JP2011049600A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 光電素子であって、
   当該光電素子は、アクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域を含んでおり、
   当該半導体機能領域は、前記アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部を有しており、当該孔部の領域内に接続導体材料が配置されており、
   当該接続導体材料は、前記アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁されている、
   ことを特徴とする光電素子。
2. 光電素子であって、
   当該光電素子は、アクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域を含んでおり、
   当該半導体機能領域は、ラテラル方向の、前記アクティブゾーンと接する側面を有しており、当該側面にはラテラル方向において接続導体材料が後続配置されており、
   当該接続導体材料は、前記アクティブゾーンから、少なくとも前記側面の部分領域において電気的に絶縁されている、
   ことを特徴とする光電素子。
3. 前記半導体機能領域はエピタキシャルに製造されている、請求項１または２記載の光電素子。
4. 前記半導体機能領域は支持体上に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の光電素子。
5. 前記支持体は、その上に半導体機能領域がエピタキシャルに製造されている成長基板とは異なっている、請求項３または４記載の光電素子。
6. 前記接続導体材料は、前記半導体機能領域に対向している支持体面まで延在している、請求項４または５記載の光電素子。
7. カバー部を有しており、当該カバー部は、前記半導体機能領域を少なくとも部分的に変形させるまたは覆う、請求項１から６までのいずれか１項記載の光電素子。
8. 個別化された素子である、請求項１から７までのいずれか１項記載の光電素子。
9. 前記カバー部は前記個別化が原因で、分断痕を有している、請求項７または８記載の光電素子。
10. 前記半導体機能領域の後ろには、少なくとも吸収材料または発光材料が配置されている、請求項１から９までのいずれか１項記載の光電素子。
11. 前記吸収材料または発光材料は前記カバー部内に配置されている、請求項７または１０記載の光電素子。
12. 前記吸収材料または発光材料は直接的に前記半導体機能領域上に配置されている、請求項１０記載の光電素子。
13. 前記アクティブゾーンは、一重量子井戸構造または多重量子井戸構造を含んでいる、請求項１から１２までのいずれか１項記載の光電素子。
14. 前記半導体機能領域は、前記アクティブゾーンを通る複数の孔部を有している、請求項１から１３までのいずれか１項記載の光電素子。
15. 光電素子の製造方法であって、以下のステップを特徴とする、すなわち、
    ａ）支持体層上に配置された半導体層列を伴うウェハ結合体を準備し、当該半導体層列はアクティブゾーンおよびラテラル方向のメイン延在方向を有しており、
    ｂ）アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部が生じる、ないしは、少なくとも１つのラテラル方向の、アクティブゾーンとラテラル方向で接する側面が構成されるように半導体層列を構造化し、
    ｃ）アクティブゾーンが少なくとも孔部ないし側面の部分領域において電気的に接続導体材料から絶縁されるように、接続導体材料を前記孔部ないし側面の領域内に配置し、
    ｄ）光電素子に個別化し、ここで当該光電素子の電気的な接触接続は少なくとも部分的に接続導体材料を介して行われる、
    を特徴とする、光電素子の製造方法。