定温度範囲を維持している間
に電気的特性検査に関る各テスト項目が記述された全プ
ログラムのうちから、テスト項目が選択され所定の電気
的特性検査が実施される。すなわち、ＩＣチップ内部の
温度に敏感なダイオードの順方向電圧特性を把握してお
き、ＩＣチップ内部を所定温度範囲に導くように制御す
る（図１の処理Ｓ１〜Ｓ４参照）。
として、図１の処理Ｓ１のような特定の電気的接続から
ＩＣチップ内部が余熱で所定温度範囲を維持している間
に電気的特性検査に関る各テスト項目が記述された全プ
ログラムのうちから、テスト項目が選択され所定の電気
的特性検査が実施される。すなわち、ＩＣチップ内部の
温度に敏感なダイオードの順方向電圧特性を把握してお
き、ＩＣチップ内部を所定温度範囲に導くように制御す
る（図１の処理Ｓ１〜Ｓ４参照）。
【００２６】上記実施形態の構成によれば、信号伝達機
構５２１として、電気的特性検査に関る信号の授受の他
に、ＩＣチップ自体を発熱させるモードを備えている。
これにより、ＩＣチップ内部が余熱で所定温度範囲を維
持している間に所定のテスト項目が選択されプログラム
が実行されれば、高温環境下でのテストとして十分な信
頼性が得られる。
構５２１として、電気的特性検査に関る信号の授受の他
に、ＩＣチップ自体を発熱させるモードを備えている。
これにより、ＩＣチップ内部が余熱で所定温度範囲を維
持している間に所定のテスト項目が選択されプログラム
が実行されれば、高温環境下でのテストとして十分な信
頼性が得られる。
【００２７】上記各実施形態の方法及び装置によれば、
ＩＣチップ自体を発熱させるモードを備える。定温状態
とはならないが、ＩＣチップ内部が余熱で所定温度範囲
を維持している間に所定のテストプログラムが実行され
る。デバイス加熱用のハード装備が不要でテストコスト
は削減でき、簡便な高温環境下での機能テストとして十
分な信頼性が得られる。
ＩＣチップ自体を発熱させるモードを備える。定温状態
とはならないが、ＩＣチップ内部が余熱で所定温度範囲
を維持している間に所定のテストプログラムが実行され
る。デバイス加熱用のハード装備が不要でテストコスト
は削減でき、簡便な高温環境下での機能テストとして十
分な信頼性が得られる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｉ
Ｃチップにおける特定の電気的接続により、ジュール熱
を利用してＩＣチップ内部を高温環境下にする。ＩＣチ
ップ内部の温度に敏感なダイオードの順方向電圧特性を
把握しておき、ＩＣチップ内部を所定温度範囲に置くよ
うに制御する。この結果、より安価な高温環境下での機
能テストを可能とするＩＣチップのテスト方法及びその
テスト装置を提供することができる。
Ｃチップにおける特定の電気的接続により、ジュール熱
を利用してＩＣチップ内部を高温環境下にする。ＩＣチ
ップ内部の温度に敏感なダイオードの順方向電圧特性を
把握しておき、ＩＣチップ内部を所定温度範囲に置くよ
うに制御する。この結果、より安価な高温環境下での機
能テストを可能とするＩＣチップのテスト方法及びその
テスト装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係るＩＣチップのテスト
方法を示す流れ図である。
方法を示す流れ図である。
【図２】本発明に係るＩＣチップの加熱手段を示す概略
図である。
図である。
【図３】ＩＣチップ内のシリコンダイオードに関係する
順電流−電圧特性と温度の関係を示す特性図である。
順電流−電圧特性と温度の関係を示す特性図である。
【図４】ＩＣチップ内のシリコンダイオードに関係する
順方向電圧と温度の関係を示す特性図である。
順方向電圧と温度の関係を示す特性図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るＩＣチップのテスト
装置の構成を示すブロック図である。
装置の構成を示すブロック図である。
Ｓ１〜Ｓ４…処理ステップ
Ｄ１，Ｄ２…保護ダイオード
５０…テスト装置
５１…ローダ部
５２…測定チャンバ
５２１…信号伝達機構
５３…アンローダ部
６０…テスター
６１…テストヘッド
Claims (6)
- 【請求項１】 ＩＣチップの常温とは異なる高温環境下
での機能テストに関し、 前記ＩＣチップ内部への通常とは異なる電気的接続によ
り前記ＩＣチップ自体を発熱させる昇温工程と、 前記昇温工程から前記ＩＣチップ内部が余熱で所定温度
範囲を維持している間に前記ＩＣチップに対し所定のテ
ストプログラムを実行するテスト工程と、を具備したこ
とを特徴とするＩＣチップのテスト方法。 - 【請求項２】 前記昇温工程は前記ＩＣチップ内の電源
間の保護素子に順方向電流を与え、そのジュール熱によ
って達成されることを特徴とする請求項１記載のＩＣチ
ップのテスト方法。 - 【請求項３】 前記テストプログラムは実質的に複数に
分割され、前記昇温工程とテスト工程が交互に行われる
ことを特徴とする請求項２または３記載のＩＣチップの
テスト方法。 - 【請求項４】 ＩＣチップの設置領域と、 少なくとも前記ＩＣチップにおける自らの発熱を促す特
定の電気的接続及び電気的特性検査に関る信号の授受を
担う信号伝達機構と、 前記特定の電気的接続及び電気的特性検査に利用される
ための信号の生成、解析に関係するテストシステムが構
築されたテスター本体と、を具備し、 前記テスター本体におけるテストシステムとして、前記
特定の電気的接続から前記ＩＣチップ内部が余熱で所定
温度範囲を維持している間に前記電気的特性検査に関る
各テスト項目が記述された全プログラムのうちから、テ
スト項目が選択され前記電気的特性検査が実施されるこ
とを特徴とするＩＣチップのテスト装置。 - 【請求項５】 前記ＩＣチップにおける特定の電気的接
続は、前記ＩＣチップ内の電源間の保護素子に順方向電
流が与えられることを特徴とする請求項４記載のＩＣチ
ップのテスト装置。 - 【請求項６】 前記信号伝達機構において、特定の電気
的接続の期間と電気的特性検査の期間が交互に設けられ
ることを特徴とする請求項４または５に記載のＩＣチッ
プのテスト方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002085383A JP2003279617A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | Ｉｃチップのテスト方法及びそのテスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002085383A JP2003279617A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | Ｉｃチップのテスト方法及びそのテスト装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003279617A true JP2003279617A (ja) | 2003-10-02 |
Family
ID=29232372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002085383A Withdrawn JP2003279617A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | Ｉｃチップのテスト方法及びそのテスト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003279617A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112325920A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-02-05 | 北京清大天达光电科技股份有限公司 | 一种传感器芯片标定测试调度方法及系统 |
| CN115792583A (zh) * | 2023-02-06 | 2023-03-14 | 中国第一汽车股份有限公司 | 一种车规级芯片的测试方法、装置、设备及介质 |
-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002085383A patent/JP2003279617A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112325920A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-02-05 | 北京清大天达光电科技股份有限公司 | 一种传感器芯片标定测试调度方法及系统 |
| CN112325920B (zh) * | 2020-11-06 | 2021-11-23 | 北京清大天达光电科技股份有限公司 | 一种传感器芯片标定测试调度方法及系统 |
| CN115792583A (zh) * | 2023-02-06 | 2023-03-14 | 中国第一汽车股份有限公司 | 一种车规级芯片的测试方法、装置、设备及介质 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7183784B2 (en) | Integrated circuit burn-in test system and associated methods | |
| EP0407029B1 (en) | Method for a below a minute burn-in | |
| WO2018159190A1 (ja) | 検査システム、および検査システムの故障解析・予知方法 | |
| US20110037494A1 (en) | Method for Wafer-Level Testing of Integrated Circuits | |
| CN107076782A (zh) | 用于探针卡测试的组装装置 | |
| US5532600A (en) | Method of and apparatus for evaluating reliability of metal interconnect | |
| US20030153105A1 (en) | Integrated circuit testing with a visual indicator | |
| JP2008002900A (ja) | 半導体装置のスクリーニング方法と装置並びにプログラム | |
| US6577146B2 (en) | Method of burning in an integrated circuit chip package | |
| JP2003279617A (ja) | Ｉｃチップのテスト方法及びそのテスト装置 | |
| JP2008170194A (ja) | 電子デバイスのテスト方法、電子デバイスのテスタおよび電子デバイスのテストシステム | |
| CN102128991A (zh) | 一种老化测试装置及测试方法 | |
| US6114181A (en) | Pre burn-in thermal bump card attach simulation to enhance reliability | |
| US6693434B2 (en) | Automated system for estimating ring oscillator reliability and testing AC response and method of operation thereof | |
| US7282938B2 (en) | Testing apparatus and method for providing temperature stress to electronic component | |
| US6989684B2 (en) | System for and method of assessing chip acceptability and increasing yield | |
| JP2011215007A (ja) | 試験装置及び試験方法 | |
| JP2003273176A (ja) | 検査装置、検査方法および検査プログラム | |
| US4661771A (en) | Method of screening resin-sealed semiconductor devices | |
| US6230293B1 (en) | Method for quality and reliability assurance testing of integrated circuits using differential Iddq screening in lieu of burn-in | |
| JP2003194755A (ja) | 半導体パッケージの試験方法 | |
| JP2834047B2 (ja) | 半導体ウェハとその試験方法 | |
| JP2002131372A (ja) | 半導体デバイスの検査方法及び検査装置 | |
| US6800495B2 (en) | Lot-optimized wafer level burn-in | |
| JP4744884B2 (ja) | ウエハ検査装置及びウエハ検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |