JP3054141B1 - Ｉｃデバイスの温度制御装置及び検査装置 - Google Patents
Ｉｃデバイスの温度制御装置及び検査装置Info
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- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
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- G—PHYSICS
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- G01K7/36—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using magnetic elements, e.g. magnets, coils
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- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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- G01R31/2801—Testing of printed circuits, backplanes, motherboards, hybrid circuits or carriers for multichip packages [MCP]
- G01R31/2806—Apparatus therefor, e.g. test stations, drivers, analysers, conveyors
Abstract
【要約】
【課題】 ＩＣデバイスのパッケージを傷つけたり汚し
たりせず、またＩＣデバイスに温度センサを組み込まな
くともＩＣデバイスの発熱温度を正確に測定することが
できるとともに、ＩＣデバイスの温度を所定の温度に保
つことによりＩＣデバイスの性能を正しく評価する。 【解決手段】 検査プログラムに従ってＩＣデバイス３
に電流が供給されたときに生じるＩＣデバイス３の磁場
を磁気センサ２０で検出し、この磁気センサ２０が検出
した検出信号をＩＣデバイス３の発熱量を表す情報にＡ
／Ｄ変換器２１で変換し、制御ユニット２４によってＡ
／Ｄ変換器２３からの発熱量情報に基づいて冷風供給装
置２５の比例制御バルブ２８を制御して、ＩＣデバイス
３の温度を所定の温度範囲内に維持するようにした。
たりせず、またＩＣデバイスに温度センサを組み込まな
くともＩＣデバイスの発熱温度を正確に測定することが
できるとともに、ＩＣデバイスの温度を所定の温度に保
つことによりＩＣデバイスの性能を正しく評価する。 【解決手段】 検査プログラムに従ってＩＣデバイス３
に電流が供給されたときに生じるＩＣデバイス３の磁場
を磁気センサ２０で検出し、この磁気センサ２０が検出
した検出信号をＩＣデバイス３の発熱量を表す情報にＡ
／Ｄ変換器２１で変換し、制御ユニット２４によってＡ
／Ｄ変換器２３からの発熱量情報に基づいて冷風供給装
置２５の比例制御バルブ２８を制御して、ＩＣデバイス
３の温度を所定の温度範囲内に維持するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣデバイスの
性能を正しく評価することができるＩＣデバイスの温度
制御装置及びこの温度制御装置を備えたＩＣデバイスの
検査装置に関する。
性能を正しく評価することができるＩＣデバイスの温度
制御装置及びこの温度制御装置を備えたＩＣデバイスの
検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣデバイスの温度特性検査は、所定の
温度に設定された環境（恒温槽：チャンバ）で行われ
る。
温度に設定された環境（恒温槽：チャンバ）で行われ
る。
【０００３】このチャンバ内の温度は、検査のプログラ
ムに応じて、例えば−５０℃から＋１５０℃に設定され
る。
ムに応じて、例えば−５０℃から＋１５０℃に設定され
る。
【０００４】また、検査中のＩＣデバイスには、検査プ
ログラムの多岐にわたる検査項目に応じて電流が幾通り
ものパターンで供給される。その結果、ＩＣデバイスは
ジュール熱によって発熱し、その発熱の様態は検査項目
に応じて一様ではない。この発熱はコンピュータのマイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ）のような集積密度の高いＩＣ
デバイスほど著しい。
ログラムの多岐にわたる検査項目に応じて電流が幾通り
ものパターンで供給される。その結果、ＩＣデバイスは
ジュール熱によって発熱し、その発熱の様態は検査項目
に応じて一様ではない。この発熱はコンピュータのマイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ）のような集積密度の高いＩＣ
デバイスほど著しい。
【０００５】近年、マイクロプロセッサの処理能力スピ
ードは高速化され、集積密度も高くなったため、検査中
のワット密度（Ｗ／ｃｍ2 ）が増加し、これに伴ってＩ
Ｃデバイスの発熱量は一段と大きくなる傾向にある。
ードは高速化され、集積密度も高くなったため、検査中
のワット密度（Ｗ／ｃｍ2 ）が増加し、これに伴ってＩ
Ｃデバイスの発熱量は一段と大きくなる傾向にある。
【０００６】例えば、検査中に３０Ｗ程度発熱するマイ
クロプロセッサの場合、その温度はチャンバ内の温度よ
りも４０℃程度高くなる。
クロプロセッサの場合、その温度はチャンバ内の温度よ
りも４０℃程度高くなる。
【０００７】また、ＩＣデバイスの発熱量は与えられる
電気信号の周波数が上昇する程大きくなる。
電気信号の周波数が上昇する程大きくなる。
【０００８】更に、マイクロプロセッサの最高動作周波
数はトランジスタのスイッチング周波数の低下によっ
て、温度が上昇するほど低下し、温度が１０℃上昇する
と２％減少するという報告がある。
数はトランジスタのスイッチング周波数の低下によっ
て、温度が上昇するほど低下し、温度が１０℃上昇する
と２％減少するという報告がある。
【０００９】例えば、最高動作周波数５００ＭＨｚのマ
イクロプロセッサの温度がチャンバ内の温度よりも４０
℃高くなると、最高動作周波数が４０ＭＨｚも低下する
から、本来５００ＭＨｚの動作が保証されるクラスにラ
ンク付けされる筈のマイクロプロセッサが１ランク下の
４００ＭＨｚ台のマイクロプロセッサのクラスにランク
付けされることになる。
イクロプロセッサの温度がチャンバ内の温度よりも４０
℃高くなると、最高動作周波数が４０ＭＨｚも低下する
から、本来５００ＭＨｚの動作が保証されるクラスにラ
ンク付けされる筈のマイクロプロセッサが１ランク下の
４００ＭＨｚ台のマイクロプロセッサのクラスにランク
付けされることになる。
【００１０】その結果、高い動作周波数のマイクロプロ
セッサの歩留りが不当に低下して、大きな損失を被るこ
とになる。
セッサの歩留りが不当に低下して、大きな損失を被るこ
とになる。
【００１１】また、発熱が大きくなると、ＩＣデバイス
が自己破壊を起こすおそれもあった。
が自己破壊を起こすおそれもあった。
【００１２】従来、検査精度（歩留り）を向上させ、自
己破壊を防止するために、ＩＣデバイスの温度をモニタ
して、ＩＣデバイスをチャンバ内の温度にまで冷却する
ことが行われている。
己破壊を防止するために、ＩＣデバイスの温度をモニタ
して、ＩＣデバイスをチャンバ内の温度にまで冷却する
ことが行われている。
【００１３】ＩＣデバイスの温度を測定する方法として
は、熱電対のような接触型の温度センサや赤外線センサ
のような非接触型の温度センサなどを用いる方法が考え
られる。
は、熱電対のような接触型の温度センサや赤外線センサ
のような非接触型の温度センサなどを用いる方法が考え
られる。
【００１４】また、特開平６−１８８２９５号公報に記
載された発明のように、検査対象のＩＣデバイスに温度
センサを組み込み、その温度を測定する方法もある。
載された発明のように、検査対象のＩＣデバイスに温度
センサを組み込み、その温度を測定する方法もある。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、接触型の温
度センサには、ＩＣデバイスのパッケージの表面が傷つ
いたり汚れたりするおそれがあり、製品の価値が低下す
るという問題がある。
度センサには、ＩＣデバイスのパッケージの表面が傷つ
いたり汚れたりするおそれがあり、製品の価値が低下す
るという問題がある。
【００１６】また、赤外線センサのような非接触型の温
度センサには、ＩＣデバイスの表面が金属であると正確
な温度測定ができないという問題がある。
度センサには、ＩＣデバイスの表面が金属であると正確
な温度測定ができないという問題がある。
【００１７】一方、ＩＣデバイスに温度センサを組み込
む方法には、ＩＣデバイスのサイズと重量とを増大させ
るとともに、製品原価が大幅に上昇するという問題があ
る。
む方法には、ＩＣデバイスのサイズと重量とを増大させ
るとともに、製品原価が大幅に上昇するという問題があ
る。
【００１８】この発明はこのような事情に鑑みてなされ
たもので、その課題は、ＩＣデバイスのパッケージを傷
つけたり汚したりせずにＩＣデバイスの温度を正確に測
定することができるとともに、ＩＣデバイスに温度セン
サを組み込まなくともＩＣデバイスの性能を正しく評価
することができるＩＣデバイスの温度制御装置及びこの
温度制御装置を利用したＩＣデバイスの検査装置を提供
することである。
たもので、その課題は、ＩＣデバイスのパッケージを傷
つけたり汚したりせずにＩＣデバイスの温度を正確に測
定することができるとともに、ＩＣデバイスに温度セン
サを組み込まなくともＩＣデバイスの性能を正しく評価
することができるＩＣデバイスの温度制御装置及びこの
温度制御装置を利用したＩＣデバイスの検査装置を提供
することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め請求項１記載のＩＣデバイスの温度制御装置は、検査
すべきＩＣデバイスを収容するチャンバ内の温度を所定
温度に保つためのＩＣデバイスの温度制御装置におい
て、検査プログラムに従って前記ＩＣデバイスに電流が
供給されたときに生じる前記ＩＣデバイスの磁場を検出
する磁気検出手段と、この磁気検出手段の出力信号を前
記ＩＣデバイスの発熱量を表す情報に変換する変換手段
と、前記ＩＣデバイスを冷却する冷却手段と、前記変換
手段からの発熱量情報に基づいて前記冷却手段を制御し
て、前記ＩＣデバイスの温度を前記所定温度を含む所定
の温度範囲内に維持する制御手段とを備えていることを
特徴とする。
め請求項１記載のＩＣデバイスの温度制御装置は、検査
すべきＩＣデバイスを収容するチャンバ内の温度を所定
温度に保つためのＩＣデバイスの温度制御装置におい
て、検査プログラムに従って前記ＩＣデバイスに電流が
供給されたときに生じる前記ＩＣデバイスの磁場を検出
する磁気検出手段と、この磁気検出手段の出力信号を前
記ＩＣデバイスの発熱量を表す情報に変換する変換手段
と、前記ＩＣデバイスを冷却する冷却手段と、前記変換
手段からの発熱量情報に基づいて前記冷却手段を制御し
て、前記ＩＣデバイスの温度を前記所定温度を含む所定
の温度範囲内に維持する制御手段とを備えていることを
特徴とする。
【００２０】磁気検出手段は、検査中のＩＣデバイスに
流れる電流によって発生し、この電流の変化に応じて時
々刻々変化する磁場を測定する。変換手段は、磁気検出
手段が検出した検出信号をＩＣデバイスの発熱量を表す
情報に変換する。制御手段は、この発熱量情報に基づい
てその変化に応じた指令を冷却手段に出し、冷却手段は
その指令に従ってＩＣデバイスを冷却する。
流れる電流によって発生し、この電流の変化に応じて時
々刻々変化する磁場を測定する。変換手段は、磁気検出
手段が検出した検出信号をＩＣデバイスの発熱量を表す
情報に変換する。制御手段は、この発熱量情報に基づい
てその変化に応じた指令を冷却手段に出し、冷却手段は
その指令に従ってＩＣデバイスを冷却する。
【００２１】また、磁気検出手段は、赤外線センサと異
なり、ＩＣデバイスの表面が金属であっても、正確な温
度測定が可能である。熱電対のような温度センサと異な
り、磁気検出手段をＩＣデバイスに接触させる必要がな
いので、ＩＣデバイスを傷つけたり汚したりすることも
ない。更に、ＩＣデバイスに温度センサを組み込む従来
例と異なり、ＩＣデバイスのサイズや重量は大きくなら
ない。
なり、ＩＣデバイスの表面が金属であっても、正確な温
度測定が可能である。熱電対のような温度センサと異な
り、磁気検出手段をＩＣデバイスに接触させる必要がな
いので、ＩＣデバイスを傷つけたり汚したりすることも
ない。更に、ＩＣデバイスに温度センサを組み込む従来
例と異なり、ＩＣデバイスのサイズや重量は大きくなら
ない。
【００２２】なお、冷却手段で用いる冷媒としては、例
えば冷凍機により作った冷風、超高速で回転する気体の
渦巻きの外周側と内周側との間の圧力差によって生じる
断熱膨張で作った冷風（ボルテックス理論）、又は液体
窒素の蒸発潜熱を利用した窒素ガスなどがある。
えば冷凍機により作った冷風、超高速で回転する気体の
渦巻きの外周側と内周側との間の圧力差によって生じる
断熱膨張で作った冷風（ボルテックス理論）、又は液体
窒素の蒸発潜熱を利用した窒素ガスなどがある。
【００２３】請求項２記載のＩＣデバイスの温度制御装
置は、請求項１記載のＩＣデバイスの温度制御装置にお
いて、前記制御手段が、前記変換手段からの発熱量情報
に基づいて前記冷却手段に加える操作量を予め決められ
た値に調節することを特徴とする。
置は、請求項１記載のＩＣデバイスの温度制御装置にお
いて、前記制御手段が、前記変換手段からの発熱量情報
に基づいて前記冷却手段に加える操作量を予め決められ
た値に調節することを特徴とする。
【００２４】制御手段は、変換手段からの発熱量情報に
基づいて予め決められた値に冷却手段に加える操作量を
調整する指令を出す。冷却手段はその指令に従ってＩＣ
デバイスを冷却する。
基づいて予め決められた値に冷却手段に加える操作量を
調整する指令を出す。冷却手段はその指令に従ってＩＣ
デバイスを冷却する。
【００２５】請求項３記載のＩＣデバイスの温度制御装
置は、請求項１又は２記載のＩＣデバイスの温度制御装
置において、前記磁気検出手段が磁場の強さに応じて抵
抗値が変化する磁気抵抗素子であることを特徴とする。
置は、請求項１又は２記載のＩＣデバイスの温度制御装
置において、前記磁気検出手段が磁場の強さに応じて抵
抗値が変化する磁気抵抗素子であることを特徴とする。
【００２６】磁気検出手段としての磁気抵抗素子をＩＣ
デバイスに接触させる必要がないので、ＩＣデバイスを
傷つけたり汚したりすることがない。
デバイスに接触させる必要がないので、ＩＣデバイスを
傷つけたり汚したりすることがない。
【００２７】請求項４記載のＩＣデバイスの温度制御装
置は、請求項１、２又は３記載のＩＣデバイスの温度制
御装置において、前記冷却手段が前記ＩＣデバイスに冷
風を噴射する冷風供給手段であり、前記制御手段が前記
変換手段からの発熱量情報に基づいて前記冷風供給手段
から噴射される冷風の噴射時間又は噴射量を制御するこ
とを特徴とする。
置は、請求項１、２又は３記載のＩＣデバイスの温度制
御装置において、前記冷却手段が前記ＩＣデバイスに冷
風を噴射する冷風供給手段であり、前記制御手段が前記
変換手段からの発熱量情報に基づいて前記冷風供給手段
から噴射される冷風の噴射時間又は噴射量を制御するこ
とを特徴とする。
【００２８】冷風供給手段から噴射される冷風の噴射時
間又は噴射量を制御することによってＩＣデバイスの温
度が所定の温度範囲に維持される。
間又は噴射量を制御することによってＩＣデバイスの温
度が所定の温度範囲に維持される。
【００２９】請求項５記載のＩＣデバイスの温度制御装
置は、請求項４記載のＩＣデバイスの温度制御装置にお
いて、前記冷風供給手段が、冷風を前記ＩＣデバイスへ
送り出す冷却ノズルと、この冷却ノズルの周囲に冷媒を
流動させて前記冷却ノズル内の冷風の温度上昇を抑制す
る冷却ジャケットとを備えていることを特徴とする。
置は、請求項４記載のＩＣデバイスの温度制御装置にお
いて、前記冷風供給手段が、冷風を前記ＩＣデバイスへ
送り出す冷却ノズルと、この冷却ノズルの周囲に冷媒を
流動させて前記冷却ノズル内の冷風の温度上昇を抑制す
る冷却ジャケットとを備えていることを特徴とする。
【００３０】待機中に冷却ノズルがチャンバの雰囲気温
度によって温められると、冷風の温度が上昇しＩＣデバ
イスの冷却効率が低下することがあるが、冷却ジャケッ
トの冷却効果によって冷却効率の低下が抑制される。
度によって温められると、冷風の温度が上昇しＩＣデバ
イスの冷却効率が低下することがあるが、冷却ジャケッ
トの冷却効果によって冷却効率の低下が抑制される。
【００３１】請求項６記載のＩＣデバイスの検査装置
は、請求項１から５のいずれか１項記載のＩＣデバイス
の温度制御装置を備えたＩＣデバイスの検査装置におい
て、ＩＣテスタとこのＩＣテスタによって検査されるＩ
Ｃデバイスとを電気的に接続させるためのＩＣソケット
と、前記ＩＣデバイスの上方に位置し、前記ＩＣデバイ
スを前記ＩＣソケットにセットするとき又は前記ＩＣソ
ケットから取り出すときに分離し、前記ＩＣデバイスを
検査するときに一体に結合するデバイス押さえと、前記
ＩＣデバイスを検査するときは前記デバイス押さえを押
し下げて前記ＩＣデバイスを前記ＩＣソケットに押圧す
る押圧機構とを備え、前記磁気検出手段による検査中の
前記ＩＣデバイスの磁場検出を可能にするとともに、前
記冷却手段による検査中の前記ＩＣデバイスの冷却を可
能にする開口が、前記デバイス押さえに設けられている
ことを特徴とする。
は、請求項１から５のいずれか１項記載のＩＣデバイス
の温度制御装置を備えたＩＣデバイスの検査装置におい
て、ＩＣテスタとこのＩＣテスタによって検査されるＩ
Ｃデバイスとを電気的に接続させるためのＩＣソケット
と、前記ＩＣデバイスの上方に位置し、前記ＩＣデバイ
スを前記ＩＣソケットにセットするとき又は前記ＩＣソ
ケットから取り出すときに分離し、前記ＩＣデバイスを
検査するときに一体に結合するデバイス押さえと、前記
ＩＣデバイスを検査するときは前記デバイス押さえを押
し下げて前記ＩＣデバイスを前記ＩＣソケットに押圧す
る押圧機構とを備え、前記磁気検出手段による検査中の
前記ＩＣデバイスの磁場検出を可能にするとともに、前
記冷却手段による検査中の前記ＩＣデバイスの冷却を可
能にする開口が、前記デバイス押さえに設けられている
ことを特徴とする。
【００３２】検査中にＩＣデバイスをＩＣソケットに押
圧してＩＣテスターと電気的に接続させるデバイス押さ
えに開口を設けたので、ＩＣデバイスの検査中に、その
開口を介して磁気検出手段をＩＣデバイスに接近させて
磁場検出が可能になるとともに、冷却手段でＩＣデバイ
スを直接冷却（例えば冷風をＩＣデバイスに直接噴射す
ることなど）することが可能になる。
圧してＩＣテスターと電気的に接続させるデバイス押さ
えに開口を設けたので、ＩＣデバイスの検査中に、その
開口を介して磁気検出手段をＩＣデバイスに接近させて
磁場検出が可能になるとともに、冷却手段でＩＣデバイ
スを直接冷却（例えば冷風をＩＣデバイスに直接噴射す
ることなど）することが可能になる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
【００３４】図１〜３はこの発明の一実施形態に係るＩ
Ｃデバイスの検査装置の一部を示し、図１は平面図、図
２は側面図、図３はブロック図、図４は磁気センサの出
力とＩＣデバイスの温度変化との関係を示すグラフ、図
５は冷風噴射のタイミングとＩＣデバイスの温度変化と
の関係を示すグラフである。
Ｃデバイスの検査装置の一部を示し、図１は平面図、図
２は側面図、図３はブロック図、図４は磁気センサの出
力とＩＣデバイスの温度変化との関係を示すグラフ、図
５は冷風噴射のタイミングとＩＣデバイスの温度変化と
の関係を示すグラフである。
【００３５】ＩＣデバイスの検査装置は、ＩＣデバイス
ソケット４、コンタクト開閉機構５、スペーサ機構６、
ＩＣデバイス搬送ヘッド７、及び温度制御装置２等で構
成される。ＩＣデバイスソケット４等はチャンバ１に収
容されており、このチャンバ１内は所定の温度に設定さ
れる。コンタクト開閉機構５、スペーサ機構６、ＩＣデ
バイス搬送ヘッド７で押圧機構が構成される。
ソケット４、コンタクト開閉機構５、スペーサ機構６、
ＩＣデバイス搬送ヘッド７、及び温度制御装置２等で構
成される。ＩＣデバイスソケット４等はチャンバ１に収
容されており、このチャンバ１内は所定の温度に設定さ
れる。コンタクト開閉機構５、スペーサ機構６、ＩＣデ
バイス搬送ヘッド７で押圧機構が構成される。
【００３６】コンタクト開閉機構５は、デバイス押さえ
１１、アクチュエータ８、リンク機構９、及び復帰ばね
１２等で構成されている。復帰ばね１２はそれぞれ押圧
板１０を常時上方へ押圧している。
１１、アクチュエータ８、リンク機構９、及び復帰ばね
１２等で構成されている。復帰ばね１２はそれぞれ押圧
板１０を常時上方へ押圧している。
【００３７】デバイス押さえ１１は２枚の押圧板１０，
１０で構成され、リンク機構９を介してアクチュエータ
８で開閉操作される。図１は２つの押圧板１０，１０が
一体に結合している状態を示し、図２は２つの押圧板１
０，１０が分離している状態を示す。
１０で構成され、リンク機構９を介してアクチュエータ
８で開閉操作される。図１は２つの押圧板１０，１０が
一体に結合している状態を示し、図２は２つの押圧板１
０，１０が分離している状態を示す。
【００３８】図１に示すように、２つの押圧板１０，１
０が一体に結合したとき、正方形の開口１３が形成され
る。
０が一体に結合したとき、正方形の開口１３が形成され
る。
【００３９】また、スペーサ機構６は、スペーサブロッ
ク１４、スライド機構１５及びアクチュエータ１６等で
構成される。
ク１４、スライド機構１５及びアクチュエータ１６等で
構成される。
【００４０】アクチュエータ１６は、スペーサブロック
１４を図２の実線位置と破線位置との間で往復移動させ
る。また、スペーサブロック１４は、スライド機構１５
によって上下にスライド可能である。
１４を図２の実線位置と破線位置との間で往復移動させ
る。また、スペーサブロック１４は、スライド機構１５
によって上下にスライド可能である。
【００４１】図２に示すように、ＩＣデバイス搬送ヘッ
ド７は、吸着用配管１７と、その下端に設けられた吸着
部１８とで構成されている。ＩＣデバイス搬送ヘッド７
の上部にはＩＣデバイス搬送ヘッド７を上下方向に駆動
するモータ（図示せず）が配置されている。
ド７は、吸着用配管１７と、その下端に設けられた吸着
部１８とで構成されている。ＩＣデバイス搬送ヘッド７
の上部にはＩＣデバイス搬送ヘッド７を上下方向に駆動
するモータ（図示せず）が配置されている。
【００４２】ＩＣデバイス搬送ヘッド７は、検査前、図
示しない待機トレーからＩＣデバイス３を吸着してＩＣ
デバイスソケット４にセットし、検査後、ＩＣデバイス
３を吸着してＩＣデバイスソケット４から外し、図示し
ない製品トレーに収める。
示しない待機トレーからＩＣデバイス３を吸着してＩＣ
デバイスソケット４にセットし、検査後、ＩＣデバイス
３を吸着してＩＣデバイスソケット４から外し、図示し
ない製品トレーに収める。
【００４３】このとき、アクチュエータ８によりコンタ
クト開閉機構５の押圧板１０，１０が分離し、スペ−サ
機構６のスペーサブロック１４は図２の実線位置まで後
退し、ＩＣデバイス搬送ヘッド７やＩＣデバイス３との
干渉が回避される。
クト開閉機構５の押圧板１０，１０が分離し、スペ−サ
機構６のスペーサブロック１４は図２の実線位置まで後
退し、ＩＣデバイス搬送ヘッド７やＩＣデバイス３との
干渉が回避される。
【００４４】また、ＩＣデバイス３の検査中、コンタク
ト開閉機構５の押圧板１０，１０が一体に結合するとと
もに、スペーサ機構６のスペーサブロック１４が図２の
破線位置まで移動し、ＩＣデバイス搬送ヘッド７がスペ
ーサブロック１４と押圧板１０，１０とを押し下げて、
デバイス押さえ１１によりＩＣデバイス３をＩＣデバイ
スソケット４に押圧し、ＩＣデバイス３と図示しないＩ
Ｃテスタとの電気的な接続を保持する。
ト開閉機構５の押圧板１０，１０が一体に結合するとと
もに、スペーサ機構６のスペーサブロック１４が図２の
破線位置まで移動し、ＩＣデバイス搬送ヘッド７がスペ
ーサブロック１４と押圧板１０，１０とを押し下げて、
デバイス押さえ１１によりＩＣデバイス３をＩＣデバイ
スソケット４に押圧し、ＩＣデバイス３と図示しないＩ
Ｃテスタとの電気的な接続を保持する。
【００４５】ＩＣデバイスソケット４にセットされたＩ
Ｃデバイス３には、検査プログラムに従ってＩＣテスタ
から所定の電流が供給され、種々の検査が実行される。
Ｃデバイス３には、検査プログラムに従ってＩＣテスタ
から所定の電流が供給され、種々の検査が実行される。
【００４６】検査が終了すると、押圧板１０，１０が分
離するとともに、スペーサ機構６のスペーサブロック１
４が図２の実線位置まで後退し、ＩＣデバイス３はＩＣ
デバイス搬送ヘッド７によって製品トレーに搬送され
る。
離するとともに、スペーサ機構６のスペーサブロック１
４が図２の実線位置まで後退し、ＩＣデバイス３はＩＣ
デバイス搬送ヘッド７によって製品トレーに搬送され
る。
【００４７】また、ＩＣデバイス３を検査する間、押圧
板１０，１０はスペーサブロック１４を介してＩＣデバ
イス搬送ヘッド７によって押圧されているが、ＩＣデバ
イス搬送ヘッド７が上昇すると、押圧板１０，１０は復
帰ばね１２のばね力によって元の位置に復帰する。
板１０，１０はスペーサブロック１４を介してＩＣデバ
イス搬送ヘッド７によって押圧されているが、ＩＣデバ
イス搬送ヘッド７が上昇すると、押圧板１０，１０は復
帰ばね１２のばね力によって元の位置に復帰する。
【００４８】温度制御装置２は、図３に示すように、例
えば磁気抵抗素子のような磁気センサ（磁気検出手段）
２０、Ａ／Ｄ変換器（変換手段）２１、温度センサ２２
（接触式の温度測定素子）、Ａ／Ｄ変換器２３、制御ユ
ニット（制御手段）２４、Ｄ／Ａ変換器４０、コントロ
ールユニット４１及び冷却手段としての冷風供給装置
（冷風供給手段）２５などで構成されている。
えば磁気抵抗素子のような磁気センサ（磁気検出手段）
２０、Ａ／Ｄ変換器（変換手段）２１、温度センサ２２
（接触式の温度測定素子）、Ａ／Ｄ変換器２３、制御ユ
ニット（制御手段）２４、Ｄ／Ａ変換器４０、コントロ
ールユニット４１及び冷却手段としての冷風供給装置
（冷風供給手段）２５などで構成されている。
【００４９】この冷風供給装置２５は、冷媒導入口２
６、冷却器２７、比例制御バルブ２８、冷却ノズル２
９、冷却ジャケット３０、冷風の分岐流路３１、及び冷
媒排出口３２などから構成される。
６、冷却器２７、比例制御バルブ２８、冷却ノズル２
９、冷却ジャケット３０、冷風の分岐流路３１、及び冷
媒排出口３２などから構成される。
【００５０】冷媒導入口２６には圧縮された乾燥空気が
導入され、この圧縮空気は高速で冷却器２７内に円周方
向に送り込まれる。
導入され、この圧縮空気は高速で冷却器２７内に円周方
向に送り込まれる。
【００５１】冷却器２７はボルテックス理論を用いて空
気を冷却するものであり、送り込まれた圧縮空気によっ
て冷却器２７の内部に超高速の渦流が形成される。この
超高速の渦流によって渦の内側と外側との間に圧力差が
生じ、高圧側から低圧側へ空気が移動し、断熱膨張によ
って温度が下がる。
気を冷却するものであり、送り込まれた圧縮空気によっ
て冷却器２７の内部に超高速の渦流が形成される。この
超高速の渦流によって渦の内側と外側との間に圧力差が
生じ、高圧側から低圧側へ空気が移動し、断熱膨張によ
って温度が下がる。
【００５２】冷却器２７の中心部に生じた冷風は比例制
御バルブ２８を介して冷却ノズル２９に送られる。
御バルブ２８を介して冷却ノズル２９に送られる。
【００５３】比例制御バルブ２８は冷風の噴射量を調節
するバルブである。後述のように制御ユニット２４によ
って比例制御バルブ２８の操作量（開度調整量）がＩＣ
デバイス３の発熱量に応じた予め定められた値に調節さ
れる。すなわち、制御ユニット２４はＡ／Ｄ変換器２１
の出力から発熱量を判断し、その発熱量に合ったブロー
パターンで冷風を噴射する。
するバルブである。後述のように制御ユニット２４によ
って比例制御バルブ２８の操作量（開度調整量）がＩＣ
デバイス３の発熱量に応じた予め定められた値に調節さ
れる。すなわち、制御ユニット２４はＡ／Ｄ変換器２１
の出力から発熱量を判断し、その発熱量に合ったブロー
パターンで冷風を噴射する。
【００５４】冷却ノズル２９から噴射された冷風は、コ
ンタクト開閉機構５の押圧板１０，１０の開口１３を通
じて、ＩＣデバイスソケット４上のＩＣデバイス３に噴
射される。上記ブローパターンに従って冷風が噴射され
る結果、ＩＣデバイス３の温度はチャンバ１の設定温度
から大きく逸脱しない。
ンタクト開閉機構５の押圧板１０，１０の開口１３を通
じて、ＩＣデバイスソケット４上のＩＣデバイス３に噴
射される。上記ブローパターンに従って冷風が噴射され
る結果、ＩＣデバイス３の温度はチャンバ１の設定温度
から大きく逸脱しない。
【００５５】冷却ジャケット３０は冷却ノズル２９の周
囲に配置され、２重管構造が形成される。冷却器２７の
冷風の一部は分岐流路３１を介して外側の冷却ジャケッ
ト３０に供給され、冷媒排出口３２から外部に排出され
る。このとき、内側の冷却ノズル２９内の冷風は冷却ジ
ャケット３０内の冷風によって冷却され、所定の温度に
保持される。冷媒排出口３２から外部に排出される。
囲に配置され、２重管構造が形成される。冷却器２７の
冷風の一部は分岐流路３１を介して外側の冷却ジャケッ
ト３０に供給され、冷媒排出口３２から外部に排出され
る。このとき、内側の冷却ノズル２９内の冷風は冷却ジ
ャケット３０内の冷風によって冷却され、所定の温度に
保持される。冷媒排出口３２から外部に排出される。
【００５６】待機中に冷却ノズル２９がチャンバ１の雰
囲気温度によって温められると、冷風の温度が上昇して
冷却効率が低下することがあるが、冷却ジャケット３０
の冷却効果によって冷却効率の低下が防止される。
囲気温度によって温められると、冷風の温度が上昇して
冷却効率が低下することがあるが、冷却ジャケット３０
の冷却効果によって冷却効率の低下が防止される。
【００５７】ＩＣデバイスソケット４上のＩＣデバイス
３に電流が供給されると、ＩＣデバイス３の周囲に磁場
が形成される。
３に電流が供給されると、ＩＣデバイス３の周囲に磁場
が形成される。
【００５８】磁気センサ２０は押圧板１０，１０の開口
１３を通じてＩＣデバイス３に接近し、非接触状態でＩ
Ｃデバイス３に生じる磁場を検出し、磁場の強さに応じ
て変化する電気信号を出力する。電気信号はＡ／Ｄ変換
器２３でデジタル信号に変換され、ＣＰＵ等で構成され
る制御ユニット２４に送られる。
１３を通じてＩＣデバイス３に接近し、非接触状態でＩ
Ｃデバイス３に生じる磁場を検出し、磁場の強さに応じ
て変化する電気信号を出力する。電気信号はＡ／Ｄ変換
器２３でデジタル信号に変換され、ＣＰＵ等で構成され
る制御ユニット２４に送られる。
【００５９】制御ユニット２４は、複数のブローパター
ン（冷風の噴射時間、噴射間隔及び噴射量など）が予め
用意され、検査中のＩＣデバイス３の発熱量に応じて選
択されたブローパターンで冷風を噴射する。
ン（冷風の噴射時間、噴射間隔及び噴射量など）が予め
用意され、検査中のＩＣデバイス３の発熱量に応じて選
択されたブローパターンで冷風を噴射する。
【００６０】制御ユニット２４はフィードフォワード制
御によって比例制御バルブ２８の開度調整を行う。
御によって比例制御バルブ２８の開度調整を行う。
【００６１】制御信号の出力信号はＤ／Ａ変換器４０で
アナログ信号に変換され、この信号はバルブコントロー
ラ４１に送られ、バルブコントローラ４１から流量を制
御するための信号が冷風供給装置２５の比例制御バルブ
２８に出力される。このようにして比例制御バルブ２８
の開度は調整され、冷却ノズル２９から噴射された冷風
によってＩＣデバイス３が冷却される。
アナログ信号に変換され、この信号はバルブコントロー
ラ４１に送られ、バルブコントローラ４１から流量を制
御するための信号が冷風供給装置２５の比例制御バルブ
２８に出力される。このようにして比例制御バルブ２８
の開度は調整され、冷却ノズル２９から噴射された冷風
によってＩＣデバイス３が冷却される。
【００６２】検査中のＩＣデバイス３は電流値の変化に
応じて温度が急激に変化するが、フィードフォワード制
御は制御対象の変化に対するレスポンスが極めて良いの
で、複雑なパターンで電流値が大きく変化する検査プロ
グラムの場合でも、その急激な温度変化に応じてＩＣデ
バイス３の温度をほぼ一定に維持できる。ちなみに、フ
ィードバック制御では、制御結果と目標値との偏差に基
いて制御するため、制御結果を待つ分レスポンスが悪
く、ＩＣデバイス３の急激な温度変化に対応することは
難しい。
応じて温度が急激に変化するが、フィードフォワード制
御は制御対象の変化に対するレスポンスが極めて良いの
で、複雑なパターンで電流値が大きく変化する検査プロ
グラムの場合でも、その急激な温度変化に応じてＩＣデ
バイス３の温度をほぼ一定に維持できる。ちなみに、フ
ィードバック制御では、制御結果と目標値との偏差に基
いて制御するため、制御結果を待つ分レスポンスが悪
く、ＩＣデバイス３の急激な温度変化に対応することは
難しい。
【００６３】また、温度センサ２２はＩＣデバイス３の
表面温度を検出する。検出信号はＡ／Ｄ変換器２３でデ
ジタル信号に変換され、制御ユニット２４に送られる。
制御ユニット２４はＩＣデバイス３の表面温度を図示し
ないディスプレイ上に表示する。この温度表示は検査装
置１のオペレータのモニタ用として利用されるととも
に、温度制御装置２の作動状態を監視するために利用さ
れる。
表面温度を検出する。検出信号はＡ／Ｄ変換器２３でデ
ジタル信号に変換され、制御ユニット２４に送られる。
制御ユニット２４はＩＣデバイス３の表面温度を図示し
ないディスプレイ上に表示する。この温度表示は検査装
置１のオペレータのモニタ用として利用されるととも
に、温度制御装置２の作動状態を監視するために利用さ
れる。
【００６４】次に、図４と図５に基いて温度制御装置２
によるＩＣデバイス３の冷却効果などを説明する。
によるＩＣデバイス３の冷却効果などを説明する。
【００６５】図４はＩＣデバイス３のブローパターンを
設定する段階で収集した諸データを示す。グラフ３３は
ＩＣデバイス３の発熱量（Ｗ）を示し、グラフ３４，３
５はそれぞれＩＣデバイス３の周囲に生じた磁場を検知
する磁気センサ２０の出力とＩＣデバイス３の表面温度
とを示す。磁気センサ２０の出力（磁場の強さ）と発熱
量（Ｗ）とは対応関係にある。
設定する段階で収集した諸データを示す。グラフ３３は
ＩＣデバイス３の発熱量（Ｗ）を示し、グラフ３４，３
５はそれぞれＩＣデバイス３の周囲に生じた磁場を検知
する磁気センサ２０の出力とＩＣデバイス３の表面温度
とを示す。磁気センサ２０の出力（磁場の強さ）と発熱
量（Ｗ）とは対応関係にある。
【００６６】各グラフが示すように、ＩＣデバイス３に
通電すると、その通電パターンに応じて磁場の強さとＩ
Ｃデバイス３の表面温度とが変動する。ＩＣデバイス３
の表面温度は時間の経過に従って上昇する。
通電すると、その通電パターンに応じて磁場の強さとＩ
Ｃデバイス３の表面温度とが変動する。ＩＣデバイス３
の表面温度は時間の経過に従って上昇する。
【００６７】図５は温度制御装置２による冷風のブロー
パターンとＩＣデバイス３の温度変化とを示す。グラフ
３６は磁気センサ２０の出力を示し、グラフ３７は冷風
の噴射と噴射停止の各状態を示し、グラフ３８はこの冷
風によって冷却されたＩＣデバイス３の温度変化を示
す。
パターンとＩＣデバイス３の温度変化とを示す。グラフ
３６は磁気センサ２０の出力を示し、グラフ３７は冷風
の噴射と噴射停止の各状態を示し、グラフ３８はこの冷
風によって冷却されたＩＣデバイス３の温度変化を示
す。
【００６８】冷風のブローパターンはＩＣデバイス３の
発熱量変化に対応するように設定され、グラフ３６，３
７が示す冷風の噴射時間、噴射間隔及び噴射量は、グラ
フ３８が示すＩＣデバイス３の温度変化に応じて微妙に
調整されている。
発熱量変化に対応するように設定され、グラフ３６，３
７が示す冷風の噴射時間、噴射間隔及び噴射量は、グラ
フ３８が示すＩＣデバイス３の温度変化に応じて微妙に
調整されている。
【００６９】その結果、グラフ３８が示すように、ＩＣ
デバイス３の温度変化は時間の経過に伴って±２℃以内
の範囲に収束することが分かる。
デバイス３の温度変化は時間の経過に伴って±２℃以内
の範囲に収束することが分かる。
【００７０】この実施形態によれば、ＩＣデバイス３の
パッケージを傷つけたり汚したりせずに、ＩＣデバイス
３の温度を正確に測定することができ、しかもＩＣデバ
イス３に温度センサを組み込まなくともＩＣデバイス３
の性能を正しく評価することができ、コストの低減を図
ることができる。
パッケージを傷つけたり汚したりせずに、ＩＣデバイス
３の温度を正確に測定することができ、しかもＩＣデバ
イス３に温度センサを組み込まなくともＩＣデバイス３
の性能を正しく評価することができ、コストの低減を図
ることができる。
【００７１】また、検査中のＩＣデバイス３の温度は電
流値の変化に応じて急激に変化するが、制御ユニット２
４がＡ／Ｄ変換器２１からの発熱量情報に基づいてＩＣ
デバイス３の温度変化を推測し、その変化に対応する予
め決められた値に冷風供給装置２５の比例制御バルブ２
８に加える操作量を調整する制御信号を出してＩＣデバ
イス３を冷却するので、ＩＣデバイス３の温度変化に対
するレスポンスは良く、ＩＣデバイス３の温度を所定の
狭い温度範囲（チャンバ１の設定温度の±２℃）に維持
し、精度の高い検査を行なうことができる。
流値の変化に応じて急激に変化するが、制御ユニット２
４がＡ／Ｄ変換器２１からの発熱量情報に基づいてＩＣ
デバイス３の温度変化を推測し、その変化に対応する予
め決められた値に冷風供給装置２５の比例制御バルブ２
８に加える操作量を調整する制御信号を出してＩＣデバ
イス３を冷却するので、ＩＣデバイス３の温度変化に対
するレスポンスは良く、ＩＣデバイス３の温度を所定の
狭い温度範囲（チャンバ１の設定温度の±２℃）に維持
し、精度の高い検査を行なうことができる。
【００７２】更に、磁場検出に当たり磁気センサ２０を
ＩＣデバイス３に接触させる必要がないので、ＩＣデバ
イス３を傷つけたり汚したりすることがない。
ＩＣデバイス３に接触させる必要がないので、ＩＣデバ
イス３を傷つけたり汚したりすることがない。
【００７３】また、待機中に冷却ノズル２５がチャンバ
１の雰囲気温度によって温められ、冷風の温度が上昇す
るのを抑制することができるので、冷風供給装置２５の
冷却効率を向上させることができる。
１の雰囲気温度によって温められ、冷風の温度が上昇す
るのを抑制することができるので、冷風供給装置２５の
冷却効率を向上させることができる。
【００７４】更に、ＩＣデバイス３の検査中に、デバイ
ス押さえ１１の開口１３を介して磁気センサ２０をＩＣ
デバイス３に接近させて磁場検出を可能にし、冷風供給
装置２５の冷却ノズル２９から冷風をＩＣデバイス３に
直接噴射することも可能にした。
ス押さえ１１の開口１３を介して磁気センサ２０をＩＣ
デバイス３に接近させて磁場検出を可能にし、冷風供給
装置２５の冷却ノズル２９から冷風をＩＣデバイス３に
直接噴射することも可能にした。
【００７５】なお、ＩＣデバイス３を冷却する冷風とし
ては、ボルテックス理論を用いた装置の冷風に限らず、
例えば、コンプレッサで圧縮した気体を断熱膨張させて
作った冷風や、液体窒素の蒸発潜熱を利用した窒素ガス
などでもよい。
ては、ボルテックス理論を用いた装置の冷風に限らず、
例えば、コンプレッサで圧縮した気体を断熱膨張させて
作った冷風や、液体窒素の蒸発潜熱を利用した窒素ガス
などでもよい。
【００７６】また、磁気センサとしては、前述の磁気抵
抗素子の他に、ホール素子や電磁誘導コイルなど、磁場
を検出することができるものであればよい。
抗素子の他に、ホール素子や電磁誘導コイルなど、磁場
を検出することができるものであればよい。
【００７７】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載のＩＣ
デバイスの温度制御装置によれば、ＩＣデバイスのパッ
ケージを傷つけたり汚したりせずに、ＩＣデバイスの温
度を正確に測定することができ、しかもＩＣデバイスに
温度センサを組み込まなくともＩＣデバイスの性能を正
しく評価することができ、コストの低減を図ることがで
きる。
デバイスの温度制御装置によれば、ＩＣデバイスのパッ
ケージを傷つけたり汚したりせずに、ＩＣデバイスの温
度を正確に測定することができ、しかもＩＣデバイスに
温度センサを組み込まなくともＩＣデバイスの性能を正
しく評価することができ、コストの低減を図ることがで
きる。
【００７８】請求項２記載のＩＣデバイスの温度制御装
置によれば、検査中のＩＣデバイスの温度は電流値の変
化に応じて急激に変化するが、制御手段が変換手段から
の発熱量情報に基づいてその変化に対応する予め決めら
れた値に冷却手段に加える操作量を調整する指令を出し
てＩＣデバイスを冷却するので、ＩＣデバイスの温度変
化に対するレスポンスは良く、ＩＣデバイスの温度を所
定の狭い温度範囲に維持でき、精度の高い検査を行なう
ことができる。
置によれば、検査中のＩＣデバイスの温度は電流値の変
化に応じて急激に変化するが、制御手段が変換手段から
の発熱量情報に基づいてその変化に対応する予め決めら
れた値に冷却手段に加える操作量を調整する指令を出し
てＩＣデバイスを冷却するので、ＩＣデバイスの温度変
化に対するレスポンスは良く、ＩＣデバイスの温度を所
定の狭い温度範囲に維持でき、精度の高い検査を行なう
ことができる。
【００７９】請求項３記載のＩＣデバイスの温度制御装
置によれば、磁場検出に当たりＩＣデバイスに接触させ
る必要がないので、ＩＣデバイスを傷つけたり汚したり
することがない。
置によれば、磁場検出に当たりＩＣデバイスに接触させ
る必要がないので、ＩＣデバイスを傷つけたり汚したり
することがない。
【００８０】請求項４記載のＩＣデバイスの温度制御装
置によれば、冷風供給手段から噴射される冷風の噴射時
間や噴射量を制御することによってＩＣデバイスの温度
が所定の狭い温度範囲に維持され、精度の高い検査を行
なうことができる。
置によれば、冷風供給手段から噴射される冷風の噴射時
間や噴射量を制御することによってＩＣデバイスの温度
が所定の狭い温度範囲に維持され、精度の高い検査を行
なうことができる。
【００８１】請求項５記載のＩＣデバイスの温度制御装
置によれば、待機中に冷却ノズルがチャンバの雰囲気温
度によって温められて、冷風の温度が上昇するのを抑制
することができるので、冷風供給手段の冷却効率を向上
させることができる。
置によれば、待機中に冷却ノズルがチャンバの雰囲気温
度によって温められて、冷風の温度が上昇するのを抑制
することができるので、冷風供給手段の冷却効率を向上
させることができる。
【００８２】請求項６記載のＩＣデバイスの検査装置に
よれば、ＩＣデバイスの検査中に、デバイス押さえの開
口を介して磁気検出手段をＩＣデバイスに近接配置して
磁場検出が可能になるとともに、冷却手段でＩＣデバイ
スに直接冷却（例えば冷風をＩＣデバイスに直接噴射す
ることなど）が可能になる。
よれば、ＩＣデバイスの検査中に、デバイス押さえの開
口を介して磁気検出手段をＩＣデバイスに近接配置して
磁場検出が可能になるとともに、冷却手段でＩＣデバイ
スに直接冷却（例えば冷風をＩＣデバイスに直接噴射す
ることなど）が可能になる。
【図１】図１はこの発明の一実施形態に係るＩＣデバイ
スの検査装置の平面図である。
スの検査装置の平面図である。
【図２】図２はこの発明の一実施形態に係るＩＣデバイ
スの検査装置の側面図である。
スの検査装置の側面図である。
【図３】図３はこの発明の一実施形態に係るＩＣデバイ
スの検査装置のブロック図である。
スの検査装置のブロック図である。
【図４】図４は磁気センサの出力とＩＣデバイスの温度
変化との関係を示すグラフである。
変化との関係を示すグラフである。
【図５】図５は冷風噴射のタイミングとＩＣデバイスの
温度変化との関係を示すグラフである。
温度変化との関係を示すグラフである。
１ チャンバ ２ ＩＣデバイスの温度制御装置 ３ ＩＣデバイス ４ ＩＣデバイスソケット ５ コンタクト開閉機構 １０，１０ コンタクト機構の押圧板 １１ デバイス押さえ １３ 押圧板の開口 ２０ 磁気センサ ２１ Ａ／Ｄ変換器 ２４ 制御ユニット ２５ 冷風供給装置 ３０ 冷却ジャケット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−144248（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−286322（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−238380（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−316622（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−5438（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 31/26 H01L 21/66
Claims (6)
- 【請求項１】 検査すべきＩＣデバイスを収容するチャ
ンバ内の温度を所定温度に保つためのＩＣデバイスの温
度制御装置において、 検査プログラムに従って前記ＩＣデバイスに電流が供給
されたときに生じる前記ＩＣデバイスの磁場を検出する
磁気検出手段と、 この磁気検出手段の出力信号を前記ＩＣデバイスの発熱
量を表す情報に変換する変換手段と、 前記ＩＣデバイスを冷却する冷却手段と、 前記変換手段からの発熱量情報に基づいて前記冷却手段
を制御して、前記ＩＣデバイスの温度を前記所定温度を
含む所定の温度範囲内に維持する制御手段とを備えてい
ることを特徴とするＩＣデバイスの温度制御装置。 - 【請求項２】 前記制御手段が、前記変換手段からの発
熱量情報に基づいて前記冷却手段に加える操作量を前記
温度変化に対応する予め決められた値に調節することを
特徴とする請求項１記載のＩＣデバイスの温度制御装
置。 - 【請求項３】 前記磁気検出手段が磁場の強さに応じて
抵抗値が変化する磁気抵抗素子であることを特徴とする
請求項１又は２記載のＩＣデバイスの温度制御装置。 - 【請求項４】 前記冷却手段が前記ＩＣデバイスに冷風
を噴射する冷風供給手段であり、 前記制御手段が前記変換手段からの発熱量情報に基づい
て前記冷風供給手段から噴射される冷風の噴射時間又は
噴射量をフィードフォワード制御することを特徴とする
請求項１、２又は３記載のＩＣデバイスの温度制御装
置。 - 【請求項５】 前記冷風供給手段が、 冷風を前記ＩＣデバイスへ送り出す冷却ノズルと、 この冷却ノズルの周囲に冷媒を流動させて前記冷却ノズ
ル内の冷風の温度上昇を抑制する冷却ジャケットとを備
えていることを特徴とする請求項４記載のＩＣデバイス
の温度制御装置。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれか１項記載のＩ
Ｃデバイスの温度制御装置を備えたＩＣデバイスの検査
装置において、 ＩＣテスタとこのＩＣテスタによって検査されるＩＣデ
バイスとを電気的に接続させるためのＩＣソケットと、 前記ＩＣデバイスの上方に位置し、前記ＩＣデバイスを
前記ＩＣソケットにセットするとき又は前記ＩＣソケッ
トから取り出すときに分離し、前記ＩＣデバイスを検査
するときに一体に結合するデバイス押さえと、 前記ＩＣデバイスを検査するときは前記デバイス押さえ
を押し下げて前記ＩＣデバイスを前記ＩＣソケットに押
圧する押圧機構とを備え、 前記磁気検出手段による検査中の前記ＩＣデバイスの磁
場検出を可能にするとともに、前記冷却手段による検査
中の前記ＩＣデバイスの冷却を可能にする開口が、前記
デバイス押さえに設けられていることを特徴とするＩＣ
デバイスの検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11092065A JP3054141B1 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Ｉｃデバイスの温度制御装置及び検査装置 |
| US09/408,777 US6262584B1 (en) | 1999-03-31 | 1999-09-29 | IC device temperature control system and IC device inspection apparatus incorporating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11092065A JP3054141B1 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Ｉｃデバイスの温度制御装置及び検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3054141B1 true JP3054141B1 (ja) | 2000-06-19 |
| JP2000284018A JP2000284018A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=14044084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11092065A Expired - Fee Related JP3054141B1 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | Ｉｃデバイスの温度制御装置及び検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6262584B1 (ja) |
| JP (1) | JP3054141B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002018961A3 (en) * | 2000-08-29 | 2002-07-04 | Delta Design Inc | Controlling of the temperature of a dut using external current sensors |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3159686B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2001-04-23 | 日本電気株式会社 | Ｉｃデバイスの検査装置 |
| AU1456801A (en) * | 1999-11-01 | 2001-05-14 | Johns Hopkins University, The | Self-monitoring controller for quartz crystal microbalance sensors |
| US6668570B2 (en) | 2001-05-31 | 2003-12-30 | Kryotech, Inc. | Apparatus and method for controlling the temperature of an electronic device under test |
| JP4148677B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2008-09-10 | 富士通株式会社 | ダイナミック・バーンイン装置 |
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