JP2014093532A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014093532A5 JP2014093532A5 JP2013229122A JP2013229122A JP2014093532A5 JP 2014093532 A5 JP2014093532 A5 JP 2014093532A5 JP 2013229122 A JP2013229122 A JP 2013229122A JP 2013229122 A JP2013229122 A JP 2013229122A JP 2014093532 A5 JP2014093532 A5 JP 2014093532A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting device
- disposed
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 14
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- 230000000903 blocking Effects 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 1
Claims (25)
- 基板と、
前記基板上に配置された互いに異なる導電型の下部及び上部半導体層と、前記下部及び上部半導体層の間に配置された活性層とを有する発光構造物と、
前記上部半導体層上に配置された第1電極層と、を含み、
前記第1電極層は、重ね合わされた第1接着層と第1ボンディング層を含み、前記第1接着層と前記第1ボンディング層との間に反射層が介在しない、発光素子。 - 前記第1電極層は、前記第1接着層上に接して配置された第1バリア層をさらに含む、請求項1に記載の発光素子。
- 前記下部半導体層上に配置された第2電極層をさらに含み、
前記第2電極層は、重ね合わされた第2接着層と第2ボンディング層を含み、前記第2接着層と前記第2ボンディング層との間に反射層が介在しない、請求項1又は2に記載の発光素子。 - 前記第2電極層は、前記第2接着層上に接して配置された第2バリア層をさらに含む、請求項3に記載の発光素子。
- 前記第1接着層は、Cr、Rd及びTiのうち少なくとも一つを含む、請求項1ないし4のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第1バリア層は、Ni、Cr、Ti及びPtのうち少なくとも一つを含む、請求項2ないし5のいずれかに記載の発光素子。
- 前記上部半導体層と前記第1電極層との間に配置された伝導層をさらに含む、請求項1ないし6のいずれかに記載の発光素子。
- 前記伝導層と前記上部半導体層との間に配置された電流遮断層をさらに含む、請求項7に記載の発光素子。
- 前記電流遮断層は、分散ブラッグ反射層である、請求項8に記載の発光素子。
- 前記伝導層は、前記電流遮断層の上部及び側部を取り囲むように配置された、請求項8又は9に記載の発光素子。
- 前記第1接着層の厚さは、少なくとも5nm〜15nmである、請求項1乃至10のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第1ボンディング層は、100μm〜180μmの厚さを有する、請求項1乃至11のいずれかに記載の発光素子。
- 前記下部半導体層の側面は傾斜した、請求項1乃至12のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第1電極層は、5μm〜100μmの幅を有する、請求項9に記載の発光素子。
- 基板と、
前記基板上に水平方向に互いに離隔して配列された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子において、二つの発光素子を接続する導電型相互接続層と、
前記複数の発光素子と前記導電型相互接続層との間に配置された第1絶縁層とを含み、
前記複数の発光素子のそれぞれは、
互いに異なる導電型の下部及び上部半導体層と、前記下部及び上部半導体層の間に配置された活性層とを有する発光構造物と、
前記上部半導体層上に配置された第1電極層と、
前記下部半導体層上に配置された第2電極層とを含み、
前記導電型相互接続層は、前記二つの発光素子のうち一方の前記第1電極層と、前記二つの発光素子のうち他方の第2電極層とを接続し、
前記第1電極層は、重ね合わされた第1接着層と第1ボンディング層を含み、
前記第1接着層と前記第1ボンディング層との間に反射層が介在しない、発光素子アレイ。 - 前記導電型相互接続層は、重ね合わされた第3接着層と第3ボンディング層を含み、
前記第3接着層と前記第3ボンディング層との間に反射層が介在しない、請求項15に記載の発光素子アレイ。 - 前記導電型相互接続層は、前記第3接着層上に接して配置された第3バリア層をさらに含む、請求項16に記載の発光素子アレイ。
- 前記第1絶縁層と前記複数の発光素子との間に配置された第2絶縁層をさらに含む、請求項15乃至17のいずれかに記載の発光素子アレイ。
- 前記第1及び第2絶縁層のうち少なくとも一つは分散ブラッグ反射層である、請求項18に記載の発光素子アレイ。
- 前記導電型相互接続層によって接続された前記二つの発光素子の第1及び第2電極層と、前記導電型相互接続層とは一体である、請求項15乃至19のいずれかに記載の発光素子アレイ。
- 前記発光素子のそれぞれは、前記上部半導体層と前記第1電極層との間に配置された伝導層をさらに含む、請求項15乃至20のいずれかに記載の発光素子アレイ。
- 前記導電型相互接続層は、前記伝導層又は前記下部半導体層と点接触する、請求項21に記載の発光素子アレイ。
- 前記発光素子のそれぞれは、前記発光構造物と前記第1電極層との間に、前記第1絶縁層と離隔して配置された電流遮断層をさらに含む、請求項21に記載の発光素子アレイ。
- 前記第1接着層は、前記電流遮断層の上部と側部を取り囲んで配置された、請求項23に記載の発光素子アレイ。
- 前記導電型相互接続層の厚さは前記第1電極層の厚さよりも大きい、請求項15乃至24のいずれかに記載の発光素子アレイ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2012-0124381 | 2012-11-05 | ||
KR1020120124381A KR102087933B1 (ko) | 2012-11-05 | 2012-11-05 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014093532A JP2014093532A (ja) | 2014-05-19 |
JP2014093532A5 true JP2014093532A5 (ja) | 2016-12-08 |
Family
ID=49513856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013229122A Pending JP2014093532A (ja) | 2012-11-05 | 2013-11-05 | 発光素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9236526B2 (ja) |
EP (1) | EP2728632B1 (ja) |
JP (1) | JP2014093532A (ja) |
KR (1) | KR102087933B1 (ja) |
CN (1) | CN103811597B (ja) |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7067849B2 (en) | 2001-07-17 | 2006-06-27 | Lg Electronics Inc. | Diode having high brightness and method thereof |
US6949395B2 (en) * | 2001-10-22 | 2005-09-27 | Oriol, Inc. | Method of making diode having reflective layer |
US7148520B2 (en) | 2001-10-26 | 2006-12-12 | Lg Electronics Inc. | Diode having vertical structure and method of manufacturing the same |
WO2008091846A2 (en) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Illumination devices using externally interconnected arrays of light emitting devices, and methods of fabricating same |
US9490409B2 (en) * | 2011-10-24 | 2016-11-08 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emmiting diode chip |
US11160148B2 (en) | 2017-06-13 | 2021-10-26 | Ideal Industries Lighting Llc | Adaptive area lamp |
US11792898B2 (en) | 2012-07-01 | 2023-10-17 | Ideal Industries Lighting Llc | Enhanced fixtures for area lighting |
TWI527263B (zh) * | 2013-07-17 | 2016-03-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體結構 |
US9502614B2 (en) * | 2014-06-04 | 2016-11-22 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emitting diode chip, light emitting device, and wafer-level structure of light emitting diode |
JP6269362B2 (ja) * | 2014-07-15 | 2018-01-31 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子とその製造方法 |
KR101888608B1 (ko) | 2014-10-17 | 2018-09-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 조명 장치 |
DE102014115740A1 (de) | 2014-10-29 | 2016-05-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
JP6327564B2 (ja) * | 2014-11-12 | 2018-05-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体デバイス |
KR102322841B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2021-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 어레이 |
CN105870280B (zh) * | 2015-01-21 | 2019-07-09 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒 |
KR102256632B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2021-05-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 제조하는 전자 빔 증착 장치 |
CN106067497B (zh) * | 2015-04-22 | 2019-09-17 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光元件及其制造方法 |
WO2016177333A1 (zh) * | 2015-05-05 | 2016-11-10 | 湘能华磊光电股份有限公司 | Iii族半导体发光器件倒装结构的制作方法 |
KR102641239B1 (ko) * | 2015-07-10 | 2024-02-29 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드, 그것을 제조하는 방법 및 그것을 갖는 발광 소자 모듈 |
JP6651843B2 (ja) | 2015-12-25 | 2020-02-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
CN109417082B (zh) * | 2016-03-18 | 2023-08-01 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体器件以及包括半导体器件的显示装置 |
US10529696B2 (en) | 2016-04-12 | 2020-01-07 | Cree, Inc. | High density pixelated LED and devices and methods thereof |
EP3471154A4 (en) * | 2016-06-10 | 2019-06-05 | LG Innotek Co., Ltd. | SEMICONDUCTOR DEVICE |
US10964862B2 (en) * | 2016-09-30 | 2021-03-30 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Semiconductor heterostructure with multiple active regions |
US10734363B2 (en) | 2017-08-03 | 2020-08-04 | Cree, Inc. | High density pixelated-LED chips and chip array devices |
EP3662514A1 (en) | 2017-08-03 | 2020-06-10 | Cree, Inc. | High density pixelated-led chips and chip array devices, and fabrication methods |
KR102370621B1 (ko) * | 2017-08-24 | 2022-03-04 | 삼성전자주식회사 | 발광 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
WO2019053923A1 (ja) * | 2017-09-13 | 2019-03-21 | シャープ株式会社 | Ledユニット、画像表示素子およびその製造方法 |
US10529773B2 (en) | 2018-02-14 | 2020-01-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices with opposing emission directions |
JP6822429B2 (ja) * | 2018-02-19 | 2021-01-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
CN108447955B (zh) * | 2018-03-16 | 2019-07-23 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管芯片结构及其制作方法 |
JP7206628B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2023-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
US10903265B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-01-26 | Cree, Inc. | Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods |
CN109713103B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-03-02 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种led芯片 |
CN110429166B (zh) * | 2019-08-23 | 2020-12-04 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种led芯片 |
US11817526B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-11-14 | Creeled, Inc. | Texturing for high density pixelated-LED chips and chip array devices |
US11145789B2 (en) | 2019-11-04 | 2021-10-12 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
KR20210069247A (ko) | 2019-12-03 | 2021-06-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
US20210313302A1 (en) | 2020-04-02 | 2021-10-07 | Nichia Corporation | Surface light source and method of manufacturing surface light source |
US11437548B2 (en) | 2020-10-23 | 2022-09-06 | Creeled, Inc. | Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0936431A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-02-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JPH10294531A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体発光素子 |
JPH114020A (ja) * | 1997-04-15 | 1999-01-06 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置 |
JP2002164575A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
US6864571B2 (en) * | 2003-07-07 | 2005-03-08 | Gelcore Llc | Electronic devices and methods for making same using nanotube regions to assist in thermal heat-sinking |
JP2005079152A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3802910B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-08-02 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
EP2750194A1 (en) | 2005-06-22 | 2014-07-02 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device comprising a plurality of light emitting diode cells |
JP2007281037A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Dowa Holdings Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP4929924B2 (ja) | 2006-08-25 | 2012-05-09 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子、その製造方法、及び複合半導体装置 |
JP5130730B2 (ja) * | 2007-02-01 | 2013-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
CN102779918B (zh) | 2007-02-01 | 2015-09-02 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体发光元件 |
US8085825B2 (en) * | 2007-03-06 | 2011-12-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus |
US8299501B2 (en) * | 2007-05-30 | 2012-10-30 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
JP5123269B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-01-23 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 発光素子及びその製造方法 |
JP5196160B2 (ja) * | 2008-10-17 | 2013-05-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2010238802A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子、電極構造、半導体発光素子の製造方法、電極構造の製造方法 |
US8829555B2 (en) * | 2008-12-15 | 2014-09-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor light emission element |
TWI429107B (zh) * | 2009-05-14 | 2014-03-01 | Toyoda Gosei Kk | 半導體發光元件、其製造方法、燈、照明裝置、電子機器及機械裝置 |
KR101072034B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
EP2367203A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-21 | Samsung LED Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same |
CN103003966B (zh) * | 2010-05-18 | 2016-08-10 | 首尔半导体株式会社 | 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法,以及包括其的封装件及其制造方法 |
JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
KR101746004B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2017-06-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
US8987772B2 (en) * | 2010-11-18 | 2015-03-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode chip having electrode pad |
KR20120053571A (ko) * | 2010-11-18 | 2012-05-29 | 서울옵토디바이스주식회사 | 복수의 메사 구조체를 갖는 발광 다이오드 칩 |
JP2012151441A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Ricoh Co Ltd | 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置 |
TWM409542U (en) | 2011-02-01 | 2011-08-11 | Epistar Corp | A light-emitting device |
JP2012227383A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子、電極構造および発光装置 |
TWI555226B (zh) * | 2011-07-12 | 2016-10-21 | 晶元光電股份有限公司 | 具有多層發光疊層的發光元件 |
-
2012
- 2012-11-05 KR KR1020120124381A patent/KR102087933B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-10-24 US US14/062,131 patent/US9236526B2/en active Active
- 2013-11-01 CN CN201310534465.0A patent/CN103811597B/zh active Active
- 2013-11-04 EP EP13191337.8A patent/EP2728632B1/en active Active
- 2013-11-05 JP JP2013229122A patent/JP2014093532A/ja active Pending
-
2015
- 2015-12-08 US US14/962,083 patent/US9640583B2/en active Active