KR20210069247A - 반도체 발광 소자 - Google Patents

반도체 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20210069247A
KR20210069247A KR1020190158788A KR20190158788A KR20210069247A KR 20210069247 A KR20210069247 A KR 20210069247A KR 1020190158788 A KR1020190158788 A KR 1020190158788A KR 20190158788 A KR20190158788 A KR 20190158788A KR 20210069247 A KR20210069247 A KR 20210069247A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
pattern
semiconductor
light emitting
semiconductor pattern
Prior art date
Application number
KR1020190158788A
Other languages
English (en)
Inventor
양종인
성한규
심성현
연지혜
유하늘
윤지훈
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020190158788A priority Critical patent/KR20210069247A/ko
Priority to US15/932,000 priority patent/US11380818B2/en
Publication of KR20210069247A publication Critical patent/KR20210069247A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

반도체 장치는 기판 상에 형성되며, 상기 기판 상면에 수직한 수직 방향을 따라 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴, 활성 패턴, 및 제2 반도체 패턴을 포함하는 발광 구조물, 상기 제1 반도체 패턴의 저면에 접촉하는 제1 전극, 및 상기 제2 반도체 패턴의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸는 제2 전극을 포함한다.

Description

반도체 발광 소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMMITING DEVICE}
본 발명은 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
반도체 발광 소자의 제조 방법에서, 베이스 기판 상에 제2 반도체 층, 활성층 및 제1 반도체 층을 순차적으로 형성한 후, 메사(MESA) 공정을 통해 이들을 부분적으로 식각함으로써 제2 반도체 패턴, 활성 패턴 및 제1 반도체 패턴을 포함하는 발광 구조물을 형성할 수 있다. 이때, 상기 제2 반도체 패턴은 상기 제2 반도체 층의 상부를 부분적으로 식각함으로써 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 제2 반도체 패턴의 상면이 부분적으로 노출될 수 있다. 이후, 상기 노출된 제2 반도체 패턴의 상면 및 상기 제1 반도체 패턴의 상면에 각각 접촉하는 제1 전극 및 제2 전극을 형성할 수 있다.
한편, 상기 반도체 발광 소자의 스케일 다운을 위하여 이에 포함되는 구성요소들을 보다 작은 크기로 형성할 수 있으나, 상기 제2 반도체 패턴 상에 상기 제2 전극을 형성하기 위한 공간을 별도로 형성하여야 하므로, 상기 반도체 발광 소자의 스케일 다운에는 한계가 있다.
본 발명의 과제는 우수한 특성을 갖는 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자는 기판 상에 형성되며, 상기 기판 상면에 수직한 수직 방향을 따라 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴, 활성 패턴, 및 제2 반도체 패턴을 포함하는 발광 구조물, 상기 제1 반도체 패턴의 저면에 접촉하는 제1 전극, 및 상기 제2 반도체 패턴의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸는 제2 전극을 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자는 기판 상에 서로 이격되며, 상기 기판 상면에 수직한 수직 방향을 따라 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴, 활성 패턴, 및 제2 반도체 패턴을 각각 포함하는 발광 구조물들, 상기 각 발광 구조물들에 포함된 상기 제1 반도체 패턴의 저면에 접촉하는 제1 전극, 및 상기 각 발광 구조물들에 포함된 상기 제2 반도체 패턴의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸는 제2 전극을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극들은 상기 발광 구조물들 사이에서 상기 기판 상면에 평행한 수평 방향으로 연장되어 서로 연결될 수 있다.
상술한 본 발명의 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자는 구동 회로(Driver IC) 기판 상에 서로 이격되며, 상기 구동 회로 기판 상면에 수직한 수직 방향을 따라 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴, 활성 패턴, 및 제2 반도체 패턴을 각각 포함하는 발광 구조물들, 상기 각 발광 구조물들에 포함된 상기 제1 반도체 패턴의 저면에 접촉하는 제1 전극, 상기 각 발광 구조물들에 포함된 상기 제2 반도체 패턴의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸는 제2 전극, 상기 구동 회로 기판 상에 형성되어 상기 각 제1 전극들에 접촉하는 제1 콘택 플러그, 상기 구동 회로 기판 상에 형성되어 상기 각 제2 전극들에 접촉하는 제2 콘택 플러그, 상기 발광 구조물들에 각각 포함된 상기 제2 반도체 패턴들 상에 각각 형성된 광변환 패턴들, 및 상기 광변환 패턴들을 둘러싸며 상기 제2 전극들에 전기적으로 연결된 도전성 분리 패턴을 포함할 수 있으며, 상기 제2 전극들은 상기 발광 구조물들 사이에서 상기 기판 상면에 평행한 수평방향으로 연장되어 서로 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 제조방법에서, 베이스 기판 상에 순차적으로 적층된 제2 반도체 패턴, 활성 패턴 및 제1 반도체 패턴을 포함하는 발광 구조물을 형성한 후, 상기 제1 반도체 패턴 상에 제1 전극을 형성할 수 있으며, 상기 제2 반도체 패턴의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸도록 제2 전극을 형성할 수 있다. 이때, 상기 제2 반도체 패턴 상에 상기 제2 전극을 형성하기 위한 공간을 별도로 형성하지 않을 수 있으므로, 상기 반도체 발광 소자의 집적도가 향상될 수 있다.
도 1 및 도 2a는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 2b는 예시적인 실시예들에 따른 양자점의 단면 구조를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3 내지 도 18은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들 및 단면도들이다.
도 19 내지 도 23은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 24 내지 도 26은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 27 내지 도 29는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 제조 방법의 단계들을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하고자 한다.
도 1 및 도 2a는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 이때, 도 1은 평면도이고, 도 2a는 도 1의 A-A'선을 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2a를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 기판(200) 상에 순차적으로 적층된절연 패턴(155), 제1 전극(140) 및 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸는 제2 전극(160)을 포함할 수 있으며, 상기 발광 구조물은 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴(135), 활성 패턴(125) 및 제2 반도체 패턴(115)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자는 제1 및 제2 전극들(140, 160)에 각각 접촉하여 전기적으로 연결된 제1 및 제2 콘택 플러그들(192, 194), 제2 전극(160)의 상면에 접촉하여 이에 전기적으로 연결된 도전성 분리 패턴(210), 및 제2 반도체 패턴(115)의 상면 및 제2 전극(160)의 상면 일부 상에 형성된 광변환 패턴(220)을 더 포함할 수 있다.
기판(200)에는 드라이버 IC(Driver IC)가 내장되어 제1 및 제2 콘택 플러그들(192, 194)과 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광 구조물은 기판(200) 상면에 평행한 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 복수 개로 형성될 수 있으며, 위에서 보았을 때, 원형 또는, 예를 들어 사각형과 같은 다각 형상을 가질 수 있다.
상기 발광 구조물에 포함된 제1 반도체 패턴(135) 및 활성 패턴(125)는 일정한 두께를 갖도록 컨포멀하게 형성될 수 있으며, 제2 반도체 패턴(115)은 이들보다 두꺼운 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 이때, 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴(135), 활성 패턴(125) 및 제2 반도체 패턴(115)은 아래를 향하여 점차 작아지는 폭을 가질 수 있다.
제1 반도체 패턴(135)은 마그네슘(Mg)이 도핑된 갈륨 질화물(GaN), 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN), 인듐갈륨 질화물(InGaN) 등을 포함할 수 있으며, 이에 따라 p형의 도전형을 가질 수 있다.
활성층(120)은 인듐갈륨 질화물(InGaN)을 포함할 수 있으며, 양자 우물(Quantum Well: QW) 구조를 가질 수 있다.
제2 반도체 패턴(115)은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te) 혹은 탄소(C)가 도핑된 갈륨 질화물(GaN), 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN), 인듐갈륨 질화물(InGaN) 등을 포함할 수 있으며, 이에 따라 n형의 도전형을 가질 수 있다.
제1 전극(140)은 기판(200) 상면에 평행한 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 복수 개로 형성될 수 있으며, 위에서 보았을 때, 원형 또는, 예를 들어 사각형과 같은 다각 형상을 가질 수 있다. 제1 전극(140)은 위에서 보았을 때, 상기 발광 구조물보다 작은 면적을 가질 수 있다.
절연 패턴(155)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 절연 물질을 포함할 수 있으며, 제1 전극(140)의 저면 및 측벽, 제1 반도체 패턴(135)의 저면 일부 및 측벽, 활성 패턴(125)의 측벽, 및 제2 반도체 패턴(115) 하부의 측벽을 커버할 수 있다.
제2 전극(160)은 제2 반도체 패턴(115) 상부의 측벽 및 절연 패턴(155)의 측벽 및 저면 일부에 접촉하여 이들을 둘러쌀 수 있다. 이때, 제2 전극(160)은 상기 수평 방향을 따라 연장되어 상기 각 복수 개의 발광 구조물들에 포함된 제2 반도체 패턴(115)에 공통적으로 연결되어, 상기 반도체 발광 소자의 공통 전극으로서의 역할을 수행할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(160)은 제1 전극(140) 아래까지 연장될 수 있으며, 상기 기판(200) 상면에 수직한 수직 방향으로 제1 전극(140)과 부분적으로 오버랩될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 전극(160)은 상기 수직 방향으로 제1 전극(140)의 가장자리 부분을 완전히 커버하도록 오버랩될 수 있다.
제1 및 제2 전극들(140, 160)은 은(Ag), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au) 등과 같은 금속을 포함할 수 있으며, 제1 및 제2 반도체 패턴들(135, 115)에 각각 연결되어 p형 및 n형 전극의 역할을 수행할 수 있다.
도전성 분리 패턴(210)은 반사율이 좋고 저항이 낮은 물질, 예를 들어, 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au) 등과 같은 금속 물질을 포함할 수 있으며, 제2 전극(160)과 접촉하여 이에 전기적으로 연결될 수 있다.
광변환 패턴(220)은 제1 내지 제3 광변환 패턴들(220a, 220b, 220c)을 포함할 수 있고, 제1 내지 제3 광변환 패턴들(220a, 220b, 220c)은 상기 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 복수 개로 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 광변환 패턴들(220a, 220b, 220c)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있으며, 이에 따라 상기 발광 구조물로부터 발생하는 광을 투과시켜 적색광, 녹색광 또는 청색광을 구현할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 내지 제3 광변환 패턴들(220a, 220b, 220c)은 각각 파장 변환 물질을 포함할 수 있으며, 상기 파장 변환 물질은 상기 발광 구조물이 발광하는 빛을 흡수해 다른 파장의 빛을 발광할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 파장 변환 물질은 양자점 및/또는 형광체를 포함할 수 있다.
도 2b는 예시적인 실시예들에 따른 양자점(quantum dot, QD)의 단면 구조를 나타내는 개략도이다.
구체적으로, 상기 양자점은 III-V 또는 II-Vi 화합물 반도체를 이용하여 코어(Core)-쉘(Shell) 구조를 가질 수 있다. 상기 코어는 예를 들어, CdSe, InP 등과 같은 물질을 포함할 수 있으며, 상기 쉘은 예를 들어, ZnS, ZnSe 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 코어 및 쉘의 안정화를 위한 리간드(Ligand)를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 코어의 직경은 1nm 내지 30nm일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 코어의 직경은 3nm 내지 10nm일 수 있다.
상기 양자점은 사이즈에 따라 다양한 컬러를 구현할 수 있으며, 특히 형광체의 대체 물질로 사용되는 경우에는 적색 또는 녹색 형광체로 사용될 수 있다. 상기 양자점은 예를 들어, 약 35nm의 협반치폭을 구현할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제2 전극(160)은 제2 반도체 패턴(115)의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸도록 형성되므로, 제2 반도체 패턴(115)의 상면 또는 저면에 제2 전극(160)을 형성하기 위한 공간을 별도로 형성할 필요가 없으며, 이에 따라 상기 반도체 발광 소자의 집적도가 향상될 수 있다. 이때, 제2 전극(160)은 제2 반도체 패턴(115) 상부의 측벽에 접촉할 수 있으나, 제1 반도체 패턴(135) 및 제1 전극(140)과는 절연 패턴(155)에 의해 접촉하지 않을 수 있다.
또한, 제2 전극(160)은 상기 수평 방향으로 연장되어 상기 각 복수 개의 제1 전극(140), 상기 발광 구조물 및 절연 패턴(155)을 전체적으로 커버할 수 있으므로, 상기 반도체 발광 소자의 공통전극 역할을 수행할 수 있다.
한편, 상기 제1 및 제2 전극들(140, 160)이 광을 반사시키는 성질을 갖는 금속 성분을 포함할 수 있으며, 제2 전극(160)은제1 전극(140) 아래까지 연장되어 상기 수직 방향으로 제1 전극(140)의 가장자리 부분을 완전히 커버하도록 오버랩될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광 구조물로부터 발생하는 광이 상기 기판(200)을 향하여 아래쪽으로 투과될 수 없고, 오직 광변환 패턴(220)을 향하여 위쪽으로만 투과될 수 있으므로, 상기 반도체 발광 소자의 광 손실이 방지될 수 있다.
도 3 내지 도 18은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 평면도들 및 단면도들이다. 구체적으로, 도 3, 5, 7, 9, 11, 15 및 17은 평면도들이고, 도 4, 6, 8, 10, 12-14, 16 및 18은 대응하는 각 평면도들의 A-A'선을 따라 절단한 단면도들이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 제2 반도체 층(110), 활성층(120) 및 제1 반도체 층(130)을 순차적으로 형성할 수 있다.
베이스 기판(100)은 유리, 사파이어 등과 같은 절연성 물질, 실리콘(Si), 실리콘 탄화물(SiC) 등과 같은 반도체 물질, 혹은 아연 산화물(ZnO)과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다.
순차적으로 형성된 제2 반도체 층(110), 활성층(120) 및 제1 반도체 층(130)은 예를 들어, 금속 유기 화학 기상 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD), 수소 기상 에피택시(Hydride Vapor Phase Epitaxy: HVPE) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 반도체 층(110)은 활성층(120) 및 제1 반도체 층(130)에 비해 두꺼운 두께를 갖도록 형성될 수 있고, 활성층(120)은 제2 반도체 층(110) 상에 일정한 두께로 컨포멀하게 형성될 수 있으며, 제1 반도체 층(130)도 활성층(120) 상에 일정한 두께로 컨포멀하게 형성될 수 있다.
한편, 도 4는 활성층(120) 및 제1 반도체 층(130)이 실질적으로 동일한 두께로 형성된 것을 도시하고 있으나, 본 발명의 개념은 반드시 이에 한정되지 않으며, 활성층(120) 및 제1 반도체 층(130)은 서로 다른 두께로 형성될 수도 있다.
제2 반도체 층(110)은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te) 혹은 탄소(C)가 도핑된갈륨 질화물(GaN), 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN), 인듐갈륨 질화물(InGaN) 등을 포함할 수 있으며, 이에 따라 제2 반도체 층(110)은 n형의 도전형을 가질 수 있다.
활성층(120)은 인듐갈륨 질화물(InGaN)을 포함할 수 있으며, 양자 우물(Quantum Well: QW) 구조를 가질 수 있다.
제1 반도체 층(130)은 마그네슘(Mg)이 도핑된갈륨 질화물(GaN), 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN), 인듐갈륨 질화물(InGaN) 등을 포함할 수 있으며, 이에 따라 p형의 도전형을 가질 수 있다.
한편, 기판(100)과 제2 반도체 층(110) 사이에는 이들 사이의 격자 부정합을 완화시키기 위한 버퍼층(도시되지 않음)이 더 형성될 수도 있다. 상기 버퍼층은 예를 들어, 갈륨 질화물(GaN)을 포함할 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 반도체 층(130), 활성층(120) 및 제2 반도체 층(110) 상에 제1 식각 마스크(도시되지 않음)를 형성한 후, 이를 사용하는 제1 식각 공정을 수행함으로써 제1 반도체 층(130), 활성층(120) 및 제2 반도체 층(110)의 상부를 부분적으로 제거할 수 있다. 이에 따라, 제1 반도체 층(130) 및 이의 하부에 형성된 활성층(120)은 각각 제1 반도체 패턴(135) 및 활성 패턴(125)으로 변환될 수 있으며, 제2 반도체 층(110)은 활성 패턴(125) 하부의 제1 부분과, 이보다 낮은 상면을 갖는 제2 부분으로 나뉘어질 수 있다.
순차적으로 적층된 제2 반도체 층(110)의 상기 제1 부분, 활성 패턴(125) 및 제1 반도체 패턴(135)을 포함하는 구조물은 그 상면이 편평하고 그 폭이 아래로 갈수록 점차 증가하는 메사(mesa) 형상을 가질 수 있으며, 이에 따라 이하에서는 이들을 함께 제1 메사 구조물로 지칭하기로 한다.
상기 제1 식각 마스크는 위에서 보았을 때, 예를 들어, 사각형과 같은 다각 형상 혹은 원 형상을 가질 수 있고, 이의 하부에 형성된 각 제1 반도체 패턴(135), 활성 패턴(125) 및 제2 반도체 층(110)의 상기 제1 부분도 위에서 보았을 때, 예를 들어, 사각형과 같은 다각 형상 혹은 원 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 메사 구조물은 베이스 기판(100)의 상면에 평행한 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 복수 개로 형성될 수 있다.
상기 제1 식각 마스크는 예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 제1 메사 구조물 상에 제1 전극(140)을 형성한 후, 제1 전극(140), 상기 제1 메사 구조물, 및 제2 반도체 층(110)의 상기 제2 부분을 전체적으로 커버하는 절연막(150)을 형성할 수 있다.
구체적으로, 제1 전극(140)은 제1 반도체 패턴(135) 상에 제1 개구를 포함하는 제1 마스크(도시되지 않음)를 형성하고, 상기 제1 개구를 채우도록 금속을 증착함으로써 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 개구의 폭은 제1 반도체 패턴(135)의 폭보다 작을 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 개구를 채우도록 형성되는 제1 전극(140)의 폭도 제1 반도체 패턴(135)의 폭보다 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(140)은 각 제1 반도체 패턴(135) 및 활성 패턴(125)의 형상들과 유사한 형상, 예를 들어, 사각형과 같은 다각 형상 혹은 원형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(140)은 각 제1 반도체 패턴(135) 및 활성 패턴(125)의 두께들과 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 이와는 달리, 제1 전극(140)은 각 제1 반도체 패턴(135) 및 활성 패턴(125)의 두께들과 다른 두께를 가질 수도 있다.
상기 제1 메사 구조물이 상기 수평 방향으로 서로 이격되도록 복수 개로 형성되므로, 이들 상에 형성되는 제1 전극(140) 역시 상기 수평 방향을 따라 복수 개로 형성될 수 있다.
제1 전극(140)은 예를 들어, 은(Ag), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 이때, 제1 전극(140)은 p형의 제1 반도체 패턴(135)에 연결되므로, p형 전극의 역할을 수행할 수 있다. 한편, 제1 전극(140)과 제1 반도체 패턴(135) 사이에는 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO) 등을 포함하는 투명 전극(도시되지 않음)이 더 형성될 수도 있다.
이후, 상기 제1 마스크를 제거한 후, 제1 전극(140), 상기 제1 메사 구조물, 및 제2 반도체 층(110)의 상기 제2 부분을 전체적으로 커버하는 절연막(150)을 형성할 수 있다. 절연막(150)은 예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 절연 물질을 포함할 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 절연막(150)에 대해 제2 식각 공정을 수행하여 절연 패턴(155)을 형성한 후, 제2 반도체 층(110)의 상기 제2 부분에 대해 제3 식각 공정을 수행하여 제2 반도체 패턴(115)을 형성할 수 있다.
상기 제2 식각 공정은 순차적으로 형성된 상기 제1 메사 구조물, 제1 전극(140) 및 이의 상부에 형성된 절연막(150) 부분 상에 제2 식각 마스크를 형성한 후, 이에 의해 커버되지 않은 절연막(150) 부분을 제2 반도체 층(110)의 상기 제2 부분의 상면이 노출될 때까지 식각함으로써 수행될 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(140)의 상면 및 측벽, 상기 제1 메사 구조물의 상면 및 측벽, 및 제2 반도체 층(110)의 상기 제2 부분의 상면 일부를 커버하는 절연 패턴(155)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 패턴(155)은 상기 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 복수 개로 형성될 수 있다.
상기 제3 식각 공정은 절연 패턴(155) 및 이에 인접한 제2 반도체 층(110)의 상기 제2 부분의 일부를 커버하는 제3 식각 마스크를 형성한 후, 이에 의해 커버되지 않은 제2 반도체 층(110)의 상기 제2 부분의 상부를 제거함으로써 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 제3 식각 공정에 의해 제거되지 않은 상기 제2 반도체 층(110)의 상기 제1 및 제2 부분들은 제2 반도체 패턴(115)으로 변환될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 반도체 패턴(115)은 순차적으로 적층된 하부 및 상부를 포함할 수 있으며, 상기 하부의 폭은 상기 상부의 폭보다 클 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 순차적으로 적층된 제2 반도체 패턴(115), 활성 패턴(125), 제1 반도체 패턴(135), 제1 전극(140) 및 절연 패턴(155)은 제2 메사 구조물을 형성할 수 있으며, 이는 상기 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 복수 개로 형성될 수 있다.
상기 각 제2 메사 구조물들에서 순차적으로 적층된 제2 반도체 패턴(115), 활성 패턴(125) 및 제1 반도체 패턴(135)은 함께 발광 구조물을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 각 절연 패턴(155) 및 제2 반도체 패턴(115)은 상기 베이스 기판(100) 상면에 수직하지 않은 측벽을 가질 수 있다. 이때, 절연 패턴(155)의 상기 측벽이 갖는 기울기와 제2 반도체 패턴(115)의 상기 측벽이 갖는 기울기는 실질적으로 동일할 수 있고 서로 다를 수도 있다.
도 11 및12를 참조하면, 베이스 기판(100) 상에 상기 제2 메사 구조물의 상면 일부를 제외한 나머지 부분들을 전체적으로 커버하는 제2 전극(160)을 형성할 수 있다.
구체적으로, 제2 전극(160)은 상기 제2 메사 구조물이 형성된 베이스 기판(100) 상에 제2 전극막을 일정한 두께로 컨포멀하게 형성한 후, 상기 제2 메사 구조물의 상면 일부, 예를 들어, 제1 전극(140)의 가운데 부분 상에 형성된 상기 제2 전극막 부분을 제거함으로써 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2 메사 구조물의 상면 가운데 부분 상에는 절연 패턴(155)의 상면을 부분적으로 노출시키는 제2 개구(170)가 형성될 수 있다.
제2 전극(160)은 상기 수평 방향으로 연장되어 제2 반도체 층(110)의 상면, 제2 반도체 패턴(115)의 상기 하부의 측벽 및 상면 일부, 및 절연 패턴(155)의 측벽 및 상면 일부에 접촉할 수 있으며, 제1 전극(140) 상면의 가장자리 부분과 베이스 기판(100) 상면에 수직한 수직 방향으로 오버랩 될 수 있다. 이때, 활성 패턴(125), 제1 반도체 패턴(135) 및 제1 전극(140)은 절연 패턴(155)에 의해 커버되므로, 제2 전극(160)과 접촉하지 않을 수 있으며, 제2 반도체 패턴(115)의 상기 상부의 일부도 절연 패턴(155)에 의해 커버되므로 제2 전극(160)과 접촉하지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(160)은 상기 각 제2 메사 구조물의 측벽 및 상면 일부에 접촉하는 제1 부분, 및 제2 반도체 층(110) 상에서 상기 수평 방향으로 연장되는 제2 부분을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 전극(160)의 상기 제1 부분은 상기 수직 방향을 따라 지그재그(Zigzag) 형상과 유사한 형상을 가질 수 있다.
제2 전극(160)은 제1 전극(140)과 실질적으로 동일한 물질, 예를 들어, 은(Ag), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다. 이때, 제2 전극(160)은 n형의 제2 반도체 패턴(115)에 연결되므로, n형 전극의 역할을 수행할 수 있다. 한편, 제2 전극(160)과 제2 반도체 패턴(115) 사이에는 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO) 등을 포함하는 투명 전극(도시되지 않음)이 더 형성될 수도 있다.
도 13을 참조하면, 제2 전극(160) 및 제2 개구(170)에 의해 노출된 절연 패턴(155)의 상면을 커버하는 층간 절연막(180)을 형성한 후, 층간 절연막(180) 및 절연 패턴(155)을 관통하여 제1 전극(140)에 접촉하는 제1 콘택 플러그(192), 및 층간 절연막(180)을 관통하여 제2 전극(160)에 접촉하는 제2 콘택 플러그(194)를 형성할 수 있다.
한편, 도 13은 제1 및 제2 콘택 플러그들(192, 194)이 상기 수평 방향을 따라 교대로 반복적으로 형성된 것을 개시하고 있으나, 본 발명의 개념은 반드시 이에 한정되지 않는다. 즉, 제2 전극(160)이 상기 반도체 발광 소자의 공통 전극으로서의 역할을 수행할 수 있으므로, 제2 전극(160)에 접촉하여 이에 전기적으로 연결된 제2 콘택 플러그(194)의 개수는 한정되지 않을 수 있으며, 상기 제2 콘택 플러그(194)의 개수는 필요에 따라 임의로 조절될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 적어도 하나 이상의 제2 콘택 플러그(194)가 제2 전극(160)에 접촉하여 이에 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 콘택 플러그들(192, 194)은 상기 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 형성될 수 있다. 이때, 각 제1 및 제2 콘택 플러그들(192, 194)은 필라 형상 혹은 일 방향으로 연장되는 라인 형상을 가질 수 있다.
도 14를 참조하면, 제1 및 제2 콘택 플러그들(192, 194)이 형성된 층간 절연막(180) 상에 기판(200)을 본딩한 후, 이를 사용하여 베이스 기판(100)을 상하로 뒤집을 수 있다.
이에 따라, 베이스 기판(100)의 저면이 위쪽을 향하도록 배치될 수 있고, 베이스 기판(100) 상에 형성된 구조물들의 상하부가 뒤바뀔 수 있다. 이하에서는, 이전에 각 구조물들의 상하부로 지칭된 것들을 이와 반대로 지칭하기로 한다.
기판(200)은 베이스 기판(100)과 실질적으로 동일한 물질, 예를 들어, 유리, 사파이어 등과 같은 절연성 물질, 실리콘(Si), 실리콘 탄화물(SiC) 등과 같은 반도체 물질, 혹은 아연 산화물(ZnO)과 같은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 비록 도시하지는 않았지만, 기판(200)에는 드라이버 IC(Driver IC)가 내장될 수 있으며, 상기 드라이버 IC와 제1 및 제2 콘택 플러그들(192, 194)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
도 15 및 16을 참조하면, 베이스 기판(100) 및 제2 반도체 층(110)을 제거할 수 있으며, 이에 따라 제2 전극(160) 및 제2 반도체 패턴(115)의 상면이 노출될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 베이스 기판(100)은 그라인딩 공정 및/또는 CMP 공정 등을 통해 제거될 수 있다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 제2 전극(160)의 상기 제2 부분 상에 도전성 분리 패턴(210)을 형성할 수 있다.
구체적으로, 도전성 분리 패턴(210)은 제2 전극(160)의 상기 제2 부분의 상면 및 제2 반도체 패턴(115)의 상면 상에 제3 개구를 포함하는 제2 마스크(도시되지 않음)를 형성한 후, 상기 제3 개구를 채우도록 도금 공정을 수행함으로써 형성될 수 있다.
도전성 분리 패턴(210)은 반사율이 좋고 저항이 낮은 물질, 예를 들어, 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au) 등과 같은 금속 물질을 포함할 수 있으며, 제2 전극(160)의 상기 제2 부분과 접촉함으로써 이에 전기적으로 연결될 수 있다.
이후, 상기 제2 마스크를 제거함으로써, 제2 반도체 패턴(115)의 상면 및 제2 전극(160)의 상기 제2 부분의 상면 일부를 노출시키는 제4 개구(215)를 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제4 개구(215)는 예를 들어, 위에서 보았을 때 사각형과 같은 다각 형상 혹은 원형상을 가질 수 있다.
다시 도 1 및 도 2a를 참조하면, 제4 개구(215)에 의해 노출된 제2 반도체 패턴(115)의 상면 및 제2 전극(160)의 상기 제2 부분의 상면 일부 상에 광변환 패턴(220)을 형성함으로써, 상기 반도체 발광 소자의 제조를 완성할 수 있다.
광변환 패턴(220)은 제1 내지 제3 광변환 패턴들(220a, 220b, 220c)을 포함할 수 있고, 각 제1 내지 제3 광변환 패턴들(220a, 220b, 220c)은 제4 개구(215)를 채우도록 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 내지 제3 광변환 패턴들(220a, 220b, 220c)은 상기 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 복수 개로 형성될 수 있다.
제1 내지 제3 광변환 패턴들(220a, 220b, 220c)은 서로 다른 물질을 포함할 수 있으며, 이에 따라 상기 발광 구조물로부터 발생하는 광을 투과시켜 적색광, 녹색광 또는 청색광을 구현할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 광변환 패턴(220)은 적어도 일부에 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 구조물이 자외선을 발광하는 경우, 제1 광변환 패턴(220a)은 적색 파장 변환 물질을 포함할 수 있고, 제2 광변환 패턴(220b)은 녹색 파장 변환 물질을 포함할 수 있으며, 제3 광변환 패턴(220a)은 청색 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 광변환패턴(220) 중 일부는 파장 변환 물질을 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물이 청색광을 발광하는 경우, 제3 광변환 패턴(220c)은 파장 변환 물질을 포함하지 않을 수 있다.
파장 변환 물질은 상기 발광 구조물이 발광하는 빛을 흡수해 다른 파장의 빛을 발광한다. 파장 변환 물질은 양자점 및/또는 형광체를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 형광체는 다음과 같은 조성 및 색상을 가질 수 있다.
산화물계: 황색 및 녹색 Y3Al5O12:Ce, Tb3Al5O12:Ce, Lu3Al5O12:Ce
실리케이트계: 황색 및 녹색 (Ba, Sr)2SiO4:Eu, 황색 및 등색 (Ba, Sr)3SiO5:Ce
질화물계: 녹색 -SiAlON:Eu, 황색 La3SiN11:Ce, 등색 -SiAlON:Eu, 적색 CaAlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, SrSIAl4N7:Eu, SrLiAl3N4:Eu, Ln4-x(EuzM1-z)xSi12-yAlyO3+x+yN18-x-y (0.5=x=3, 0<z<0.3, 0<y=4) 이때, Ln은 IIIa족 원소 및 희토류 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 한 종의 원소이고, M은 Ca, Ba, Sr 및 Mg로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 한종의 원소일 수 있다.
플루오라이드(fluoride)계: KSF계 적색 K2SiF6:Mn4 +, K2TiF6:Mn4 +, NaYF4:Mn4 +, NaGdF4,:Mn4 +, K3SiF7:MN4 +
형광체 조성은 기본적으로 화학양론(stoichimetry)에 부합하여야 하며, 각 원소들은 주기율표상 동일한 족의 다른 원소로 치환이 가능하다. 예를 들어, Sr은 알칼리토류(II) 족의 Ba, Ca, Mg 등으로 치환이 가능하며, Y는 란탄 계열의 Tb, Lu, Sc, Gd 등으로 치환이 가능하다. 또한, 활성제인 Eu 등은 원하는 에너지 준위에 따라 Ce, Tb, Pr, Er, Yb 등으로 치환이 가능하며, 단독으로 사용되거나 혹은 특성 변형을 위해 부활성제 등이 추가로 적용될 수 있다.
한편, 플루오라이드계 적색 형광체는 고온/고습에서의 신뢰성 향상을 위하여 각각 Mn을 함유하지 않는 불화물로 코팅되거나, 또는 형광체 표면 또는 Mn을 함유하지 않는 불화물 코팅 표면에 유기물 코팅을 더 포함할 수 있다.
도 2b는 예시적인 실시예들에 따른 양자점(quantum dot, QD)의 단면 구조를 나타내는 개략도이다.
구체적으로, 상기 양자점은 III-V 또는 II-Vi 화합물 반도체를 이용하여 코어(Core)-쉘(Shell) 구조를 가질 수 있다. 상기 코어는 예를 들어, CdSe, InP 등과 같은 물질을 포함할 수 있으며, 상기 쉘은 예를 들어, ZnS, ZnSe 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은코어 및 쉘의 안정화를 위한 리간드(Ligand)를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 코어의 직경은 1nm 내지 30nm일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 코어의 직경은 3nm 내지 10nm일 수 있다.
상기 양자점은 사이즈에 따라 다양한 컬러를 구현할 수 있으며, 특히 형광체의 대체 물질로 사용되는 경우에는 적색 또는 녹색 형광체로 사용될 수 있다. 상기 양자점은 예를 들어, 약 35nm의 협반치폭을 구현할 수 있다.
상기 파장 변환 물질은 봉지재에 함유된 형태로 제조되어 부착될 수 있으나, 본 발명의 개념은 반드시 이에 한정되지 않는다. 즉, 상기 파장변환물질은 예를 들어, 필름 형태로 미리 제조되어 부착될 수도 있으며, 이 경우 상기 필름 형태의 파장 변환 물질은 균일한 두께를 갖도록 원하는 영역에 용이하게 적용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 제2 전극(160)은 제2 반도체 패턴(115)의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸도록 형성되므로, 제2 반도체 패턴(115)의 상면 또는 저면에 제2 전극(160)을 형성하기 위한 공간을 별도로 형성할 필요가 없으며, 이에 따라 상기 반도체 발광 소자의 집적도가 향상될 수 있다. 이때, 제2 전극(160)은 제2 반도체 패턴(115) 상부의 측벽에 접촉할 수 있으나, 제1 반도체 패턴(135) 및 제1 전극(140)과는 절연 패턴(155)에 의해 접촉하지 않을 수 있다.
또한, 제2 전극(160)은 상기 수평 방향으로 연장되어 상기 각 복수 개의 제1 전극들(140), 상기 발광 구조물들 및 절연 패턴들(155)을 전체적으로 커버할 수 있으므로, 상기 반도체 발광 소자의 공통전극 역할을 수행할 수 있다.
한편, 상기 제1 및 제2 전극들(140, 160)이 광을 반사시키는 성질을 갖는 금속 성분을 포함할 수 있으며, 제2 전극(160)은 제1 전극(140) 아래까지 연장되어 상기 수직 방향으로 제1 전극(140)의 가장자리 부분을 완전히 커버하도록 오버랩될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광 구조물로부터 발생하는 광이 기판(200)을 향하여 아래쪽으로 투과될 수 없고, 오직 광변환 패턴(220)을 향하여 위쪽으로만 투과될 수 있으므로, 상기 반도체 발광 소자의 광 손실이 방지될 수 있다.
도 19 내지 도 23은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 제조 방법의 단계들을 설명하기 위한 단면도들이다. 이때, 도 19 내지 도 23은 대응하는 각 평면도들의 A-A'선을 따라 절단한 단면도들이다.
상기 반도체 발광 소자의 제조 방법은 일부 단계들을 제외하고는 도3 내지 도 18을 참조로 설명한 반도체 발광 소자의 제조 방법과 실질적으로 동일하거나 유사하다. 이에 따라, 동일한 구성 요소에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 이들에 대한 반복적인 설명은 생략한다.
도 19를 참조하면, 도 3 및 도 4를 참조로 설명한 공정들을 수행한 후, 제1 식각 공정(MESA)을 수행하지 않고, 바로 제1 전극(140)을 형성할 수 있다.
즉, 베이스 기판(100) 상에 제2 반도체 층(110), 활성층(120) 및 제1 반도체 층(130)을 순차적으로 형성한 후, 상기 제1 개구를 포함하는 상기 제1 마스크(도시되지 않음)를 형성하고, 상기 제1 개구를 채우도록 금속을 증착함으로써 제1 전극(140)을 형성할 수 있다. 이때, 제1 전극(140)을 형성하기 전에 상기 제1 식각 공정을 수행하지 않으므로, 제1 반도체 층(130), 활성층(120) 및 제2 반도체 층(110)의 상부가 제거되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(140)은 제1 반도체 층(130) 상에 복수 개로 형성되어 상기 수평 방향을 따라 서로 이격될 수 있으며, 각각의 제1 전극(140)들은 예를 들어, 사각형과 같은 다각 형상을 가질 수 있다.
도 20을 참조하면, 도 7 내지 도 10을 참조로 설명한 공정들과 유사한 공정을 수행할 수 있으나, 제1 전극(140)을 형성한 후 절연막을 형성하기 전에 발광 구조물들을 분리하기 위한 제3 식각 공정을 먼저 수행할 수 있다.
즉, 구체적으로, 제1 반도체 층(130), 활성층(125) 및 제2 반도체 층(110) 상에 제4 식각 마스크(도시되지 않음)을 형성한 후 이를 사용하는 상기 제3 식각 공정을 수행함으로써, 제1 반도체 층(130), 활성층(125) 및 제2 반도체 층(110)의 상부를 부분적으로 제거할 수 있으며, 이에 따라 이들은 각각 제1 반도체 패턴(135), 활성 패턴(125) 및 제2 반도체 패턴(115)으로 변환될 수 있다.
이때, 도 7 내지 도 10에 도시된 것과는 달리, 제1 전극(140)을 형성한 후에 절연막(150)이 형성되지 않으므로, 절연막(150)을 패터닝 하기 위한 제2 식각 공정은 수행되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 순차적으로 적층된 제2 반도체 패턴(115), 활성 패턴(125)및 제1 반도체 패턴(135)을 포함하는 발광 구조물은 상기 베이스 기판(100) 상면에 수직하지 않고 경사진 측벽을 가질 수 있고, 상기 발광 구조물의 측벽은 일정한 기울기를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 전극(140)의 폭은 제1 반도체 패턴(135)의 폭보다 작을 수 있다.
도 21을 참조하면, 제1 전극(140), 상기 발광 구조물, 및 제2 반도체 층(110)의 상면을 전체적으로 커버하는 절연막(150) 및 제5 식각 마스크(도시되지 않음)를 순차적으로 형성하고, 상기 제5 식각 마스크를 사용하는 제4 식각 공정을 수행할 수 있으며, 이에 따라 절연막(150)은 절연 패턴(155)으로 변환될 수 있다. 이때, 상기 제5 식각 마스크의 상기 수평 방향으로의 폭은 활성 패턴(125)의 폭보다 클 수 있으며, 상기 제5식각 마스크로 사용하여 패터닝된 절연 패턴(155)의 폭도 활성 패턴(125)의 폭보다 클 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 절연 패턴(155)은 제1 전극(140)의 상면 및 측벽, 제1 반도체 패턴(135)의 상면 일부와 측벽, 활성 패턴(125)의 측벽, 제2 반도체 층(110)의 측벽 상부를 커버할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 절연 패턴(155)은 상기 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 복수 개로 형성될 수 있다.
도 22를 참조하면, 도 11 및 도 12를 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들을 수행할 수 있다.
이에 따라, 베이스 기판(100) 상에 상기 발광 구조물, 제1 전극(140) 및 절연 패턴(155)을 포함하는제2 메사 구조물의 상면 일부를 제외한 나머지 부분들을 전체적으로 커버하는 제2 전극(160)을 형성할 수 있다, 이때, 상기 제2 메사 구조물의 상면 일부, 예를 들어, 제1 전극(140)의 가운데 부분 상에는 절연 패턴(155)의 상면을 부분적으로 노출시키는 제2 개구(170)가 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(160)은 상기 수평 방향으로 연장되어 제2 반도체 층(110)의 상면, 제2 반도체 패턴(115)의 상기 하부의 측벽, 절연 패턴(155)의 측벽 및 상면 일부에 접촉할 수 있으며, 제1 전극(140) 상면의 가장자리 부분과 베이스 기판(100) 상면에 수직한 수직 방향으로 오버랩 될 수 있다. 이때, 활성 패턴(125), 제1 반도체 패턴(135) 및 제1 전극(140)은 절연 패턴(155)에 의해 커버되므로, 제2 전극(160)과 접촉하지 않을 수 있으며, 상기 제2 반도체 패턴(115)의 상부도 절연 패턴(155)에 의해 커버되므로 제2 전극(160)과 접촉하지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(160)은 상기 각 제2 메사 구조물의 측벽 및 상면 일부에 접촉하는 제1 부분, 및 제2 반도체 층(110) 상에서 상기 수평 방향으로 연장되는 제2 부분을 포함할 수 있다.
도 23을 참조하면, 도 13 내지 도 18, 및 도 1 및 도 2를 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일한 공정들을 수행함으로써, 상기 반도체 발광 소자를 완성할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제2 전극(160)이 제2 반도체 패턴(115)의 측벽에 접촉하도록 형성될 수 있으므로, 제2 반도체 패턴(115) 상에 제2 전극(160)을 형성하기 위한 공간을 별도로 형성하지 않을 수 있으며, 상기 공간을 형성하기 위해 수행되는 메사 공정을 수행하지 않을 수 있다. 이에 따라, 상기 반도체 발광 소자의 제조에 소요되는 시간과 비용이 절감될 수 있다.
도 24 내지 도 26은 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 제조 방법의 단계들을 설명하기 위한 단면도들이다. 이때, 도 24 내지 도 26은 대응하는 각 평면도들의 A-A'선을 따라 절단한 단면도들이다.
상기 반도체 발광 소자의 제조 방법은 일부 단계들을 제외하고는 도3 내지 도 18을 참조로 설명한 반도체 발광 소자의 제조 방법과 실질적으로 동일하거나 유사하다. 이에 따라, 동일한 구성 요소에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 이들에 대한 반복적인 설명은 생략한다.
도 24를 참조하면, 도 3 내지 도 8을 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들을 수행한 후, 절연막 (140)에 대해 제2 식각 공정을 수행하여 절연 패턴(155)을 형성하고, 상기 제2 공정에 의해 제거된 제2 반도체 층(110) 부분 즉, 제2 반도체 층(110)의 제2 부분에 대해 제3 식각 공정을 수행할 때, 상기 제3 식각 공정이 베이스 기판(100)의 상면을 노출시킬 때까지 수행될 수 있다.
이에 따라, 상기 제3 식각 공정이 수행된 후, 발광 구조물, 제1 전극(140) 및 제1 절연 패턴(155)을 포함하는 제2 메사 구조물은 상기 수평 방향을 따라 서로 이격되도록 형성될 수 있으며, 상기 제2 메사 구조물의 하부에는 제2 반도체 층(110)이 잔류하지 않을 수 있다.
이후, 상기 노출된 베이스 기판(100)의 상면 부분, 및 상기 제2 메사 구조물의 측벽 및 상면 일부 상에 제2 전극막을 일정한 두께로 컨포멀하게 형성한 후, 상기 제2 메사 구조물의 상면 일부, 예를 들어, 제1 전극(140)의 가운데 부분 상에 형성된 제2 전극막 부분을 제거함으로써 제2 전극(160)이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(160)은 상기 각 제2 메사 구조물의 측벽 및 상면 일부에 접촉하는 제1 부분, 및 베이스 기판(100) 상에서 상기 수평 방향으로 연장되는 제2 부분을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 전극(160)의 상기 제1 부분은 상기 수직 방향을 따라 지그재그(Zigzag) 형상과 유사한 형상을 가질 수 있다.
도 25 및 도 26을 참조하면, 도 13 내지 도 18, 및 도 1 및 도 2를 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일한 공정들을 수행함으로써, 상기 반도체 발광 소자를 완성할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제2 반도체 층(110)이 상기 제1 구조물을 형성하기 위한 상기 제3 식각 공정에 의해 완전히 제거되므로, 이후 베이스 기판(100)을 제거할 때 제2 반도체 층(110)을 제거할 필요가 없으며, 이에 따라 상기 반도체 발광 소자의 제조 방법에 소요되는 시간 및 비용이 절감될 수 있다.
도 27 내지 도 29는 예시적인 실시예들에 따른 반도체 발광 소자의 제조 방법의 단계들을 설명하기 위한 단면도들이다. 이때, 도 27 내지 도 29는 대응하는 각 평면도들의 A-A'선을 따라 절단한 단면도들이다.
상기 반도체 발광 소자의 제조 방법은 일부 단계들을 제외하고는 도3 내지 도 18을 참조로 설명한 반도체 발광 소자의 제조 방법과 실질적으로 동일하거나 유사하다. 이에 따라, 동일한 구성 요소에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 이들에 대한 반복적인 설명은 생략한다.
도 27을 참조하면, 도 3 내지 도 10을 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들을 수행할 수 있다.
다만, 도 9 및 도 10을 참조로 설명한 것과는 달리, 한 번의 식각 공정만을 수행함으로써, 절연 패턴(155) 및 제2 반도체 패턴(115)을 형성할 수 있다.
구체적으로, 상기 제2 식각 공정은 순차적으로 형성된 제1 메사 구조물, 제1 전극(140) 및 이의 상부에 형성된 절연막(150) 부분 상에 제2 식각 마스크를 형성한 후, 이에 의해 커버되지 않은 절연막(150) 부분 및 제2 반도체 층(110)의 상부를 식각함으로써 수행될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 절연 패턴(155) 및 제2 반도체 패턴(115)은 베이스 기판(100) 상면에 수직하지 않고 경사진 측벽을 가질 수 있으며, 각 절연 패턴(155)의 측벽 및 제2 반도체 패턴(115)의 측벽은 서로 동일한 기울기를 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 절연 패턴(155)의 측벽 및 상기 제2 반도체 패턴(115)의 측벽은 함께 직선 형상을 가질 수 있다.
도 28을 참조하면, 도 11 및 도 12를 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들을 수행할 수 있다.
다만, 상기 절연 패턴(155)의 측벽 및 상기 제2 반도체 패턴(115)의 측벽이 함께 직선 형상을 가질 수 있으므로, 이들의 상부에 형성되는 제2 전극(160)부분도 직선 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 절연 패턴(155)의 측벽 및 상기 제2 반도체 패턴(115)의 측벽 상에 형성된 제2 전극(160) 부분은 일정한 기울기를 가질 수 있고, 상기 베이스 기판(100) 상면에 수직하지 않고 경사진 측벽을 가질 수 있다.
도 29를 참조하면, 도 13 내지 도 18, 및 도 1 및 도 2를 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일한 공정들을 수행함으로써, 상기 반도체 발광 소자를 완성할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 제2 반도체 막
115: 제2 반도체 패턴 120: 활성막
125: 활성 패턴 130: 제1 반도체 막
135: 제1 반도체 패턴 140: 제1 전극
150: 절연막 155: 절연 패턴
160: 제2 전극 170: 제2 개구
180: 층간 절연막 192, 194: 제1 및 제2 콘택 플러그들
200: 기판 210: 도전성 분리 패턴
215: 제4 개구 220: 광변환 패턴
220a, 220b, 220c: 제1 내지 제3 광변환 패턴

Claims (10)

  1. 기판 상에 형성되며, 상기 기판 상면에 수직한 수직 방향을 따라 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴, 활성 패턴, 및 제2 반도체 패턴을 포함하는 발광 구조물;
    상기 제1 반도체 패턴의 저면에 접촉하는 제1 전극; 및
    상기 제2 반도체 패턴의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸는 제2 전극을 포함하는 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제1 전극 아래까지 연장되며, 상기 수직 방향으로 상기 제1 반도체 패턴과 부분적으로 오버랩되는 반도체 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 활성 패턴, 상기 제1 반도체 패턴 및 상기 제1 전극의 측벽들 사이에 형성되어 이들에 접촉하는 절연 패턴을 더 포함하는 반도체 발광 소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 절연 패턴은 상기 제2 반도체 패턴의 하부 측벽에도 접촉하는 반도체 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 패턴은 제1 폭을 갖는 제1 부분, 및 이의 하부에 형성되며 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭을 갖는 제2 부분을 포함하며,
    상기 제2 전극은 상기 제2 반도체 패턴의 상기 제1 부분의 측벽에 접촉하되, 상기 제2 반도체 패턴의 상기 제2 부분의 측벽에는 접촉하지 않는 반도체 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제2 반도체 패턴의 측벽에 접촉하는 제1 부분, 및 상기 기판의 상면에 평행한 수평 방향으로 연장되는 제2 부분을 포함하는 반도체 발광 소자.
  7. 기판 상에 서로 이격되며, 상기 기판 상면에 수직한 수직 방향을 따라 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴, 활성 패턴, 및 제2 반도체 패턴을 각각 포함하는 발광 구조물들;
    상기 각 발광 구조물들에 포함된 상기 제1 반도체 패턴의 저면에 접촉하는 제1 전극; 및
    상기 각 발광 구조물들에 포함된 상기 제2 반도체 패턴의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸는 제2 전극을 포함하며,
    상기 제2 전극들은 상기 발광 구조물들 사이에서 상기 기판 상면에 평행한 수평 방향으로 연장되어 서로 연결되는 반도체 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 각 제2 전극들은 상기 제1 전극 아래까지 연장되며, 상기 수직 방향으로 상기 제1 반도체 패턴과 부분적으로 오버랩되는 반도체 발광 소자.
  9. 구동 회로(Driver IC) 기판 상에 서로 이격되며, 상기 구동 회로 기판 상면에 수직한 수직 방향을 따라 순차적으로 적층된 제1 반도체 패턴, 활성 패턴, 및 제2 반도체 패턴을 각각 포함하는 발광 구조물들;
    상기 각 발광 구조물들에 포함된 상기 제1 반도체 패턴의 저면에 접촉하는 제1 전극;
    상기 각 발광 구조물들에 포함된 상기 제2 반도체 패턴의 측벽에 접촉하여 이를 둘러싸는 제2 전극;
    상기 구동 회로 기판 상에 형성되어 상기 각 제1 전극들에 접촉하는 제1 콘택 플러그;
    상기 구동 회로 기판 상에 형성되어 상기 각 제2 전극들에 접촉하는 제2 콘택 플러그;
    상기 발광 구조물들에 각각 포함된 상기 제2 반도체 패턴들 상에 각각 형성된 광변환 패턴들; 및
    상기 광변환 패턴들을 둘러싸며 상기 제2 전극들에 전기적으로 연결된 도전성 분리 패턴을 포함하며,
    상기 제2 전극들은 상기 발광 구조물들 사이에서 상기 기판 상면에 평행한 수평 방향으로 연장되어 서로 연결되는 반도체 발광 소자.
  10. 제9항에 있어서, 상기 각 제2 전극들과 상기 활성 패턴, 상기 제1 반도체 패턴 및 상기 제1 전극의 측벽들 사이에 형성되어 이들에 접촉하는 절연 패턴을 더 포함하는 반도체 발광 소자.

KR1020190158788A 2019-12-03 2019-12-03 반도체 발광 소자 KR20210069247A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190158788A KR20210069247A (ko) 2019-12-03 2019-12-03 반도체 발광 소자
US15/932,000 US11380818B2 (en) 2019-12-03 2020-05-14 Semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190158788A KR20210069247A (ko) 2019-12-03 2019-12-03 반도체 발광 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210069247A true KR20210069247A (ko) 2021-06-11

Family

ID=76090965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190158788A KR20210069247A (ko) 2019-12-03 2019-12-03 반도체 발광 소자

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11380818B2 (ko)
KR (1) KR20210069247A (ko)

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100966372B1 (ko) 2007-11-23 2010-06-28 삼성엘이디 주식회사 모놀리식 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
KR101665932B1 (ko) 2010-02-27 2016-10-13 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
JP2013008817A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
KR20130109319A (ko) 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
KR102087933B1 (ko) 2012-11-05 2020-04-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이
KR20140117791A (ko) 2013-03-27 2014-10-08 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
DE112013006123T5 (de) 2012-12-21 2015-09-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiode und Verfahren zu deren Herstellung
US9356212B2 (en) 2012-12-21 2016-05-31 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
US9768345B2 (en) 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US10177127B2 (en) * 2015-09-04 2019-01-08 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same
US11056614B2 (en) * 2017-01-10 2021-07-06 PlayNitride Inc. Micro light-emitting diode chip
WO2018137139A1 (en) * 2017-01-24 2018-08-02 Goertek. Inc Micro-led device, display apparatus and method for manufacturing a micro-led device
KR101873259B1 (ko) 2017-02-02 2018-07-02 순천대학교 산학협력단 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법 및 조명 장치
US10748879B2 (en) * 2018-02-28 2020-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device and display
JP7248441B2 (ja) * 2018-03-02 2023-03-29 シャープ株式会社 画像表示素子
US10879217B1 (en) * 2019-09-11 2020-12-29 Jade Bird Display (shanghai) Limited Multi-color LED pixel unit and micro-LED display panel

Also Published As

Publication number Publication date
US11380818B2 (en) 2022-07-05
US20210167248A1 (en) 2021-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109119408B (zh) 发光二极管、发光二极管封装件和包括其的设备
KR102422362B1 (ko) 향상된 콘트라스트와 광도를 가지는 화소들을 구비하는 광전자장치
CN101740600B (zh) 发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装
JP5634003B2 (ja) 発光装置
CN104201267B (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
US20080251799A1 (en) Light emitting device
US8361819B2 (en) Methods of fabricating a light-emitting device
JP7306992B2 (ja) 発光ダイオードを備えた光電子デバイス
CN102088049A (zh) 发光器件和包括发光器件的发光器件封装
CN108140700A (zh) 发光器件
CN115191031A (zh) 具有电流扩散层的发光二极管器件
US20220037393A1 (en) Optoelectronic device comprising pixels which emit three colours
US11075250B2 (en) Light-emitting device package, display device including the same, and method of manufacturing the same
US10923530B2 (en) Optoelectronic device with light-emitting diodes
US11545595B2 (en) Contact structures for light emitting diode chips
CN115191033A (zh) 具有公共电极的发光二极管器件
CN115210869A (zh) 具有限定的硬掩模开口的发光二极管器件
US11329204B2 (en) Micro light emitting diode and manufacturing method of micro light emitting diode
CN115191032A (zh) 具有包括电流扩散层的多层复合膜的发光二极管器件
US11742469B2 (en) Semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same
KR20210069247A (ko) 반도체 발광 소자
CN108140697A (zh) 发光器件
US20230299059A1 (en) Micro light-emitting diode
US11515449B2 (en) Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
KR102619665B1 (ko) 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination