JP5318353B2 - GaN系LED素子および発光装置 - Google Patents
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(1)発光層と該発光層を挟むp型層およびn型層とを少なくとも含む複数のGaN系半導体層からなる積層体を備えたGaN系LED素子において、GaN系半導体からなる板状体と、該板状体の表面に形成された導電性酸化物膜とを有し、該導電性酸化物膜には複数の開口部が形成されており、該開口部に露出する前記板状体の表面に凹凸が設けられていることを特徴とする、GaN系LED素子。
(2)前記凹凸の凸部が、頂部に前記導電性酸化物膜と同じ材料からなる部分を有する、前記(1)に記載のGaN系LED素子。
(3)前記導電性酸化物膜がITO膜である、前記(1)または(2)に記載のGaN系LED素子。
(4)前記板状体がGaN系半導体基板であり、該GaN系半導体基板上に前記積層体が形成されている、前記(1)〜(3)のいずれかに記載のGaN系LED素子。
(5)前記板状体が前記積層体である、前記(1)〜(3)のいずれかに記載のGaN系半導体素子。
(6)前記導電性酸化物膜がp型層の表面に形成されている、前記(5)に記載のGaN系LED素子。
(7)前記凹凸の凹部が前記発光層に達している、前記(6)に記載のGaN系LED素子。
(8)前記導電性酸化物膜がn型層の表面に形成されている、前記(5)に記載のGaN系LED素子。
(9)透光性基板上に前記積層体が形成されている、前記(5)〜(8)のいずれかに記載のGaN系LED素子。
(10)前記(9)に記載のGaN系LED素子をフリップチップ実装してなる発光装置。
本発明の好適な実施形態に係るGaN系LED素子は、発光層と該発光層を挟むp型層およびn型層とを少なくとも含む複数のGaN系半導体層からなる積層体を備えたGaN系LED素子であって、GaN系半導体からなる板状体と、該板状体の表面に形成された導電性酸化物膜とを有し、該導電性酸化物膜には複数の開口部が形成されており、該開口部に露出する前記板状体の表面に凹凸が設けられている、という特徴的な構成を有している。このように構成された、本発明の実施形態1に係るGaN系LED素子の断面図を図1に示す。
本発明の実施形態2に係るGaN系LED素子の断面図を図2に示す。
を損なわない範囲内で、種々の変形が可能である。
11、21 基板
12、22 積層体
12−1、22−1 n型層
12−2、22−2 発光層
12−3、22−3 p型層
T11、T12、T21 導電性酸化物膜
Claims (4)
- 発光層と該発光層を挟むp型層およびn型層とを少なくとも含む複数のGaN系半導体層からなる積層体を備えたGaN系LED素子において、
第1表面を有するGaN系半導体基板の該第1表面に導電性酸化物膜が形成され、
該導電性酸化物膜には開口部が形成され、
該第1表面のうち該開口部に露出する部分に凹凸が設けられ、
該第1表面のうち該導電性酸化物膜に覆われた部分は該凹凸が設けられた部分に比べて平坦であり、
該GaN系半導体基板の該第1表面とは反対側の表面上に前記積層体が配置されていることを特徴とするGaN系LED素子。 - 発光層と該発光層を挟むp型層およびn型層とを少なくとも含む複数のGaN系半導体層からなる積層体を備えたGaN系LED素子において、
該n型層が第1表面を有し、該第1表面に導電性酸化物膜が形成され、
該導電性酸化物膜には開口部が形成され、
該第1表面のうち該開口部に露出する部分に凹凸が設けられ、
該第1表面のうち該導電性酸化物膜に覆われた部分は該凹凸が設けられた部分に比べて平坦であり、
該n型層の該第1表面とは反対側の表面上に前記発光層およびp型層が積層されていることを特徴とする、GaN系LED素子。 - 前記開口部が前記導電性酸化物膜に設けられた貫通孔である、請求項1または2に記載のGaN系LED素子。
- 前記導電性酸化物膜がITO膜である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のGaN系LED素子。
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