KR100774198B1 - 수직형 발광 소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 수직형 발광 소자에 관한 것으로 특히, 기판을 분리하는 과정에서 발생하는 충격을 완화할 수 있는 구조를 가지는 것이다. 이러한 본 발명은, 복수의 반도체층과; 상기 반도체층의 일측면에 위치하는 제1전극과; 상기 반도체층의 타측면에 위치하는 제2전극과; 상기 제1전극에 부착되는 충격 완화층과; 상기 충격 완화층에 부착되는 금속 지지부를 포함하여 구성된다.

레이저, LED, 기판, 수율, 반도체.

Description

수직형 발광 소자 {LED having vertical structure}

도 1은 종래의 수직형 발광 소자 구조에서 기판을 분리하는 상태를 나타내는 개략도이다.

도 2는 종래의 수직형 발광 소자 구조에서 기판을 분리한 면을 나타내는 사진이다.

도 3은 종래의 반도체 웨이퍼를 본딩하여 수직형 발광 소자를 분리하는 상태를 나타내는 단면도이다.

도 4는 종래의 금속 지지판을 본딩하여 수직형 발광 소자를 분리하는 상태를 나타내는 단면도이다.

도 5는 본 발명의 수직형 발광 소자의 제 1실시예의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.

도 6은 본 발명의 수직형 발광 소자의 제 1실시예를 나타내는 단면도이다.

도 7은 본 발명의 수직형 발광 소자의 제 2실시예의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.

도 8은 본 발명의 수직형 발광 소자의 제 2실시예를 나타내는 단면도이다.

도 9는 본 발명의 수직형 발광 소자의 제 3실시예의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.

도 10은 본 발명의 수직형 발광 소자의 제 3실시예를 나타내는 단면도이다.

도 11은 본 발명의 수직형 발광 소자의 제 4실시예의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.

도 12는 본 발명의 수직형 발광 소자의 제 4실시예를 나타내는 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>

10 : 기판 20 : 반도체층

30 : 제1전극 40 : 결합금속

50 : 충격 완화층 60 : 금속 지지부

70 : 제2전극 80 : 패시베이션층

본 발명은 수직형 발광 소자에 관한 것으로 특히, 기판을 분리하는 과정에서 발생하는 충격을 완화할 수 있는 구조를 가지는 수직형 발광 소자에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화 된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.

이러한 LED에 의해 방출되는 광의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대 (conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.

질화 갈륨 화합물 반도체(Gallium Nitride: GaN)는 많은 주목을 받아왔다. 이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.

이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.

또한, 종래의 녹색 LED의 경우에는 처음에는 GaP로 구현이 되었는데, 이는 간접 천이형 재료로서 효율이 떨어져서 실용적인 순녹색 발광을 얻을 수 없었으나, InGaN 박박성장이 성공함에 따라 고휘도 녹색 LED 구현이 가능하게 되었다.

이와 같은 이점 및 다른 이점들로 인해, GaN 계열의 LED 시장이 급속히 성장하고 있다. 따라서, 1994년에 상업적으로 도입한 이래로 GaN 계열의 광전자장치 기술도 급격히 발달하였다.

GaN 발광 다이오드의 효율은 백열등의 효율을 능가하였고, 현재는 형광등의 효율에 필적하기 때문에, GaN 계열의 LED 시장은 급속한 성장을 계속할 것으로 예상된다.

상기와 같은, GaN 소자 기술의 급속한 발전에도 불구하고, GaN 소자의 제작에는 비용이 큰 단점을 지닌다. 이는 GaN 박막(epitaxial layers)을 성장시키고 연이어 완성된 GaN 계열의 소자들을 절단하는 어려움과 관련된다.

GaN 계열의 소자들은 일반적으로 사파이어(Al₂O₃) 기판상에 제조된다. 이는 사파이어 웨이퍼가 GaN 계열의 장치들을 대량 생산하는데 적합한 크기로 상용으로 이용가능하고, 비교적 고품질의 GaN 박막 성장을 지지하며, 광범위한 온도처리 능력 때문이다.

또한, 사파이어는 화학적으로 그리고 열적으로 안정적이며, 고온 제조공정을 가능하게 하는 고융점을 가지고, 높은 결합 에너지(122.4 Kcal/mole)와 높은 유전상수를 갖는다. 화학적으로, 사파이어는 결정성 알루미늄 산화물(Al₂O₃)이다.

한편, 사파이어는 절연체이기 때문에 사용한 사파이어 기판(또는 다른 절연체 기판)을 사용하는 경우 이용가능한 LED 소자의 형태는, 실제로, 수평(lateral) 또는 수직(vertical) 구조로 제한된다.

상기 수평구조에서는, LED로의 전류를 주입하는데 사용되는 금속 접점(contact)은 상단면에(또는 기판의 동일면상에) 모두 위치한다. 반면, 수직구조에서는 한 금속 접점은 상단면상에 있고, 다른 접점은 사파이어(절연) 기판이 제거된 후 하단면상에 위치된다.

또한, LED 칩을 제조한 이후에 이 칩을 열전도도가 우수한 실리콘 웨이퍼나 세라믹 기판 등의 서브마운트에 뒤집에 부착시키는 플립칩 본딩 방식도 많이 이용되고 있다.

그러나 상기와 같은 수평구조나 플립칩 방식은, 사파이어 기판의 열전도도가 약 27W/mK로서 열저항이 매우 크기 때문에 열방출 효율에 있어서 문제가 되며, 상 기 플립칩 방식은 많은 단계의 포토리소그라피 공정을 필요로 하여 제작 공정이 복잡한 단점이 있었다.

이러한 문제점들과 관련하여 사파이어 기판을 제거하는 LED의 수직구조가 크게 주목받고 있다.

이와 같은 수직구조의 LED에서는 사파이어 기판의 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 레이저 리프트 오프(LLO: Laser Lift Off) 방법을 이용하여 사파이어 기판을 제거하고 소자를 제작하게 된다.

레이저 리프트 오프 방법을 적용하는데 있어 레이저 빔의 크기와 균일함의 한계로 인하여 사파이어 기판 전면을 한번에 제거할 수 없기 때문에 균일하게 제작된 작은 사이즈의 빔을 사파이어 기판에 일부분씩 조사하여 사파이어 전체를 제거하게 된다.

이때, 레이저 입사시 GaN 박막에는 레이저에 의한 스트레스(Stress)가 가해지게 되는데, 도 1에서 볼 수 있듯이, 사파이어 기판(1)과 GaN 박막(2)을 분리 하기 위해서는 높은 에너지 밀도를 갖는 레이저 빔을 사용하여야 하며, 이 레이저 빔에 의하여 금속 Ga과 기체 질소(N₂)로 분해하게 된다.

이러한 분해된 질소 가스는 그 팽창력이 상당히 크므로 GaN 박막(2) 뿐만 아니라 그 지지층 및 소자 제작을 위한 각 금속층에도 상당한 충격을 주어 일차적으로 그 접착도를 악화시키며 더 나아가 전기적 특성을 해치게 된다.

이러한 결과는 도 2에서 관찰할 수 있는데, 이와 같은 LLO 공정 후의 GaN 박 막은 테두리 부위에 굴곡을 갖는 것처럼 보이는 물결무니가 발생할 수 있다. 또한 LLO공정 중에 이러한 박막의 접착도가 불량인 부분을 많이 관찰 할 수 있다.

또한, 이러한 방법은 빔이 겹쳐지는 부분에서 LED를 이루는 GaN 층의 뒷 표면이 손상되는 문제가 발생하게 되며 GaN 층의 일부 막질이 좋지 못한 부분에서 발생할 수 있는 크랙이 다른 부분으로 전파되는 현상이 발생하게 된다.

이와 같은 현상을 막기 위하여, GaN 층의 일부 막을 에칭하여 소자 각각을 분리한 후, 도 3에서와 같이, Si, GaAs 등의 반도체 웨이퍼(5)를 본딩(Bonding)하거나 도 4와 같이, Cu, Au, Ni 등의 메탈을 이용한 도금의 방법으로 금속 지지부(7)를 만들어 준 후 사파이어 기판(1)를 분리시키는 방법을 사용하게 된다.

즉, 도 3의 방법에 있어서의 특징은 기판(1)에 형성된 GaN 박막(2)에, GaN 물질과 열팽창계수가 상당한 차이를 갖는 웨이퍼(5)을 전극(3)에 결합되는 본딩물질(4)에 의하여 본딩하므로 본딩 후 웨이퍼(5)의 큰 휘어짐과 동시에 본딩 계면상의 불량인 다수의 빈공간을 관찰 할 수 있다.

이때, 본딩 후에 각 소자와 소자사이의 트렌치(Trench)의 빈 공간에 공기가 잔존하게 될 경우가 발생하게 되는데, 이러한 공기는 레이저(Laser)의 강한 열에너지로 인해 팽창되어 주위의 GaN 박막(2)에 크랙을 발생시키는 원인이 된다.

한편, 도 4와 같이, Cu, Au, Ni 등의 금속 지지부(7)를 이용한 도금에 의한 지지기판 제작 형태는 도 3과 같은 본딩 공정에 비해 열을 가하지 않으므로 열적 안정을 갖고 도금 후 금속 지지부(7)의 휨 정도 또한 본딩에 비해 현저히 적다.

그러나 이러한 도금 공정에 있어서도 레이저에 의한 스트레스로 인한 GaN 박 막(2)과 전극(3), 결합금속(6)과 같은 막들과의 접촉도가 악화되며 GaN 층을 이용한 소자제작을 위해 사용된 금속층(3, 6)들의 전기적 특성에도 나쁜 영향을 미치고, GaN 박막(2)의 전기적인 전극 물질인 오믹(Ohmic) 금속과의 전기적 특성이 악화되는 문제를 야기한다.

위와 같은 이유로 레이저를 이용한 기판 분리시 레이저에 의한 충격을 최소화 하여야 할 필요성이 대두된다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 레이저 리프트 오프 공정을 수행하여 기판을 분리하는 과정에서 발생하는 충격을 완화시켜 GaN 박막에서 발생할 수 있는 크랙을 최소화하여 소자의 안정성을 확보하며, 전극의 오믹 특성을 유지할 수 있는 수직형 발광 소자를 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은, 복수의 반도체층과; 상기 반도체층의 일측면에 위치하는 제1전극과; 상기 반도체층의 타측면에 위치하는 제2전극과; 상기 제1전극에 부착되는 충격 완화층과; 상기 충격 완화층에 부착되는 금속 지지부를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

상기 충격 완화층은 상기 금속 지지부로 이용되는 금속보다 연성이 큰 금속이며, In, Sn, Ag, Au, Pt, Al 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.

상기 제1전극과 충격 완화층 사이, 또는 상기 충격 완화층과 금속 지지부 사 이에는 금속간의 결합을 용이하게 하는 결합금속이 구성될 수 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 다른 관점으로서, 본 발명은, 복수의 반도체층과; 상기 반도체층의 일측면에 위치하는 제1전극과; 상기 반도체층의 타측면에 위치하는 제2전극과; 상기 제1전극과 반도체층의 측면에 위치하는 패시베이션층과; 상기 제1전극에 부착되는 충격 완화층과; 상기 충격 완화층에 부착되는 금속 지지부를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위한 다른 관점으로서, 복수의 반도체층과; 상기 반도체층의 일측면에 위치하는 제1전극과; 상기 반도체층의 타측면에 위치하는 제2전극과; 상기 제1전극과 반도체층의 측면에 위치하는 패시베이션층과; 상기 제1전극에 부착되는 충격 완화층과; 상기 충격완화층과 패시베이션층을 덮는 결합금속과; 상기 결합금속을 덮는 구조로 상기 복수의 반도체층을 지지하는 금속 지지부를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

본 발명의 목적을 이루기 위한 다른 관점으로서, 복수의 반도체층과; 상기 반도체층의 일측면에 위치하는 제1전극과; 상기 반도체층의 타측면에 위치하는 제2전극과; 상기 제1전극과 반도체층의 측면에 위치하는 패시베이션층과; 상기 제1전극과 패시베이션층을 덮는 결합금속과; 상기 결합금속에 상기 제1전극과 대향하여 위치하는 충격 완화층과; 상기 충격 완화층과 결합금속을 덮는 구조로 상기 복수의 반도체층을 지지하는 금속 지지부를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 5에서 도시하는 바와 같이, 수직형 발광 소자의 제작에 있어서, 먼저, 사파이어 기판(10) 위에 복수의 반도체층들(20)을 성장시킨다.

이러한 GaN 반도체층(20)은 상기 기판(10) 위에 형성되는 n형 GaN층과, 이 n형 GaN층 위에 형성되는 활성층과, 이 활성층 위에 형성되는 p형 GaN층으로 구성되며, 상기 n형 GaN층과 기판(10) 사이에는 별도의 버퍼층이 형성될 수도 있다.

또한, 상기와 반대로, 기판(10) 위에 p형 GaN층이 형성되고, 그 위에 활성층과 n형 GaN층이 차례로 위치할 수도 있다.

상기 활성층(22)은 GaN 계열 단일 양자 우물구조(SQW: single quantum well)나 다중 양자 우물구조(MQW: multi quantum well)일 수 있으며, 또한 이들의 초격자(SL: supper lattice) 등의 양자구조일 수도 있다.

이와 같은 활성층(22)의 양자구조는 GaN 계열의 다양한 물질을 조합하여 이루어질 수 있고, 그 예로 AlInGaN, InGaN 등이 사용될 수 있다.

이때, 상기 반도체층(20)은 식각을 통하여 단위 소자 영역으로 구분된다.

이러한 식각은 이른바 트렌치 식각이라 하여, 기판(10)이 드러날때까지 수행하게 된다.

이후에, 도 5에서 도시하는 바와 같이, 상기 GaN 반도체층(20) 위에 제1전극(30)을 형성하고, 위와 같은 식각에 의하여 드러난 공간에는 에폭시 등과 같이 용이하게 제거가 가능한 물질이 채워지게 된다

상기 제1전극(30)은 오믹(ohmic)전극과 반사전극을 포함할 수 있으며, 이때 상기 오믹전극은 투명전극이 사용되는데, 루테늄/금(Ru/Au), 니켈/금(Ni/Au) 또는 인듐-주석-산화물(indium-tin-oxide, ITO)와 같은 임의의 적절한 재료로 제조될 수 있다.

이러한 제1전극(30)은 p형 전극일 수 있으나, 상기 반도체층(20)의 배치에 따라 n형 전극이 될 수도 있다.

상기 반사전극은 반도체층(20)에서 발생된 빛이 효과적으로 발산될 수 있도록 반사하는 역할을 하며, 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)과 기타 높은 반사도를 가지는 물질을 이용하여 형성한다.

상기 제1전극(30)의 상측에는 이후 적층될 금속층(50, 60)의 결합을 용이하게 하기 위한 결합금속(seed metal: 40)이 적층된다.

상기 결합금속(40)은 티타늄(Ti), 백금(Pt), 금(Au), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 이용하거나, 또는 이들의 합금을 이용한다.

그런 후에, 상기 결합금속(40) 위에 이후에 수행될 레이저 리프트 오프 공정에 의하여 전해지는 충격을 완화하기 위한 충격 완화층(50)이 형성된다.

이러한 충격 완화층(50)은 도 7에서 도시하는 바와 같이, 상기 결합금속(40)과 순서를 달리하여 형성될 수도 있다. 즉, 제1전극(30) 위에 충격 완화층(50)이 형성되고, 그 위에 결합금속(40)이 층으로 형성될 수 있는 것이다.

다시 도 5의 경우로 설명하면, 이후에 상기 충격 완화층(50) 위에 금속 지지부(60)를 형성한다. 이러한 금속 지지부(60)는 Cu, Ni, Au와 같은 금속을 이용하여 도금(electro plating)과 같은 방법으로 형성한다.

상기 충격 완화층(50)은 상기 금속 지지부(60)로 사용되는 금속보다 연성이 우수하여 레이저 리프트 오프 공정에서 발생하는 충격을 흡수하여, 이러한 충격이 반도체층(20)에 영향을 미치거나, 금속층 간의 결합에 손상이 발생하는 것을 방지한다.

이러한 충격 완화층(50)은 In, Sn, Ag, Au, Pt, Al 등과 같은 금속이나, 이들의 합금을 이용할 수 있으며, 그 두께는 대략 1 ~ 10㎛ 정도면 적당할 것이다.

이와 같이, 발광 소자 구조가 완성되면, 레이저 리프트 오프 공정을 통하여 기판(10)을 분리한다.

이때, 상기한 바와 같이, 레이저 리프트 오프 공정에서 발생하는 열적 스트레스나, 질소 가스의 유입 등에 의한 충격은 상기 충격 완화층(50)에서 흡수하게 된다.

따라서, 이러한 충격이 제1전극(30), 결합금속(40), 금속 지지부(60) 간의 결합에 손상이 가해지는 것을 방지하고, 또한 충격이 반도체층(20)에 전달되는 것을 방지하는 것이다.

이와 같이, 기판(10)이 분리되면, 이 기판(10)이 분리된 반도체층(20)의 면에 제2전극(70)을 형성하고, 개개의 소자로 분리하여 도 6과 같은 상태가 된다.

상기 제2전극(70)은 n형 전극일 수 있으나, 상기 반도체층(20)의 배치에 따라 p형 전극이 될 수도 있다.

이와 같은 개개의 소자를 패키징하면 발광 소자가 완성되는 것이다.

도 7의 경우는 상기한 바와 같이, 충격 완화층(50)이 제1전극(30)에 결합된 상태를 도시하고 있으며, 이때, 충격 완화층(50)은 상기 제1전극(30)과 동일한 폭 으로 형성될 수 있다.

그 외의 공정은 상기 도 5의 경우와 동일하며, 이후에 레이저 리프트 공정을 통하여 기판(10)을 분리하고, 이 기판(10)이 분리된 반도체층(20) 면에 제2전극(70)을 형성하며 도 8과 같은 상태로 개개의 소자가 완성된다.

도 9에서는, 기판(10)에 반도체층(20)을 형성하고, 이후 제1전극(30)을 형성한 후에, 패시베이션층(80)을 형성하여 소자를 제작하는 상태를 나타내고 있다.

이러한 패시베이션층(80)은 유전체를 이용하여 형성하며, 반도체층(20)을 보호하고, 이러한 반도체층(20)과 그 외측에 형성되는 결합금속(40)을 절연시키는 역할을 한다.

상기 제1전극(30)이 형성된 후에, 이러한 제1전극(30)과 패시베이션층(80)의 측부를 덮도록 충격 완화층(50)이 형성되고, 이들 충격 완화층(50)과 패시베이션층(80)을 덮도록 결합금속(40)이 적층된다.

그런 후에, 상기 결합금속(40)을 덮도록 금속 지지부(60)를 형성하면 도 9와 같은 상태가 된다.

이때, 상기 금속 지지부(60)는 반도체층(20) 사이를 전체적으로 매우게 되며, 이와 같은 경우에는, 상기 금속 지지부(60)를 형성하기 이전에, 트렌치 식각한 부위에 포토 레지스트와 같은 물질로 포스트(도시되지 않음)를 형성하여, 추후에 기판(10)을 분리한 후, 개개의 소자로 분리할 경우에 용이하게 분리할 수 있도록 할수도 있다.

이와 같은 방법으로 소자를 제작하면, 도 10과 같은 상태로 개개의 소자가 완성되는 것이다.

한편, 도 11과 같이, 충격 완화층(50)을 결합금속(40)의 외측에 형성할 수도 있다. 즉, 상기 충격 완화층(50)은 결합금속(40)과 금속 지지부(60)의 사이에 위치하게 되며, 그 외의 구조는 도 9의 경우와 동일하다.

이후에, 위의 경우와 마찬가지로 레이저 리프트 오프 공정을 이용하여 기판(10)을 분리하게 되고, 이 분리된 면에 제2전극(70)을 형성하고, 개개의 소자로 분리하면 도 12와 같은 상태가 되는 것이다.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.

이상과 같은 본 발명은 레이저 리프트 오프 공정을 수행하여 기판을 분리하는 과정에서 발생하는 순간적인 충격 및 스트레스를 충격 완화층에서 흡수하여, 이러한 충격 및 스트레스에 의하여 발생하는 GaN 박막에서 발생할 수 있는 크랙을 최소화하고, 금속층간의 접촉성을 개선함으로써, 소자의 안정성을 확보하며, 전극의 오믹 특성을 유지할 수 있고, 금속층과 GaN 박막과의 전기적인 불안정성 요인을 해소하는 효과가 있는 것이다.

Claims (20)

1. 복수의 반도체층과;

   상기 반도체층의 일측면에 위치하는 제1전극과;

   상기 반도체층의 타측면에 위치하는 제2전극과;

   상기 제1전극에 부착되는 충격 완화층과;

   상기 충격 완화층 위에 위치하는 금속 지지부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기 충격 완화층은 금속인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
3. 제 1항에 있어서, 상기 충격 완화층은 상기 금속 지지부로 사용되는 금속보다 연성이 큰 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
4. 제 1항에 있어서, 상기 충격 완화층은 In, Sn, Ag, Au, Pt, Al 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
5. 제 1항에 있어서, 상기 충격 완화층의 두께는 1 ~ 10㎛인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
6. 제 1항에 있어서, 상기 제1전극은 오믹 전극과 반사형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
7. 제 1항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 반도체층을 덮는 형태로 제작되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
8. 제 1항에 있어서, 상기 복수의 반도체층은,

   n형 반도체층과;

   상기 n형 반도체층에 인접한 활성층과;

   상기 활성층에 인접한 p형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
9. 제 1항에 있어서, 상기 반도체층은 GaN 계열 물질인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
10. 제 1항에 있어서, 상기 금속 지지부는 Cu, Ni, Au 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
11. 제 1항에 있어서, 상기 제1전극과 충격 완화층 사이에는 금속간의 결합을 용 이하게 하는 결합금속이 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
12. 제 11항에 있어서, 상기 결합금속과 반도체층이 접하는 면에는 패시베이션 층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
13. 제 1항에 있어서, 상기 충격 완화층과 금속 지지부 사이에는 금속간의 결합을 용이하게 하는 결합금속이 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
14. 제 11항 또는 13항에 있어서, 상기 결합금속은 상기 반도체층을 감싸는 구조인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
15. 제 14항에 있어서, 상기 결합금속과 반도체층이 접하는 면에는 패시베이션 층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
16. 복수의 반도체층과;

    상기 반도체층의 일측면에 위치하는 제1전극과;

    상기 반도체층의 타측면에 위치하는 제2전극과;

    상기 제1전극과 반도체층의 측면에 위치하는 패시베이션층과;

    상기 제1전극에 부착되는 충격 완화층과;

    상기 충격 완화층에 위에 위치하는 금속 지지부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
17. 제 16항에 있어서, 상기 제1전극과 충격 완화층 사이에는 결합금속이 구비되며, 이 결합금속은 상기 패시베이션층을 감싸는 구조인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
18. 제 16항에 있어서, 상기 충격 완화층과 금속 지지부 사이에는 결합금속이 구비되며, 이 결합금속은 상기 패시베이션층을 감싸는 구조인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
19. 복수의 반도체층과;

    상기 반도체층의 일측면에 위치하는 제1전극과;

    상기 반도체층의 타측면에 위치하는 제2전극과;

    상기 제1전극과 반도체층의 측면에 위치하는 패시베이션층과;

    상기 제1전극에 부착되는 충격 완화층과;

    상기 충격완화층과 패시베이션층을 덮는 결합금속과;

    상기 결합금속을 덮는 구조로 상기 복수의 반도체층을 지지하는 금속 지지부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
20. 복수의 반도체층과;

    상기 반도체층의 일측면에 위치하는 제1전극과;

    상기 반도체층의 타측면에 위치하는 제2전극과;

    상기 제1전극과 반도체층의 측면에 위치하는 패시베이션층과;

    상기 제1전극과 패시베이션층을 덮는 결합금속과;

    상기 결합금속에 상기 제1전극과 대향하여 위치하는 충격 완화층과;

    상기 충격 완화층과 결합금속을 덮는 구조로 상기 복수의 반도체층을 지지하는 금속 지지부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.

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