JP2013029439A - 半導体集積回路装置の試験方法及び半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置の試験方法及び半導体集積回路装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御する。
【選択図】 図1
Description
I=fCV
となり、消費電力Pは、
P=IV
となる。
a.バーンイン試験(所定の回路動作試験)を開始する。
b.スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかを書き込んだチップコードを読み込む。
c.読み込んだチップコードから半導体集積回路装置全体或いは動作させる回路毎に予め設定した分周率を選択して、選択した分周率に応じた信号をFCI端子に入力して周波数設定を行う。
d.温度センサ或いはサーミスタを用いてジャンクション温度Tjを監視する。
e.測定した温度或いは換算した温度が、予め設定した温度範囲にあるか否かを判定する。
f.予め設定した温度範囲であれば、予め設定した時間だけバーンイン試験を継続して、予め設定した時間が経過した場合には、再びジャンクション温度Tjを監視する。
g.予め設定した温度範囲外の場合には、FCI端子に設定変更信号を入力して高温側にずれている場合には周波数を低減し、低温側にずれている場合には、周波数を増大するように、周波数を変更する。変更した周波数が予め定めた最小周波数以上で且つ予め定めた最大周波数以下の範囲であるか否かを判定する。
h.変更した周波数が予め定めた最小周波数以上で且つ予め定めた最大周波数以下の範囲内の場合には、周波数の変更を実行し、再び、ジャンクション温度Tjを監視する。
i.変更した周波数が予め定めた最小周波数以上で且つ予め定めた最大周波数以下の範囲外の場合には、電源及び信号を遮断する。
j.最後に、バーンイン試験が完了して良品と判定した製品を出荷する。
(付記1)スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御することを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
(付記2)前記スクリーニング試験時に、前記半導体集積回路装置の発熱量を監視し、所望の発熱量になるように前記半導体集積回路装置に設けた専用の端子および専用の外部信号により所定の回路動作を行った状態のまま周波数設定し、前記発熱量を所定範囲とすることで前記半導体集積回路装置を所望の温度に制御することを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。
(付記3)前記半導体集積回路装置の発熱量制御を回路動作周波数の変更により行うことで、前記所定範囲内における発熱量まで上昇及び下降の制御を行うことを特徴とする付記1または付記2に記載の半導体集積回路装置の試験方法。
(付記4)前記周波数設定を、1/2分周倍にて複数種類の専用設定条件を有し、前記周波数設定にて発熱量の制御を行うことを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。
(付記5)前記半導体集積回路装置に外部の定電流源から電流を与えて、前記半導体集積回路装置に設けたサーミスタの抵抗変化より温度変化を監視し、前記発熱量の制御を行うことを特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。
(付記6)前記半導体集積回路装置に外部の定電流源から電流を与えて、前記半導体集積回路装置に設けたサーミスタの抵抗変化を温度に換算し、換算した温度に基づいて前記周波数設定変更を自動的に行うこと特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。
(付記7)前記周波数設定における最低周波数においても所望の温度範囲を超過する場合には、電源及び信号を遮断するとともに、前記周波数設定における最大周波数においても所望の温度範囲を満たせない場合には、電源及び信号を遮断することを特徴とする付記1乃至付記6のいずれか1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。
(付記8)前記スクリーニング試験前の工程にて測定された回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置をスクリーニング試験ボードに実装する位置を決定することを特徴とする付記1乃至付記7のいずれか1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。
(付記9)サーミスタと、前記サーミスタの抵抗変化により温度換算を行う温度換算回路と、前記温度換算結果に基づいて、前記半導体集積回路装置の回路動作を行う周波数設定を変更する周波数設定変更手段とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
(付記10)半導体集積回路装置の表面の発熱量を測定する温度測定手段と、サーミスタと、サーミスタの抵抗変化により温度変化を監視する手段と、前記温度測定手段と前記サーミスタのいずれかを選択する選択手段とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
12,121,122 半導体集積回路チップ
13 チップID
14 FCI端子
15 周波数切換回路
16,17 電源
18 サーミスタ
19 定電流源
20 Tj温度換算回路
21 状態設定信号端子
22 モニター状態設定信号端子
23 切換スイッチ
30 ,60 BIボード
31,61 試験基板
32,62 ICソケット
33,63 金端子群
34 リレー
35 LED
40,70 温度制御ユニット
41,71 ボード
42,72 温度制御ブロック
43,73 冷却パイプ
64 半導体集積回路装置
65 FCI端子
Claims (5)
- スクリーニング試験前の工程にて測定された半導体集積回路装置の回路毎の電源電流値或いは電流ランクのいずれかにより、前記半導体集積回路装置全体毎または個別の回路動作毎に、適切な周波数に周波数設定し、所望の発熱量になるよう発熱量の制御を行い、スクリーニング試験時に、所定の回路動作を行った状態のまま所望の温度に制御することを特徴とする半導体集積回路装置の試験方法。
- 前記スクリーニング試験時に、前記半導体集積回路装置の発熱量を監視し、所望の発熱量になるように前記半導体集積回路装置に設けた専用の端子および専用の外部信号により所定の回路動作を行った状態のまま周波数設定し、前記発熱量を所定範囲とすることで前記半導体集積回路装置を所望の温度に制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置の試験方法。
- 前記周波数設定を、1/2分周倍にて複数種類の専用設定条件を有し、前記周波数設定にて発熱量の制御を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体集積回路装置の試験方法。
- 前記周波数設定における最低周波数においても所望の温度範囲を超過する場合には、電源及び信号を遮断するとともに、前記周波数設定における最大周波数においても所望の温度範囲を満たせない場合には、電源及び信号を遮断することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置の試験方法。
- サーミスタと、
前記サーミスタの抵抗変化により温度換算を行う温度換算回路と、
前記温度換算結果に基づいて、前記半導体集積回路装置の回路動作を行う周波数設定を変更する周波数設定変更手段と
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
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