JP5281536B2 - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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14 半導体膜
20 支持基板
30 金属マスク
40 素子分割溝
30a 電流阻止層
50 n電極
Claims (8)
- 成長用基板の上にGaN層を含む半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜の表面である−C面に凹凸を形成する工程と、
銀または銀を90%以上含む合金からなり、前記半導体膜の凹凸面の一部を覆う金属膜を形成する工程と、
前記金属膜から露出した前記半導体膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する工程と、を含み、
前記半導体膜の凹凸の深さは、前記金属膜の厚さよりも大きいことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記半導体膜上に、前記金属膜を覆い且つ前記金属膜の周囲において前記半導体膜と接触し、前記半導体膜との接触がオーミック性接触となる電極層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記電極層を形成する前に前記金属膜の一部を除去してパターニングする工程を更に含むことを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 前記半導体膜を除去する工程において、前記半導体膜は、前記半導体発光装置の個片を画定する素子分割溝に沿って除去されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の製造方法。
- 前記金属膜は、前記半導体膜と接するNi、Ti、Ir、Rh、Ptのいずれかからなる層を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の製造方法。
- 前記凹凸面の凹凸の深さは、前記金属膜の厚さの5倍以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1つに記載の製造方法。
- 前記凹凸を構成する突起の1単位の大きさは10μm以下であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1つに記載の製造方法。
- 前記成長用基板の上に前記半導体膜を形成した後に、前記半導体膜の表面に支持基板を接合する工程と、
前記成長用基板を前記半導体膜から剥離する工程と、を更に含み、
前記金属膜は、前記成長用基板を剥離して表出した前記半導体膜の表面に形成されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1つに記載の製造方法。
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