KR100849788B1 - 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 수직형 반도체 발광소자의 제조 방법에 관한 것이다. 수직형 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, (가) 기판 상에 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래드층을 순차적으로 형성시키고, 상기 상부 클래드층 상에 제 1전극층들을 형성시키는 단계; (나) 상기 각각의 제 1전극층들 상에 금속 지지층을 형성시키고, 상기 제 1전극층들의 사이에 트랜치를 형성시키는 단계; 및 (다) 상기 기판을 제거하고 상기 하부 클래드층에 제 2전극층을 형성시키는 단계;를 포함하는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
Description
도 1은 일반적인 구조의 반도체 발광소자를 나타낸 도면이다.
도 2a 내지 도 2h는 미국 특허 공개 2003-0189215호에 개시된 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의해 제조한 수직형 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 실시예에 의한 수직형 반도체 발광 소자의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 실시예에 의한 수직형 반도체 발광 소자의 제조 공정중의 이미지를 나타낸 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
11... 기판 12... 하부 클래드층
13... 활성층 14... 상부 클래드층
15... 상부 전극 16... 하부 전극
31... 기판 32... 반도체층
33... 하부 클래드층 34... 활성층
35... 상부 클래드층 36... 제 1전극층
37... 금속 지지층 38... 제 2전극층
39... 지지층 41... 시드층
42... PR층 43... 트랜치
44... 충진층 45... 본딩층
본 발명은 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수율을 높인 간단한 형태의 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 발광 소자(light emitting diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여, 전기 에너지를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시킨 신호를 발신하는데 사용되는 소자이다. 발광 다이오드는 EL의 일종이며, 현재 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체를 이용한 발광 다이오드가 실용화 되고 있다.
Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체는 직접천이형 반도체이며, 다른 반도체를 이용한 소자보다 고온에서 안정된 동작을 얻을 수 있어서, 발광 다이오드(LED)나 레이저 다이오드(laser diode : LD) 등의 발광 소자에 널리 응용되고 있다. 이와 같은 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체는 통상 사파이어(sapphire : Al2O3)를 기판으로 이용하여 그 상부에 형성되는 것이 일반적이다.
도 1은 일반적인 구조의 반도체 발광 소자에 대한 도면이다. 도 1을 참조하면, 사파이어와 같은 기판(11) 상에 하부 클래드층(12), 활성층(13), 상부 클래드층(14)이 순차적으로 형성되어 있다. 상부 클래드층(14) 상에는 상부 전극층(15)이 형성되어 있으며, 하부 클래드층(12) 상의 활성층(13)이 형성되지 않은 영역에는 하부 전극층(16)이 형성되어 있다. 통상의 GaN 계 발광소자의 경우, 하부 클래드층(12)의 경우 n-GaN으로 형성되며, 활성층(13)은 InGaN/GaN의 MQW(multi quantum wall) 구조로 형성되며, 상부 클래드층(14)은 p-GaN으로 형성된다. 그리고, 상부 전극층(15)는 ITO, Ru/Au, Ni/Au 등의 투명 전도성 물질을 포함하는 콘택층과 그 상부의 일부 영역에 형성된 Au를 포함하는 패드 구조를 포함한다. 그리고, 하부 전극층(16)은 Ti/Al이 통상적으로 사용된다.
이와 같은 전위 인가부인 하부 전극층(16) 및 상부 전극층(15)이 기판(11)의 한쪽 면을 차지하며, 발광면이 상대적으로 좁은 단점을 지닌다. 또한, 하부 전극층(16)을 통해 활성층(13)으로 가하는 전류가 하부 전극층(16) 아래의 좁은 하부 클래드층(12) 영역을 통과해야 하므로 구조적으로 바람직하지 못한 단점이 있다. 반면, 수직형 반도체 발광 소자는 상술한 도 1과 같은 수평 구조의 반도체 발광소자에 비해 우수한 장점이 있다. 수직형 반도체 발광소자는 하부 전극(16)을 하부 클래드층(12)의 일측 상부에 형성시키지 않고, 기판(11)을 제거한 뒤, 하부 클래드층(12)의 하부에 형성된 것이다. 따라서, 발광면적이 넓어지며, 열분산이 잘되는 장점이 있다.
도 2a 내지 도 2h는 미국 특허 공개 2003-0189215호에 개시된 종래 기술에 의한 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 2a를 참조하면, 사파이어 기판(122) 상에 n-GaN 버퍼층(124), InGaN/GaN 활성층(126) 및 p-GaN 콘택층(128)을 순차적으로 형성시킨다.
도 2b를 참조하면, p-GaN 콘택층(128)으로 부터 사파이어 기판(122) 표면 내부까지 트랜치(130)들을 형성시킨다. 이때의 트랜치(130)들은 추후 칩 분리 공정을 보조하기 위한 것이다.
도 2c를 참조하면, p-GaN 콘택층(128) 상에 각각 Pt/Au, Pd/Au, Ru/Au, Ni/Au 등의 콘택층(150)이 형성된다.
도 2d를 참조하면, 트랜치(130)들을 PR(154)로 채운다. 그리고, 도 2e를 참조하면, 콘택층(150) 및 PR(154) 상에 Cu, Cr, Ni, Au 또는 Ag 등을 도포하여 금속 지지층(156)을 형성시킨다.
도 2f를 참조하면, 엑시머 레이저 등을 이용하여 레이저 광(158)을 조사하여 사파이어 기판(122)을 제거한다. 그리고, 도 2g를 참조하면, PR(154)이 제거된다.
도 2h를 참조하면, n형 오믹 콘택층(160)을 Ti/Al 등을 사용하여 n-GaN 버퍼층(124) 상에 형성시킨다.
이와 같은 제조 공정은 수직형 반도체 발광소자를 용이하게 제조할 수 있는 장점이 있으나, 추후 금속 지지체(156)를 다이싱(dicing)하게 된다. 그러나, Cu 등의 금속은 그 자체의 연성이 커서 다이싱 공정이 쉽지 않은 문제점이 있다.
본 발명에서는 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 수직형 반 도체 발광 소자의 제조시, 단위 소자로의 분리를 위한 다이싱 공정 등을 용이하게 실시할 수 있는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는 상기 목적을 달성하기 위하여,
수직형 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서,
(가) 기판 상에 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래드층을 순차적으로 형성시키고, 상기 상부 클래드층 상에 제 1전극층들을 형성시키는 단계;
(나) 상기 각각의 제 1전극층들 상에 금속 지지층을 형성시키고, 상기 제 1전극층들의 사이에 트랜치를 형성시키는 단계; 및
(다) 상기 기판을 제거하고 상기 하부 클래드층에 제 2전극층을 형성시키는 단계;를 포함하는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판이며, 상기 하부 클래드층 및 상기 상부 클래드층은 질화 갈륨계 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 (나) 단계는,
상기 상부 클래드층 및 상기 각각의 제 1전극층 표면에 시드층을 형성시키는 단계;
상기 제 1전극층들 사이의 영역의 상기 시드층 상에 PR층을 형성시키는 단계;
상기 각각의 제 1전극층 영역에 해당하는 시드층 상에 금속 지지층을 형성시 키는 단계; 및
상기 PR층을 제거하고, 상기 PR층을 제거한 영역에 트랜치를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 트랜치는 반응성 이온 에칭(RIE) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 (다) 단계는,
상기 트랜치 영역 및 상기 각각의 금속 지지층 표면에 점착성 물질을 포함하는 충진층을 형성시키는 단계;
상기 충진층 상에 글래스, Si 또는 사파이어 중 어느 하나를 부착시켜 본딩층을 형성시키는 단계; 및
상기 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 충진층은 왁스로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 기판은 370nm 이하의 파장을 지닌 레이저 광을 조사하여 상기 하부 클래드층에서 분리시키는 것을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 수직형 발광 반도체 발광 소자의 제조 방법에 대해 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 반도체층(32) 상에 제 1전극층(36)이 형성되어 있으며, 제 1전극층(36) 상에는 시드층(41) 및 금속 지지층(37)이 순차적으로 형성되어 있다. 반도체층(32) 하부에는 제 2전극층(38)이 형성되어 있다. 절연성 지지층(39)은 수직형 반도체 발광 소자를 개별적으로 분리하기 위해 형성된 것이다.
이하, 도 4a 내지 도 4i를 참조하여, 본 발명의 실시예에 의한 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법에 대해 상세히 살펴보고자 한다.
도 4a를 참조하면, 먼저 사파이어 기판(31) 상에 화합물 반도체층을 형성시킨다. 구체적으로 하부 클래드층(33), 활성층(34) 및 상부 클래드층(35)을 형성시킨다. 예를 들어, 하부 클래드층(33)은 n-GaN으로 형성시키며, 활성층(34)은 InGaN/GaN의 MQW(multi quantum wall)구조로 형성시킬 수 있으며, 상부 클래드층(35)은 p-GaN으로 형성시킨다. 이하, 하부 클래드층(33), 활성층(34) 및 상부 클래드층(35)를 반도체층(32)이라 칭한다.
도 4b를 참조하면, 반도체층(32) 상에 제 1전극층(36)을 형성시킨다. 제 1전극층(36)은 통상의 p-금속으로 형성시키며, 구체적으로 스퍼터링(sputtering), 이베퍼레이션(evaporation) 등의 공정으로 Ni/Ag 또는 Ru 등의 금속을 도포한다.
도 4c 및 도 4d를 참조하면, 제 1전극층(36) 및 반도체층(32) 상에 시드층(41)을 형성시킨다. 여기서, 시드층(41)은 도 4e의 금속 지지층(37)을 형성시키기 위한 것으로, Cr, Ti, Au, Ni 등의 금속을 수십 nm 정도로 얇게 형성시킨 것이다. 그리고, 제 1전극층(36)이 형성되지 않은 영역의 시드층(41)에 대해 포토 레지스트를 도포하고 패터닝하여 수 ~ 수십 마이크로미터 두께의 PR층(42)을 형성시킨다. 도 5a는 약 100nm 두께의 Cr으로 시드층(41)을 형성시키고, 약 5마이크로미터 두께의 PR층(42)을 형성시킨 것을 나타낸 것으로 도 4d의 상방에서 나타낸 평면도이다.
도 4e를 참조하면, 시드층(41)의 노출된 영역에 대해 Cu, Cr, Ni, Ag, Au, Mo, Pd, W 또는 Al 등의 금속을 도포하여 금속 지지층(37)을 형성시킨다. 금속 지지층(37)은 스퍼터링 등의 PVD, CVD, 전기 도금 또는 무전해도금(electroplating) 공정에 의해 형성시킬 수 있다. 그리고, PR층(42)을 제거한다. 도 4e에서는 금속 지지층(37)의 상면의 단부가 각이 진 것으로 묘사되어 있으나, 실재 이미지인 도 5b에 나타낸 바와 같이 버섯 형태로 형성된다. PR층(42)을 제거하면 도 5c에 나타낸 바와 같이 금속 지지층(51)의 단부와 그 하부의 시드층(52) 사이에 단차가 형성된다. 여기서 알 수 있듯이, 일반적인 수직형 반도체 제조 공정에서는 Cu 플레이트(plate)를 p형 전극 상에 형성시킴으로써, 추후 단위 소자의 형성을 위해서는 다이싱 공정을 실시해야 하지만, 본 발명의 실시예에 의한 수직형 반도체 발광 소자의 제조 공정에서는 금속 지지층(37) 자체의 형태가 개별 단위 소자 별로 분리된 채로 형성된다. 따라서, 추후 별도의 금속 지지층(37)의 다이싱 공정이 필요하지 않게 된다.
도 4f를 참조하면, 금속 지지층(37)들의 사이 영역에 대해 기판(31) 영역까지 트랜치(43)를 형성시킨다. 트랜치(43)의 폭은 수 마이크로미터 이상인 것이 바람직하다. 트랜치(43)의 형성을 위해서 반응성 이온 에칭(reactive ion etching), 구체적으로는 유도 결합형 플라즈마 반응성 이온 에칭(inductively coupled plasma reactive ion etching : ICP-RIE) 공정을 사용하는 것이 바람직하다. 여기서, 트랜치(43) 형성 공정에서는 별도의 마스크가 필요 없다.
도 4g를 참조하면, 트랜치(43) 영역들과 금속 지지층(37) 표면을 점착성이 좋은 물질인 왁스 등으로 충진하여 충진층(44)을 형성시킨다. 그리고, 글래스, Si 또는 사파이어를 충진층(44) 상에 부착시키고, 섭씨 약 150도 전후로 가열하여 본딩층(45)을 형성시킨다. 본딩층(45)은 다음 공정에서 사파이어 기판(31)을 제거할 때 소자를 고정시키기 위한 것이다.
도 4h를 참조하면, 반도체층(32) 하부의 기판(31)을 제거한다. 이를 위하여, 약 370나노미터 이하의 파장을 지닌 레이저 광를 이용한 레이저 리프트 오프(laser lift-off : LLO) 공정을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, 레이저 광을 조사함으로써 사파이어 기판(31)과 반도체층(32) 사이에 국부적인 열을 발생시키며, 기판(31)과 반도체층(32)의 경계 영역의 GaN 반도체 물질을 분해함으로써 용이하게 분리되는 것이다. 그리고, CMP(chemical mechanical polishing) 또는 ICP-RIE 연마 공정으로 분리된 부분의 반도체층(32)을 평탄화한다.
다음으로 도 4i를 참조하면, 반도체층(32) 하면에 제 2전극층(38)을 형성시킨다. 제 2전극층(38)은 n형 전도성 물질로 형성되며, Ti/Al, Ti/Cu, Ti/Ni 등을 포함하여 형성시킬 수 있다. 그리고, 제 2전극층(38)과 반도체층(32)의 하부에 지지층(39)을 형성시킨 뒤, 아세톤 등으로 충진층(44)을 제거한다. 지지층(39)은 용이하게 제 2전극층(38) 및 반도체층(32)과 분리할 수 있으며, 따라서, 수직형 반도체 레이저 다이오드를 단위 소자롤 용이하게 형성시킬 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
본 발명에 의하면, 다음과 같은 장점이 있다.
첫째, Cu 등의 금속 지지층을 형성시키는 경우, 추후 단위소자의 형성을 위해 금속 지지층에 대한 다이싱 공정이 필요 없다. 따라서, 발광 소자 자체의 구조적 안정성을 도모할 수 있으며 높은 수율을 얻을 수 있다.
둘째, 트랜치를 형성하는 공정시 별도의 마스크가 필요 없다.
세째, 공정 전체로 반도체 발광 소자 내부의 스트레스를 유발하는 공정이 없으며, 비교적 간단한 공정으로 높은 생산성을 얻을 수 있다.
Claims (8)
- 수직형 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서,(가) 기판 상에 하부 클래드층, 활성층 및 상부 클래드층을 순차적으로 형성시키고, 상기 상부 클래드층 상에 제 1전극층들을 형성시키는 단계;(나) 상기 각각의 제 1전극층들 상에 금속 지지층을 형성시키고, 상기 제 1전극층들의 사이에 트랜치를 형성시키는 단계; 및(다) 상기 기판을 제거하고 상기 하부 클래드층에 제 2전극층을 형성시키는 단계;를 포함하며,상기 (나) 단계는,상기 상부 클래드층 및 상기 각각의 제 1전극층 표면에 시드층을 형성시키는 단계;상기 제 1전극층들 사이의 영역의 상기 시드층 상에 PR층을 형성시키는 단계;상기 각각의 제 1전극층 영역에 해당하는 시드층 상에 금속 지지층을 형성시키는 단계; 및상기 PR층을 제거하고, 상기 PR층을 제거한 영역에 트랜치를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 하부 클래드층 및 상기 상부 클래드층은 질화 갈륨계 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 트랜치는 반응성 이온 에칭(RIE) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 (다) 단계는,상기 트랜치 영역 및 상기 각각의 금속 지지층 표면에 점착성 물질을 포함하는 충진층을 형성시키는 단계;상기 충진층 상에 글래스, Si 또는 사파이어 중 어느 하나를 부착시켜 본딩층을 형성시키는 단계; 및상기 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 6항에 있어서,상기 충진층은 왁스로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 1항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 370nm 이하의 파장을 지닌 레이저 광을 조사하여 상기 하부 클래드층에서 분리시키는 것을 특징으로 하는 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274507A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Pioneer Electronic Corp | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2005012188A (ja) * | 2003-05-22 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| KR20050012729A (ko) * | 2002-04-09 | 2005-02-02 | 오리올 인코포레이티드 | 수직 구조의 ｌｅｄ 제조방법 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274507A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Pioneer Electronic Corp | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
| KR20050012729A (ko) * | 2002-04-09 | 2005-02-02 | 오리올 인코포레이티드 | 수직 구조의 ｌｅｄ 제조방법 |
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