KR100726966B1 - 동종기판의 표면 형상을 이용한 질화갈륨계 반도체발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 반도체 발광소자의 클래드층을 형성하는 갈륨질화물을 성장할 때 사용되는 기판으로 클래드층과 물성이 같은 동종기판을 사용하고 상기 기판의 표면에 요철을 형성하여, 종래 기판과 반도체층 사이의 광자의 산란 및 소자 경계면에서의 광자의 전반사를 줄여 발광 효율이 향상된 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광소자, 동종기판, 요철
Description
도 1은 종래의 질화갈륨계 반도체 발광소자를 제조하는 과정 중의 일 단계에서의 반도체 발광소자의 구성을 나타낸 것이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 반도체 발열 소자 제조방법의 일 실시예가 수행되는 각 과정을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 반도체 발광소자 제조방법의 일 실시예에 의해 제조되는 반도체 발광소자의 기판의 표면에 대한 주사전자 현미경 사진을 나타낸 것이다.
{도면의 주요부분에 대한 설명}
11 : 이종기판 12, 22 : n형층
21 : 동종기판 23 : 활성층
24 : p형층 25 : 금속 반사막 층
26 : 냉금패드 27 : 전극패드
본 발명은 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 갈륨 질화물의 성장 시 사용되는 기판의 재질 등을 개량하여 빛의 외부로의 방출 효율을 극대화시키는 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 발광소자는 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체소자로서, 반응속도, 전력소모, 발열 등의 제반특성이 종래의 광원에 비해 매우 우수하여 광통신, 전자기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다.
종래의 질화갈륨계 반도체 발광소자는 기판상에 n형층, 활성층, p형층이 순차적으로 적층되는 다층구조로 형성되며, 상기 n형층과 p형층에는 각각 전극이 부착된다.
도 1은 종래의 질화갈륨계 반도체 발광소자를 제조하는 과정 중의 일 단계에서의 반도체 발광소자의 구성을 나타낸 것이다.
도 1에 나타난 반도체 발광소자에서는 사파이어 기판(11) 위에 갈륨(Ga)이 함유된 유기금속화합물(트리메틸갈륨, (CH3)3Ga, 트리에틸갈륨, (C2H5)3Ga)과 질소(N)가 함유된 암모니아를 고온에서 열분해시키고, 화학증착법(CVD, chemical vapor deposition)을 이용하여 갈륨 질화물(12)을 성장시킨다.
그러나 상기의 방법은 기판의 성분이 반도체층과 서로 다른 이종기판이므로, 양질의 반도체층 박막을 얻기 위해서는 기판과 갈륨질화물의 계면에 저온 버퍼층을 개입시킬 필요가 있다. 그리고 반도체 발광소자가 동작할 때 상기의 계면 및 버퍼층에서 광자가 산란되어 발광 효율이 저하되는 문제점이 있다.
레이저 리프트 오프 방식에 의해 상기 이종기판을 제거하는 것이 가능하다. 그러나 이 경우는 이종기판과 갈륨질화물 사이의 저온 버퍼층에서만 박리가 이루어지는 온도가 형성될 것을 기대하여 이종기판을 제거한 것이나, 실제로는 열이 전도되어 활성영역까지 영향을 미쳐 발광소자가 열에 의해 쉽게 파손되는 문제점이 있다.
그리고 상기의 리프트 오프 공정 후에는 기판과 접촉되었던 갈륨질화물, 통상적으로 n형 질화갈륨인 갈륨질화물이 노출되도록 기계적인 연마를 거쳐야만 하고 노출된 n형 질화갈륨에 대하여 습식방법에 의한 식각을 하게 되는데, 상기 습식 식각은 그 특성상 최조밀면에서 우선적으로 식각이 이루어져, 식각에 의한 요철의 간격, 깊이 등을 조절하는 데 한계가 있다.
또한, 상기와 같이 n형 질화갈륨에 습식식각을 진행하여 소자를 형성하는 경우 상기 n형 질화갈륨에 부착되는 패드전극의 지름이 100㎛에 이르면 활성영역에서 나오는 광자가 대부분 가려져 광방출 효율이 저하되는 문제점이 있으며, 상기와 같이 형성된 n형 질화갈륨의 총 두께는 5㎛ 이내이므로 광자 방출의 증가를 위하여 조절할 수 있는 요철의 크기에 한계가 있다.
따라서 레이저 리프트 오프 방식에 의해 이종기판을 제거하더라도 광자의 산란을 줄여 발광 효율을 높이는 유리한 효과는 크지 않다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은 반도체층과 기판을 사이의 광자의 산란을 줄이고 광자의 전반사를 줄여 발광 효율이 향상된 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 반도체 발광소자 제조방법은 질화갈륨계 물질로 형성되는 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 위에 질화갈륨계 물질로 이루어진 제1 클래드층, 활성층 및 질화갈륨계 물질로 이루어진 제2 클래드층을 순차적으로 적층하는 단계; 상기 제2 클래드층의 윗면에 금속 반사막 층을 오믹 접착으로 접합하는 단계; 및 상기 기판의 아랫면에 전극을 오믹 접착으로 접합하는 단계를 포함한다.
본 발명에서, 상기 제1 클래드층 및 상기 기판은 n형의 불순물로 도핑되고, 상기 제2 클래드층은 p형의 불순물로 도핑되는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 기판 위에 제1 클래드층, 활성층, 및 제2 클래드층을 순차적으로 적층하는 단계 이후에 상기 기판의 아랫면에 요철을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 기판의 아랫면에 요철을 형성하는 단계는 아랫면의 소정의 부분을 고립시키고 그 외의 부분에 요철을 형성하고, 상기 기판의 아랫면에 전극을 오믹 접착으로 접합하는 단계는 상기 전극을 상기 요철이 형성되지 않은 소정의 고립된 부분에 접합하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 기판의 아랫면에 요철을 형성하는 단계는 건식식각에 의해 요철을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 반도체 발광소자 제조방법은 상기 제2 클래드층에 금속 반사막 층을 오믹 접착으로 접합하는 단계 이후에 상기 금속 반사막 층에 냉금물질을 증착하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 반도체 발광소자는 질화갈륨계 물질로 이루어지는 기판; 상기 기판의 위에 형성되는 질화갈륨계 물질로 이루어지는 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층의 위에 형성되는 활성층; 상기 활성층의 위에 형성되고 질화갈륨계 물질로 이루어지는 제2 클래드층; 상기 제2 클래드층의 위에 형성되고 상기 제2 클래드층과 오믹 접착으로 접합하는 금속 반사막 층; 및 상기 기판의 아랫면에 오믹 접착으로 접합되는 전극패드를 포함한다.
본 발명에서, 상기 제1 클래드층 및 상기 기판은 n형의 불순물로 도핑되고, 상기 제2 클래드층은 p형의 불순물로 도핑되는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 기판은 아랫면에 요철이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 기판은 GaN, InGaN, AlGaN 또는 그 동종의 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 금속 반사막 층은 Ag, Ni, Al, Pd, Pt, Cr, Au, W, Rh, Cu 및 그 합금으로 구성된 물질의 그룹에서 선택되는 것으로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 반도체 발광소자는 상기 금속 반사막 층의 위에 증착되는 냉금(chill)을 더 포함하는 것이 바람직하며, 상기 냉금은 Al, Cu, CuW 또는 SiC 중에서 선택되는 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 반도체 발열 소자 제조방법의 일 실시예가 수행되는 각 과정을 나타낸 것이다.
상기 제조방법의 실시예에 의하면, 우선 도 2a에 나타난 것과 같이 n형으로 도핑된(doped) 질화갈륨계 기판(n형 기판, 21) 상에 n형으로 도핑된 질화갈륨계 클래드층(n형층, 22)이 에피층으로 성장하며, 상기 n형층의 위에 순차적으로 활성층 (23)과 p형으로 도핑된 클래드층(p형층, 24)이 적층된다.
이어서 도 2b에 나타난 것과 같이 상기 n형 기판(21)은 건식식각에 의해 아랫면에 요철이 형성되며, 상기 표면의 요철은 기판의 아랫면 상의 소정의 부분을 제외한 나머지 부분에 형성된다.
이어서 도 2c에 나타난 것과 같이 상기 p형층(24)의 위에 금속 반사막 층(25)이 적층되며, 상기 p형층(24)과 상기 금속 반사막 층(25)은 오믹 접촉을 이룬다.
이어서 도 2d에 나타난 것과 같이 상기 금속 반사막 층(25)의 위에 냉금물질(26)이 증착된다.
이어서 도 2e에 나타난 것과 같이 상기 n형 기판(21)의 아랫면에서 요철이 형성되지 않은 소정의 부분에 전극물질(27)이 증착되어 전극과 n형 기판의 반도체 물질 간의 접합이 형성된다.
상기 실시예에서 도 2a에 나타난 바와 같이, n형 기판(21)은 n형의 불순물이 도핑된 질화갈륨계 물질로 형성되며, 특히 n형 갈륨질화물(GaN), n형 인듐갈륨질화물(InGaN) 또는 n형 갈륨알루미늄질화물(AlGaN)을 포함하는 또는 그와 동종의 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 n형 기판(21) 상에서 성장하는 에피층(n형층) 또한 질화갈륨계 물질이어서, 에피층은 동종의 기판상에서 성장한다. 상기 에피층이 성장되는 기판의 표면은 상기 에피층과 물성이 동일한 상태여서 계면이 정합을 이루므로, 상기 에피층(n 형층, 22)과 n형 기판(21) 사이에는 저온 버퍼층을 사용할 필요가 없으며, 상기 에피층은 고온에서 성장할 수 있다. 성장온도는 900~1100℃의 범위에 속하는 것이 바람직하고 상기 n형층이 성장한 후의 두께는 0.1~10㎛인 것이 바람직하다.
상기 n형층(22)은 n형의 불순물이 도핑된 질화갈륨계 물질로 형성되며, 특히 Si가 도핑된 인듐갈륨질화물(Inx1Ga1-x1N)과 갈륨질화물(GaN)이 순차적으로 적층된 초격자 구조를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 활성층(23)은 상기 초격자 구조의 인듐갈륨질화물(Inx2Ga1-x2N)층에 비해 인듐의 조성이 더 많은 층(x2>X1)과 질화갈륨물(GaN)층에 비해 1~2%의 인듐이 첨가된 인듐갈륨질화물(Inx3Ga1-x3N)의 층(x3=1~2%)을 포함하며, 단일 또는 다중 양자우물의 역할을 한다.
상기 p형층(24)은 p형의 불순물이 도핑된 질화갈륨계 물질로 형성되는 것이 바람직하고, 특히 마그네슘(Mg)을 도핑하여 p형 전도도를 나타내는 것이 바람직하다. 상기 p형층(24)의 두께는 0.1~0.3㎛인 것이 바람직하다.
상기 실시예에서 도 2b에 나타난 바와 같이, n형 기판(21)은 건식 식각에 의하여 표면에 요철이 형성된다.
상기 n형 기판(21)은 래핑(lapping) 및 폴리싱 연마를 통하여 100㎛ 정도의 두께로 평평하게 형성된 후에 요철이 형성되는 것이 바람직하며, 표면에서의 패터닝(patterning)을 통하여 n형 질화물 동종기판에 금속 전극패드를 오믹 접촉으로 접합할 부위를 고립시킨 후 그 나머지 부분에 요철을 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에서 상기 표면의 요철을 형성하는 방법은 다음과 같다. 우선 상기 n형 기판(21)의 표면에 니켈(Ni), 금(Au)을 각각 30~100Å의 두께로 순차적으로 증착, 적층한 후 열처리를 통하여 고용체를 형성시켜 응집화한다. 이때 열처리는 350~600℃에서 1분간 유지하는 것이 바람직하다. 이후 습식에 의한 염산 식각으로 표면에 남아있는 금속 층을 제거한다. 상기와 같이 처리된 n형 기판의 표면은 그 형상은 매끄러우나 금속이 열처리시 기판의 질화갈륨계 반도체 방면으로 확산하여 불균일하게 침투해 있다. 상기와 같은 n형 기판(21)의 표면에 ICP(유도결합플라즈마)를 이용하여 상기 n형 기판(21)을 식각하면 표면에 요철이 형성된다.
상기 실시예에서, 도 2c에서 반도체의 적층 중에서 최상층인 p형층(24)의 위에 높은 반사율을 가지는 금속 반사막 층(25)을 증착하여 오믹 접촉으로 접합한다. 상기 금속 반사막 층(25)을 통해서 p형층(24)으로 전류가 공급되는 것이 바람직하다.
도 2d에서 상기 금속 반사막 층(25)에는 열전도도가 우수한 물질이 냉금(26)이 증착된다.
도 2e에서 상기 n형 기판에는 n형층(22)으로 전자를 공급할 전극패드(27)가 증착되며, 특히 기판의 표면에 요철을 형성할 소정의 부분을 전극패드를 부착할 부분으로 고립시켜 둔 경우에는 상기 고립된 부분에 전극물질이 부착되는 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명의 반도체 발광소자 제조방법의 일 실시예에 의해 제조되는 반도체 발광소자에서 요철이 형성된 기판의 표면에 대한 주사전자 현미경 사진을 나타낸 것이다.
상기 도 3에 나타난 것과 같이 반도체 발광소자의 기판의 표면은 바늘 탐침 형태의 요철이 형성된다.
상기와 같이 본 발명에서는 반도체 클래드층과 같이 n형 질화갈륨계 물질로 구성되는 동종기판을 이용하여 질화갈륨 박막을 성장시키므로, 본 발명에 의해서 제작된 반도체 발광소자에서 기판과 성장된 에피박막 층 사이가 완전한 정합으로 이루어진다. 따라서 광자의 산란이 발생하지 않아 높은 내부 양자 효율을 가지며, 레이저 리프트 오프 방식에서와 같이 기판과 에피면의 박리가 불필요하며 활성층이 고온에 노출되는 현상이 거의 발생하지 않는다.
기판이 동종기판이므로 그 두께를 100㎛ 이상으로 형성할 수도 있어 요철의 깊이와 형상에 대한 제약이 줄어든다. n형 질화갈륨에 부착되는 패드전극의 크기가 100㎛에 이르러도 기판의 두께가 두꺼워 광이 발생하는 활성층과 패드전극 사이의 거리가 충분히 멀어서, 패드전극으로 가려지지 않은 부분으로도 광이 방출되므로 패드전극에 의해 광자의 방출이 저해되는 방출효율의 저하가 거의 없다.
또한, 본 발명에서는 n형 갈륨질화물에 요철을 주는 방법으로 습식식각에 의해 최조밀면을 식각하는 것이 아니라, 얇은 금속 고용체를 형성해 이를 이용한 서 브마이크로 단위의 마스크를 이용하여 건식식각 함으로써 상기 요철의 형상, 간격 및 깊이를 제어할 수 있다.
요철의 형상에 따라서 광자가 외부와의 경계면에 전반사각보다 작은 각도로 입사하는 경우가 늘어나 광자가 발광소자 내부에 갇혀서 전반사될 확률이 줄어든다. 발생한 광자가 소자 외부로 방출되는 확률이 높아져 소자의 발광 효율이 높아진다.
본 발명에 의한 반도체 발광소자의 일 실시예는 상기 반도체 발광소자 제조방법의 일 실시예에 따라 형성되며, 그 구성은 도 2e에 나타난 상기 제조방법의 일 실시예가 완료된 상태의 반도체 발광소자의 그것과 크게 다르지 않다.
본 발명의 반도체 발광소자의 일 실시예는 n형의 질화갈륨계 물질로 형성되고 아랫면에 요철이 형성된 n형 기판(21), 상기 기판 위에 순차적으로 적층된 n형으로 도핑된 질화갈륨계 물질의 클래드층(n형층, 22), 활성층(23), p형으로 도핑된 질화갈륨계 물질의 클래드층(p형층, 24), 상기 p형층의 위에 오믹 접착으로 접합되는 금속 반사막 층(25), 상기 금속 반사막 층에 증착되는 냉금물질(26) 및 상기 n형 기판의 아랫면에 오믹 접착으로 부착되는 전극 패드(27)를 포함한다.
상기 n형 기판 위해서 성장된 소자의 최상층부면은 p형으로 도핑된 질화갈륨계 물질의 클래드층(p형층, 24)이다. 상기 p형층(24)의 윗면에 오믹 접촉되는 금속 반사막 층(25)을 증착하면, 활성층에서 발생하는 광자가 p형층 쪽으로 방출되는 경 우는 금속 반사막에 의해 n형층(22) 쪽으로 반사되며, 이로써 n형층(22)을 통해서 광자가 방출되는 효율이 향상된다.
상기 금속 반사막 층(25)은 높은 광반사율을 가지는 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 납(Pd), 백금(Pt), 크롬(Cr), 금(Au), 텅스텐(W), 로듐(Rh), 구리(Cu) 등의 금속 또는 그 합금 중에서 선택되는 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
발광소자가 동작하는 동안 반도체 물질의 계면에서 많은 열이 발생하므로 상기 실시예에서와 같이 반도체와 오믹 접착하는 금속 반사막 층(25)에 냉금패드(26)를 부착하여 열 방출 특성을 좋게 하는 것이 바람직하다.
상기 냉금(26)은 열전도도가 우수한 알루미늄(Al), 구리(Cu), 동-텅스텐(CuW), 탄화규소(SiC) 등으로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 냉금(26)의 증착은 반도체 발광소자에서 방출되는 열을 외부로 효과적으로 방출하도록 한다.
상기 전극패드(27)는 상기 n형 기판(21)과 오믹 접착으로 접합되며, 상기 n형 기판(21)을 통해 n형층(22)으로 전자를 공급한다. 상기 p형층(24)으로의 전류공급은 상기 p형층(24)과 오믹 접착으로 접합된 금속 반사막 층(25)을 통해서 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 실시예에서 기타 기판, 클래드층, 활성층 등에 대한 구성은 도 2a 내지 도 2e에서 반도체 발광소자 제작방법의 일 실시예에 대해서 설명한 것과 큰 차이가 없으므로 설명을 생략한다.
상기와 같이 갈륨질화물로 형성된 동종기판을 이용하여 반도체 발광소자를 제작하는 경우, 상기 반도체 발광소자는 n형 기판의 아랫면에 요철이 형성된 거친 형상으로 인하여 내부에서 발생한 광자가 외부로 전반사 없이 방출되는 효율이 향상되며, 에피면 최상부에 오믹 접착으로 접합된 금속 반사막 층으로 인하여 요철이 형성된 n형 기판 쪽으로 광자들이 반사되어 방출되는 효율이 향상된다. 금속 반사막 층에 증착된 냉금패드는 발광소자가 동작할 때 발생하는 열을 효과적으로 방출시켜 소자의 신뢰성 향상에 크게 기여한다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반도체 클래드층과 기판 사이의 광자의 산란이 줄어들고, 광자가 전반사되지 않고 외부로 방출되는 확률이 커져 반도체 발광소자의 발광 효율이 향상된다.
또한, 본 발명에 의하면 냉금물질의 부착으로 반도체 발광소자가 동작할 때 발생하는 열이 효율적으로 방열되어 반도체 발광소자의 신뢰성이 향상된다.
Claims (13)
- 질화갈륨계 물질로 형성되는 기판을 마련하는 단계;상기 기판 위에 질화갈륨계 물질로 이루어진 제1 클래드층, 활성층 및 질화갈륨계 물질로 이루어진 제2 클래드층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 제2 클래드층의 윗면에 금속 반사막 층을 오믹 접착으로 접합하는 단계; 및상기 기판의 아랫면에 전극을 오믹 접착으로 접합하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1 클래드층 및 상기 기판은 n형의 불순물로 도핑되고, 상기 제2 클래드층은 p형의 불순물로 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 기판 위에 제1 클래드층, 활성층, 및 제2 클래드층을 순차적으로 적층하는 단계 이후에 상기 기판의 아랫면에 요철을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 기판의 아랫면에 요철을 형성하는 단계는 아랫면의 소정의 부분을 고립시키고 그 외의 부분에 요철을 형성하고, 상기 기판의 아랫면에 전극을 오믹 접착으로 접합하는 단계는 상기 전극을 상기 요철이 형성되지 않은 소정의 고립된 부분에 접합하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 기판의 아랫면에 요철을 형성하는 단계는 건식식각에 의해 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제2 클래드층에 금속 반사막 층을 오믹 접착으로 접합하는 단계 이후에 상기 금속 반사막 층에 냉금물질을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 질화갈륨계 물질로 이루어지는 기판;상기 기판의 위에 형성되는 질화갈륨계 물질로 이루어지는 제1 클래드층;상기 제1 클래드층의 위에 형성되는 활성층;상기 활성층의 위에 형성되고 질화갈륨계 물질로 이루어지는 제2 클래드층;상기 제2 클래드층의 위에 형성되고 상기 제2 클래드층과 오믹 접착으로 접합하는 금속 반사막 층; 및상기 기판의 아랫면에 오믹 접착으로 접합되는 전극패드를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 7항에 있어서, 상기 제1 클래드층 및 상기 기판은 n형의 불순물로 도핑되 고, 상기 제2 클래드층은 p형의 불순물로 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 7항에 있어서, 상기 기판은 아랫면에 요철이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 7항에 있어서, 상기 기판은 GaN, InGaN, AlGaN 으로 구성된 그룹에서 선택된 1종 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 7항에 있어서, 상기 금속 반사막 층은 Ag, Ni, Al, Pd, Pt, Cr, Au, W, Rh, Cu 및 그 합금으로 구성된 물질의 그룹에서 선택되는 것으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 7항에 있어서, 상기 금속 반사막 층의 위에 증착되는 냉금(chill)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 12항에 있어서, 상기 냉금은 Al, Cu, CuW 또는 SiC 중에서 선택되는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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