JP2012504875A5

JP2012504875A5 -

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Publication number: JP2012504875A5
Application number: JP2011530360A
Authority: JP
Filing date: 2009-09-08
Publication date: 2012-10-25

Claims

オプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法において、
成長基板（１）上にエピタキシャル層列（５）を成長させるステップと、
前記エピタキシャル層列（５）の成長基板（１）とは反対側表面に、コンタクト層（６）とそれに続くバリア層（７）とを被着するステップと、
前記エピタキシャル層列（５）内に複数のトレンチ（９）を形成することによって前記エピタキシャル層列（５）を個別の半導体（８）に構造化するステップと、
前記トレンチ（９）内に露出する半導体（８）の少なくとも側方縁部（１０）に、誘電層（１１）を被着するステップと、
前記半導体（８）の間のトレンチ（９）内でハンダ層（１３）の第１部分（１３ａ）を半導体（８）へ被着するステップと、
ハンダ層（１３）の第２部分（１３ｂ）を支持体（１４）に被着するステップと、
前記半導体（８）を、成長基板（１）とは反対側において、ハンダ層（１３）を用いて支持体（１４）に接続させるステップとを有し、この場合、ハンダ層（１３）の第１部分（１３ａ）と第２部分（１３ｂ）とが相互に溶融され、半導体（８）間の複数のトレンチ（９）がハンダ層（１３）によって充填され、さらに、
成長基板（１）を剥離するステップとを有することを特徴とする方法。
前記誘電層（１１）は窒化珪素または二酸化珪素を含み得る、請求項１記載の方法。
前記誘電層（１１）の被着後に、ミラー層（２１）を前記誘電層（１１）に被着する、請求項１または２記載の方法。
前記ミラー層（２１）は、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌ、又はＲｈを含み得る、請求項３記載の方法。
前記ミラー層（２１）に保護層（２２）が設けられている、請求項３または４記載の方法。
前記保護層（２２）は、窒化珪素、二酸化珪素、金属若しくは金属性接合部を含み得る、請求項５記載の方法。
前記ハンダ層（１３）は、半導体（８）の間のトレンチ（９）からの成長基板（１）の剥離後に除去される、請求項１から６いずれか１項記載の方法。
前記ハンダ層（１３）は、半導体（８）の間のトレンチ（９）からの成長基板（１）の剥離後に残されている、請求項１から６いずれか１項記載の方法。
前記支持体（１４）は、トレンチ（９）内で、個別の半導体素子に分断される、請求項１から８いずれか１項記載の方法。