JP4295669B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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以下に、本発明の第1の実施形態に係る半導体素子の製造方法、具体的には、窒化物半導体よりなる青色面発光素子の製造方法を一例として、図1(a)〜(h)を参照しながら説明する。
以下に、本発明の第2の実施形態に係る半導体素子の製造方法について、具体的には、窒化物半導体よりなる青色面発光素子の製造方法を一例に用いて、図2(a)〜(h)を参照しながら説明する。なお、図2(a)〜(h)では、前述の図面において示された構成部分と対応する部分には、同一の符号を付している。
以下に、本発明の第3の実施形態に係る半導体素子の製造方法について、具体的には、窒化物半導体よりなる青色面発光素子の製造方法を一例として、図3(a)〜(i)を参照しながら説明する。なお、図3(a)〜(i)では、前述の図面において示された構成部分と対応する部分には、同一の符号を付している。
以下に、本発明の第4の実施形態に係る半導体素子の製造方法について、具体的には、窒化物半導体よりなる電界効果トランジスタの製造方法を一例として、図4(a)〜(g)を参照しながら説明する。なお、図4(a)〜(g)では、前述の図面において示された構成部分と対応する部分には、同一の符号を付している。
以下に、本発明の第5の実施形態に係る半導体素子の製造方法について、具体的には、窒化物半導体よりなる青色面発光素子の製造方法を一例として、図5(a)〜(g)及び図6(a)及び(b)を参照しながら説明する。なお、図5(a)〜(g)及び図6(a)及び(b)では、前述の図面において示された構成部分と対応する部分には、同一の符号を付している。
2 GaN層
2a n型層
3 活性層
4 p型GaN層
4a p型層
5 p型コンタクト電極
6 下地膜
7 Auメッキ
8 パッシベーション膜
9 n型電極
10 レジストマスク
11 シート
12、13 誘電体DBRミラー
14 n型GaN層
15 アンドープGaN層
16 ソース電極
17 ドレイン電極
18 ゲート電極
19 Si基板
a1、a2、a3、a4、b1、b2、b3、b4 開口部
Claims (13)
- 母材基板上に、能動層を含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の上に、金属層を形成する工程と、
前記金属層を形成した後に、前記半導体層から前記母材基板を分離する工程と、
前記半導体層における前記母材基板が分離されて露出した面側から、前記金属層における所望の領域をウェットエッチングで除去することにより、前記半導体層を含んでなる互いに分離された複数個の半導体素子を形成する工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記金属層は、Au、Ag、又はCuよりなることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記金属層は、メッキにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記金属層は、10μm以上の膜厚を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記母材基板を分離する工程は、前記半導体層に対して、該半導体層における前記母材基板が形成されている側からレーザを照射することにより行なうことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記母材基板を分離する工程は、研磨により行なうことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記半導体層を形成する工程と前記母材基板を分離する工程との間に、
前記半導体層における前記母材基板が形成されている側とは反対の側から、前記半導体層の一部を除去することにより、前記半導体層を複数の領域に分離する工程をさらに備え、
前記複数個の半導体素子の各々は、前記複数の領域の各々を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記金属層を形成する工程と前記複数個の半導体素子を形成する工程との間に、
前記金属層における前記半導体層が形成されている側の面とは反対の面の上に、接着性を有する高分子材料フィルムを形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記高分子材料フィルムは、伸縮性を有する材料よりなることを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記金属層を形成する工程と前記母材基板を分離する工程との間に、
前記金属層における前記半導体層が形成されている側の面とは反対の面の上に、劈開性を有する半導体基板を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体基板は、Si又はSiCよりなることを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記複数個の半導体素子を形成する工程は、
前記金属層における前記所望の領域を除去することにより露出された前記半導体基板の表面に、溝部を形成する工程と、前記溝部が形成された前記半導体基板を劈開することにより前記複数個の半導体素子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体層は、III族窒化物半導体よりなることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
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