KR100710394B1 - 수직형 발광 소자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수직형 발광 소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 칩 분리를 위한 레이저 리프트 오프(laser lift off) 공정 적용시 소자의 수율을 높게 하여 양산 가능하게 하는 것이다. 이러한 본 발명은, 절연 기판상에 복수의 반도체층들을 성장시키는 단계와; 상기 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계와; 상기 전극 위에 금속 지지부를 형성하는 단계와; 상기 절연 기판측에서 상기 반도체층의 단위 소자 구분영역에 레이저를 조사하여 홈을 형성하는 단계와; 상기 절연 기판을 제거하는 단계와; 상기 절연 기판이 제거된 개개의 반도체층 면에 금속 패드들을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
레이저, LED, 기판, 수율, 반도체.

Description

수직형 발광 소자의 제조방법{Method of manufacturing LED having vertical structure}
도 1 내지 도 6은 종래의 발광 소자 제조방법의 일례를 나타내는 도로서,
도 1은 기판에 반도체층을 형성하는 단계를 나타내는 단면도
도 2는 반도체층을 식각하는 단계를 나타내는 단면도
도 3은 반도체층에 전극 및 패시베이션층을 형성하는 단계를 나타내는 단면도
도 4는 결합금속과 금속 지지부를 형성하는 단계를 나타내는 단면도
도 5는 기판을 분리하고 전극을 형성하는 단계를 나타내는 단면도
도 6은 분리된 단위 소자를 나타내는 단면도
도 7 내지 도 13은 본 발명의 수직형 발광 소자의 제조방법의 일 실시예를 나타내는 단면도로서,
도 7은 기판에 복수의 반도체층을 형성하는 단계를 나타내는 단면도
도 8은 반도체층을 식각하는 단계를 나타내는 단면도
도 9는 반도체층에 전극 및 패시베이션층을 형성하는 단계를 나타내는 단면도
도 10은 결합금속과 금속 지지부를 형성하는 단계를 나타내는 단면도
도 11은 기판측에서 레이저를 조사하는 단계를 나타내는 단면도
도 12는 레이저 리프트 오프 공정을 나타내는 단면도
도 13은 기판을 분리하고 전극을 형성하는 단계를 나타내는 단면도
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
10 : 기판 11 : 홈
20 : 반도체층 25 : p형 전극
30 : 패시베이션층 40 : 결합금속
50 : 금속 지지부 60 : 포스트
70 : n형 전극
본 발명은 수직형 발광 소자의 제조방법에 관한 것으로 특히, 칩 분리를 위한 레이저 리프트 오프(laser lift off) 공정 적용시 소자의 수율을 높게 하여 양산 가능하게 하는 수직형 발광 소자의 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화 된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.
이러한 LED에 의해 방출되는 광의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.
질화 갈륨 화합물 반도체(Gallium Nitride: GaN)는 많은 주목을 받아왔다. 이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.
이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.
또한, 종래의 녹색 LED의 경우에는 처음에는 GaP로 구현이 되었는데, 이는 간접 천이형 재료로서 효율이 떨어져서 실용적인 순녹색 발광을 얻을 수 없었으나, InGaN 박박성장이 성공함에 따라 고휘도 녹색 LED 구현이 가능하게 되었다.
이와 같은 이점 및 다른 이점들로 인해, GaN 계열의 LED 시장이 급속히 성장하고 있다. 따라서, 1994년에 상업적으로 도입한 이래로 GaN 계열의 광전자장치 기술도 급격히 발달하였다.
GaN 발광 다이오드의 효율은 백열등의 효율을 능가하였고, 현재는 형광등의 효율에 필적하기 때문에, GaN 계열의 LED 시장은 급속한 성장을 계속할 것으로 예상된다.
상기와 같은, GaN 소자 기술의 급속한 발전에도 불구하고, GaN 소자의 제작에는 비용이 큰 단점을 지닌다. 이는 GaN 박막(epitaxial layers)을 성장시키고 연 이어 완성된 GaN 계열의 소자들을 절단하는 어려움과 관련된다.
GaN 계열의 소자들은 일반적으로 사파이어(Al2O3) 기판상에 제조된다. 이는 사파이어 웨이퍼가 GaN 계열의 장치들을 대량 생산하는데 적합한 크기로 상용으로 이용가능하고, 비교적 고품질의 GaN 박막 성장을 지지하며, 광범위한 온도처리 능력 때문이다.
또한, 사파이어는 화학적으로 그리고 열적으로 안정적이며, 고온 제조공정을 가능하게 하는 고융점을 가지고, 높은 결합 에너지(122.4 Kcal/mole)와 높은 유전상수를 갖는다. 화학적으로, 사파이어는 결정성 알루미늄 산화물(Al2O3)이다.
한편, 사파이어는 절연체이기 때문에 사용한 사파이어 기판(또는 다른 절연체 기판)을 사용하는 경우 이용가능한 LED 소자의 형태는, 실제로, 수평(lateral) 또는 수직(vertical) 구조로 제한된다.
상기 수평구조에서는, LED로의 전류를 주입하는데 사용되는 금속 접점(contact)은 상단면에(또는 기판의 동일면상에) 모두 위치한다. 반면, 수직구조에서는 한 금속 접점은 상단면상에 있고, 다른 접점은 사파이어(절연) 기판이 제거된 후 하단면상에 위치된다.
또한, LED 칩을 제조한 이후에 이 칩을 열전도도가 우수한 실리콘 웨이퍼나 세라믹 기판 등의 서브마운트에 뒤집어 부착시키는 플립칩 본딩 방식도 많이 이용되고 있다.
그러나 상기와 같은 수평구조나 플립칩 방식은, 사파이어 기판의 열전도도가 약 27W/mK로서 열저항이 매우 크기 때문에 열방출 효율에 있어서 문제가 되며, 상기 플립칩 방식은 많은 단계의 포토리소그라피 공정을 필요로 하여 제작 공정이 복잡한 단점이 있었다.
이러한 문제점들과 관련하여 사파이어 기판을 제거하는 LED의 수직구조가 크게 주목받고 있다.
종래의 이러한 수직형 LED를 제조하는 방법을 설명하면 다음과 같다.
이러한 수직구조는 도 1과 같이, 사파이어 기판(1)에 GaN LED 구조(2)를 형성한 후에, 각 소자의 영역을 구분하는 이른바, 트렌치 식각을 수행하여, 도 2에서 도시하는 바와 같이 트렌치(3)를 형성한다.
상기 트렌치 식각은 사파이어 기판(1)이 드러나도록 식각을 하게 되는데, 이 깊이는 대략 5 ~ 10㎛에 이르러, 매우 긴 시간이 소요되는 공정이다.
이러한 트렌치 식각을 수행한 후에는, 도 3과 같이, p형 전극(4)을 형성하고, 이와 같은 전극(4)이 형성된 소자의 측면에는 패시베이션층(5)을 형성할 수도 있다.
이후, 레이저 리프트 오프(laser lift off: LLO) 공정에 의하여 사파이어 기판(1)을 제거하기 위하여, 도 4와 같이, 상기 전극(4)이 형성된 소자의 상측에 금속이나 반도체 웨이퍼 와 같은 지지구조(7)를 부착하게 되는데, 이때, 지지구조(7)의 접합을 용이하게 하기 위한 결합금속(6)층이 적층될 수 있다.
그 후에 사파이어 기판(1)은 350nm 미만의 파장을 갖는 엑시머 레이저(eximer laser)로부터 조사되는 광을 사용하여, LED 구조(2)의 나머지로부터 제거 된다.
이후에, 도 5에서와 같이, LED 구조의 상기 기판(1)이 제거된 면에 n형 전극(8)을 형성하고, 도 6과 같이, 단위소자로 분리하고 이를 패키징 함으로써 LED 제작이 완성된다.
이때, 상기 레이저 리프트 오프(LLO) 공정에서, 레이저 빔은 사파이어 기판(1)을 통과하고, 사파이어 기판(1)과 n-GaN 버퍼층에 국소적인 열을 야기한다. 이러한 열은 사파이어 기판(1)과 GaN 버퍼층의 계면에서 GaN을 Ga와 N2 가스로 분해시키고, 따라서 사파이어 기판(1)이 분리되게 한다.
이러한 레이저 리프트 오프 공정은 청(Cheung) 등에 의하여 2000년 6월 6일에 발간된 'Separation of Thin Films From Transparent Substrates By Selective Optical Processing' 이라는 제목의 미국특허 제6,071,795호와 켈리 등(Kelly et al.)의 'Optical Process For Liftoff Of Group Ⅲ-nitride Films' 이라는 제목의 논문 Physica Status Solidi (a) vol. 159, 1997, pp. R3-R4에 설명되어 있다.
이와 같은 레이저 리프트 오프 공정은 제작 공정이 획기적으로 줄어들고, 발광 특성이 우수한 장점이 있으나, 이와 같은 종래의 레이저 리프트 오프 공정은 레이저 조사시 사파이어 기판과 LED 구조 사이에 발생하는 열적 스트레스에 의하여 LED 결정 구조에 손상이 발생한다.
또한, 레이저 조사시 Ga와 분리되어 방출되는 N2 가스는 LED 구조를 통과하게 되어 LED 결정구조에 손상이 발생하기 때문에 수율이 현저히 감소하여 양산화가 어려운 문제점이 있었다.
한편, 이러한 레이저 리프트 오프 공정을 수행하기 위한 통상의 트렌치 식각은 상기한 바와 같이, 매우 긴 시간을 필요로 하는 문제점이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 레이저 리프트 오프 공정을 수행하는 경우에 발생하는 열적 스트레스 및 N2 가스 등에 의하여 반도체층에 손상되는 것을 방지할 수 있고, 칩 영역을 분리하는 식각에 긴 시간이 소요되지 않으며, 용이하게 칩을 분리할 수 있는 수직형 발광 소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위해, 본 발명은, 절연 기판상에 복수의 반도체층들을 성장시키는 단계와; 상기 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계와; 상기 전극 위에 금속 지지부를 형성하는 단계와; 상기 절연 기판측에서 상기 반도체층의 단위 소자 구분영역에 레이저를 조사하여 홈을 형성하는 단계와; 상기 절연 기판을 제거하는 단계와; 상기 절연 기판이 제거된 개개의 반도체층 면에 금속 패드들을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 다른 관점으로서, 본 발명은, 절연 기판상에 복수의 GaN 계열 반도체층들을 성장시키는 단계와; 상기 복수의 반도체층을 식각하여 단위 소자 영역을 구분하는 단계와; 상기 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계와; 상기 전극 위에 금속 지지부를 형성하는 단계와; 상기 절연 기판측에서 상 기 식각된 부분에 레이저를 조사하는 단계와; 상기 절연 기판을 제거하는 단계와; 상기 절연 기판이 제거된 개개의 반도체층 면에 금속 패드들을 형성하는 단계를 포함하여 구성하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 7에서 도시하는 바와 같이, 본 발명의 발광 소자 제조를 위해서는 먼저 사파이어 기판(10) 위에 복수의 GaN 반도체층(20)들을 성장시키는 과정을 수행한다.
이러한 GaN 반도체층(20)은 상기 기판(10) 위에 형성되는 n형 GaN층(21)과, 이 n형 GaN층(21) 위에 형성되는 활성층(22)과, 이 활성층(22) 위에 형성되는 p형 GaN층(23)으로 구성되며, 상기 n형 GaN층과 기판(10) 사이에는 별도의 버퍼층(24)이 형성될 수도 있다.
상기 활성층(22)은 GaN 계열 단일 양자 우물구조(SQW: single quantum well)나 다중 양자 우물구조(MQW: multi quantum well)일 수 있으며, 또한 이들의 초격자(SL: supper lattice) 등의 양자구조일 수도 있다.
이와 같은 활성층(22)의 양자구조는 GaN 계열의 다양한 물질을 조합하여 이루어질 수 있고, 그 예로 AlInGaN, InGaN 등이 사용될 수 있다.
이와 같이, 기판(10) 위에 형성된 반도체층(20)은, 도 8에서와 같이, 단위 소자 영역을 구분하기 위하여 메사 식각을 할 수도 있다.
상기 메사 식각은 기판(10)이 드러나는 정도까지 수행하는 트렌치 식각과는 다르게, 상기 반도체층(20) 중에서 n형 GaN층(21)이 드러나도록 식각을 수행하는 것이며, 이는 트렌치 식각보다 매우 짧은 시간 내에 수행될 수 있다.
이후에, 도 9에서 도시하는 바와 같이, 상기 GaN 반도체층(20) 위에 p형 전극(25)을 형성한다.
상기 p형 전극(25)은 오믹(ohmic)전극과 반사전극을 포함할 수 있으며, 이때 상기 오믹전극은 투명전극이 사용되는데, 루테늄/금(Ru/Au), 니켈/금(Ni/Au) 또는 인듐-주석-산화물(indium-tin-oxide, ITO)와 같은 임의의 적절한 재료로 제조될 수 있다.
상기 반사전극은 반도체층(20)에서 발생된 빛이 효과적으로 발산될 수 있도록 반사하는 역할을 하며, 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)과 기타 높은 반사도를 가지는 물질을 이용하여 형성한다.
상기와 같이 메사 식각을 하는 경우에는 상기 반도체층(20)이 식각에 의하여 드러난 부분에 절연체를 이용하여 패시베이션층(30)을 형성할 수 있다.
이후에는, 도 10에서와 같이, 상기 p형 전극(25) 위에 금속 지지부(50)를 적층하게 되는데, 이러한 금속 지지부(50)가 상기 p형 전극(25)에 잘 붙을 수 있도록 결합금속(seed metal: 40)을 먼저 적층한 후에 금속 지지부(50)를 형성할 수도 있다.
상기 금속 지지부(50)는 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni) 중 하나를 도금(electro- plating)하여 형성하거나, 이들의 합금을 이용할 수 있다.
이러한 금속 지지부(50)이 두께는 30 ~ 200㎛로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 결합금속(40)은 티타늄(Ti), 백금(Pt), 금(Au), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 이용하거나, 이들의 합금을 이용한다.
이때, 상기 오믹전극과 반사전극 사이, 그리고 반사전극과 결합금속(40) 사이에는 상기 금속 지지부(50)의 도금시 금속이 하부층으로 전이되는 것을 방지하기 위한 확산방지벽(도시되지 않음)이 형성될 수도 있다.
또한, 상기 반도체층(20)을 단일 소자로 분리함에 있어서의 편의성을 위하여 상기 메사 식각된 부분에는 포스트(60)를 형성한 후에 금속 지지부(50)를 형성할 수도 있다.
상기 포스트(60)는 포토 레지스트를 이용하는 것이 바람직하며, 추후에 소자 분리를 위하여, 상기 포스트(60)가 드러날때까지 금속 지지부(50)를 얇게 할 수 있다.
이와 같은 구조에서, 도 11과 같이, 기판(10) 측에서 상기 메사 식각된 부분에 레이저를 조사하여, 레이저가 기판(10)을 통과하고 반도체층(20)의 하측에 이르러, 상기 반도체층(20)의 하측에 홈(11)을 형성(laser scribing)한다.
즉, 이 홈(11)은, 도 12에서와 같이, 상기 반도체층(20)의 버퍼층 또는 n형 GaN층에 이를 때까지 형성하며, 이러한 홈(11)은 이후에 레이저 리프트 오프 공정을 수행할 때, 열적 스트레스나 질소 가스가 방출될 수 있도록 한다.
한편, 상기 홈(11)은 포스트(60)의 하부에 이를때까지, 또는 상기 금속 지지부(50)를 관통할때까지 형성할 수도 있음은 물론이다.
상기 레이저는 다양한 레이저가 이용될 수 있으나, DPSS(diode pumped solid state) 레이저를 이용하는 것이 바람직하며, 266nm 파장의 광을 이용할 수 있고, 그 외의 다양한 파장과 강도를 갖는 광을 이용할 수도 있다.
이러한 DPSS 레이저는 기존의 고출력 레이저인 CO2 레이저, 플래시 램프로 펌핑된 Nd:YAG 레이저, 엑시머(excimer) 레이저 등에 비하여 고출력, 고효율, 장수명, 고신뢰성, 경량 등의 많은 장점을 갖는다.
즉, 플래시 램프를 이용하여 펌핑하는 레이저의 경우, 플래시 램프는 60%가 넘는 발광효율을 얻고 있지만, 발광 스펙트럼이 자외선 영역에서 적외선 영역까지 넓은 파장대를 형성하고 있어, 고체레이저 매질의 흡수 스펙트럼과 정합성이 낮아 레이저 효율이 수% 정도이다.
그러나 DPSS 레이저는, 일례로 수십W(와트) 급의 GaAlAs계의 레이저 다이오드를 이용한 펌핑은 Nd3 +을 활성이온으로 하는 고체레이저 매질의 흡수 스펙트럼과 잘 일치하여 레이저 효율이 30%를 넘는다.
상기와 같이, 홈(11)을 형성한 후에는, 통상의 레이저 리프트 공정을 이용하여 기판(10)을 분리하게 된다.
즉, 엑시머 레이저를 상기 기판(10)측에서 조사하고, 이 레이저 빔은 기판(10)을 통과하고, 사파이어 기판(10)과 버퍼층(24)에 국소적인 열을 야기한다. 이러한 열은 사파이어 기판(10)과 GaN 버퍼층(24)의 계면에서 GaN을 Ga와 N2 가스로 분해시키고, 따라서 사파이어 기판(10)이 분리되게 한다.
이때, 상기 국소적인 열은 GaN을 Ga와 N2 가스로 분해시키면서 상기 홈(11)을 통하여 발산될 수 있고, N2 가스 또한 반도체층(20)을 손상시키지 않고, 이 홈(11)을 통하여 배출될 수 있다.
이러한 레이저 리프트 오프 공정을 통하여 기판(10)을 제거한 후에는, 도 13에서 도시하는 바와 같이, 상기 기판(10)이 제거된 면의 각 소자에 다수의 n형 전극(70)을 형성한다.
상기 n형 전극(70)은 도시하는 바와 같이 메탈 패드의 형태일 수 있다.
상기와 같이, n형 전극(70)을 형성하여 LED 소자를 완성한 후에는 이를 개개의 단위 소자로 분리하는 과정이 수행된다.
상기 포스트(60)를 형성한 경우에는 상기 포스트(60)를 제거함으로써, 이 포스트(60)가 제거된 부분에 간극(61)이 형성되어, 이 간극(61)을 이용하여 개개의 소자로 분리하게 된다.
이때, 상기 금속 지지부(50)를 얇게 하여, 상기 포스트(60)가 상측에 드러나도록 하는 것이 바람직하다.
이때 금속 지지부(50)의 두께는 대략 70㎛가 될 때까지 얇게 할 수 있다.
개개의 소자로 분리하는 과정은 팽창 테이프(expansion tape)를 이용하여, 분리할 수 있다.
상기와 같이 분리된 개개의 소자는 패키징을 수행함으로써 발광 소자로 완성되게 된다.
상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.
이상과 같은 본 발명은 레이저 리프트 오프 과정 중에서 발생하는 국소적인 열이 발산될 수 있고, N2 가스 또한 반도체층을 손상시키지 않고 배출될 수 있어, 소자의 신뢰성과 수명을 향상시키고, 소자의 수율을 향상시키는 효과가 있으며, 트렌치 식각이 필요 없으므로 제작 시간이 감소하고, 개개의 소자로 분리하는 공정을 단순화 하는 효과가 있는 것이다.

Claims (18)

  1. 절연 기판상에 복수의 반도체층들을 성장시키는 단계와;
    상기 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계와;
    상기 전극 위에 금속 지지부를 형성하는 단계와;
    상기 절연 기판측에서 상기 반도체층의 단위 소자 구분영역에 레이저를 조사하여 홈을 형성하는 단계와;
    레이저를 조사하여 상기 절연 기판을 제거하는 단계와;
    상기 절연 기판이 제거된 개개의 반도체층 면에 금속 패드들을 형성하는 단계를 포함하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 반도체층들을 성장시키는 단계는,
    상기 기판 위에 n형 반도체층을 형성하는 단계와;
    상기 n형 반도체층 위에 활성층을 형성하는 단계와;
    상기 활성층 위에 p형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 단계는,
    오믹전극을 형성하는 단계와;
    상기 오믹전극 위에 반사전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 오믹전극과 반사전극은 상기 반도체층 위를 완전히 또는 부분적으로 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 오믹전극과 반사전극 사이 및 반사전극 상측 중 적어도 어느 한 위치에는 확산방지벽이 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 전극 위에 금속 지지부를 형성하는 단계는,
    상기 전극 위에 결합금속을 적층한 후에, 이 결합금속 위에 상기 금속 지지부를 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 금속 지지부를 형성하는 단계 사이에는,
    상기 반도체층의 단위 소자 영역을 구분하는 부분에 포스트를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 레이저를 조사하여 홈을 형성하는 단계는, 상기 홈이 적어도 상기 반도체층에 이르도록 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 레이저는 DPSS(diode pumped solid state) 레이저인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 레이저의 파장은 266nm인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 금속 지지부는 Cu, Au, Ni 중 하나 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 금속 지지부의 두께는 30 ~ 200㎛인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 금속 패드가 형성된 반도체층을 단위 소자로 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  14. 절연 기판상에 복수의 GaN 계열 반도체층들을 성장시키는 단계와;
    상기 복수의 반도체층을 식각하여 단위 소자 영역을 구분하는 단계와;
    상기 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계와;
    상기 전극 위에 금속 지지부를 형성하는 단계와;
    상기 절연 기판측에서 상기 식각된 부분에 레이저를 조사하는 단계와;
    상기 절연 기판을 제거하는 단계와;
    상기 절연 기판이 제거된 개개의 반도체층 면에 금속 패드들을 형성하는 단계를 포함하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 단위 소자 영역을 구분하는 단계는,
    상기 복수의 반도체층의 n형 GaN층이 드러나도록 식각하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  16. 제 14항에 있어서, 상기 전극 위에 금속 지지부를 형성하는 단계는,
    상기 반도체층이 식각된 부분에 포스트를 형성한 후에, 상기 금속 지지부를 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  17. 제 14항에 있어서, 상기 반도체층 상에 전극을 형성하는 단계와 상기 전극 위에 금속 지지부를 형성하는 단계 사이에는, 상기 식각되어 드러난 면에 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
  18. 제 14항에 있어서, 상기 금속 패드가 형성된 반도체층을 단위 소자로 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
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