JP2001264381A - 半導体パッケージの検査用ソケット、半導体パッケージの検査システムおよびその制御方法ならびにその記録媒体 - Google Patents
半導体パッケージの検査用ソケット、半導体パッケージの検査システムおよびその制御方法ならびにその記録媒体Info
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- JP2001264381A JP2001264381A JP2000071106A JP2000071106A JP2001264381A JP 2001264381 A JP2001264381 A JP 2001264381A JP 2000071106 A JP2000071106 A JP 2000071106A JP 2000071106 A JP2000071106 A JP 2000071106A JP 2001264381 A JP2001264381 A JP 2001264381A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体パッケージの温度環境を創出する手段
を有した半導体パッケージの検査用ソケットを提供す
る。また前記の半導体パッケージが実際に使用される温
度環境を創出して、その特性検査を実行する半導体パッ
ケージの検査システムおよびその制御方法を提供する。 【解決手段】 半導体パッケージの検査用ソケットにお
いて、被検試料の加熱手段と測温手段とを設ける。また
半導体パッケージの検査システムにおいて、被検試料の
加熱手段と測温手段を有するソケットを検査装置に搭載
する。また前記の半導体パッケージの検査システムの制
御方法において、特性検査に先だって被検試料を加熱
し、前記の被検試料が所定の温度に到達したことを確認
する。また被検試料を加熱する手順と、前記の被検試料
が所定の温度に到達したことを確認する手順とを、コン
ピュータ読み取り可能な記録媒体に格納する。
を有した半導体パッケージの検査用ソケットを提供す
る。また前記の半導体パッケージが実際に使用される温
度環境を創出して、その特性検査を実行する半導体パッ
ケージの検査システムおよびその制御方法を提供する。 【解決手段】 半導体パッケージの検査用ソケットにお
いて、被検試料の加熱手段と測温手段とを設ける。また
半導体パッケージの検査システムにおいて、被検試料の
加熱手段と測温手段を有するソケットを検査装置に搭載
する。また前記の半導体パッケージの検査システムの制
御方法において、特性検査に先だって被検試料を加熱
し、前記の被検試料が所定の温度に到達したことを確認
する。また被検試料を加熱する手順と、前記の被検試料
が所定の温度に到達したことを確認する手順とを、コン
ピュータ読み取り可能な記録媒体に格納する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体パッケー
ジを載置する半導体パッケージの検査用ソケットを提供
する技術に関するものである。また半導体パッケージを
載置してその特性を検査する検査装置と前記の検査装置
を制御する制御装置とより構成する半導体パッケージの
検査システムおよびその制御方法において、当該半導体
パッケージが実際に使用される温度環境を創出して、そ
の特性検査を実行する半導体パッケージの検査システム
およびその制御方法を提供する技術に関するものであ
り、さらに前記の制御の手順を格納したコンピュータ読
み取り可能な記録媒体に関するものである。
ジを載置する半導体パッケージの検査用ソケットを提供
する技術に関するものである。また半導体パッケージを
載置してその特性を検査する検査装置と前記の検査装置
を制御する制御装置とより構成する半導体パッケージの
検査システムおよびその制御方法において、当該半導体
パッケージが実際に使用される温度環境を創出して、そ
の特性検査を実行する半導体パッケージの検査システム
およびその制御方法を提供する技術に関するものであ
り、さらに前記の制御の手順を格納したコンピュータ読
み取り可能な記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ベアチップと、前記のベアチップを搭載
するキャリア基板とにより構成される半導体パッケージ
の個々の個体の特性を検査する検査システムでは、前記
の半導体パッケージをソケットに載置して、たとえばラ
ンドあるいはホール、リード等の、キャリア基板に備え
る当該半導体パッケージの出力端子部分にコンタクトピ
ンを接触させて電気的な導通をはかり、特定の電気信号
を与えて各ランドより得られた信号を検査する。
するキャリア基板とにより構成される半導体パッケージ
の個々の個体の特性を検査する検査システムでは、前記
の半導体パッケージをソケットに載置して、たとえばラ
ンドあるいはホール、リード等の、キャリア基板に備え
る当該半導体パッケージの出力端子部分にコンタクトピ
ンを接触させて電気的な導通をはかり、特定の電気信号
を与えて各ランドより得られた信号を検査する。
【０００３】前記のランドにコンタクトピンを接触させ
て電気的な導通をはかるためには、当該半導体パッケー
ジのランドにコンタクトピンを所定の押圧力で押圧する
必要がある。したがって前記の押圧を実行するために、
通常は前記のソケットにおいて適当な加圧機構を備え
る。
て電気的な導通をはかるためには、当該半導体パッケー
ジのランドにコンタクトピンを所定の押圧力で押圧する
必要がある。したがって前記の押圧を実行するために、
通常は前記のソケットにおいて適当な加圧機構を備え
る。
【０００４】また前記の半導体パッケージを実際に適用
した回路構成では、通電による発熱等によって当該半導
体パッケージの温度が上昇する。したがって前記の個々
の半導体パッケージの特性の検査においても常温におけ
る特性の検査に加えて温度が上昇した状態における検査
（すなわち高温検査）を実施する必要がある。
した回路構成では、通電による発熱等によって当該半導
体パッケージの温度が上昇する。したがって前記の個々
の半導体パッケージの特性の検査においても常温におけ
る特性の検査に加えて温度が上昇した状態における検査
（すなわち高温検査）を実施する必要がある。
【０００５】従来の技術を適用する半導体パッケージの
検査システムでは、被検試料とする半導体パッケージを
常温で検査した後に高温の雰囲気に放置して、再度特性
検査に供するか、あるいはまた被検試料とする半導体パ
ッケージに熱風を一定時間当てて温度上昇を促すなどの
方策により高温モードによる検査を実行しているが、検
査工程に手作業による要素が混在するため、正確な検査
条件の設定が困難であるばかりでなく設定温度の測定が
困難であり、検査工程の自動化を阻害する要因ともなっ
ていた。
検査システムでは、被検試料とする半導体パッケージを
常温で検査した後に高温の雰囲気に放置して、再度特性
検査に供するか、あるいはまた被検試料とする半導体パ
ッケージに熱風を一定時間当てて温度上昇を促すなどの
方策により高温モードによる検査を実行しているが、検
査工程に手作業による要素が混在するため、正確な検査
条件の設定が困難であるばかりでなく設定温度の測定が
困難であり、検査工程の自動化を阻害する要因ともなっ
ていた。
【０００６】さらには前記の加熱による被検試料の設定
温度の測定が困難なことと、前記の被検試料を載置する
ソケットも同等の温度に設定しなければ検査時に温度が
変動するなど、正確な検査条件の設定が困難である。
温度の測定が困難なことと、前記の被検試料を載置する
ソケットも同等の温度に設定しなければ検査時に温度が
変動するなど、正確な検査条件の設定が困難である。
【０００７】図１９ないし図２１に基づいて、従来の技
術を適用した半導体パッケージの検査システムならびに
その制御方法を説明する。
術を適用した半導体パッケージの検査システムならびに
その制御方法を説明する。
【０００８】図１９は、従来の技術を適用した半導体パ
ッケージの検査用ソケットの概略の断面を示したもので
ある。
ッケージの検査用ソケットの概略の断面を示したもので
ある。
【０００９】被検試料とする半導体パッケージ５１をソ
ケットベース５３に載置し、ソケット蓋５２を前記の半
導体パッケージ５１の上に載置して固定することによ
り、前記の半導体パッケージ５１はソケット蓋５２によ
って前記のソケットベース５３に押圧される。
ケットベース５３に載置し、ソケット蓋５２を前記の半
導体パッケージ５１の上に載置して固定することによ
り、前記の半導体パッケージ５１はソケット蓋５２によ
って前記のソケットベース５３に押圧される。
【００１０】図２０および図２１に基いて、従来の技術
を適用した半導体パッケージの検査システムで実行する
制御の手順を説明する。
を適用した半導体パッケージの検査システムで実行する
制御の手順を説明する。
【００１１】図２０に示すブロック図に基いて、従来の
技術を適用した半導体パッケージの検査システムの構成
を説明する。
技術を適用した半導体パッケージの検査システムの構成
を説明する。
【００１２】検査装置Ｂ０５に内蔵する制御部Ｂ５０は
加圧機構Ｂ５３を制御する。前記の検査装置Ｂ０５は、
たとえば前記の図１９に示したソケットを備えたもので
あり、前記のソケットを構成するソケットベースおよび
ソケット蓋によって加圧機構Ｂ５３を構成し、前記の制
御部Ｂ５０は当該ソケットの固定を確認する。
加圧機構Ｂ５３を制御する。前記の検査装置Ｂ０５は、
たとえば前記の図１９に示したソケットを備えたもので
あり、前記のソケットを構成するソケットベースおよび
ソケット蓋によって加圧機構Ｂ５３を構成し、前記の制
御部Ｂ５０は当該ソケットの固定を確認する。
【００１３】制御装置Ｂ０６に内蔵する演算制御部Ｂ６
０は表示部Ｂ６１に操作ガイドを表示し、操作担当者に
必要な操作内容を提示し、前記の操作担当者は操作部Ｂ
６２を介して前記の演算制御部Ｂ６０に指示して検査を
実行させる。
０は表示部Ｂ６１に操作ガイドを表示し、操作担当者に
必要な操作内容を提示し、前記の操作担当者は操作部Ｂ
６２を介して前記の演算制御部Ｂ６０に指示して検査を
実行させる。
【００１４】また処理プログラム部Ｂ６３は当該検査シ
ステムの制御の手順を実行させる制御プログラムを格納
する。前記の処理プログラム部Ｂ６３に格納する処理プ
ログラムはコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納
して当該制御装置Ｂ０６に供給される。
ステムの制御の手順を実行させる制御プログラムを格納
する。前記の処理プログラム部Ｂ６３に格納する処理プ
ログラムはコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納
して当該制御装置Ｂ０６に供給される。
【００１５】また比較用データ部Ｂ６４は被検試料とす
る個々の半導体パッケージに発生する出力信号の基準値
となる比較用データを格納する。前記の比較用データ部
Ｂ６４には個々の仕様による半導体パッケージに対応し
た比較用データが用意される。
る個々の半導体パッケージに発生する出力信号の基準値
となる比較用データを格納する。前記の比較用データ部
Ｂ６４には個々の仕様による半導体パッケージに対応し
た比較用データが用意される。
【００１６】図２１に示すフローチャートに基いて、従
来の技術を適用した半導体パッケージの検査システムの
制御の手順を説明する。前記の制御の手順を構成する各
ステップの説明に引用する符号は、図２０による。
来の技術を適用した半導体パッケージの検査システムの
制御の手順を説明する。前記の制御の手順を構成する各
ステップの説明に引用する符号は、図２０による。
【００１７】ステップＳ５１で演算制御部Ｂ６０は処理
プログラム部Ｂ６３より引き出した処理プログラムを起
動させ、ステップＳ５２に進んで当該検査システムの操
作担当者は表示部Ｂ６１を介して検査対象型格を指定
し、比較用データを指定して比較用データ部Ｂ６４より
該当する比較用データを引き出す。
プログラム部Ｂ６３より引き出した処理プログラムを起
動させ、ステップＳ５２に進んで当該検査システムの操
作担当者は表示部Ｂ６１を介して検査対象型格を指定
し、比較用データを指定して比較用データ部Ｂ６４より
該当する比較用データを引き出す。
【００１８】ステップＳ５３で、当該検査システムの操
作担当者は検査の対象とする半導体パッケージを検査装
置Ｂ０５に備えるソケットに載置して装着する。
作担当者は検査の対象とする半導体パッケージを検査装
置Ｂ０５に備えるソケットに載置して装着する。
【００１９】ステップＳ５４で、当該検査システムの操
作担当者は前記のソケットを固定することによって被検
試料である半導体パッケージへの加圧を実行する。
作担当者は前記のソケットを固定することによって被検
試料である半導体パッケージへの加圧を実行する。
【００２０】ステップＳ５５で当該検査システムの操作
担当者が操作部Ｂ６２を介して指示することにより試験
電圧あるいは試験電流を印加する。
担当者が操作部Ｂ６２を介して指示することにより試験
電圧あるいは試験電流を印加する。
【００２１】ステップＳ５６で被検試料である半導体パ
ッケージより出力された信号値を前記の比較用データ部
Ｂ６４より引き出した比較用データに対応させて比較す
る。
ッケージより出力された信号値を前記の比較用データ部
Ｂ６４より引き出した比較用データに対応させて比較す
る。
【００２２】ステップＳ５７で前記の半導体パッケージ
より出力された信号値が前記の比較用データとの一致を
見れば、ステップＳ５８に進んでソケット蓋（前記の図
１９を参照）の固定を解除して加圧を解除し、ステップ
Ｓ５９に進んで当該被検試料である半導体パッケージを
良品として分類する。
より出力された信号値が前記の比較用データとの一致を
見れば、ステップＳ５８に進んでソケット蓋（前記の図
１９を参照）の固定を解除して加圧を解除し、ステップ
Ｓ５９に進んで当該被検試料である半導体パッケージを
良品として分類する。
【００２３】ステップＳ６０で継続して検査する被検試
料である半導体パッケージがあれば、ステップＳ５３に
戻って新たな検査対象の半導体パッケージを検査装置Ｂ
０５のソケットに載置して装着する。
料である半導体パッケージがあれば、ステップＳ５３に
戻って新たな検査対象の半導体パッケージを検査装置Ｂ
０５のソケットに載置して装着する。
【００２４】前記のステップＳ５７で前記の半導体パッ
ケージより出力された信号値が前記の比較用データとの
一致を見ることができなければ、ステップＳ７１に進ん
でソケット蓋（前記の図１９を参照）の固定を解除して
加圧を解除し、ステップＳ７２に進んで当該被検試料で
ある半導体パッケージを不良品として分類する。
ケージより出力された信号値が前記の比較用データとの
一致を見ることができなければ、ステップＳ７１に進ん
でソケット蓋（前記の図１９を参照）の固定を解除して
加圧を解除し、ステップＳ７２に進んで当該被検試料で
ある半導体パッケージを不良品として分類する。
【００２５】前記のステップＳ６０で継続して検査する
被検試料である半導体パッケージがなければ、ステップ
Ｓ６１に進んで終了処理を実行する。
被検試料である半導体パッケージがなければ、ステップ
Ｓ６１に進んで終了処理を実行する。
【００２６】なお前記のステップＳ５９で良品に分類さ
れた被検試料である半導体パッケージはさらに高温モー
ドによる検査に供するべく、所定の高温雰囲気に置くか
あるいはまた熱風を当てる等の処置により温度を上昇さ
せ、改めて前記のステップＳ５３において当該検査装置
Ｂ０５のソケットに載置して装着し、以降の手順にした
がって特性の検査を実行する。
れた被検試料である半導体パッケージはさらに高温モー
ドによる検査に供するべく、所定の高温雰囲気に置くか
あるいはまた熱風を当てる等の処置により温度を上昇さ
せ、改めて前記のステップＳ５３において当該検査装置
Ｂ０５のソケットに載置して装着し、以降の手順にした
がって特性の検査を実行する。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】前記のごとく、従来の
技術を適用した半導体パッケージの検査用ソケットおよ
び半導体パッケージの検査システムでは、次に述べるよ
うな問題点がある。
技術を適用した半導体パッケージの検査用ソケットおよ
び半導体パッケージの検査システムでは、次に述べるよ
うな問題点がある。
【００２８】常温の状態における特性検査が中心である
ため、実際の使用状況である高温の状態における特性検
査ができない。
ため、実際の使用状況である高温の状態における特性検
査ができない。
【００２９】前記の問題点を解消するため、いったん良
品と分類された被検試料である半導体パッケージを高温
の雰囲気に置くかあるいは熱風を当てるなどして当該半
導体パッケージの温度を上昇させて、再度特性検査を実
行する。
品と分類された被検試料である半導体パッケージを高温
の雰囲気に置くかあるいは熱風を当てるなどして当該半
導体パッケージの温度を上昇させて、再度特性検査を実
行する。
【００３０】前記の方策を採用することによって高温の
状態における特性検査の実行が可能となるが、設定温度
が不安定になりがちであり、さらに加熱装置においても
設定温度と実際の被検試料の温度との間に差異が生じて
も温度測定困難なため確認困難である。
状態における特性検査の実行が可能となるが、設定温度
が不安定になりがちであり、さらに加熱装置においても
設定温度と実際の被検試料の温度との間に差異が生じて
も温度測定困難なため確認困難である。
【００３１】また特性検査を実行する際にソケットの温
度が異なると被検試料の温度が下降するなど、設定温度
の維持が困難となりやすい。したがって当該検査工程の
均質な作業品質の実現を阻害する要因となっていた。
度が異なると被検試料の温度が下降するなど、設定温度
の維持が困難となりやすい。したがって当該検査工程の
均質な作業品質の実現を阻害する要因となっていた。
【００３２】さらには検査工程に人手による移動作業等
が混在するなど、作業工程が複雑化する傾向を持ってい
る。したがって当該検査工程の自動化を阻害する要因と
なっていた。
が混在するなど、作業工程が複雑化する傾向を持ってい
る。したがって当該検査工程の自動化を阻害する要因と
なっていた。
【００３３】これより、半導体パッケージの検査用ソケ
ットおよび半導体パッケージの検査システムにおいて従
来の常温の環境における特性検査に加えて高温環境にお
ける特性検査を実行できる半導体パッケージの検査用ソ
ケットおよび半導体パッケージの検査システムを提供す
ることを、この発明が解決しようとする課題とする。
ットおよび半導体パッケージの検査システムにおいて従
来の常温の環境における特性検査に加えて高温環境にお
ける特性検査を実行できる半導体パッケージの検査用ソ
ケットおよび半導体パッケージの検査システムを提供す
ることを、この発明が解決しようとする課題とする。
【００３４】
【課題を解決するための手段】前記の問題点を解決する
ために、この発明では次に示す手段を取った。
ために、この発明では次に示す手段を取った。
【００３５】１）被検試料となる半導体パッケージを載
置するソケットに、前記の半導体パッケージを加熱する
加熱手段と、前記の加熱を受けた半導体パッケージの到
達する温度を検出する測温手段とを設ける。
置するソケットに、前記の半導体パッケージを加熱する
加熱手段と、前記の加熱を受けた半導体パッケージの到
達する温度を検出する測温手段とを設ける。
【００３６】この手段を取ることにより、当該半導体パ
ッケージの検査用ソケットは被検試料となる半導体パッ
ケージの高温モードでの温度環境を創出するという作用
を得る。
ッケージの検査用ソケットは被検試料となる半導体パッ
ケージの高温モードでの温度環境を創出するという作用
を得る。
【００３７】２）前記の測温手段は当該ソケットを構成
するソケットベースおよびソケット蓋のそれぞれに設け
る。
するソケットベースおよびソケット蓋のそれぞれに設け
る。
【００３８】この手段を取ることにより、ソケットベー
スおよびソケット蓋に設けた測温手段が所定の温度値を
示したことによって前記の半導体パッケージを加熱する
熱量が平衡状態になったことを検出するという作用を得
る。
スおよびソケット蓋に設けた測温手段が所定の温度値を
示したことによって前記の半導体パッケージを加熱する
熱量が平衡状態になったことを検出するという作用を得
る。
【００３９】３）半導体パッケージの検査システムを構
成する検査装置に加熱手段および測温手段を設けたソケ
ットを装備する。
成する検査装置に加熱手段および測温手段を設けたソケ
ットを装備する。
【００４０】この手段を取ることにより、当該半導体パ
ッケージの検査システムは従来の常温の環境下における
特性検査に加えて特定の指定値による高温環境下におけ
る特性検査を実行するという作用を得る。
ッケージの検査システムは従来の常温の環境下における
特性検査に加えて特定の指定値による高温環境下におけ
る特性検査を実行するという作用を得る。
【００４１】４）前記の半導体パッケージの検査システ
ムの制御方法において、常温における半導体パッケージ
の特性を検査した後、引き続き高温モードでの特性検査
を実行する手順を設定する。
ムの制御方法において、常温における半導体パッケージ
の特性を検査した後、引き続き高温モードでの特性検査
を実行する手順を設定する。
【００４２】この手段を取ることにより、当該半導体パ
ッケージの検査システムは被検試料となる半導体パッケ
ージをソケットより取り外すことなく高温モードでの特
性検査を実行するという作用を得る。
ッケージの検査システムは被検試料となる半導体パッケ
ージをソケットより取り外すことなく高温モードでの特
性検査を実行するという作用を得る。
【００４３】５）前記の半導体パッケージの検査システ
ムの制御の手順を規定する処理プログラムをコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体に格納する。
ムの制御の手順を規定する処理プログラムをコンピュー
タ読み取り可能な記録媒体に格納する。
【００４４】この手段を取ることにより、当該半導体パ
ッケージの検査システムは被検試料の常温の状態での特
性検査に引き続いて高温の状態での特性検査を実行する
手順を装備するという作用を得る。
ッケージの検査システムは被検試料の常温の状態での特
性検査に引き続いて高温の状態での特性検査を実行する
手順を装備するという作用を得る。
【００４５】
【発明の実施の形態】この発明は、次に示すような形態
を取る。
を取る。
【００４６】１）被検試料とする半導体パッケージを載
置する半導体パッケージの検査用ソケットにおいて、前
記の被検試料とする半導体パッケージを加熱する加熱手
段と、前記の被検試料とする半導体パッケージの到達す
る温度を検出する測温手段とを備える。
置する半導体パッケージの検査用ソケットにおいて、前
記の被検試料とする半導体パッケージを加熱する加熱手
段と、前記の被検試料とする半導体パッケージの到達す
る温度を検出する測温手段とを備える。
【００４７】この形態を取ることによって、当該検査用
ソケットは被検試料とする半導体パッケージの検査時の
温度を設定するという作用を得る。
ソケットは被検試料とする半導体パッケージの検査時の
温度を設定するという作用を得る。
【００４８】２）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部およびベース部の両者に、前記の被検
試料とする半導体パッケージの到達する温度を検出する
測温手段を備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部およびベース部の両者に、前記の被検
試料とする半導体パッケージの到達する温度を検出する
測温手段を備える。
【００４９】この形態を取ることによって、当該検査用
ソケットは被検試料とする半導体パッケージを挟持する
位置に測温手段を配するという作用を得る。
ソケットは被検試料とする半導体パッケージを挟持する
位置に測温手段を配するという作用を得る。
【００５０】３）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを加熱する加熱手段を備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを加熱する加熱手段を備える。
【００５１】この形態を取ることによって、当該検査用
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱するという作用を得る。
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱するという作用を得る。
【００５２】４）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを加熱する加熱手段と、前記の被検試料とする半
導体パッケージを冷却する冷却手段とを備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを加熱する加熱手段と、前記の被検試料とする半
導体パッケージを冷却する冷却手段とを備える。
【００５３】この形態を取ることによって、当該検査用
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱し、また冷却手段によって
冷却するという作用を得る。
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱し、また冷却手段によって
冷却するという作用を得る。
【００５４】５）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを押圧する加圧手段を備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを押圧する加圧手段を備える。
【００５５】６）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する加熱手段を備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する加熱手段を備える。
【００５６】７）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する加熱手段と、前記の被検試料とする半導体パッケ
ージを冷却する冷却手段とを備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する加熱手段と、前記の被検試料とする半導体パッケ
ージを冷却する冷却手段とを備える。
【００５７】これらの形態を取ることによって、当該検
査用ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パ
ッケージを押圧した加熱手段によって加熱し、また冷却
手段によって冷却するという作用を得る。
査用ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パ
ッケージを押圧した加熱手段によって加熱し、また冷却
手段によって冷却するという作用を得る。
【００５８】８）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段は、前記の半導体パッケージのベアチップ部分を
押圧する加圧子と、前記のベアチップ部分を搭載する支
持体部分を押圧する加圧子とを備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段は、前記の半導体パッケージのベアチップ部分を
押圧する加圧子と、前記のベアチップ部分を搭載する支
持体部分を押圧する加圧子とを備える。
【００５９】この形態を取ることによって、当該検査用
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを押圧する際に、前記の半導体パッケージの各部に
加える押圧力を個別に設定するという作用を得る。
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを押圧する際に、前記の半導体パッケージの各部に
加える押圧力を個別に設定するという作用を得る。
【００６０】９）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する面状の加熱部を設ける。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する面状の加熱部を設ける。
【００６１】１０）前記の半導体パッケージの検査用ソ
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する
加圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージに
接触して加熱および冷却を行なう面状の加熱／冷却部を
設ける。
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する
加圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージに
接触して加熱および冷却を行なう面状の加熱／冷却部を
設ける。
【００６２】これらの形態を取ることによって、当該検
査用ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パ
ッケージを押圧した加熱部によって加熱し、また冷却部
によって冷却するという作用を得る。
査用ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パ
ッケージを押圧した加熱部によって加熱し、また冷却部
によって冷却するという作用を得る。
【００６３】１１）前記の半導体パッケージの検査用ソ
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パ
ッケージに接触して押圧する流体バッグと、前記の流体
バッグにあらかじめ設定された温度による流体を流入さ
せる流体ベントとを備える。
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パ
ッケージに接触して押圧する流体バッグと、前記の流体
バッグにあらかじめ設定された温度による流体を流入さ
せる流体ベントとを備える。
【００６４】この形態を取ることによって、当該検査用
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを前記の流体バッグによって押圧するとともに、前
記の流体バッグに流入させた所定の温度による流体によ
って加熱もしくは冷却を行なうという作用を得る。
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを前記の流体バッグによって押圧するとともに、前
記の流体バッグに流入させた所定の温度による流体によ
って加熱もしくは冷却を行なうという作用を得る。
【００６５】１２）前記の半導体パッケージの検査用ソ
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成するベース部に、前記の被検試料とする半導
体パッケージを加熱する加熱手段を備える。
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成するベース部に、前記の被検試料とする半導
体パッケージを加熱する加熱手段を備える。
【００６６】１３）前記の半導体パッケージの検査用ソ
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成するベース部に、前記の被検試料とする半導
体パッケージを加熱する加熱手段と、前記の被検試料と
する半導体パッケージを冷却する冷却手段とを備える。
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成するベース部に、前記の被検試料とする半導
体パッケージを加熱する加熱手段と、前記の被検試料と
する半導体パッケージを冷却する冷却手段とを備える。
【００６７】この形態を取ることによって、当該検査用
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱し、また冷却手段によって
冷却するという作用を得る。
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱し、また冷却手段によって
冷却するという作用を得る。
【００６８】１４）半導体パッケージを載置して検査す
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムにおいて、
前記の検査装置は、被検試料とする半導体パッケージを
載置するソケットに被検試料を加熱する加熱手段と、前
記の被検試料の到達する温度を検出する測温手段とを備
える。
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムにおいて、
前記の検査装置は、被検試料とする半導体パッケージを
載置するソケットに被検試料を加熱する加熱手段と、前
記の被検試料の到達する温度を検出する測温手段とを備
える。
【００６９】１５）前記の半導体パッケージの検査シス
テムにおいて、前記の検査装置は、被検試料とする半導
体パッケージを載置するソケットに被検試料を加熱する
加熱手段と、前記の検査装置は、被検試料とする半導体
パッケージを載置するソケットに被検試料を冷却する冷
却手段と、前記の被検試料の到達する温度を検出する測
温手段とを備える。
テムにおいて、前記の検査装置は、被検試料とする半導
体パッケージを載置するソケットに被検試料を加熱する
加熱手段と、前記の検査装置は、被検試料とする半導体
パッケージを載置するソケットに被検試料を冷却する冷
却手段と、前記の被検試料の到達する温度を検出する測
温手段とを備える。
【００７０】これらの形態を取ることによって、当該検
査システムは被検試料とする半導体パッケージの温度設
定を行なうという作用を得る。
査システムは被検試料とする半導体パッケージの温度設
定を行なうという作用を得る。
【００７１】１６）半導体パッケージを載置して検査す
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムの制御方法
において、前記の検査装置は、被検試料とする半導体パ
ッケージを載置するソケットに備える加熱手段によって
前記の被検試料を加熱し、前記の被検試料があらかじめ
定める温度に到達した状態における当該被検試料の特性
検査を実行する。
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムの制御方法
において、前記の検査装置は、被検試料とする半導体パ
ッケージを載置するソケットに備える加熱手段によって
前記の被検試料を加熱し、前記の被検試料があらかじめ
定める温度に到達した状態における当該被検試料の特性
検査を実行する。
【００７２】１７）前記の半導体パッケージの検査シス
テムの制御方法において、前記の検査装置は、被検試料
とする半導体パッケージを載置するソケットに備える加
熱手段あるいは冷却手段によって前記の被検試料を加熱
あるいは冷却し、前記の被検試料があらかじめ定める温
度に到達した状態における当該被検試料の特性検査を実
行する。
テムの制御方法において、前記の検査装置は、被検試料
とする半導体パッケージを載置するソケットに備える加
熱手段あるいは冷却手段によって前記の被検試料を加熱
あるいは冷却し、前記の被検試料があらかじめ定める温
度に到達した状態における当該被検試料の特性検査を実
行する。
【００７３】１８）前記の半導体パッケージの検査シス
テムの制御方法において、前記の検査装置は、被検試料
とする半導体パッケージを載置するソケットにおいて当
該被検試料を挟持する位置に配した測温手段によって、
前記の被検試料の到達した温度を検出する。
テムの制御方法において、前記の検査装置は、被検試料
とする半導体パッケージを載置するソケットにおいて当
該被検試料を挟持する位置に配した測温手段によって、
前記の被検試料の到達した温度を検出する。
【００７４】これらの形態を取ることによって、当該検
査システムはその制御方法において被検試料とする半導
体パッケージの特性検査に際して温度設定を行なう手順
を設定するという作用を得る。
査システムはその制御方法において被検試料とする半導
体パッケージの特性検査に際して温度設定を行なう手順
を設定するという作用を得る。
【００７５】１９）半導体パッケージを載置して検査す
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムの制御を実
現するプログラムを格納する記録媒体において、前記の
検査装置があらかじめ定める温度に設定して実行する検
査に先だって被検試料とする半導体パッケージを載置す
るソケットに備える加熱手段あるいは冷却手段によって
前記の被検試料を加熱あるいは冷却する手順と、前記の
被検試料があらかじめ定める温度に到達したことを確認
する手順と、前記の被検試料が前記のあらかじめ定める
温度に到達したことを確認して当該被検試料の特性検査
を実行する手順とを、コンピュータ読み取り可能な記録
媒体に格納する。
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムの制御を実
現するプログラムを格納する記録媒体において、前記の
検査装置があらかじめ定める温度に設定して実行する検
査に先だって被検試料とする半導体パッケージを載置す
るソケットに備える加熱手段あるいは冷却手段によって
前記の被検試料を加熱あるいは冷却する手順と、前記の
被検試料があらかじめ定める温度に到達したことを確認
する手順と、前記の被検試料が前記のあらかじめ定める
温度に到達したことを確認して当該被検試料の特性検査
を実行する手順とを、コンピュータ読み取り可能な記録
媒体に格納する。
【００７６】この形態を取ることによって、当該半導体
パッケージの検査システムは被検試料とする半導体パッ
ケージの温度環境を設定した特性の検査を実行する手順
を装備するという作用を得る。
パッケージの検査システムは被検試料とする半導体パッ
ケージの温度環境を設定した特性の検査を実行する手順
を装備するという作用を得る。
【００７７】
【実施例】図１ないし図１８に基づいて、この発明の代
表的な実施例を説明する。
表的な実施例を説明する。
【００７８】図１は、この発明の代表的なひとつの実施
例によるフリップチップタイプの例による半導体パッケ
ージを載置するソケットの構造を示した模式図である。
例によるフリップチップタイプの例による半導体パッケ
ージを載置するソケットの構造を示した模式図である。
【００７９】テストボード４に搭載するソケットベース
３は、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに電
気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。前記の半導体パッケージ１をソケットベース３に押
圧するソケット蓋２は、前記の半導体パッケージ１を加
熱する加熱子５を備える。
３は、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに電
気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。前記の半導体パッケージ１をソケットベース３に押
圧するソケット蓋２は、前記の半導体パッケージ１を加
熱する加熱子５を備える。
【００８０】また前記のソケットベース３およびソケッ
ト蓋２は、それぞれ測温子６ａおよび６ｂを備える。
ト蓋２は、それぞれ測温子６ａおよび６ｂを備える。
【００８１】すなわち前記のソケットベース３およびソ
ケット蓋２によって固定した半導体パッケージ１は加熱
子５によって所定の温度になるまで加熱される。
ケット蓋２によって固定した半導体パッケージ１は加熱
子５によって所定の温度になるまで加熱される。
【００８２】前記の測温子６ａの検出する温度値は、加
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度とほ
ぼ同等の温度を示しているが、前記の加熱子５の発する
熱量が半導体パッケージ１に伝達されてソケットベース
３に到達すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇す
る。
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度とほ
ぼ同等の温度を示しているが、前記の加熱子５の発する
熱量が半導体パッケージ１に伝達されてソケットベース
３に到達すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇す
る。
【００８３】前記の加熱子５の発する熱量がソケット蓋
２、半導体パッケージ１およびソケットベース３に行き
渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出する
温度値は測温子６ａの検出する温度値と既知の温度勾配
による特定の温度値を示す。
２、半導体パッケージ１およびソケットベース３に行き
渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出する
温度値は測温子６ａの検出する温度値と既知の温度勾配
による特定の温度値を示す。
【００８４】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と所定の温度差を持った値を
示したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示
す温度値によって推測可能な値であると判定できる。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と所定の温度差を持った値を
示したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示
す温度値によって推測可能な値であると判定できる。
【００８５】あるいはまた、前記の加熱子５の発する熱
量がソケット蓋２、半導体パッケージ１およびソケット
ベース３に行き渡って平衡状態になる前に、前記の半導
体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したがって
あらかじめソケット蓋２、半導体パッケージ１およびソ
ケットベース３に発生する温度勾配を事前の実験等によ
り把握しておけば、ソケット蓋２に備える測温子６ａお
よびソケットベース３に備える測温子６ｂをもとに半導
体パッケージ１の温度を知ることができる。
量がソケット蓋２、半導体パッケージ１およびソケット
ベース３に行き渡って平衡状態になる前に、前記の半導
体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したがって
あらかじめソケット蓋２、半導体パッケージ１およびソ
ケットベース３に発生する温度勾配を事前の実験等によ
り把握しておけば、ソケット蓋２に備える測温子６ａお
よびソケットベース３に備える測温子６ｂをもとに半導
体パッケージ１の温度を知ることができる。
【００８６】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、事前の確
認実験等によって前記の測温子６ａの示す温度値より推
測可能な温度値に到達していると判定できる。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、事前の確
認実験等によって前記の測温子６ａの示す温度値より推
測可能な温度値に到達していると判定できる。
【００８７】したがって、前記の方法に基づいて確認し
た半導体パッケージ１の温度においてその特性を検査す
れば、当初に設定する温度における特性を把握すること
になる。
た半導体パッケージ１の温度においてその特性を検査す
れば、当初に設定する温度における特性を把握すること
になる。
【００８８】図２は、この発明の代表的な別のひとつの
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
【００８９】ここに図２によって示した実施例は、前記
の図１に基づく実施例においてソケット蓋２に冷却子５
ａを追加して設けた応用例である。
の図１に基づく実施例においてソケット蓋２に冷却子５
ａを追加して設けた応用例である。
【００９０】前記の冷却子５ａは、前記の加熱子５によ
って高温となったソケット蓋２に、たとえば冷却用の熱
媒体を循環させる等の措置によって前記のソケット蓋２
の冷却を促進させ、当該ソケット全体を早期に低温の状
態に復帰させるものである。
って高温となったソケット蓋２に、たとえば冷却用の熱
媒体を循環させる等の措置によって前記のソケット蓋２
の冷却を促進させ、当該ソケット全体を早期に低温の状
態に復帰させるものである。
【００９１】図３は、この発明の代表的な別のひとつの
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
【００９２】テストボード４に搭載するソケットベース
３ｂは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。またソケット蓋２ｂは前記の半導体パッケージ１を
ソケットベース３ｂに押圧する押圧子１１を有し、前記
の押圧子１１は半導体パッケージ１を加熱する加熱子５
および前記の半導体パッケージ１の温度を測定する測温
子６ａを備える。
３ｂは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。またソケット蓋２ｂは前記の半導体パッケージ１を
ソケットベース３ｂに押圧する押圧子１１を有し、前記
の押圧子１１は半導体パッケージ１を加熱する加熱子５
および前記の半導体パッケージ１の温度を測定する測温
子６ａを備える。
【００９３】また前記の押圧子１１は前記のソケット蓋
２ｂに貫通するガイドシャフト１１ａを持ち、前記のソ
ケット蓋２ｂをソケットベース３ｂに固定した際に前記
の押圧子１１は前記のソケット蓋２ｂに貫通するガイド
シャフト１１ａによって係止されながら押圧ばね１２に
よって前記の半導体パッケージ１を押圧する。
２ｂに貫通するガイドシャフト１１ａを持ち、前記のソ
ケット蓋２ｂをソケットベース３ｂに固定した際に前記
の押圧子１１は前記のソケット蓋２ｂに貫通するガイド
シャフト１１ａによって係止されながら押圧ばね１２に
よって前記の半導体パッケージ１を押圧する。
【００９４】さらに前記のガイドシャフト１１ａは前記
の半導体パッケージ１を押圧する押圧力を解除した位置
で固定できるロック機構１３を持つ。
の半導体パッケージ１を押圧する押圧力を解除した位置
で固定できるロック機構１３を持つ。
【００９５】すなわち被検試料となる半導体パッケージ
１をソケットベース３ｂに載置し、前記のロック機構１
３によって押圧力を解除した状態にてソケット蓋２ｂを
固定し、しかる後に前記のロック機構１３を解除して前
記の押圧子１１を前記の半導体パッケージ１に押しつけ
る。この操作を実行することによって前記の押圧子１１
は前記のソケットベース３ｂの中で前記の半導体パッケ
ージ１の位置決めが完全に行なわれた後に押圧力を発生
することができ、前記の押圧子１１が前記の半導体パッ
ケージ１の位置決め精度を損なうことがない。
１をソケットベース３ｂに載置し、前記のロック機構１
３によって押圧力を解除した状態にてソケット蓋２ｂを
固定し、しかる後に前記のロック機構１３を解除して前
記の押圧子１１を前記の半導体パッケージ１に押しつけ
る。この操作を実行することによって前記の押圧子１１
は前記のソケットベース３ｂの中で前記の半導体パッケ
ージ１の位置決めが完全に行なわれた後に押圧力を発生
することができ、前記の押圧子１１が前記の半導体パッ
ケージ１の位置決め精度を損なうことがない。
【００９６】前記のソケットベース３ｂには測温子６ｂ
を備える。
を備える。
【００９７】すなわち前記のソケットベース３ｂおよび
押圧子１１によって挟持して固定した半導体パッケージ
１は加熱子５によって所定の温度になるまで加熱され
る。
押圧子１１によって挟持して固定した半導体パッケージ
１は加熱子５によって所定の温度になるまで加熱され
る。
【００９８】前記の測温子６ａの検出する温度値は、加
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度を示
しているが、前記の加熱子５の発する熱量が半導体パッ
ケージ１に伝達されてさらにソケットベース３ｂに到達
すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇する。
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度を示
しているが、前記の加熱子５の発する熱量が半導体パッ
ケージ１に伝達されてさらにソケットベース３ｂに到達
すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇する。
【００９９】前記の加熱子５の発する熱量が押圧子１
１、半導体パッケージ１およびソケットベース３ｂに行
き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出す
る温度値は測温子６ａの検出する温度値と既知の温度勾
配による特定の温度値を示す。
１、半導体パッケージ１およびソケットベース３ｂに行
き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出す
る温度値は測温子６ａの検出する温度値と既知の温度勾
配による特定の温度値を示す。
【０１００】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と特定の差分を持った値を示
したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示す
温度値によって推定可能な温度値であると判定する。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と特定の差分を持った値を示
したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示す
温度値によって推定可能な温度値であると判定する。
【０１０１】あるいはまた、前記の加熱子５の発する熱
量がソケット蓋２ｂ、半導体パッケージ１およびソケッ
トベース３ｂに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケット蓋２ｂ、半導体パッケージ１お
よびソケットベース３ｂに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｂに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ｂに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
量がソケット蓋２ｂ、半導体パッケージ１およびソケッ
トベース３ｂに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケット蓋２ｂ、半導体パッケージ１お
よびソケットベース３ｂに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｂに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ｂに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
【０１０２】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と等しい値を示す以前におい
ても、前記の測温子６ｂの検出する温度値があらかじめ
定める温度値を示したことによって、事前の確認実験等
によって前記の測温子６ａの示す温度値より推測可能な
温度値に到達していると判定できる。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と等しい値を示す以前におい
ても、前記の測温子６ｂの検出する温度値があらかじめ
定める温度値を示したことによって、事前の確認実験等
によって前記の測温子６ａの示す温度値より推測可能な
温度値に到達していると判定できる。
【０１０３】したがって、前記の方法に基づいて確認し
た半導体パッケージ１の温度においてその特性を検査す
れば、当初に設定する温度における特性を把握すること
になる。
た半導体パッケージ１の温度においてその特性を検査す
れば、当初に設定する温度における特性を把握すること
になる。
【０１０４】図４は、この発明の代表的な別のひとつの
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
【０１０５】ここに図４によって示した実施例は、前記
の図３に基づく実施例において押圧子１１に冷却子５ａ
を追加して設けた応用例である。
の図３に基づく実施例において押圧子１１に冷却子５ａ
を追加して設けた応用例である。
【０１０６】前記の冷却子５ａは、前記の加熱子５によ
って高温となった押圧子１１に、たとえば冷却用の熱媒
体を循環させる等の措置によって前記の押圧子１１の冷
却を促進させ、当該ソケット全体を早期に低温の状態に
復帰させるものである。
って高温となった押圧子１１に、たとえば冷却用の熱媒
体を循環させる等の措置によって前記の押圧子１１の冷
却を促進させ、当該ソケット全体を早期に低温の状態に
復帰させるものである。
【０１０７】図５は、この発明の代表的な別のひとつの
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
【０１０８】テストボード４に搭載するソケットベース
３ｃは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。またソケット蓋２ｃは前記の半導体パッケージ１を
ソケットベース３ｃに押圧する押圧子１１を有し、前記
の押圧子１１は半導体パッケージ１を加熱する加熱子５
および前記の半導体パッケージ１の温度を測定する測温
子６ａを備える。
３ｃは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。またソケット蓋２ｃは前記の半導体パッケージ１を
ソケットベース３ｃに押圧する押圧子１１を有し、前記
の押圧子１１は半導体パッケージ１を加熱する加熱子５
および前記の半導体パッケージ１の温度を測定する測温
子６ａを備える。
【０１０９】また前記の押圧子１１は前記のソケット蓋
２ｃに備える押圧力調整ねじ１４を貫通するガイドシャ
フト１１ａを持ち、前記のソケット蓋２ｃをソケットベ
ース３ｃに固定した際に前記の押圧子１１は前記の押圧
力調整ねじ１４に貫通するガイドシャフト１１ａによっ
て係止されながら押圧ばね１２によって前記の半導体パ
ッケージ１を押圧する。また前記の押圧力調整ねじ１４
を回転させることにより前記の押圧ばね１２のたわみ量
を調整することができるので、前記の押圧ばね１２によ
り発生する押圧力を調整することが可能となる。
２ｃに備える押圧力調整ねじ１４を貫通するガイドシャ
フト１１ａを持ち、前記のソケット蓋２ｃをソケットベ
ース３ｃに固定した際に前記の押圧子１１は前記の押圧
力調整ねじ１４に貫通するガイドシャフト１１ａによっ
て係止されながら押圧ばね１２によって前記の半導体パ
ッケージ１を押圧する。また前記の押圧力調整ねじ１４
を回転させることにより前記の押圧ばね１２のたわみ量
を調整することができるので、前記の押圧ばね１２によ
り発生する押圧力を調整することが可能となる。
【０１１０】前記のソケットベース３ｃには、測温子６
ｂを備える。
ｂを備える。
【０１１１】すなわち前記のソケットベース３ｃおよび
押圧子１１によって挟持して固定した半導体パッケージ
１は加熱子５によって所定の温度になるまで加熱され
る。
押圧子１１によって挟持して固定した半導体パッケージ
１は加熱子５によって所定の温度になるまで加熱され
る。
【０１１２】前記の測温子６ａの検出する温度値は、加
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度を示
しているが、前記の加熱子５の発する熱量が半導体パッ
ケージ１に伝達されてさらにソケットベース３ｃに到達
すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇する。
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度を示
しているが、前記の加熱子５の発する熱量が半導体パッ
ケージ１に伝達されてさらにソケットベース３ｃに到達
すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇する。
【０１１３】前記の加熱子５の発する熱量が押圧子１
１、半導体パッケージ１およびソケットベース３ｃに行
き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出す
る温度値は測温子６ａの検出する温度値と特定の関係を
持った温度値を示す。
１、半導体パッケージ１およびソケットベース３ｃに行
き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出す
る温度値は測温子６ａの検出する温度値と特定の関係を
持った温度値を示す。
【０１１４】あるいはまた、前記の加熱子５の発する熱
量がソケット蓋２ｃ、半導体パッケージ１およびソケッ
トベース３ｃに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケット蓋２ｃ、半導体パッケージ１お
よびソケットベース３ｃに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｃに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ｃに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
量がソケット蓋２ｃ、半導体パッケージ１およびソケッ
トベース３ｃに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケット蓋２ｃ、半導体パッケージ１お
よびソケットベース３ｃに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｃに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ｃに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
【０１１５】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
【０１１６】したがって、前記の方法に基づいて確認し
た半導体パッケージ１の温度においてその特性を検査す
れば、当初に設定する温度における特性を把握すること
になる。
た半導体パッケージ１の温度においてその特性を検査す
れば、当初に設定する温度における特性を把握すること
になる。
【０１１７】また当然のことながら前記の図５に示した
実施例において、前記の図３または図４に示したロック
機構１３を適用することによって、前記の図３に基づい
て説明した効果を兼ね備えることができる。
実施例において、前記の図３または図４に示したロック
機構１３を適用することによって、前記の図３に基づい
て説明した効果を兼ね備えることができる。
【０１１８】さらに図面による提示はないが、前記の図
５に示した実施例において、前記の図２あるいは図４に
おけるごとく冷却子を追加して設けることにより、当該
ソケット全体を早期に低温の状態に復帰させることがで
きる。
５に示した実施例において、前記の図２あるいは図４に
おけるごとく冷却子を追加して設けることにより、当該
ソケット全体を早期に低温の状態に復帰させることがで
きる。
【０１１９】図６は、この発明の代表的な別のひとつの
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
【０１２０】すなわち前記の図６に示した実施例では、
被検試料とする半導体パッケージ１を押圧する押圧子１
１は空圧シリンダ１５によって前記の半導体パッケージ
１を押圧する。
被検試料とする半導体パッケージ１を押圧する押圧子１
１は空圧シリンダ１５によって前記の半導体パッケージ
１を押圧する。
【０１２１】前記の空圧シリンダ１５はその駆動に要す
る空圧源を制御することにより、前記の押圧子１１の位
置に依存せずにその押圧力を設定することが可能とな
る。
る空圧源を制御することにより、前記の押圧子１１の位
置に依存せずにその押圧力を設定することが可能とな
る。
【０１２２】テストボード４に搭載するソケットベース
３ｅは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。またソケット蓋２ｅは前記の半導体パッケージ１を
ソケットベース３ｅに押圧する押圧子１１を有し、前記
の押圧子１１は半導体パッケージ１を加熱する加熱子５
および前記の半導体パッケージ１の温度を測定する測温
子６ａを備える。
３ｅは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。またソケット蓋２ｅは前記の半導体パッケージ１を
ソケットベース３ｅに押圧する押圧子１１を有し、前記
の押圧子１１は半導体パッケージ１を加熱する加熱子５
および前記の半導体パッケージ１の温度を測定する測温
子６ａを備える。
【０１２３】また前記の押圧子１１は前記のソケット蓋
２ｅに貫通して空圧シリンダ１５と係止し、前記の空圧
シリンダ１５のピストンが前記の押圧子１１を後退させ
た状態で前記のソケット蓋２ｅをソケットベース３ｅに
固定し、前記のソケット蓋２ｅをソケットベースに固定
させた後に前記の空圧シリンダ１５のピストンを前進さ
せて前記の押圧子１１によって前記の半導体パッケージ
１を押圧する。
２ｅに貫通して空圧シリンダ１５と係止し、前記の空圧
シリンダ１５のピストンが前記の押圧子１１を後退させ
た状態で前記のソケット蓋２ｅをソケットベース３ｅに
固定し、前記のソケット蓋２ｅをソケットベースに固定
させた後に前記の空圧シリンダ１５のピストンを前進さ
せて前記の押圧子１１によって前記の半導体パッケージ
１を押圧する。
【０１２４】この操作を実行することによって前記の押
圧子１１は前記のソケットベース３ｅの中で前記の半導
体パッケージ１の位置決めが完全に行なわれた後に押圧
力を発生することができ、前記の押圧子１１が前記の半
導体パッケージ１の位置決め精度を損なうことがない。
圧子１１は前記のソケットベース３ｅの中で前記の半導
体パッケージ１の位置決めが完全に行なわれた後に押圧
力を発生することができ、前記の押圧子１１が前記の半
導体パッケージ１の位置決め精度を損なうことがない。
【０１２５】前記のソケットベース３ｅには測温子６ｂ
を備える。
を備える。
【０１２６】すなわち前記のソケットベース３ｅおよび
押圧子１１によって挟持して固定した半導体パッケージ
１は加熱子５によって所定の温度になるまで加熱され
る。
押圧子１１によって挟持して固定した半導体パッケージ
１は加熱子５によって所定の温度になるまで加熱され
る。
【０１２７】前記の測温子６ａの検出する温度値は、加
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度を示
しているが、前記の加熱子５の発する熱量が半導体パッ
ケージ１に伝達されてさらにソケットベース３ｅに到達
すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇する。
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度を示
しているが、前記の加熱子５の発する熱量が半導体パッ
ケージ１に伝達されてさらにソケットベース３ｅに到達
すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇する。
【０１２８】前記の加熱子５の発する熱量が押圧子１
１、半導体パッケージ１およびソケットベース３ｅに行
き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出す
る温度値は測温子６ａの検出する温度値と特定の温度差
を持った温度値を示す。
１、半導体パッケージ１およびソケットベース３ｅに行
き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出す
る温度値は測温子６ａの検出する温度値と特定の温度差
を持った温度値を示す。
【０１２９】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する特定の値を
示したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示
す温度値から推測可能な温度値であると判定する。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する特定の値を
示したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示
す温度値から推測可能な温度値であると判定する。
【０１３０】あるいはまた、前記の加熱子５の発する熱
量がソケット蓋２ｅ、半導体パッケージ１およびソケッ
トベース３ｅに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケット蓋２ｅ、半導体パッケージ１お
よびソケットベース３ｅに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｅに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ｅに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
量がソケット蓋２ｅ、半導体パッケージ１およびソケッ
トベース３ｅに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケット蓋２ｅ、半導体パッケージ１お
よびソケットベース３ｅに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｅに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ｅに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
【０１３１】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
【０１３２】したがって、前記の半導体パッケージ１の
到達した温度値の状態においてその特性を検査すれば、
当初に設定する温度における特性を把握することにな
る。
到達した温度値の状態においてその特性を検査すれば、
当初に設定する温度における特性を把握することにな
る。
【０１３３】図７は、この発明の代表的な別のひとつの
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
【０１３４】ここに図７によって示した実施例は、前記
の図６に基づく実施例において押圧子１１に冷却子５ａ
を追加して設けた応用例である。
の図６に基づく実施例において押圧子１１に冷却子５ａ
を追加して設けた応用例である。
【０１３５】前記の冷却子５ａは、前記の加熱子５によ
って高温となった押圧子１１に、たとえば冷却用の熱媒
体を循環させる等の措置によって前記の押圧子１１の冷
却を促進させ、当該ソケット全体を早期に低温の状態に
復帰させるものである。
って高温となった押圧子１１に、たとえば冷却用の熱媒
体を循環させる等の措置によって前記の押圧子１１の冷
却を促進させ、当該ソケット全体を早期に低温の状態に
復帰させるものである。
【０１３６】図８は、この発明の代表的な別のひとつの
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
【０１３７】すなわち前記の図８に示した実施例では、
被検試料とする半導体パッケージ１を押圧する押圧子１
１ｄは空圧シリンダ１５によって前記の半導体パッケー
ジ１を押圧し、さらに前記の半導体パッケージ１のキャ
リア部分を別個にキャリア押圧子１６が押圧する。
被検試料とする半導体パッケージ１を押圧する押圧子１
１ｄは空圧シリンダ１５によって前記の半導体パッケー
ジ１を押圧し、さらに前記の半導体パッケージ１のキャ
リア部分を別個にキャリア押圧子１６が押圧する。
【０１３８】前記の空圧シリンダ１５はその駆動に要す
る空圧源を制御することにより前記の押圧子１１ｄの位
置に依存せずにその押圧力を設定することが可能とな
り、さらに前記の半導体パッケージ１のキャリア部分を
別個にキャリア押圧子１６が押圧することにより押圧時
にも前記のキャリア部分に過剰な曲げ応力が発生するこ
とを防止することができる。
る空圧源を制御することにより前記の押圧子１１ｄの位
置に依存せずにその押圧力を設定することが可能とな
り、さらに前記の半導体パッケージ１のキャリア部分を
別個にキャリア押圧子１６が押圧することにより押圧時
にも前記のキャリア部分に過剰な曲げ応力が発生するこ
とを防止することができる。
【０１３９】テストボード４に搭載するソケットベース
３ｆは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。またソケット蓋２ｆは前記の半導体パッケージ１を
ソケットベース３ｆに押圧する押圧子１１ｄを有し、前
記の押圧子１１ｄは半導体パッケージ１を加熱する加熱
子５および前記の半導体パッケージ１の温度を測定する
測温子６ａを備える。
３ｆは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。またソケット蓋２ｆは前記の半導体パッケージ１を
ソケットベース３ｆに押圧する押圧子１１ｄを有し、前
記の押圧子１１ｄは半導体パッケージ１を加熱する加熱
子５および前記の半導体パッケージ１の温度を測定する
測温子６ａを備える。
【０１４０】また前記の押圧子１１ｄは前記のソケット
蓋２ｆに貫通して空圧シリンダ１５と係止し、前記の空
圧シリンダ１５のピストンが前記の押圧子１１ｄを後退
させた状態で前記のソケット蓋２ｆをソケットベース３
ｆに固定し、前記のソケット蓋２ｆをソケットベース３
ｆに固定させた後に前記の空圧シリンダ１５のピストン
を前進させて前記の押圧子１１ｄによって前記の半導体
パッケージ１を押圧する。
蓋２ｆに貫通して空圧シリンダ１５と係止し、前記の空
圧シリンダ１５のピストンが前記の押圧子１１ｄを後退
させた状態で前記のソケット蓋２ｆをソケットベース３
ｆに固定し、前記のソケット蓋２ｆをソケットベース３
ｆに固定させた後に前記の空圧シリンダ１５のピストン
を前進させて前記の押圧子１１ｄによって前記の半導体
パッケージ１を押圧する。
【０１４１】さらに前記のソケット蓋２ｆはキャリア押
圧子１６を有し、押圧ばね１２ａによって前記の半導体
パッケージ１のキャリア部分を押圧する。
圧子１６を有し、押圧ばね１２ａによって前記の半導体
パッケージ１のキャリア部分を押圧する。
【０１４２】この操作を実行することによって前記の押
圧子１１ｄは前記のソケットベース３ｆの中で前記の半
導体パッケージ１のベアチップ部分のみを押圧し、キャ
リア部分は別個にキャリア押圧子１６が押圧する。
圧子１１ｄは前記のソケットベース３ｆの中で前記の半
導体パッケージ１のベアチップ部分のみを押圧し、キャ
リア部分は別個にキャリア押圧子１６が押圧する。
【０１４３】前記のソケットベース３ｆには測温子６ｂ
を備える。
を備える。
【０１４４】すなわち前記のソケットベース３ｆおよび
押圧子１１ｄによって挟持して固定した半導体パッケー
ジ１は加熱子５によって所定の温度になるまで加熱され
る。
押圧子１１ｄによって挟持して固定した半導体パッケー
ジ１は加熱子５によって所定の温度になるまで加熱され
る。
【０１４５】前記の測温子６ａの検出する温度値は、加
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度を示
しているが、前記の加熱子５の発する熱量が半導体パッ
ケージ１に伝達されてさらにソケットベース３ｆに到達
すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇する。
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度を示
しているが、前記の加熱子５の発する熱量が半導体パッ
ケージ１に伝達されてさらにソケットベース３ｆに到達
すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇する。
【０１４６】前記の加熱子５の発する熱量が押圧子１１
ｄ、半導体パッケージ１およびソケットベース３ｆに行
き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出す
る温度値は測温子６ａの検出する温度値と特定の温度差
を持った値を示す。
ｄ、半導体パッケージ１およびソケットベース３ｆに行
き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出す
る温度値は測温子６ａの検出する温度値と特定の温度差
を持った値を示す。
【０１４７】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と特定の温度差を持った値を
示したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示
す温度値より推測可能な温度値であると判定する。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と特定の温度差を持った値を
示したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示
す温度値より推測可能な温度値であると判定する。
【０１４８】あるいはまた、前記の加熱子５の発する熱
量がソケット蓋２ｆ、半導体パッケージ１およびソケッ
トベース３ｆに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケット蓋２ｆ、半導体パッケージ１お
よびソケットベース３ｆに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｆに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ｆに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
量がソケット蓋２ｆ、半導体パッケージ１およびソケッ
トベース３ｆに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケット蓋２ｆ、半導体パッケージ１お
よびソケットベース３ｆに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｆに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ｆに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
【０１４９】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
【０１５０】したがって、前記の半導体パッケージ１の
到達した温度値の状態においてその特性を検査すれば、
当初に設定する温度における特性を把握することにな
る。
到達した温度値の状態においてその特性を検査すれば、
当初に設定する温度における特性を把握することにな
る。
【０１５１】図９は、この発明の代表的な別のひとつの
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
実施例による半導体パッケージを載置するソケットの構
造を示した模式図である。
【０１５２】ここに図９によって示した実施例は、前記
の図８に基づく実施例において押圧子１１ｄに冷却子５
ａを追加して設けた応用例である。
の図８に基づく実施例において押圧子１１ｄに冷却子５
ａを追加して設けた応用例である。
【０１５３】前記の冷却子５ａは、前記の加熱子５によ
って高温となった押圧子１１ｄに、たとえば冷却用の熱
媒体を循環させる等の措置によって前記の押圧子１１ｄ
の冷却を促進させ、当該ソケット全体を早期に低温の状
態に復帰させるものである。
って高温となった押圧子１１ｄに、たとえば冷却用の熱
媒体を循環させる等の措置によって前記の押圧子１１ｄ
の冷却を促進させ、当該ソケット全体を早期に低温の状
態に復帰させるものである。
【０１５４】図１０は、この発明の代表的な別のひとつ
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
【０１５５】テストボード４に搭載するソケットベース
３ｄは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。またソケット蓋２ｄは前記の半導体パッケージ１を
ソケットベース３ｂに押圧する押圧子１１ｂを有し、前
記の押圧子１１ｂは半導体パッケージ１を加熱する面状
加熱部５ｄを設け、前記の半導体パッケージ１の温度を
測定する測温子６ａを備える。
３ｄは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。またソケット蓋２ｄは前記の半導体パッケージ１を
ソケットベース３ｂに押圧する押圧子１１ｂを有し、前
記の押圧子１１ｂは半導体パッケージ１を加熱する面状
加熱部５ｄを設け、前記の半導体パッケージ１の温度を
測定する測温子６ａを備える。
【０１５６】また前記の押圧子１１ｂは前記のソケット
蓋２ｄに貫通するガイドシャフト１１ａを持ち、前記の
ソケット蓋２ｂをソケットベース３ｂに固定した際に前
記の押圧子１１は前記のソケット蓋２ｂに貫通するガイ
ドシャフト１１ａによって係止されながら押圧ばね１２
によって前記の半導体パッケージ１を押圧する。
蓋２ｄに貫通するガイドシャフト１１ａを持ち、前記の
ソケット蓋２ｂをソケットベース３ｂに固定した際に前
記の押圧子１１は前記のソケット蓋２ｂに貫通するガイ
ドシャフト１１ａによって係止されながら押圧ばね１２
によって前記の半導体パッケージ１を押圧する。
【０１５７】さらに前記のガイドシャフト１１ａは前記
の半導体パッケージ１を押圧する押圧力を解除した位置
で固定できるロック機構１３を持つ。
の半導体パッケージ１を押圧する押圧力を解除した位置
で固定できるロック機構１３を持つ。
【０１５８】すなわち被検試料となる半導体パッケージ
１をソケットベース３ｄに載置し、前記のロック機構１
３によって押圧力を解除した状態にてソケット蓋２ｄを
固定し、しかる後に前記のロック機構１３を解除して前
記の押圧子１１ｂを前記の半導体パッケージ１に押しつ
ける。この操作を実行することによって前記の押圧子１
１ｂは前記のソケットベース３ｄの中で前記の半導体パ
ッケージ１の位置決めが完全に行なわれた後に押圧力を
発生することができ、前記の押圧子１１が前記の半導体
パッケージ１の位置決め精度を損なうことがない。
１をソケットベース３ｄに載置し、前記のロック機構１
３によって押圧力を解除した状態にてソケット蓋２ｄを
固定し、しかる後に前記のロック機構１３を解除して前
記の押圧子１１ｂを前記の半導体パッケージ１に押しつ
ける。この操作を実行することによって前記の押圧子１
１ｂは前記のソケットベース３ｄの中で前記の半導体パ
ッケージ１の位置決めが完全に行なわれた後に押圧力を
発生することができ、前記の押圧子１１が前記の半導体
パッケージ１の位置決め精度を損なうことがない。
【０１５９】前記のソケットベース３ｂには測温子６ｂ
を備える。
を備える。
【０１６０】すなわち前記のソケットベース３ｂおよび
押圧子１１によって挟持して固定した半導体パッケージ
１は直接接触する面状加熱部５ｄによって所定の温度に
なるまで加熱される。
押圧子１１によって挟持して固定した半導体パッケージ
１は直接接触する面状加熱部５ｄによって所定の温度に
なるまで加熱される。
【０１６１】前記の面状加熱部５ｄは、たとえば電気抵
抗線を面状に編み上げたものあるいは印刷抵抗体、パル
スヒータまたはペルチエ素子等によって実現される。
抗線を面状に編み上げたものあるいは印刷抵抗体、パル
スヒータまたはペルチエ素子等によって実現される。
【０１６２】前記の測温子６ａの検出する温度値は、加
熱子５による加熱を開始した当初は面状加熱部５ｄの温
度を示しているが、前記の面状加熱部５ｄの発する熱量
が半導体パッケージ１に伝達されてさらにソケットベー
ス３ｄに到達すると、測温子６ｂの検出する温度値が上
昇する。
熱子５による加熱を開始した当初は面状加熱部５ｄの温
度を示しているが、前記の面状加熱部５ｄの発する熱量
が半導体パッケージ１に伝達されてさらにソケットベー
ス３ｄに到達すると、測温子６ｂの検出する温度値が上
昇する。
【０１６３】前記の面状加熱部５ｄの発する熱量が押圧
子１１ｄ、半導体パッケージ１およびソケットベース３
ｂに行き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの
検出する温度値は測温子６ａの検出する温度値と特定の
温度勾配による値を示す。
子１１ｄ、半導体パッケージ１およびソケットベース３
ｂに行き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの
検出する温度値は測温子６ａの検出する温度値と特定の
温度勾配による値を示す。
【０１６４】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と特定の差分を持った値を示
したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示す
温度値より推測可能な温度値であると判定する。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と特定の差分を持った値を示
したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示す
温度値より推測可能な温度値であると判定する。
【０１６５】あるいはまた、前記の面状加熱部５ｄの発
する熱量がソケット蓋２ｄ、半導体パッケージ１および
ソケットベース３ｄに行き渡って平衡状態になる前に、
前記の半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。
したがってあらかじめソケット蓋２ｄ、半導体パッケー
ジ１およびソケットベース３ｄに発生する温度分布を事
前の実験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｄに備
える測温子６ａおよびソケットベース３ｄに備える測温
子６ｂをもとに半導体パッケージ１の温度を知ることが
できる。
する熱量がソケット蓋２ｄ、半導体パッケージ１および
ソケットベース３ｄに行き渡って平衡状態になる前に、
前記の半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。
したがってあらかじめソケット蓋２ｄ、半導体パッケー
ジ１およびソケットベース３ｄに発生する温度分布を事
前の実験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｄに備
える測温子６ａおよびソケットベース３ｄに備える測温
子６ｂをもとに半導体パッケージ１の温度を知ることが
できる。
【０１６６】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
【０１６７】したがって、前記の方法に基づいて確認し
た半導体パッケージ１の温度においてその特性を検査す
れば、当初に設定する温度における特性を把握すること
になる。
た半導体パッケージ１の温度においてその特性を検査す
れば、当初に設定する温度における特性を把握すること
になる。
【０１６８】図１１は、この発明の代表的な別のひとつ
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
【０１６９】前記の図１１に示す実施例は、前記の図１
０に示す実施例において面状加熱冷却部５ｆを適用した
ものである。
０に示す実施例において面状加熱冷却部５ｆを適用した
ものである。
【０１７０】前記の面状加熱冷却部５ｆは、たとえば表
裏反転したペルチエ素子を適当な形状に配列し、加熱機
能部分と冷却機能部分とを交互に配置することによって
実現される。
裏反転したペルチエ素子を適当な形状に配列し、加熱機
能部分と冷却機能部分とを交互に配置することによって
実現される。
【０１７１】前記の面状加熱冷却部５ｆは、加熱機能部
分によって高温となったソケット蓋２ｅに、冷却機能部
分によって前記のソケット蓋２ｄの冷却を促進させ、当
該ソケット全体を早期に低温の状態に復帰させるもので
ある。
分によって高温となったソケット蓋２ｅに、冷却機能部
分によって前記のソケット蓋２ｄの冷却を促進させ、当
該ソケット全体を早期に低温の状態に復帰させるもので
ある。
【０１７２】図１２は、この発明の代表的な別のひとつ
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
【０１７３】テストボード４に搭載するソケットベース
３ａは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。前記の半導体パッケージ１をソケットベース３ａに
押圧するソケット蓋２ａは、前記の半導体パッケージ１
を加熱する加熱子５を備える。
３ａは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。前記の半導体パッケージ１をソケットベース３ａに
押圧するソケット蓋２ａは、前記の半導体パッケージ１
を加熱する加熱子５を備える。
【０１７４】また前記のソケット蓋２ａには良好な熱伝
導性を有する弾性体１０を有し、前記のソケット蓋２ａ
が前記の半導体パッケージ１を押圧する押圧力は前記の
弾性体１０を介して前記の半導体パッケージ１を前記の
ソケットベース３ａに押しつける。これより、前記のソ
ケット蓋２ａが前記の半導体パッケージ１を押圧する押
圧力は、前記の弾性体１０によって偏ることなく均等に
押圧するので、被検試料となる前記の半導体パッケージ
１のランドに電気的な接続を行うコンタクトピンに均等
に接触することが可能となる。
導性を有する弾性体１０を有し、前記のソケット蓋２ａ
が前記の半導体パッケージ１を押圧する押圧力は前記の
弾性体１０を介して前記の半導体パッケージ１を前記の
ソケットベース３ａに押しつける。これより、前記のソ
ケット蓋２ａが前記の半導体パッケージ１を押圧する押
圧力は、前記の弾性体１０によって偏ることなく均等に
押圧するので、被検試料となる前記の半導体パッケージ
１のランドに電気的な接続を行うコンタクトピンに均等
に接触することが可能となる。
【０１７５】また前記のソケットベース３ａおよびソケ
ット蓋２ａは、それぞれ測温子６ａおよび６ｂを備え
る。
ット蓋２ａは、それぞれ測温子６ａおよび６ｂを備え
る。
【０１７６】すなわち前記のソケットベース３ａおよび
ソケット蓋２ａによって固定した半導体パッケージ１は
加熱子５によって所定の温度になるまで加熱される。
ソケット蓋２ａによって固定した半導体パッケージ１は
加熱子５によって所定の温度になるまで加熱される。
【０１７７】前記の測温子６ａの検出する温度値は、加
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度を示
しているが、前記の加熱子５の発する熱量が前記の弾性
体１０を介して半導体パッケージ１に伝達されてさらに
ソケットベース３に到達すると、測温子６ｂの検出する
温度値が上昇する。
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度を示
しているが、前記の加熱子５の発する熱量が前記の弾性
体１０を介して半導体パッケージ１に伝達されてさらに
ソケットベース３に到達すると、測温子６ｂの検出する
温度値が上昇する。
【０１７８】前記の加熱子５の発する熱量がソケット蓋
２ａ、半導体パッケージ１およびソケットベース３ａに
行き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出
する温度値は測温子６ａの検出する温度値との間に特定
の温度勾配を示す。
２ａ、半導体パッケージ１およびソケットベース３ａに
行き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの検出
する温度値は測温子６ａの検出する温度値との間に特定
の温度勾配を示す。
【０１７９】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と特定の温度差を持った値を
示したことによって、前記の測温子６ｂの検出する温度
値は測温子６ａの検出する温度値と既知の温度勾配によ
る特定の温度値に達したと判定する。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と特定の温度差を持った値を
示したことによって、前記の測温子６ｂの検出する温度
値は測温子６ａの検出する温度値と既知の温度勾配によ
る特定の温度値に達したと判定する。
【０１８０】あるいはまた、前記の加熱子５の発する熱
量がソケット蓋２ａ、半導体パッケージ１およびソケッ
トベース３ａに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケット蓋２ａ、半導体パッケージ１お
よびソケットベース３ａに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ａに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ａに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
量がソケット蓋２ａ、半導体パッケージ１およびソケッ
トベース３ａに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケット蓋２ａ、半導体パッケージ１お
よびソケットベース３ａに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ａに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ａに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
【０１８１】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
【０１８２】したがって、前記の半導体パッケージ１の
到達した温度値の状態においてその特性を検査すれば、
当初に設定する温度における特性を把握することにな
る。
到達した温度値の状態においてその特性を検査すれば、
当初に設定する温度における特性を把握することにな
る。
【０１８３】図１３は、この発明の代表的な別のひとつ
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
【０１８４】ここに図１３によって示した実施例は、前
記の図１２に基づく実施例においてソケット蓋２ａに冷
却子５ａを追加して設けた応用例である。
記の図１２に基づく実施例においてソケット蓋２ａに冷
却子５ａを追加して設けた応用例である。
【０１８５】前記の冷却子５ａは、前記の加熱子５によ
って高温となったソケット蓋２ａに、たとえば冷却用の
熱媒体を循環させる等の措置によって前記のソケット蓋
２ａの冷却を促進させ、当該ソケット全体を早期に低温
の状態に復帰させるものである。
って高温となったソケット蓋２ａに、たとえば冷却用の
熱媒体を循環させる等の措置によって前記のソケット蓋
２ａの冷却を促進させ、当該ソケット全体を早期に低温
の状態に復帰させるものである。
【０１８６】図１４は、この発明の代表的な別のひとつ
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
【０１８７】テストボード４に搭載するソケットベース
３ｋは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。前記の半導体パッケージ１をソケットベース３ｋに
押圧するソケット蓋２ｋは、熱媒体となる流体を封止す
る流体バッグ１０ａと前記の流体バッグ１０ａに熱媒体
となる流体を流入および排出させる通路となる流体ベン
ト１０ｂとを備える。
３ｋは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。前記の半導体パッケージ１をソケットベース３ｋに
押圧するソケット蓋２ｋは、熱媒体となる流体を封止す
る流体バッグ１０ａと前記の流体バッグ１０ａに熱媒体
となる流体を流入および排出させる通路となる流体ベン
ト１０ｂとを備える。
【０１８８】前記のソケット蓋２ｋに備える流体バッグ
１０ａは半導体パッケージ１を前記のソケットベース３
ｋに押しつける。これより、前記のソケット蓋２ｋが前
記の半導体パッケージ１を押圧する押圧力は、前記の流
体バッグ１０ａによって偏ることなく均等に押圧するの
で、被検試料となる前記の半導体パッケージ１のランド
に電気的な接続を行うコンタクトピンに均等に接触する
ことが可能となる。
１０ａは半導体パッケージ１を前記のソケットベース３
ｋに押しつける。これより、前記のソケット蓋２ｋが前
記の半導体パッケージ１を押圧する押圧力は、前記の流
体バッグ１０ａによって偏ることなく均等に押圧するの
で、被検試料となる前記の半導体パッケージ１のランド
に電気的な接続を行うコンタクトピンに均等に接触する
ことが可能となる。
【０１８９】また前記のソケットベース３ｋおよびソケ
ット蓋２ｋは、それぞれ測温子６ａおよび６ｂを備え
る。
ット蓋２ｋは、それぞれ測温子６ａおよび６ｂを備え
る。
【０１９０】すなわち前記のソケットベース３ｋおよび
ソケット蓋２ｋによって固定した半導体パッケージ１
は、前記の流体バッグ１０ａに封止された所定の温度の
熱媒体の流体によって加熱される。
ソケット蓋２ｋによって固定した半導体パッケージ１
は、前記の流体バッグ１０ａに封止された所定の温度の
熱媒体の流体によって加熱される。
【０１９１】前記の測温子６ａの検出する温度値は、流
体バッグ１０ａに封止された所定の温度の熱媒体の流体
による加熱を開始した当初は前記の熱媒体の流体の温度
を示しているが、前記の熱媒体の流体の発する熱量が半
導体パッケージ１に伝達されてさらにソケットベース３
ｋに到達すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇す
る。
体バッグ１０ａに封止された所定の温度の熱媒体の流体
による加熱を開始した当初は前記の熱媒体の流体の温度
を示しているが、前記の熱媒体の流体の発する熱量が半
導体パッケージ１に伝達されてさらにソケットベース３
ｋに到達すると、測温子６ｂの検出する温度値が上昇す
る。
【０１９２】前記の熱媒体の流体の発する熱量がソケッ
ト蓋２ｋ、半導体パッケージ１およびソケットベース３
ｋに行き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの
検出する温度値は測温子６ａの検出する温度値と特定の
温度差を持った値を示す。
ト蓋２ｋ、半導体パッケージ１およびソケットベース３
ｋに行き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ｂの
検出する温度値は測温子６ａの検出する温度値と特定の
温度差を持った値を示す。
【０１９３】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と特定の差分を持った値を示
したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示す
温度値から推測可能な温度値であると判定する。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値が測
温子６ａの検出する温度値と特定の差分を持った値を示
したことによって、前記の測温子６ａおよび６ｂの示す
温度値から推測可能な温度値であると判定する。
【０１９４】あるいはまた、前記の熱媒体の流体の発す
る熱量がソケット蓋２ｋ、半導体パッケージ１およびソ
ケットベース３ｋに行き渡って平衡状態になる前に、前
記の半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。し
たがってあらかじめソケット蓋２ｋ、半導体パッケージ
１およびソケットベース３ｋに発生する温度勾配を事前
の実験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｋに備え
る測温子６ａおよびソケットベース３ｋに備える測温子
６ｂをもとに半導体パッケージ１の温度を知ることがで
きる。
る熱量がソケット蓋２ｋ、半導体パッケージ１およびソ
ケットベース３ｋに行き渡って平衡状態になる前に、前
記の半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。し
たがってあらかじめソケット蓋２ｋ、半導体パッケージ
１およびソケットベース３ｋに発生する温度勾配を事前
の実験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｋに備え
る測温子６ａおよびソケットベース３ｋに備える測温子
６ｂをもとに半導体パッケージ１の温度を知ることがで
きる。
【０１９５】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
した温度値は、前記の測温子６ｂの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
【０１９６】したがって、前記の半導体パッケージ１の
到達した温度値の状態においてその特性を検査すれば、
当初に設定する温度における特性を把握することにな
る。
到達した温度値の状態においてその特性を検査すれば、
当初に設定する温度における特性を把握することにな
る。
【０１９７】前記の流体バッグ１０ａに低温の熱媒体の
流体を流体ベントより流入させ、前記のソケット全体を
冷却する。
流体を流体ベントより流入させ、前記のソケット全体を
冷却する。
【０１９８】図１５は、この発明の代表的な別のひとつ
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
【０１９９】テストボード４に搭載するソケットベース
３ｇは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。前記のソケットベース３ｇは、前記の半導体パッケ
ージ１を加熱する加熱子５を備える。
３ｇは、被検試料となる半導体パッケージ１のランドに
電気的な接続を行うコンタクトピン（図示せず）を備え
る。前記のソケットベース３ｇは、前記の半導体パッケ
ージ１を加熱する加熱子５を備える。
【０２００】また前記のソケットベース３およびソケッ
ト蓋２は、それぞれ測温子６ａおよび６ｂを備える。
ト蓋２は、それぞれ測温子６ａおよび６ｂを備える。
【０２０１】すなわち前記のソケットベース３およびソ
ケット蓋２によって固定した半導体パッケージ１は加熱
子５によって所定の温度になるまで加熱される。
ケット蓋２によって固定した半導体パッケージ１は加熱
子５によって所定の温度になるまで加熱される。
【０２０２】前記の測温子６ｂの検出する温度値は、加
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度とほ
ぼ同等の温度を示しているが、前記の加熱子５の発する
熱量が半導体パッケージ１に伝達されてソケット蓋２ｇ
に到達すると、測温子６ａの検出する温度値が上昇す
る。
熱子５による加熱を開始した当初は加熱子５の温度とほ
ぼ同等の温度を示しているが、前記の加熱子５の発する
熱量が半導体パッケージ１に伝達されてソケット蓋２ｇ
に到達すると、測温子６ａの検出する温度値が上昇す
る。
【０２０３】前記の加熱子５の発する熱量がソケットベ
ース３ｇ、半導体パッケージ１およびソケット蓋２ｇに
行き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ａの検出
する温度値は測温子６ｂの検出する温度値と特定の差分
を持った値を示す。
ース３ｇ、半導体パッケージ１およびソケット蓋２ｇに
行き渡って平衡状態になると、前記の測温子６ａの検出
する温度値は測温子６ｂの検出する温度値と特定の差分
を持った値を示す。
【０２０４】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ａの検出する温度値が測
温子６ｂの検出する温度値と特定の差分を持った値を示
したことによって、前記の測温子６ｂの検出する温度値
は測温子６ａの検出する温度値と既知の温度勾配による
特定の温度値に達したと判定できる。
した温度値は、前記の測温子６ａの検出する温度値が測
温子６ｂの検出する温度値と特定の差分を持った値を示
したことによって、前記の測温子６ｂの検出する温度値
は測温子６ａの検出する温度値と既知の温度勾配による
特定の温度値に達したと判定できる。
【０２０５】あるいはまた、前記の加熱子５の発する熱
量がソケットベース３ｇ、半導体パッケージ１およびソ
ケット蓋２ｇに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケットベース３ｇ、半導体パッケージ
１およびソケット蓋２ｇに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｇに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ｇに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
量がソケットベース３ｇ、半導体パッケージ１およびソ
ケット蓋２ｇに行き渡って平衡状態になる前に、前記の
半導体パッケージ１の温度が所定の温度になる。したが
ってあらかじめソケットベース３ｇ、半導体パッケージ
１およびソケット蓋２ｇに発生する温度勾配を事前の実
験等により把握しておけば、ソケット蓋２ｇに備える測
温子６ａおよびソケットベース３ｇに備える測温子６ｂ
をもとに半導体パッケージ１の温度を知ることができ
る。
【０２０６】これより、当該半導体パッケージ１の到達
した温度値は、前記の測温子６ａの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
した温度値は、前記の測温子６ａの検出する温度値があ
らかじめ定める温度値を示したことによって、前記の測
温子６ｂの検出する温度値は測温子６ａの検出する温度
値と既知の温度勾配による特定の温度値に達したと判定
できる。
【０２０７】したがって、前記の方法に基づいて確認し
た半導体パッケージ１の温度においてその特性を検査す
れば、当初に設定する温度における特性を把握すること
になる。
た半導体パッケージ１の温度においてその特性を検査す
れば、当初に設定する温度における特性を把握すること
になる。
【０２０８】図１６は、この発明の代表的な別のひとつ
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
の実施例による半導体パッケージを載置するソケットの
構造を示した模式図である。
【０２０９】ここに図１６によって示した実施例は、前
記の図１５に基づく実施例においてソケットベース３ｇ
に冷却子５ａを追加して設けた応用例である。
記の図１５に基づく実施例においてソケットベース３ｇ
に冷却子５ａを追加して設けた応用例である。
【０２１０】前記の冷却子５ａは、前記の加熱子５によ
って高温となったソケットベース３ｇに、たとえば冷却
用の熱媒体を循環させる等の措置によって前記のソケッ
トベース３ｇの冷却を促進させ、当該ソケット全体を早
期に低温の状態に復帰させるものである。
って高温となったソケットベース３ｇに、たとえば冷却
用の熱媒体を循環させる等の措置によって前記のソケッ
トベース３ｇの冷却を促進させ、当該ソケット全体を早
期に低温の状態に復帰させるものである。
【０２１１】また前記の図１ないし図１６に基づいて説
明したごとく、被検試料である当該半導体パッケージを
挟持する位置に測温子を配することによって前記の半導
体パッケージが到達した温度値を把握することが可能で
ある。さらに事前の評価実験を実行すれば、加熱子ある
いは冷却子から被検試料である当該半導体パッケージを
挟持する位置に測温子を配することによって前記の半導
体パッケージが到達した温度値を把握することが可能と
なる。ことがわかる
明したごとく、被検試料である当該半導体パッケージを
挟持する位置に測温子を配することによって前記の半導
体パッケージが到達した温度値を把握することが可能で
ある。さらに事前の評価実験を実行すれば、加熱子ある
いは冷却子から被検試料である当該半導体パッケージを
挟持する位置に測温子を配することによって前記の半導
体パッケージが到達した温度値を把握することが可能と
なる。ことがわかる
【０２１２】図１７および図１８に基づいて、この発明
の代表的な実施例を適用した半導体パッケージの検査シ
ステムが実行する制御の手順を説明する。
の代表的な実施例を適用した半導体パッケージの検査シ
ステムが実行する制御の手順を説明する。
【０２１３】図１７に示すブロック図に基づいて、当該
半導体パッケージの検査システムの概要を説明する。検
査装置Ｂ０１に備えるソケット部に配した加熱／冷却機
構Ｂ１１、測温機構Ｂ１２および加圧機構Ｂ１３は、制
御部Ｂ１０によって駆動される。
半導体パッケージの検査システムの概要を説明する。検
査装置Ｂ０１に備えるソケット部に配した加熱／冷却機
構Ｂ１１、測温機構Ｂ１２および加圧機構Ｂ１３は、制
御部Ｂ１０によって駆動される。
【０２１４】前記の検査装置Ｂ０１に備えるソケット部
に配した加熱／冷却機構Ｂ１１、測温機構Ｂ１２および
加圧機構Ｂ１３の詳細は、既に説明したごとく図１ない
し図１６による。
に配した加熱／冷却機構Ｂ１１、測温機構Ｂ１２および
加圧機構Ｂ１３の詳細は、既に説明したごとく図１ない
し図１６による。
【０２１５】制御装置Ｂ０２に内蔵する演算制御部Ｂ２
０は、操作部Ｂ２２を介して操作担当者に必要な情報を
開示し、表示部Ｂ２１を介して入力する操作担当者の指
示に基づいて制御の手順を実行する。
０は、操作部Ｂ２２を介して操作担当者に必要な情報を
開示し、表示部Ｂ２１を介して入力する操作担当者の指
示に基づいて制御の手順を実行する。
【０２１６】また当該検査システムが実行する制御の手
順を規定する処理プログラムは、コンピュータ読み取り
可能な記録媒体に格納して当該制御装置Ｂ０２にインス
トールされ、処理プログラム部Ｂ２３に格納する。
順を規定する処理プログラムは、コンピュータ読み取り
可能な記録媒体に格納して当該制御装置Ｂ０２にインス
トールされ、処理プログラム部Ｂ２３に格納する。
【０２１７】また個別の半導体パッケージの検査に供す
る個別の比較用データは比較用データ部Ｂ２４に格納さ
れる。
る個別の比較用データは比較用データ部Ｂ２４に格納さ
れる。
【０２１８】図１８に示すフローチャートに基づいて、
当該半導体パッケージの検査システムが実行する制御の
手順を説明する。制御の手順の各ステップの説明に引用
する符号は、図１７による。
当該半導体パッケージの検査システムが実行する制御の
手順を説明する。制御の手順の各ステップの説明に引用
する符号は、図１７による。
【０２１９】ステップＳ０１で制御装置Ｂ０２は処理プ
ログラム部Ｂ２３より該当する処理プログラムを引き出
して起動し、ステップＳ０２に進んで当該検査システム
の操作担当者は表示部Ｂ２１を介して検査対象型格を指
定し、比較用データを指定して比較用データ部Ｂ２４よ
り該当する比較用データを引き出す。
ログラム部Ｂ２３より該当する処理プログラムを引き出
して起動し、ステップＳ０２に進んで当該検査システム
の操作担当者は表示部Ｂ２１を介して検査対象型格を指
定し、比較用データを指定して比較用データ部Ｂ２４よ
り該当する比較用データを引き出す。
【０２２０】ステップＳ０３で、当該検査システムの操
作担当者は検査の対象とする半導体パッケージを検査装
置Ｂ０１に備えるソケットに載置して装着する。
作担当者は検査の対象とする半導体パッケージを検査装
置Ｂ０１に備えるソケットに載置して装着する。
【０２２１】ステップＳ０４で、当該検査システムの操
作担当者は前記のソケットに備える加圧機構Ｂ１３を用
いて被検試料となる半導体パッケージを加圧する。
作担当者は前記のソケットに備える加圧機構Ｂ１３を用
いて被検試料となる半導体パッケージを加圧する。
【０２２２】ステップＳ０５で前記の半導体パッケージ
に試験電圧あるいは試験電流を当該半導体パッケージの
仕様に合わせて印加し、ステップＳ０６に進んで前記の
半導体パッケージの出力値である信号値を、前記の比較
用データ部Ｂ２４より引き出した比較用データと対応さ
せて比較する。
に試験電圧あるいは試験電流を当該半導体パッケージの
仕様に合わせて印加し、ステップＳ０６に進んで前記の
半導体パッケージの出力値である信号値を、前記の比較
用データ部Ｂ２４より引き出した比較用データと対応さ
せて比較する。
【０２２３】ステップＳ０７で前記の半導体パッケージ
より出力された信号値が前記の比較用データとの一致を
見れば当該被検試料である半導体パッケージを良品と判
定し、ステップＳ０８に進んで高温モードによる試験温
度を設定する。
より出力された信号値が前記の比較用データとの一致を
見れば当該被検試料である半導体パッケージを良品と判
定し、ステップＳ０８に進んで高温モードによる試験温
度を設定する。
【０２２４】ステップＳ０９で、加熱機構Ｂ１１を駆動
して前記の半導体パッケージの温度を上昇させる。前記
の加熱機構Ｂ１１により半導体パッケージの温度を上昇
させる機構は、既に説明したごとく図１ないし図１６に
よる。
して前記の半導体パッケージの温度を上昇させる。前記
の加熱機構Ｂ１１により半導体パッケージの温度を上昇
させる機構は、既に説明したごとく図１ないし図１６に
よる。
【０２２５】ステップＳ１０で前記の測温機構を構成す
る１個もしくは２個の測温子の示す温度値を確認するこ
とによって当該半導体パッケージの温度が所定の温度に
上昇したと判定し、ステップＳ１１に進んで再び前記の
半導体パッケージに試験電圧を印加する。
る１個もしくは２個の測温子の示す温度値を確認するこ
とによって当該半導体パッケージの温度が所定の温度に
上昇したと判定し、ステップＳ１１に進んで再び前記の
半導体パッケージに試験電圧を印加する。
【０２２６】ステップＳ１２で前記の半導体パッケージ
の出力値である信号値を、前記の比較用データ部Ｂ２４
より引き出した比較用データと対応させて比較する。
の出力値である信号値を、前記の比較用データ部Ｂ２４
より引き出した比較用データと対応させて比較する。
【０２２７】ステップＳ１３で前記の半導体パッケージ
より出力された信号値が前記の比較用データとの一致を
見れば当該被検試料である半導体パッケージを良品と判
定し、ステップＳ１４に進んで加圧機構Ｂ１３を解除し
て前期の半導体パッケージを取り出し、ステップＳ１５
に進んで常温における特性および指定する高温における
特性のいずれにおいても良好な特性値を示した良品とし
て分類する。
より出力された信号値が前記の比較用データとの一致を
見れば当該被検試料である半導体パッケージを良品と判
定し、ステップＳ１４に進んで加圧機構Ｂ１３を解除し
て前期の半導体パッケージを取り出し、ステップＳ１５
に進んで常温における特性および指定する高温における
特性のいずれにおいても良好な特性値を示した良品とし
て分類する。
【０２２８】ステップＳ１６で半導体パッケージの検査
を続行する場合は、ステップＳ０３に戻って継続して検
査に供する半導体パッケージをソケットに装着する。
を続行する場合は、ステップＳ０３に戻って継続して検
査に供する半導体パッケージをソケットに装着する。
【０２２９】前記のステップＳ１６で半導体パッケージ
の検査を終了する場合は、ステップＳ１７に進んで当該
半導体パッケージの検査システムの終了処理を実行す
る。
の検査を終了する場合は、ステップＳ１７に進んで当該
半導体パッケージの検査システムの終了処理を実行す
る。
【０２３０】また前記のステップＳ０７で前記の半導体
パッケージより出力された信号値が前記の比較用データ
との一致を見ることのなかった場合は、ステップＳ２１
に進んで加圧機構を解除して当該半導体パッケージを取
り出し、ステップＳ２２に進んで常温のモードにおいて
十分な特性値を得ることのできなかった不良品として分
類する。
パッケージより出力された信号値が前記の比較用データ
との一致を見ることのなかった場合は、ステップＳ２１
に進んで加圧機構を解除して当該半導体パッケージを取
り出し、ステップＳ２２に進んで常温のモードにおいて
十分な特性値を得ることのできなかった不良品として分
類する。
【０２３１】また前記のステップＳ１３で前記の半導体
パッケージより出力された信号値が前記の比較用データ
との一致を見ることのなかった場合は、ステップＳ２１
に進んで加圧機構を解除して当該半導体パッケージを取
り出し、ステップＳ２２に進んで高温モードにおいて十
分な特性値を得ることのできなかった不良品として分類
する。
パッケージより出力された信号値が前記の比較用データ
との一致を見ることのなかった場合は、ステップＳ２１
に進んで加圧機構を解除して当該半導体パッケージを取
り出し、ステップＳ２２に進んで高温モードにおいて十
分な特性値を得ることのできなかった不良品として分類
する。
【０２３２】
【発明の効果】この発明により、以下に示すような効果
が期待できる。
が期待できる。
【０２３３】１）被検試料とする半導体パッケージを載
置する半導体パッケージの検査用ソケットにおいて、前
記の被検試料とする半導体パッケージを加熱する加熱手
段と、前記の被検試料とする半導体パッケージの到達す
る温度を検出する測温手段とを備える。
置する半導体パッケージの検査用ソケットにおいて、前
記の被検試料とする半導体パッケージを加熱する加熱手
段と、前記の被検試料とする半導体パッケージの到達す
る温度を検出する測温手段とを備える。
【０２３４】この手段を取ることによって、当該検査用
ソケットは被検試料とする半導体パッケージの検査時の
温度を常温モードと高温モードとに設定を切り換えると
いう効果を得る。
ソケットは被検試料とする半導体パッケージの検査時の
温度を常温モードと高温モードとに設定を切り換えると
いう効果を得る。
【０２３５】２）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部およびベース部の両者に、前記の被検
試料とする半導体パッケージの到達する温度を検出する
測温手段を備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部およびベース部の両者に、前記の被検
試料とする半導体パッケージの到達する温度を検出する
測温手段を備える。
【０２３６】この手段を取ることによって、当該検査用
ソケットは被検試料とする半導体パッケージを挟持する
位置に測温手段を配することにより、前記の被検試料と
する半導体パッケージの温度を確実に把握できるという
効果を得る。
ソケットは被検試料とする半導体パッケージを挟持する
位置に測温手段を配することにより、前記の被検試料と
する半導体パッケージの温度を確実に把握できるという
効果を得る。
【０２３７】３）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを加熱する加熱手段を備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを加熱する加熱手段を備える。
【０２３８】この手段を取ることによって、当該検査用
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱するので、前記の被検試料
である半導体パッケージを取り外すことなくその検査環
境の温度を切り換えることができるという効果を得る。
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱するので、前記の被検試料
である半導体パッケージを取り外すことなくその検査環
境の温度を切り換えることができるという効果を得る。
【０２３９】４）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを加熱する加熱手段と、前記の被検試料とする半
導体パッケージを冷却する冷却手段とを備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを加熱する加熱手段と、前記の被検試料とする半
導体パッケージを冷却する冷却手段とを備える。
【０２４０】この手段を取ることによって、当該検査用
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱し、また冷却手段によって
冷却するので、前記の被検試料である半導体パッケージ
を取り外すことなくその検査環境の温度を迅速に切り換
えることができるという効果を得る。
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱し、また冷却手段によって
冷却するので、前記の被検試料である半導体パッケージ
を取り外すことなくその検査環境の温度を迅速に切り換
えることができるという効果を得る。
【０２４１】５）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを押圧する加圧手段を備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パッ
ケージを押圧する加圧手段を備える。
【０２４２】６）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する加熱手段を備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する加熱手段を備える。
【０２４３】７）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する加熱手段と、前記の被検試料とする半導体パッケ
ージを冷却する冷却手段とを備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する加熱手段と、前記の被検試料とする半導体パッケ
ージを冷却する冷却手段とを備える。
【０２４４】これらの手段を取ることによって、当該検
査用ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パ
ッケージを押圧した加熱手段によって加熱し、また冷却
手段によって冷却するので、前記の被検試料である半導
体パッケージを取り外すことなくその検査環境の温度を
迅速に切り換えることができるという効果を得る。
査用ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パ
ッケージを押圧した加熱手段によって加熱し、また冷却
手段によって冷却するので、前記の被検試料である半導
体パッケージを取り外すことなくその検査環境の温度を
迅速に切り換えることができるという効果を得る。
【０２４５】８）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段は、前記の半導体パッケージのベアチップ部分を
押圧する加圧子と、前記のベアチップ部分を搭載する支
持体部分を押圧する加圧子とを備える。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段は、前記の半導体パッケージのベアチップ部分を
押圧する加圧子と、前記のベアチップ部分を搭載する支
持体部分を押圧する加圧子とを備える。
【０２４６】この手段を取ることによって、当該検査用
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを押圧する際に前記の半導体パッケージの各部に加
える押圧力を個別に設定するので、当該半導体パッケー
ジの各部に偏った応力を発生させずに押圧を行なうとい
う効果を得る。
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを押圧する際に前記の半導体パッケージの各部に加
える押圧力を個別に設定するので、当該半導体パッケー
ジの各部に偏った応力を発生させずに押圧を行なうとい
う効果を得る。
【０２４７】９）前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する面状の加熱部を設ける。
ットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する加
圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する面状の加熱部を設ける。
【０２４８】１０）前記の半導体パッケージの検査用ソ
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する
加圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージに
接触して加熱および冷却を行なう面状の加熱／冷却部を
設ける。
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成する蓋部に備える前記の被検試料を押圧する
加圧手段に、前記の被検試料とする半導体パッケージに
接触して加熱および冷却を行なう面状の加熱／冷却部を
設ける。
【０２４９】これらの手段を取ることによって、当該検
査用ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パ
ッケージを押圧した加熱部によって加熱し、また冷却部
によって冷却するので、前記の被検試料である半導体パ
ッケージを取り外すことなくその検査環境の温度を迅速
に切り換えることができるという効果を得る。
査用ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パ
ッケージを押圧した加熱部によって加熱し、また冷却部
によって冷却するので、前記の被検試料である半導体パ
ッケージを取り外すことなくその検査環境の温度を迅速
に切り換えることができるという効果を得る。
【０２５０】１１）前記の半導体パッケージの検査用ソ
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パ
ッケージに接触して押圧する流体バッグと、前記の流体
バッグにあらかじめ設定された温度による流体を流入さ
せる流体ベントとを備える。
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成する蓋部に、前記の被検試料とする半導体パ
ッケージに接触して押圧する流体バッグと、前記の流体
バッグにあらかじめ設定された温度による流体を流入さ
せる流体ベントとを備える。
【０２５１】この手段を取ることによって、当該検査用
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを前記の流体バッグによって押圧するとともに、前
記の流体バッグに流入させた所定の温度による流体によ
って加熱もしくは冷却を行なうので、前記の被検試料で
ある半導体パッケージを取り外すことなくその検査環境
の温度を迅速に切り換えることができるという効果を得
る。
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを前記の流体バッグによって押圧するとともに、前
記の流体バッグに流入させた所定の温度による流体によ
って加熱もしくは冷却を行なうので、前記の被検試料で
ある半導体パッケージを取り外すことなくその検査環境
の温度を迅速に切り換えることができるという効果を得
る。
【０２５２】１２）前記の半導体パッケージの検査用ソ
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成するベース部に、前記の被検試料とする半導
体パッケージを加熱する加熱手段を備える。
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成するベース部に、前記の被検試料とする半導
体パッケージを加熱する加熱手段を備える。
【０２５３】１３）前記の半導体パッケージの検査用ソ
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成するベース部に、前記の被検試料とする半導
体パッケージを加熱する加熱手段と、前記の被検試料と
する半導体パッケージを冷却する冷却手段とを備える。
ケットにおいて、前記の半導体パッケージの検査用ソケ
ットを構成するベース部に、前記の被検試料とする半導
体パッケージを加熱する加熱手段と、前記の被検試料と
する半導体パッケージを冷却する冷却手段とを備える。
【０２５４】この手段を取ることによって、当該検査用
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱し、また冷却手段によって
冷却するので、前記の被検試料である半導体パッケージ
を取り外すことなくその検査環境の温度を迅速に切り換
えることができるという効果を得る。
ソケットは装着状態にある被検試料である半導体パッケ
ージを加熱手段によって加熱し、また冷却手段によって
冷却するので、前記の被検試料である半導体パッケージ
を取り外すことなくその検査環境の温度を迅速に切り換
えることができるという効果を得る。
【０２５５】１４）半導体パッケージを載置して検査す
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムにおいて、
前記の検査装置は、被検試料とする半導体パッケージを
載置するソケットに被検試料を加熱する加熱手段と、前
記の被検試料の到達する温度を検出する測温手段とを備
える。
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムにおいて、
前記の検査装置は、被検試料とする半導体パッケージを
載置するソケットに被検試料を加熱する加熱手段と、前
記の被検試料の到達する温度を検出する測温手段とを備
える。
【０２５６】１５）前記の半導体パッケージの検査シス
テムにおいて、前記の検査装置は、被検試料とする半導
体パッケージを載置するソケットに被検試料を加熱する
加熱手段と、前記の検査装置は、被検試料とする半導体
パッケージを載置するソケットに被検試料を冷却する冷
却手段と、前記の被検試料の到達する温度を検出する測
温手段とを備える。
テムにおいて、前記の検査装置は、被検試料とする半導
体パッケージを載置するソケットに被検試料を加熱する
加熱手段と、前記の検査装置は、被検試料とする半導体
パッケージを載置するソケットに被検試料を冷却する冷
却手段と、前記の被検試料の到達する温度を検出する測
温手段とを備える。
【０２５７】これらの手段を取ることによって、当該検
査システムは被検試料とする半導体パッケージの温度設
定を行なうので、前記の被検試料である半導体パッケー
ジを取り外すことなくその検査環境の温度を迅速に切り
換えることができるという効果を得る。
査システムは被検試料とする半導体パッケージの温度設
定を行なうので、前記の被検試料である半導体パッケー
ジを取り外すことなくその検査環境の温度を迅速に切り
換えることができるという効果を得る。
【０２５８】１６）半導体パッケージを載置して検査す
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムの制御方法
において、前記の検査装置は、被検試料とする半導体パ
ッケージを載置するソケットに備える加熱手段によって
前記の被検試料を加熱し、前記の被検試料があらかじめ
定める温度に到達した状態における当該被検試料の特性
検査を実行する。
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムの制御方法
において、前記の検査装置は、被検試料とする半導体パ
ッケージを載置するソケットに備える加熱手段によって
前記の被検試料を加熱し、前記の被検試料があらかじめ
定める温度に到達した状態における当該被検試料の特性
検査を実行する。
【０２５９】１７）前記の半導体パッケージの検査シス
テムの制御方法において、前記の検査装置は、被検試料
とする半導体パッケージを載置するソケットに備える加
熱手段あるいは冷却手段によって前記の被検試料を加熱
あるいは冷却し、前記の被検試料があらかじめ定める温
度に到達した状態における当該被検試料の特性検査を実
行する。
テムの制御方法において、前記の検査装置は、被検試料
とする半導体パッケージを載置するソケットに備える加
熱手段あるいは冷却手段によって前記の被検試料を加熱
あるいは冷却し、前記の被検試料があらかじめ定める温
度に到達した状態における当該被検試料の特性検査を実
行する。
【０２６０】１８）前記の半導体パッケージの検査シス
テムの制御方法において、前記の検査装置は、被検試料
とする半導体パッケージを載置するソケットにおいて当
該被検試料を挟持する位置に配した測温手段によって、
前記の被検試料の到達した温度を検出する。
テムの制御方法において、前記の検査装置は、被検試料
とする半導体パッケージを載置するソケットにおいて当
該被検試料を挟持する位置に配した測温手段によって、
前記の被検試料の到達した温度を検出する。
【０２６１】これらの手段を取ることによって、当該検
査システムはその制御方法において被検試料とする半導
体パッケージの特性検査に際して温度設定を行なう手順
を設定するので、前記の被検試料である半導体パッケー
ジを取り外すことなくその検査環境の温度を迅速に切り
換えることができるという効果を得る。
査システムはその制御方法において被検試料とする半導
体パッケージの特性検査に際して温度設定を行なう手順
を設定するので、前記の被検試料である半導体パッケー
ジを取り外すことなくその検査環境の温度を迅速に切り
換えることができるという効果を得る。
【０２６２】１９）半導体パッケージを載置して検査す
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムの制御を実
現するプログラムを格納する記録媒体において、前記の
検査装置があらかじめ定める温度に設定して実行する検
査に先だって被検試料とする半導体パッケージを載置す
るソケットに備える加熱手段あるいは冷却手段によって
前記の被検試料を加熱あるいは冷却する手順と、前記の
被検試料があらかじめ定める温度に到達したことを確認
する手順と、前記の被検試料が前記のあらかじめ定める
温度に到達したことを確認して当該被検試料の特性検査
を実行する手順とを、コンピュータ読み取り可能な記録
媒体に格納する。
る検査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とよ
り構成する半導体パッケージの検査システムの制御を実
現するプログラムを格納する記録媒体において、前記の
検査装置があらかじめ定める温度に設定して実行する検
査に先だって被検試料とする半導体パッケージを載置す
るソケットに備える加熱手段あるいは冷却手段によって
前記の被検試料を加熱あるいは冷却する手順と、前記の
被検試料があらかじめ定める温度に到達したことを確認
する手順と、前記の被検試料が前記のあらかじめ定める
温度に到達したことを確認して当該被検試料の特性検査
を実行する手順とを、コンピュータ読み取り可能な記録
媒体に格納する。
【０２６３】この手段を取ることによって、当該半導体
パッケージの検査システムは被検試料とする半導体パッ
ケージの温度環境を設定した特性の検査を実行する手順
を装備するという効果を得る。
パッケージの検査システムは被検試料とする半導体パッ
ケージの温度環境を設定した特性の検査を実行する手順
を装備するという効果を得る。
【図１】この発明の代表的な実施例による原理説明図。
【図２】この発明の代表的な実施例による原理説明図。
【図３】この発明の代表的な実施例による原理説明図。
【図４】この発明の代表的な実施例による原理説明図。
【図５】この発明の代表的な実施例による原理説明図。
【図６】この発明の代表的な実施例による原理説明図。
【図７】この発明の代表的な実施例による原理説明図。
【図８】この発明の代表的な実施例による原理説明図。
【図９】この発明の代表的な実施例による原理説明図。
【図１０】この発明の代表的な実施例による原理説明
図。
図。
【図１１】この発明の代表的な実施例による原理説明
図。
図。
【図１２】この発明の代表的な実施例による原理説明
図。
図。
【図１３】この発明の代表的な実施例による原理説明
図。
図。
【図１４】この発明の代表的な実施例による原理説明
図。
図。
【図１５】この発明の代表的な実施例による原理説明
図。
図。
【図１６】この発明の代表的な実施例による原理説明
図。
図。
【図１７】この発明の代表的な実施例によるブロック
図。
図。
【図１８】この発明の代表的な実施例によるフローチャ
ート。
ート。
【図１９】従来の技術の代表的な実施例による原理説明
図。
図。
【図２０】従来の技術の代表的な実施例によるブロック
図。
図。
【図２１】従来の技術の代表的な実施例によるフローチ
ャート。
ャート。
１：半導体パッケージ ２、２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２
ｋ：ソケット蓋 ３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３
ｋ：ソケットベース ４：テストボード ５：加熱子 ５ａ：冷却子 ５ｄ：面状加熱部 ５ｆ：面状加熱冷却部 ６ａ、６ｂ：測温子 １０：弾性体 １０ａ：流体バッグ １０ｂ：流体ベント １１、１１ｂ：押圧子 １１ａ：ガイドシャフト １２：押圧ばね １３：ロック機構 １４：押圧力調整ねじ １５：空圧シリンダ １６：キャリア押圧子
ｋ：ソケット蓋 ３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３
ｋ：ソケットベース ４：テストボード ５：加熱子 ５ａ：冷却子 ５ｄ：面状加熱部 ５ｆ：面状加熱冷却部 ６ａ、６ｂ：測温子 １０：弾性体 １０ａ：流体バッグ １０ｂ：流体ベント １１、１１ｂ：押圧子 １１ａ：ガイドシャフト １２：押圧ばね １３：ロック機構 １４：押圧力調整ねじ １５：空圧シリンダ １６：キャリア押圧子
Claims (19)
- 【請求項１】被検試料とする半導体パッケージを載置す
る半導体パッケージの検査用ソケットにおいて、 前記の被検試料とする半導体パッケージを加熱する加熱
手段と、前記の被検試料とする半導体パッケージの到達
する温度を検出する測温手段とを備えることを特徴とす
る、 半導体パッケージの検査用ソケット。 - 【請求項２】前記の半導体パッケージの検査用ソケット
において、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成する蓋
部およびベース部の両者に、前記の被検試料とする半導
体パッケージの到達する温度を検出する測温手段を備え
ることを特徴とする、 請求項１に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項３】前記の半導体パッケージの検査用ソケット
において、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成する蓋
部に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加熱す
る加熱手段を備えることを特徴とする、 請求項１に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項４】前記の半導体パッケージの検査用ソケット
において、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成する蓋
部に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加熱す
る加熱手段と、 前記の被検試料とする半導体パッケージを冷却する冷却
手段とを備えることを特徴とする、 請求項１に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項５】前記の半導体パッケージの検査用ソケット
において、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成する蓋
部に、前記の被検試料とする半導体パッケージを押圧す
る加圧手段を備えることを特徴とする、 請求項１に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項６】前記の半導体パッケージの検査用ソケット
において、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成する蓋
部に備える前記の被検試料を押圧する加圧手段に、前記
の被検試料とする半導体パッケージを加熱する加熱手段
を備えることを特徴とする、 請求項５に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項７】前記の半導体パッケージの検査用ソケット
において、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成する蓋
部に備える前記の被検試料を押圧する加圧手段に、前記
の被検試料とする半導体パッケージを加熱する加熱手段
と、 前記の被検試料とする半導体パッケージを冷却する冷却
手段とを備えることを特徴とする、 請求項５に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項８】前記の半導体パッケージの検査用ソケット
において、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成する蓋
部に備える前記の被検試料を押圧する加圧手段は、前記
の半導体パッケージのベアチップ部分を押圧する加圧子
と、前記のベアチップ部分を搭載する支持体部分を押圧
する加圧子とを備えることを特徴とする、 請求項５に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項９】前記の半導体パッケージの検査用ソケット
において、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成する蓋
部に備える前記の被検試料を押圧する加圧手段に、前記
の被検試料とする半導体パッケージを加熱する面状の加
熱部を設けることを特徴とする、 請求項５に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項１０】前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トにおいて、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成する蓋
部に備える前記の被検試料を押圧する加圧手段に、前記
の被検試料とする半導体パッケージに接触して加熱およ
び冷却を行なう面状の加熱／冷却部を設けることを特徴
とする、 請求項５に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項１１】前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トにおいて、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成する蓋
部に、前記の被検試料とする半導体パッケージに接触し
て押圧する流体バッグと、 前記の流体バッグにあらかじめ設定された温度による流
体を流入させる流体ベントとを備えることを特徴とす
る、 請求項５に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項１２】前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トにおいて、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成するベ
ース部に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する加熱手段を備えることを特徴とする、 請求項１に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項１３】前記の半導体パッケージの検査用ソケッ
トにおいて、 前記の半導体パッケージの検査用ソケットを構成するベ
ース部に、前記の被検試料とする半導体パッケージを加
熱する加熱手段と、 前記の被検試料とする半導体パッケージを冷却する冷却
手段とを備えることを特徴とする、 請求項１に記載の、半導体パッケージの検査用ソケッ
ト。 - 【請求項１４】半導体パッケージを載置して検査する検
査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とより構
成する半導体パッケージの検査システムにおいて、 前記の検査装置は、被検試料とする半導体パッケージを
載置するソケットに被検試料を加熱する加熱手段と、前
記の被検試料の到達する温度を検出する測温手段とを備
えることを特徴とする、 半導体パッケージの検査システム。 - 【請求項１５】前記の半導体パッケージの検査システム
において、 前記の検査装置は、被検試料とする半導体パッケージを
載置するソケットに被検試料を加熱する加熱手段と、 前記の検査装置は、被検試料とする半導体パッケージを
載置するソケットに被検試料を冷却する冷却手段と、 前記の被検試料の到達する温度を検出する測温手段とを
備えることを特徴とする、 請求項１４に記載の、半導体パッケージの検査システ
ム。 - 【請求項１６】半導体パッケージを載置して検査する検
査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とより構
成する半導体パッケージの検査システムの制御方法にお
いて、 前記の検査装置は、被検試料とする半導体パッケージを
載置するソケットに備える加熱手段によって前記の被検
試料を加熱し、前記の被検試料があらかじめ定める温度
に到達した状態における当該被検試料の特性検査を実行
することを特徴とする、 半導体パッケージの検査システムの制御方法。 - 【請求項１７】前記の半導体パッケージの検査システム
の制御方法において、 前記の検査装置は、被検試料とする半導体パッケージを
載置するソケットに備える加熱手段あるいは冷却手段に
よって前記の被検試料を加熱あるいは冷却し、前記の被
検試料があらかじめ定める温度に到達した状態における
当該被検試料の特性検査を実行することを特徴とする、
請求項１６に記載の、半導体パッケージの検査システム
の制御方法。 - 【請求項１８】前記の半導体パッケージの検査システム
の制御方法において、 前記の検査装置は、被検試料とする半導体パッケージを
載置するソケットにおいて当該被検試料を挟持する位置
に配した測温手段によって、前記の被検試料の到達した
温度を検出することを特徴とする、 請求項１６に記載の、半導体パッケージの検査システム
の制御方法。 - 【請求項１９】半導体パッケージを載置して検査する検
査装置と、前記の検査装置を制御する制御装置とより構
成する半導体パッケージの検査システムの制御を実現す
るプログラムを格納する記録媒体において、 前記の検査装置があらかじめ定める温度に設定して実行
する検査に先だって、被検試料とする半導体パッケージ
を載置するソケットに備える加熱手段あるいは冷却手段
によって前記の被検試料を加熱あるいは冷却する手順
と、 前記の被検試料があらかじめ定める温度に到達したこと
を確認する手順と、 前記の被検試料が前記のあらかじめ定める温度に到達し
たことを確認して、当該被検試料の特性検査を実行する
手順とを格納したことを特徴とする、 コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071106A JP2001264381A (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 半導体パッケージの検査用ソケット、半導体パッケージの検査システムおよびその制御方法ならびにその記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071106A JP2001264381A (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 半導体パッケージの検査用ソケット、半導体パッケージの検査システムおよびその制御方法ならびにその記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001264381A true JP2001264381A (ja) | 2001-09-26 |
Family
ID=18589738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000071106A Pending JP2001264381A (ja) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 半導体パッケージの検査用ソケット、半導体パッケージの検査システムおよびその制御方法ならびにその記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001264381A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286790A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Espec Corp | 温度条件付与装置 |
| JP2006252946A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Yamaichi Electronics Co Ltd | 半導体装置用ソケット |
| JP2006324345A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Alps Electric Co Ltd | 電子発熱体の冷却装置 |
| US7397258B2 (en) | 2005-09-15 | 2008-07-08 | Advantest Corporation | Burn-in system with heating blocks accommodated in cooling blocks |
| JP2012517591A (ja) * | 2009-02-10 | 2012-08-02 | クウォリタウ・インコーポレーテッド | 改良温度制御を備えた電気／信頼性試験のための統合されたユニット |
| US10060970B2 (en) | 2013-04-25 | 2018-08-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component testing device |
| KR102670897B1 (ko) | 2021-08-09 | 2024-05-31 | 리노공업주식회사 | 검사소켓 |
-
2000
- 2000-03-14 JP JP2000071106A patent/JP2001264381A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4593815B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2010-12-08 | エスペック株式会社 | 温度条件付与装置 |
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| JP4508939B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2010-07-21 | アルプス電気株式会社 | 電子発熱体の冷却装置 |
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| KR102670897B1 (ko) | 2021-08-09 | 2024-05-31 | 리노공업주식회사 | 검사소켓 |
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