JP2012508971A5

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Publication number: JP2012508971A5
Application number: JP2011535870A
Authority: JP
Filing date: 2009-11-05
Publication date: 2012-09-27
Anticipated expiration: 2029-11-05

Claims

光放出素子であって、
− キャリア（１）と、
− 前記キャリア（１）に配置された半導体チップ（２）と、その際、前記半導体チップ（２）は、電磁線を発生させるための活性層及び光出射面（３）を有しており、
− 前記半導体チップ（２）の電気的な接触のための第１の及び第２のコンタクト構造（４ａ、４ｂ）と、
− 第１のコンタクト層（２１）及び第２のコンタクト層（６）と、その際、前記半導体チップ（２）は、前記第１のコンタクト層（２１）により前記第１のコンタクト構造（４ａ）と導電接続しており、かつ前記第２のコンタクト層（６）により前記第２のコンタクト構造（４ｂ）と導電接続しており、
− 前記半導体チップ（２）に配置されたパッシベーション層（５）と、その際、前記パッシベーション層（５）は、一般式（Ｉ）

［式中、Ｒ¹〜Ｒ¹⁶は、それぞれ互いに無関係に、Ｈ、ＣＨ₃、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒであってよく、かつｎは１０〜５００，０００の値を有する］の有機ポリマーを含む、
を包含する光放出素子。
Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹⁵及びＲ¹⁶が、それぞれＨである、請求項１記載の光放出素子。
少なくとも前記パッシベーション層（５）の部分領域が、前記素子の最も外側の層となる、請求項１又は２記載の光放出素子。
前記パッシベーション層（５）が光出射面（３）に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の光放出素子。
前記半導体チップ（２）の前記光出射面（３）に少なくとも１つの光学素子（９）が配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の光放出素子。
前記光学素子（９）が変換層又はフィルタを包含する、請求項５記載の光放出素子。
前記パッシベーション層（５）が、前記半導体チップ（２）と離反した前記光学素子（９）の表面の部分領域に少なくとも配置されている、請求項５又は６記載の光放出素子。
前記パッシベーション層（５）が、前記第１のコンタクト構造（４ａ）を前記第２のコンタクト構造（４ｂ）に対して電気的に絶縁する、請求項１から７までのいずれか１項記載の光放出素子。
前記パッシベーション層（５）が、前記第２のコンタクト層（６）を前記第１のコンタクト構造（４ａ）に対して電気的に絶縁する、請求項１から８までのいずれか１項記載の光放出素子。
前記第２のコンタクト構造（６）が、前記半導体チップ（２）の光出射面（３）にフレーム状に配置されている、請求項１から９までのいずれか１項記載の光放出素子。
前記第２のコンタクト層（６）が、前記半導体チップ（２）の光出射面（３）に配置されているコンタクトウェブ（６１）を有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の光放出素子。
前記キャリア（１）を貫通する第１の及び第２の貫通接触部（８ａ、８ｂ）が存在しており、かつ前記第１の貫通接触部（８ａ）が前記第１のコンタクト構造（４ａ）と、かつ前記第２の貫通接触部（８ｂ）が前記第２のコンタクト構造（４ｂ）と導電接続している、請求項１から１１までのいずれか１項記載の光放出素子。
前記素子が薄膜チップとして形作られている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の光放出素子。
光放出素子の製造方法であって、以下の方法工程：
Ａ）第１の及び第２のコンタクト構造（４ａ、４ｂ）を有するキャリア（１）を準備する方法工程と、
Ｂ）半導体チップ（２）を前記第１のコンタクト層（２１）により第１のコンタクト構造（４ａ）と機械的かつ導電的に接続する方法工程と、その際、前記半導体チップ（２）は、電磁線を発生させるための活性層及び光出射面（３）を有しており、
Ｃ）前記半導体チップ（２）を前記第２のコンタクト層（６）により前記第２のコンタクト構造（４ｂ）と機械的かつ導電的に接続する方法工程と、
Ｄ）パッシベーション層（５）を少なくとも前記半導体チップ（２）の部分領域に被着させる方法工程と、その際、前記パッシベーション層（５）のために、一般式（Ｉ）：

［式中、Ｒ¹〜Ｒ¹⁶は、それぞれ互いに無関係に、Ｈ、ＣＨ₃、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒであってよく、かつｎは１０〜５００，０００の値を有する］の有機ポリマーを含む材料を使用する、
を包含する光放出素子の製造方法。
前記パッシベーション層（５）をプラズマ法により被着させる、請求項１４記載の方法。