JP2013135234A5 - - Google Patents

Claims (23)

1. 第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
   前記第２導電型半導体層上に配置され、前記第２導電型半導体層が露出される複数のオープン領域を備える透光性導電層と、
   前記第１導電型半導体層と連結される第１電極と、
   前記透光性導電層上に前記オープン領域を少なくとも一つ以上通るように延びて配置される第２電極と、を含み、
   前記第２電極は、前記オープン領域で前記第２導電型半導体層と接触し、前記オープン領域以外の領域で前記透光性導電層と接触する、発光素子。
2. 前記第２電極と前記透光性導電層とはオーミック接触（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）で連結され、前記第２電極と前記第２導電型半導体層とはショットキー接触（ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｃｏｎｔａｃｔ）で連結される、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記複数のオープン領域は、少なくとも一部が前記第１電極の少なくとも一部を挟んで配置される、請求項１又は２に記載の発光素子。
4. 前記複数のオープン領域は、少なくとも一部が一定の間隔で配置される、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
5. 前記透光性導電層上に配置される透光性絶縁層をさらに含み、前記第１電極の一部は、前記透光性絶縁層から前記透光性導電層と前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して、前記第１導電型半導体層に電気的に接続される、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子。
6. 前記透光性導電層のオープン領域上で前記透光性絶縁層がオープンされて配置される、請求項５に記載の発光素子。
7. 前記第１導電型半導体層はｎ型半導体層であり、前記第２導電型半導体層はｐ型半導体層である、請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子。
8. 前記第２電極は、第２電極パッドと、前記第２電極パッドから分岐した少なくとも２個の第２枝電極とを含む、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
9. 前記２個の第２枝電極は、互いに対向して配置される、請求項８に記載の発光素子。
10. 前記２個の第２枝電極の少なくとも一部は、前記第１電極の少なくとも一部を挟んで配置される、請求項８又は９に記載の発光素子。
11. 前記オープン領域において、前記第２枝電極と前記第２導電型半導体層との間に前記透光性導電層が連結される領域が少なくとも一つ配置される、請求項９又は１０に記載の発光素子。
12. 前記第２枝電極と前記第２導電型半導体層との間に前記透光性導電層が連結される領域は、前記一つの第２枝電極毎に少なくとも２つ配置される、請求項１１に記載の発光素子。
13. 前記第２導電型半導体層と接触する第２枝電極の面積は、前記透光性導電層と連結される前記第２枝電極の面積よりも広い、請求項１１に記載の発光素子。
14. 前記透光性導電層が連結される領域での前記第２枝電極の高さは、前記第２導電型半導体層と接触する領域での前記第２枝電極の高さよりも高い、請求項１３に記載の発光素子。
15. 前記オープン領域において、前記第２枝電極と前記第２導電型半導体層との間に前記透光性導電層が連結される領域は、前記２個の枝電極において互いに対応して配置される、請求項１４に記載の発光素子。
16. 前記第１電極は、第１電極パッドと、前記第１電極パッドから分岐し、前記２個の第２枝電極の間に配置される第１枝電極とを含む、請求項１５に記載の発光素子。
17. 前記第１枝電極は、前記透光性絶縁層上に配置される、請求項１６に記載の発光素子。
18. 前記第１電極は、前記第１導電型半導体層と電気的に接触する貫通電極を少なくとも一つ含み、前記貫通電極は、前記透光性絶縁層と前記透光性導電層と前記第２導電型半導体層及び前記活性層を貫通して形成される、請求項１６又は１７に記載の発光素子。
19. 前記貫通電極は、少なくとも２個配置される、請求項１８に記載の発光素子。
20. 前記オープン領域において、前記第２枝電極と前記第２導電型半導体層との間に前記透光性導電層が連結される領域は、前記貫通電極と重畳しない、請求項１８又は１９に記載の発光素子。
21. 前記透光性絶縁層は、前記透光性導電層から第２導電型半導体層及び前記活性層において前記貫通電極の周縁に配置される、請求項１８乃至２０のいずれかに記載の発光素子。
22. 前記第２電極パッドの最高点の高さは、前記透光性絶縁層の表面よりも高く配置される、請求項８に記載の発光素子。
23. 前記第２枝電極の高さは、前記第２導電型半導体層と接触する領域よりも、前記透光性導電層と接触する領域においてさらに高い、請求項８乃至２２のいずれかに記載の発光素子。