JP3062107B2 - 高周波バーンイン試験装置 - Google Patents
高周波バーンイン試験装置Info
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- JP3062107B2 JP3062107B2 JP8346593A JP34659396A JP3062107B2 JP 3062107 B2 JP3062107 B2 JP 3062107B2 JP 8346593 A JP8346593 A JP 8346593A JP 34659396 A JP34659396 A JP 34659396A JP 3062107 B2 JP3062107 B2 JP 3062107B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波バーンイン
（高温放置）試験装置に関し、さらに詳細には、半導体
を使用したＦＥＴなどの高電力のアクティブデバイスの
試験プロセスの一つたる高周波バーンイン試験に用いら
れる高周波バーンイン試験装置に関する。
（高温放置）試験装置に関し、さらに詳細には、半導体
を使用したＦＥＴなどの高電力のアクティブデバイスの
試験プロセスの一つたる高周波バーンイン試験に用いら
れる高周波バーンイン試験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波バーンイン試験に用いられる従来
の高周波バーンイン試験装置として、例えば、恒温槽を
使用するものや、共通発熱ブロックを使用するものなど
が知られている。
の高周波バーンイン試験装置として、例えば、恒温槽を
使用するものや、共通発熱ブロックを使用するものなど
が知られている。
【０００３】ここで、高周波バーンイン試験とは、半導
体を使用したＦＥＴなどの高電力のアクティブデバイス
の試験プロセスの一つであり、これらのアクティブデバ
イスに高周波電力を印加しながら高温で放置しておき、
その変化の状態を観察する試験である。
体を使用したＦＥＴなどの高電力のアクティブデバイス
の試験プロセスの一つであり、これらのアクティブデバ
イスに高周波電力を印加しながら高温で放置しておき、
その変化の状態を観察する試験である。
【０００４】上記した従来の高周波バーンイン試験装置
としては、例えば、恒温槽を使用する高周波バーンイン
試験装置が知られており、図１には試験対象たる半導体
を使用したＦＥＴなどの高電力のアクティブデバイス、
即ち、供試品を１個試験するための恒温槽を使用する高
周波バーンイン試験装置の概略構成が示されており、図
２には複数の供試品（図２においては、供試品は３個示
されている。）を試験するための恒温槽を使用する高周
波バーンイン試験装置の概略構成が示されている。
としては、例えば、恒温槽を使用する高周波バーンイン
試験装置が知られており、図１には試験対象たる半導体
を使用したＦＥＴなどの高電力のアクティブデバイス、
即ち、供試品を１個試験するための恒温槽を使用する高
周波バーンイン試験装置の概略構成が示されており、図
２には複数の供試品（図２においては、供試品は３個示
されている。）を試験するための恒温槽を使用する高周
波バーンイン試験装置の概略構成が示されている。
【０００５】即ち、この図１ならびに図２に示す高周波
バーンイン試験装置は、試験対象たる供試品１０を収納
して加熱するための恒温槽１２と、供試品１０へ高周波
電力を印加するための高周波発振器１４と、電源制御装
置１６と、高周波出力監視装置１８とを備えている。
バーンイン試験装置は、試験対象たる供試品１０を収納
して加熱するための恒温槽１２と、供試品１０へ高周波
電力を印加するための高周波発振器１４と、電源制御装
置１６と、高周波出力監視装置１８とを備えている。
【０００６】なお、図２に示す高周波バーンイン試験装
置には、高周波発振器１４から出力される高周波電力を
各供試品１０にそれぞれ分配するための電力分配器２０
が設けられている。
置には、高周波発振器１４から出力される高周波電力を
各供試品１０にそれぞれ分配するための電力分配器２０
が設けられている。
【０００７】こうした図１ならびに図２に示すような恒
温槽１２を備えた高周波バーンイン試験装置にあって
は、温度管理は容易であるが、恒温槽１２を備えるため
に設備費が増大するという問題点があるとともに、装置
全体が大型化して測定系の精度管理が難しいという問題
点があった。
温槽１２を備えた高周波バーンイン試験装置にあって
は、温度管理は容易であるが、恒温槽１２を備えるため
に設備費が増大するという問題点があるとともに、装置
全体が大型化して測定系の精度管理が難しいという問題
点があった。
【０００８】また、供試品１０の数量の大小にかかわら
ず恒温槽１２を運転しなければならないので、運転ロス
が大きいという問題点もあった。
ず恒温槽１２を運転しなければならないので、運転ロス
が大きいという問題点もあった。
【０００９】一方、従来の高周波バーンイン試験装置と
しては、共通発熱ブロックを使用する高周波バーンイン
試験装置も知られており、図３にはその概略構成が示さ
れている。なお、図３において図１ならびに図２に示す
構成と同一あるいは相当する構成については、図１なら
びに図２において用いた符号と同一の符号を用いて示し
ている。
しては、共通発熱ブロックを使用する高周波バーンイン
試験装置も知られており、図３にはその概略構成が示さ
れている。なお、図３において図１ならびに図２に示す
構成と同一あるいは相当する構成については、図１なら
びに図２において用いた符号と同一の符号を用いて示し
ている。
【００１０】即ち、この図３に示す高周波バーンイン試
験装置は、試験対象たる供試品１０を多数（図３におい
ては、供試品は６個示されている。）を装着して加熱す
るための共通発熱ブロック２２と、供試品１０へ高周波
電力を印加するための高周波発振器１４と、高周波発振
器１４から出力される高周波電力を各供試品１０にそれ
ぞれ分配するための電力分配器２０と、電源制御装置１
６と、高周波出力監視装置１８と、温度制御装置２４と
を備えている。
験装置は、試験対象たる供試品１０を多数（図３におい
ては、供試品は６個示されている。）を装着して加熱す
るための共通発熱ブロック２２と、供試品１０へ高周波
電力を印加するための高周波発振器１４と、高周波発振
器１４から出力される高周波電力を各供試品１０にそれ
ぞれ分配するための電力分配器２０と、電源制御装置１
６と、高周波出力監視装置１８と、温度制御装置２４と
を備えている。
【００１１】こうした図３に示すような共通発熱ブロッ
ク２２を備えた高周波バーンイン試験装置にあっては、
図１ならびに図２に示すような恒温槽１２を用いる高周
波バーンイン試験装置と比較すると、装置全体を小型化
することができるというメリットがあるが、その一方
で、図１ならびに図２に示すような恒温槽１２を用いる
高周波バーンイン試験装置より温度管理が煩雑であると
いう問題点があった。
ク２２を備えた高周波バーンイン試験装置にあっては、
図１ならびに図２に示すような恒温槽１２を用いる高周
波バーンイン試験装置と比較すると、装置全体を小型化
することができるというメリットがあるが、その一方
で、図１ならびに図２に示すような恒温槽１２を用いる
高周波バーンイン試験装置より温度管理が煩雑であると
いう問題点があった。
【００１２】また、図３に示すような共通発熱ブロック
２２を備えた高周波バーンイン試験装置においては、多
数の供試品１０を装着して試験することを可能とするた
めに、共通発熱ブロック２２はある程度の大きさを供え
る必要があるので、供試品１０の数が少ない場合にも、
大きな共通発熱ブロック２２全体を加熱するための運転
を行う必要があり、運転ロスが大きいという問題点もあ
った。
２２を備えた高周波バーンイン試験装置においては、多
数の供試品１０を装着して試験することを可能とするた
めに、共通発熱ブロック２２はある程度の大きさを供え
る必要があるので、供試品１０の数が少ない場合にも、
大きな共通発熱ブロック２２全体を加熱するための運転
を行う必要があり、運転ロスが大きいという問題点もあ
った。
【００１３】即ち、従来の高周波バーンイン試験装置に
おいては、恒温槽を使用する高周波バーンイン試験装置
であっても、また共通発熱ブロックを使用する高周波バ
ーンイン試験装置であっても、試験対象たる供試品の数
量の変動に効率よく対応することができず、試験対象た
る供試品の数量が変動すると運転ロスが生じるという問
題点があった。
おいては、恒温槽を使用する高周波バーンイン試験装置
であっても、また共通発熱ブロックを使用する高周波バ
ーンイン試験装置であっても、試験対象たる供試品の数
量の変動に効率よく対応することができず、試験対象た
る供試品の数量が変動すると運転ロスが生じるという問
題点があった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記したよ
うな従来の技術の有する、試験対象たる供試品の数量の
変動に効率よく対応することができないという問題点に
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
供試品毎に温度制御を行うようにするとともに、複数の
供試品を１つの単位として各単位毎に高周波発生源を備
えるようにして、供試品の数量の変動に効率よく対応す
ることができるようにした高周波バーンイン試験装置を
提供しようとするものである。
うな従来の技術の有する、試験対象たる供試品の数量の
変動に効率よく対応することができないという問題点に
鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、
供試品毎に温度制御を行うようにするとともに、複数の
供試品を１つの単位として各単位毎に高周波発生源を備
えるようにして、供試品の数量の変動に効率よく対応す
ることができるようにした高周波バーンイン試験装置を
提供しようとするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のうち請求項１に記載の発明は、供試品に高
周波電力を印加しながら高温放置する高周波バーンイン
試験を行うための高周波バーンイン装置において、供試
品毎に発熱手段を有するとともに、複数の上記供試品を
１つの単位として各単位毎に高周波発生源を有するよう
にしたものである。
に、本発明のうち請求項１に記載の発明は、供試品に高
周波電力を印加しながら高温放置する高周波バーンイン
試験を行うための高周波バーンイン装置において、供試
品毎に発熱手段を有するとともに、複数の上記供試品を
１つの単位として各単位毎に高周波発生源を有するよう
にしたものである。
【００１６】従って、本発明のうち請求項１に記載の発
明によれば、供試品毎に発熱手段を有するようにして温
度制御を行い、しかも複数の供試品を１つの単位として
各単位毎に高周波発生源を有するようにしたため、各別
に温度制御された複数の供試品よりなる各単位毎に高周
波バーンイン試験を管理することができるので、供試品
の数量の変動に効率よく対応することが可能となり、供
試品の数量の変動による運転ロスを抑制することができ
る。
明によれば、供試品毎に発熱手段を有するようにして温
度制御を行い、しかも複数の供試品を１つの単位として
各単位毎に高周波発生源を有するようにしたため、各別
に温度制御された複数の供試品よりなる各単位毎に高周
波バーンイン試験を管理することができるので、供試品
の数量の変動に効率よく対応することが可能となり、供
試品の数量の変動による運転ロスを抑制することができ
る。
【００１７】ここで、本発明のうち請求項１に記載の発
明において、例えば、本発明のうち請求項２に記載の発
明のように、上記供試品を上記各単位毎に１枚のボード
に組み込むようにしてもよい。
明において、例えば、本発明のうち請求項２に記載の発
明のように、上記供試品を上記各単位毎に１枚のボード
に組み込むようにしてもよい。
【００１８】このようにすると、ボード単位で視認しな
がら高周波バーンイン試験を管理することができるの
で、複数の供試品の各単位毎の高周波バーンイン試験の
管理を、より簡明に行うことができるようになる。
がら高周波バーンイン試験を管理することができるの
で、複数の供試品の各単位毎の高周波バーンイン試験の
管理を、より簡明に行うことができるようになる。
【００１９】また、本発明のうち請求項１または請求項
２に記載の発明において、例えば、本発明のうち請求項
３に記載の発明のように、上記供試品に形成された所定
の端子にピン部材を接触させることにより、上記供試品
を半田付けすることなく、上記ピン部材を介して上記供
試品に通電するようにしてもよい。
２に記載の発明において、例えば、本発明のうち請求項
３に記載の発明のように、上記供試品に形成された所定
の端子にピン部材を接触させることにより、上記供試品
を半田付けすることなく、上記ピン部材を介して上記供
試品に通電するようにしてもよい。
【００２０】このようにすると、供試品の端子面を半田
により汚すことなしに、高周波バーンイン試験を行うこ
とができる。
により汚すことなしに、高周波バーンイン試験を行うこ
とができる。
【００２１】また、本発明のうち請求項１または請求項
２に記載の発明において、例えば、本発明のうち請求項
４に記載の発明のように、上記供試品を半田付けするこ
となく、上記供試品に対してピン部材を接触させること
により、上記発熱手段に対して上記供試品を保持するよ
うにしてもよい。
２に記載の発明において、例えば、本発明のうち請求項
４に記載の発明のように、上記供試品を半田付けするこ
となく、上記供試品に対してピン部材を接触させること
により、上記発熱手段に対して上記供試品を保持するよ
うにしてもよい。
【００２２】このようにすると、供試品を半田により汚
すことなしに、発熱手段に対して供試品を保持すること
ができる。
すことなしに、発熱手段に対して供試品を保持すること
ができる。
【００２３】ここで、ピン部材としては、例えば、本発
明のうち請求項５に記載の発明のように、プローブピン
を用いることができる。
明のうち請求項５に記載の発明のように、プローブピン
を用いることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて、本発明に
よる高周波バーンイン試験装置の実施の形態の一例を詳
細に説明するものとする。
よる高周波バーンイン試験装置の実施の形態の一例を詳
細に説明するものとする。
【００２５】図４は、本発明による高周波バーンイン試
験装置の概念構成説明図であるが、図４において図１乃
至図３に示す構成と同一あるいは相当する構成について
は、図１乃至図３において用いた符号と同一の符号を用
いて示している。
験装置の概念構成説明図であるが、図４において図１乃
至図３に示す構成と同一あるいは相当する構成について
は、図１乃至図３において用いた符号と同一の符号を用
いて示している。
【００２６】図４に示す高周波バーンイン試験装置にお
いては、ボード３０上に供試品１０をそれぞれ内蔵した
複数の供試品ユニット３２が装着されている。
いては、ボード３０上に供試品１０をそれぞれ内蔵した
複数の供試品ユニット３２が装着されている。
【００２７】ここで、供試品ユニット３２は、ボード３
０上に係止された金属ブロック３４と、金属ブロック３
４上にネジ止めなどにより装着された供試品１０と、金
属ブロック３４内部に配置されたヒーター３６、熱セン
サー３８および熱モニター４０と、供試品１０の端子に
接続される直流バイアス印加用スプリングプローブピン
ユニット４２および高周波印加用スプリングプローブピ
ンユニット４４とを有している。
０上に係止された金属ブロック３４と、金属ブロック３
４上にネジ止めなどにより装着された供試品１０と、金
属ブロック３４内部に配置されたヒーター３６、熱セン
サー３８および熱モニター４０と、供試品１０の端子に
接続される直流バイアス印加用スプリングプローブピン
ユニット４２および高周波印加用スプリングプローブピ
ンユニット４４とを有している。
【００２８】そして、直流バイアス印加用スプリングプ
ローブピンユニット４２に配置された後述する直流バイ
アス印加用スプリングプローブピン８８は、直流バイア
ス印加用スイッチ４６を介して、直流バイアス用電源４
８に接続されている。
ローブピンユニット４２に配置された後述する直流バイ
アス印加用スプリングプローブピン８８は、直流バイア
ス印加用スイッチ４６を介して、直流バイアス用電源４
８に接続されている。
【００２９】一方、高周波印加用スプリングプローブピ
ンユニット４４に配置された後述するマイクロストリッ
プライン用カバー８０に設けられたコネクタ１００は、
逓倍器５０と、帯域祖祉濾波器５２と、ドライバアンプ
５４と、高周波オン／オフスイッチ５６と、電力分配器
２０とを介して、電圧制御発振器（ＶＣＯ）５８に接続
されている。また、この高周波印加用スプリングプロー
ブピンユニット４４のコネクタ１００には、高周波出力
監視装置１８が接続されている。
ンユニット４４に配置された後述するマイクロストリッ
プライン用カバー８０に設けられたコネクタ１００は、
逓倍器５０と、帯域祖祉濾波器５２と、ドライバアンプ
５４と、高周波オン／オフスイッチ５６と、電力分配器
２０とを介して、電圧制御発振器（ＶＣＯ）５８に接続
されている。また、この高周波印加用スプリングプロー
ブピンユニット４４のコネクタ１００には、高周波出力
監視装置１８が接続されている。
【００３０】さらに、熱センサー３８は温度調節器６０
に接続されており、ヒーター３６はヒーター電源用スイ
ッチ６２、ＳＳＲ６４を介して温度調節器６０に接続さ
れている。なお、ヒーター電源用スイッチ６２は、ヒー
ター用電源６６に接続されている。
に接続されており、ヒーター３６はヒーター電源用スイ
ッチ６２、ＳＳＲ６４を介して温度調節器６０に接続さ
れている。なお、ヒーター電源用スイッチ６２は、ヒー
ター用電源６６に接続されている。
【００３１】また、温度調節器６０は温度調節器用スイ
ッチ６８を介して図示しない電源に接続されており、設
定温度表示器７０と温度表示器７２とを備えている。
ッチ６８を介して図示しない電源に接続されており、設
定温度表示器７０と温度表示器７２とを備えている。
【００３２】ここで、図５、図６および図７（ａ）
（ｂ）を参照しながら、供試品ユニット３２の詳細な構
成を説明する。なお、図５には、供試品ユニット３２の
外観構成概略斜視図が示されている。また、図６には、
理解を容易にするために高周波印加用スプリングプロー
ブピンユニット４４を除いた状態における、図５のＶＩ
−ＶＩ線による概略断面図が示されている。また、図７
（ａ）には、理解を容易にするために直流バイアス印加
用スプリングプローブピンユニット４２を除いた状態に
おける、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線による概略断面図が示
されており、図７（ｂ）には、図７（ａ）のＡ部拡大図
が示されている。
（ｂ）を参照しながら、供試品ユニット３２の詳細な構
成を説明する。なお、図５には、供試品ユニット３２の
外観構成概略斜視図が示されている。また、図６には、
理解を容易にするために高周波印加用スプリングプロー
ブピンユニット４４を除いた状態における、図５のＶＩ
−ＶＩ線による概略断面図が示されている。また、図７
（ａ）には、理解を容易にするために直流バイアス印加
用スプリングプローブピンユニット４２を除いた状態に
おける、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ線による概略断面図が示
されており、図７（ｂ）には、図７（ａ）のＡ部拡大図
が示されている。
【００３３】直流バイアス印加用スプリングプローブピ
ンユニット４２は、高周波印加用スプリングプローブピ
ンユニット４４のマイクロストリップライン用カバー８
０を介して金属ブロック３４にネジ（図示せず）により
結合される防熱金属カバー８２を備えている。なお、符
号８４は、防熱金属カバー８２を金属ブロック３４に結
合するための上記したネジ（図示せず）を挿通するため
のネジ孔である。
ンユニット４２は、高周波印加用スプリングプローブピ
ンユニット４４のマイクロストリップライン用カバー８
０を介して金属ブロック３４にネジ（図示せず）により
結合される防熱金属カバー８２を備えている。なお、符
号８４は、防熱金属カバー８２を金属ブロック３４に結
合するための上記したネジ（図示せず）を挿通するため
のネジ孔である。
【００３４】防熱金属カバー８２には、テフロンやセラ
ミックなどの絶縁体８６を介して、直流バイアス用電源
４８の出力を供試品１０へ供給するピン部材としての直
流バイアス印加用スプリングプローブピン８８が挿通さ
れている。この直流バイアス印加用スプリングプローブ
ピン８８の先端は、供試品１０の所定の端子に接続され
た端子たるバイアスリード９０と接触されている。な
お、バイアスリード９０と金属ブロック３４との間に
は、テフロンやセラミックなどの絶縁体９２が配設され
ている。
ミックなどの絶縁体８６を介して、直流バイアス用電源
４８の出力を供試品１０へ供給するピン部材としての直
流バイアス印加用スプリングプローブピン８８が挿通さ
れている。この直流バイアス印加用スプリングプローブ
ピン８８の先端は、供試品１０の所定の端子に接続され
た端子たるバイアスリード９０と接触されている。な
お、バイアスリード９０と金属ブロック３４との間に
は、テフロンやセラミックなどの絶縁体９２が配設され
ている。
【００３５】また、供試品１０と接触して供試品１０を
金属ブロック３４に対して押圧することにより、金属ブ
ロック３４に対して供試品１０を保持するピン部材とし
てのスプリングプローブピン９４が、防熱金属カバー８
２に位置決めされて配設されている。このスプリングプ
ローブピン９４の先端は、テフロンやセラミックなどの
絶縁体９６を介して、供試品１０の所定の端子に接続さ
れた端子たる金リボン９８と接触されている。また、金
リボン９８は、コネクタ１００に連結されたマイクロス
トリップライン用カバー８０の上面に配設されたマイク
ロストリップライン１０２に接触していて、ＶＣＯ５８
の出力をコネクタ１００から供試品１０へ供給できるよ
うになされている。
金属ブロック３４に対して押圧することにより、金属ブ
ロック３４に対して供試品１０を保持するピン部材とし
てのスプリングプローブピン９４が、防熱金属カバー８
２に位置決めされて配設されている。このスプリングプ
ローブピン９４の先端は、テフロンやセラミックなどの
絶縁体９６を介して、供試品１０の所定の端子に接続さ
れた端子たる金リボン９８と接触されている。また、金
リボン９８は、コネクタ１００に連結されたマイクロス
トリップライン用カバー８０の上面に配設されたマイク
ロストリップライン１０２に接触していて、ＶＣＯ５８
の出力をコネクタ１００から供試品１０へ供給できるよ
うになされている。
【００３６】なお、図４においては、ボード３０に２個
の供試品ユニット３２を装着した場合を示したが、ボー
ド３０に装着される供試品ユニット３２の数は２個に限
定されるものではなく、３個以上であってもよいことは
勿論である。
の供試品ユニット３２を装着した場合を示したが、ボー
ド３０に装着される供試品ユニット３２の数は２個に限
定されるものではなく、３個以上であってもよいことは
勿論である。
【００３７】また、図４においては、ボード３０を１個
用いた構成の高周波バーンイン試験装置を示したが、高
周波バーンイン試験装置に用いるボード３０の数は１個
に限定されるものではなく、図４に示す全ての構成を２
組以上並列的に備えるようにして、全体としてボード３
０を２個以上用いた高周波バーンイン試験装置を構成す
ることができる。
用いた構成の高周波バーンイン試験装置を示したが、高
周波バーンイン試験装置に用いるボード３０の数は１個
に限定されるものではなく、図４に示す全ての構成を２
組以上並列的に備えるようにして、全体としてボード３
０を２個以上用いた高周波バーンイン試験装置を構成す
ることができる。
【００３８】以上の構成において、この高周波バーンイ
ン試験装置を動作させるには、ＶＣＯ５８で得られた信
号を逓倍器５０で逓倍し、帯域祖祉濾波器５２で目的の
周波数を取り出し、ドライブアンプ５４で目的の高周波
出力を得られるようにする。こうして得られた高周波出
力を、高周波オン／オフスイッチ５６および電力分配器
２０を介してコネクタ１００により供試品１０に印加
し、併せて、直流バイアス用電源４８の出力を、直流バ
イアス印加用スイッチ４６を介して直流バイアス印加用
スプリングプローブピン８８により供試品１０に印加す
る。
ン試験装置を動作させるには、ＶＣＯ５８で得られた信
号を逓倍器５０で逓倍し、帯域祖祉濾波器５２で目的の
周波数を取り出し、ドライブアンプ５４で目的の高周波
出力を得られるようにする。こうして得られた高周波出
力を、高周波オン／オフスイッチ５６および電力分配器
２０を介してコネクタ１００により供試品１０に印加
し、併せて、直流バイアス用電源４８の出力を、直流バ
イアス印加用スイッチ４６を介して直流バイアス印加用
スプリングプローブピン８８により供試品１０に印加す
る。
【００３９】また、供試品１０は、ヒーター３６、熱セ
ンサー３８および熱モニター４０を内蔵した金属ブロッ
ク３４の上面に、ネジ止めなどにより予め装着されてい
る。そして、温度調節器６０の設定温度を設定温度表示
器７０を視認しながら、供試品１０の目的の温度に設定
するが、熱センサー３８により検知された供試品１０の
温度が目的の温度に達していない場合には、ヒーター３
６にヒーター電源用スイッチ６２を介してヒーター用電
源６６の出力が印加されることになる。
ンサー３８および熱モニター４０を内蔵した金属ブロッ
ク３４の上面に、ネジ止めなどにより予め装着されてい
る。そして、温度調節器６０の設定温度を設定温度表示
器７０を視認しながら、供試品１０の目的の温度に設定
するが、熱センサー３８により検知された供試品１０の
温度が目的の温度に達していない場合には、ヒーター３
６にヒーター電源用スイッチ６２を介してヒーター用電
源６６の出力が印加されることになる。
【００４０】こうして供試品１０の温度は、温度調節器
６０によって設定温度に保たれることになる。
６０によって設定温度に保たれることになる。
【００４１】なお、こうした動作状況は、温度表示器７
２に表示された温度を視認することにより確認すること
ができる。
２に表示された温度を視認することにより確認すること
ができる。
【００４２】この高周波バーンイン試験装置において
は、電力分配器２０を用いて高周波出力を分配すること
により、ボード３０上に配設された２個の供試品１０に
対して同時に高周波出力を印加することができるように
なされているが、上記した供試品１０の温度制御は、供
試品ユニット３２毎に金属ブロック３４を用いて独立し
て行われる。
は、電力分配器２０を用いて高周波出力を分配すること
により、ボード３０上に配設された２個の供試品１０に
対して同時に高周波出力を印加することができるように
なされているが、上記した供試品１０の温度制御は、供
試品ユニット３２毎に金属ブロック３４を用いて独立し
て行われる。
【００４３】従って、供試品１０毎に適正な設定温度に
温度制御することができるとともに、高周波オン／オフ
スイッチ５６、直流バイアス印加用スイッチ４６をオン
／オフ制御することにより、ボード３０単位で高周波印
加による試験の管理を行うことができる。
温度制御することができるとともに、高周波オン／オフ
スイッチ５６、直流バイアス印加用スイッチ４６をオン
／オフ制御することにより、ボード３０単位で高周波印
加による試験の管理を行うことができる。
【００４４】このため、供試品１０の数量の変動に効率
よく対応することが可能となり、供試品１０の数量の変
動によるヒーター３６、直流バイアス用電源４８ならび
にＶＣＯ５８の運転ロスを抑制することができる。
よく対応することが可能となり、供試品１０の数量の変
動によるヒーター３６、直流バイアス用電源４８ならび
にＶＣＯ５８の運転ロスを抑制することができる。
【００４５】また、供試品１０への直流バイアスの印加
は、半田付けを用いることなしに、直流バイアス印加用
スプリングプローブピン８８を供試品１０に形成された
端子に接触させることにより行われるので、供試品１０
の端子面を汚す恐れがない。さらに、半田付けを用いる
ことなしに、供試品１０に対してスプリングプローブピ
ン９４を接触させ、スプリングプローブピン９４により
供試品１０を金属ブロック３４に対して押圧することに
よって、金属ブロック３４に対して供試品１０を保持す
るようにしたので、供試品１０を汚す恐れなしに、金属
ブロック３４に対して供試品１０を保持することができ
る。
は、半田付けを用いることなしに、直流バイアス印加用
スプリングプローブピン８８を供試品１０に形成された
端子に接触させることにより行われるので、供試品１０
の端子面を汚す恐れがない。さらに、半田付けを用いる
ことなしに、供試品１０に対してスプリングプローブピ
ン９４を接触させ、スプリングプローブピン９４により
供試品１０を金属ブロック３４に対して押圧することに
よって、金属ブロック３４に対して供試品１０を保持す
るようにしたので、供試品１０を汚す恐れなしに、金属
ブロック３４に対して供試品１０を保持することができ
る。
【００４６】なお、ボード３０を複数枚並べて何段かに
配置し、標準ラックなどに組み込めば、省スペース化を
図ることができる。
配置し、標準ラックなどに組み込めば、省スペース化を
図ることができる。
【００４７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、供試品
毎に発熱手段を有するようにして温度制御を行い、しか
も複数の供試品を１つの単位として各単位毎に高周波発
生源を有するように構成したため、各別に温度制御され
た複数の供試品よりなる各単位毎に高周波バーンイン試
験を管理することができるので、供試品の数量の変動に
効率よく対応することが可能となり、供試品の数量の変
動による運転ロスを抑制することができるという優れた
効果を奏する。
毎に発熱手段を有するようにして温度制御を行い、しか
も複数の供試品を１つの単位として各単位毎に高周波発
生源を有するように構成したため、各別に温度制御され
た複数の供試品よりなる各単位毎に高周波バーンイン試
験を管理することができるので、供試品の数量の変動に
効率よく対応することが可能となり、供試品の数量の変
動による運転ロスを抑制することができるという優れた
効果を奏する。
【図１】単一の供試品を試験するための恒温槽を使用す
る従来の高周波バーンイン試験装置の概略構成説明図で
ある。
る従来の高周波バーンイン試験装置の概略構成説明図で
ある。
【図２】複数の供試品を試験するための恒温槽を使用す
る従来の高周波バーンイン試験装置の概略構成説明図で
ある。
る従来の高周波バーンイン試験装置の概略構成説明図で
ある。
【図３】共通発熱ブロックを使用する従来の高周波バー
ンイン試験装置の概略構成説明図である。
ンイン試験装置の概略構成説明図である。
【図４】本発明による高周波バーンイン試験装置の概略
構成説明図である。
構成説明図である。
【図５】供試品ユニットの外観構成概略斜視図である。
【図６】高周波印加用スプリングプローブピンユニット
を除いた状態における図５のＶＩ−ＶＩ線による概略断
面図である。
を除いた状態における図５のＶＩ−ＶＩ線による概略断
面図である。
【図７】高周波印加用スプリングプローブピンユニット
の説明図であり、（ａ）は直流バイアス印加用スプリン
グプローブピンユニットを除いた状態における図５のＶ
ＩＩ−ＶＩＩ線による概略断面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＡ部拡大図である。
の説明図であり、（ａ）は直流バイアス印加用スプリン
グプローブピンユニットを除いた状態における図５のＶ
ＩＩ−ＶＩＩ線による概略断面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＡ部拡大図である。
１０ 供試品 １８ 高周波出力監視装置 ２０ 電力分配器 ３０ ボード ３２ 供試品ユニット ３４ 金属ブロック ３６ ヒーター ３８ 熱センサー ４０ 熱モニター ４２ 直流バイアス印加用スプリングプローブ
ピンユニット ４４ 高周波印加用スプリングプローブピンユ
ニット ４６ 直流バイアス印加用スイッチ ４８ 直流バイアス用電源 ５０ 逓倍器 ５２ 帯域祖祉濾波器 ５４ ドライバアンプ ５６ 高周波オン／オフスイッチ ５８ 電圧制御発振器（ＶＣＯ） ６０ 温度調節器 ８８ 直流バイアス印加用スプリングプローブ
ピン ９４ スプリングプローブピン
ピンユニット ４４ 高周波印加用スプリングプローブピンユ
ニット ４６ 直流バイアス印加用スイッチ ４８ 直流バイアス用電源 ５０ 逓倍器 ５２ 帯域祖祉濾波器 ５４ ドライバアンプ ５６ 高周波オン／オフスイッチ ５８ 電圧制御発振器（ＶＣＯ） ６０ 温度調節器 ８８ 直流バイアス印加用スプリングプローブ
ピン ９４ スプリングプローブピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−136225（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−162172（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 31/26 - 31/28
Claims (5)
- 【請求項１】 供試品に高周波電力を印加しながら高温
放置する高周波バーンイン試験を行うための高周波バー
ンイン装置において、 供試品毎に発熱手段を有するとともに、 複数の前記供試品を１つの単位として各単位毎に高周波
発生源を有するようにしたことを特徴とする高周波バー
ンイン試験装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の高周波バーンイン試験装
置において、 前記供試品を前記各単位毎に１枚のボードに組み込むよ
うにしたことを特徴とする高周波バーンイン試験装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２のいずれか１項
に記載の高周波バーンイン試験装置において、 前記供試品に形成された所定の端子にピン部材を接触さ
せることにより、前記供試品を半田付けすることなく、
前記ピン部材を介して前記供試品に通電するようにした
ことを特徴とする高周波バーンイン試験装置。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２のいずれか１項
に記載の高周波バーンイン試験装置において、 前記供試品を半田付けすることなく、前記供試品に対し
てピン部材を接触させることにより、前記発熱手段に対
して前記供試品を保持するようにしたことを特徴とする
高周波バーンイン試験装置。 - 【請求項５】 請求項３または請求項４のいずれか１項
に記載の高周波バーンイン試験装置において、 前記ピン部材はプローブピンであることを特徴とする高
周波バーンイン試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8346593A JP3062107B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 高周波バーンイン試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8346593A JP3062107B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 高周波バーンイン試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10170601A JPH10170601A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3062107B2 true JP3062107B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=18384484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8346593A Expired - Fee Related JP3062107B2 (ja) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 高周波バーンイン試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3062107B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6303398B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2018-04-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の通電装置 |
-
1996
- 1996-12-10 JP JP8346593A patent/JP3062107B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10170601A (ja) | 1998-06-26 |
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