JP2007200932A - 窒化物半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体素子の製造方法は、基板上に、InGaNを含む光溶解層を形成する工程と、光溶解層上にInGaNを含む層を少なくとも1層以上積層し、窒化物半導体層を形成する工程と、少なくともInGaNを含む層が露出する側面に、絶縁膜を形成する工程と、電解液中で少なくとも一部が露出した光溶解層に、InGaNのバンドギャップエネルギーよりもエネルギーの大きい光を照射する工程とを含む。
【選択図】 図2
Description
図1を参照して、本発明の第1実施形態に係る窒化物半導体素子について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る窒化物半導体素子の断面構造を示す。
以下、図2乃至図8を参照して、本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法において行われる工程について説明する。
本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法によれば、InGaN層103上にInGaNを含む層を少なくとも1層以上積層し、少なくともInGaNを含む層が露出する側面に、絶縁膜113を形成し、InGaN層103に、InGaNのバンドギャップエネルギーよりもエネルギーの大きい光を照射することにより、窒化物半導体層のInGaNを含む層を保護しつつ、InGaN層103を溶解することができるため、窒化物半導体層に応力を加えることなく窒化物半導体層をサファイア基板101から分離することができる。
以下、本発明の第2実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の各ステップについて図2を参照しながら更に説明する。
以下、本発明の第3実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の各ステップについて図2を参照しながら更に説明する。
以下、本発明の第4実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の各ステップについて図2を参照しながら更に説明する。
以下、本発明の第5実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の各ステップについて図2を参照しながら更に説明する。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
103、203…InGaN層、104、204…n型バッファB層、
105、205、305…n型コンタクト層、106、206…n型超格子層、
108、208、308…MQW活性層、110、210、310…p型クラッド層、
111、211、311…p型コンタクト層、112、212…p型オーミック電極、
113、213…絶縁膜、114…コンタクトホール、115、215…反射ミラー膜、
116、216…支持基板、117、217…接着層、118…n型オーミック電極、
119、219…エッチング領域、301…基板、302…n型バッファ層、
306…n型クラッド層、307…n型光ガイド層、309…p型光ガイド層、312…p電極、
318…n電極
Claims (3)
- 基板上に、InGaNを含む光溶解層を形成する工程と、
前記光溶解層上にInGaNを含む層を少なくとも1層以上積層し、窒化物半導体層を積層する工程と、
少なくとも前記InGaNを含む層が露出する側面に、絶縁膜を形成する工程と、
電解液中で少なくとも一部が露出した前記光溶解層に、InGaNのバンドギャップエネルギーよりもエネルギーの大きい光を照射する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。 - 前記電解液中において、露出した前記窒化物半導体層のバンドギャップエネルギーは、前記光溶解層に照射される光のエネルギーよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記電解液は、KOH溶液又はNaOH溶液であり、
前記光の光源は、Xeランプ又は水銀ランプであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006014216A JP4804930B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006014216A JP4804930B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2007200932A true JP2007200932A (ja) | 2007-08-09 |
JP2007200932A5 JP2007200932A5 (ja) | 2009-03-05 |
JP4804930B2 JP4804930B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=38455260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006014216A Expired - Fee Related JP4804930B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4804930B2 (ja) |
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JP4804930B2 (ja) | 2011-11-02 |
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