JP2011522427A5

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Publication number: JP2011522427A5
Application number: JP2011511971A
Authority: JP
Filing date: 2009-06-03
Publication date: 2012-06-07

Claims

オプトエレクトロニクス部品を製造する方法であって、
Ａ）成長基板（１）を形成するステップと、
Ｂ）動作時における活性ゾーンを形成するため、少なくとも１層の半導体層（２）をエピタキシャル成長させるステップと、
Ｂ１）低屈折率誘電体（１６）を前記半導体層（２）に堆積させ、前記低屈折率誘電体（１６）を構造化するステップと、
Ｃ）前記半導体層（２）と対向する金属ミラー層（３）の側が構造化されるように前記半導体層（２）と前記低屈折率誘電体（１６）に金属ミラー層（３）を堆積させるステップと、
Ｄ）前記部品を電気的に接続するための少なくとも１層のコンタクト層（８）を堆積させるステップと、
Ｅ）前記半導体層（２）から前記成長基板（１）を剥離し、これによって前記半導体層（２）の表面を露出させるステップと、
Ｆ）前記半導体層（２）を、方法ステップＥ）において露出させた前記表面の側から、エッチング法によって構造化するステップと、
を含んでいる、方法。
方法ステップＣ）において、前記金属ミラー層（３）が、構造化されていない前記半導体層（２）に堆積される、
請求項１に記載の方法。
方法ステップＦ）における前記構造化によって溝が形成され、前記溝によって前記半導体層（２）が複数の部分領域に分割される、
請求項１または請求項２のいずれかに記載の方法。
方法ステップＦ）における前記構造化によって溝が形成され、前記溝の断面が、方法ステップＥ）において露出させた前記表面から前記ミラー層の方向に次第に細くなっている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の方法。
方法ステップＣ）と方法ステップＤ）との間に、以下の方法ステップ、すなわち、
Ｇ）前記ミラー層（３）に拡散バリア層を堆積させるステップと、
をさらに含んでいる、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法。
方法ステップＣ）と方法ステップＤ）との間に、
Ｈ）前記拡散バリア層（４）にパッシベーション層（５）を堆積させるステップと、
Ｉ）方法ステップＡ）〜方法ステップＨ）において形成される前記積層体をキャリアに貼り付けるステップと、
をさらに含んでいる、
請求項５に記載の方法。
方法ステップＩ）においてキャリアが使用され、前記キャリアが、以下の方法ステップ、すなわち、
Ｉ１）キャリアウェハ（９）を形成するステップと、
Ｉ２）前記キャリアウェハ（９）にバリア層（７）を堆積させるステップと、
Ｉ３）前記バリア層（７）に接合層（６）を堆積させるステップと、
によって形成される、
請求項６に記載の方法。
方法ステップＣ）からの前記ミラー層（３）を、方法ステップＣ）と方法ステップＤ）との間に入るさらなる方法ステップによって構造化し、その結果前記ミラー層（３）の部分領域が除去される、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の方法。
方法ステップＦ）の後に、さらなる方法ステップＪ１）として、構造化された前記半導体層（２）を粗面化するステップ、
を含んでいる、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の方法。
方法ステップＪ１）の後に、さらなる方法ステップＪ２）として、粗面化された前記半導体層（２）を、可視光放射、紫外放射、赤外放射、またはこれらの放射の組合せに対して透過性である、ビスベンゾシクロブテンを含むトップコート（１０）によってコーティングするステップ、
を含んでいる、
請求項９に記載の方法。
方法ステップＪ２）の後に、さらなる方法ステップＪ３）として、前記トップコート（１０）を構造化するステップ、
を含んでいる、
請求項１０に記載の方法。
方法ステップＪ３）の後に、さらなる方法ステップＪ４）として、前記トップコート（１０）を構造化することによって再び露出した前記半導体層（２）の部分領域に、電気コンタクト（１１）を形成するステップ、
を含んでいる、
請求項１１に記載の方法。
方法ステップＣ）によって堆積された前記金属ミラー層（３）は前記半導体層まで達している構造となっている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の方法。
オプトエレクトロニクス部品であって、
− 構造化された半導体層（２）と、
− 構造化された低屈折率誘電体（１６）と、
− 前記半導体層（２）上と前記低屈折率誘電体（１６）上に配置されている金属ミラー層（３）であって、前記半導体層（２）と対向する金属ミラー層（３）の側が構造化されている、前記金属ミラー層（３）と、
− 前記金属ミラー層（３）上に配置されている拡散バリア層（４）と、
− 前記拡散バリア層（４）上に配置されているパッシベーション層（５）と、
を備えており、
前記半導体層（２）が正のメサ側面を備えている、
オプトエレクトロニクス部品。
− キャリアウェハ（９）と、
− 前記キャリアウェハ（９）上に配置されている電気コンタクト層（８）と、
− 前記コンタクト層（８）上に配置されているバリア層（７）と、
− 前記バリア層（７）上に配置されている接合層（６）と、
を備えており、
前記接合層（６）が前記パッシベーション層（５）に接合されている、
請求項１４に記載のオプトエレクトロニクス部品。