JP3175334U7 - - Google Patents

Claims (14)

1. 導電性支持基板と、
   前記導電性支持基板上の反射電極層と、
   前記反射電極層上の第２導電型の半導体層と、
   前記第２導電型の半導体層上の活性層と、
   前記活性層上の第１導電型の半導体層と、
   前記第１導電型の半導体層上の第１電極層と
   を備え、
   前記第１導電型の半導体層から前記第２導電型の半導体層までの、幅１０〜５００μｍのエッチング溝を有し、
   前記反射電極層は、前記第２の導電型の半導体層に向かって、中央部が周辺部に比べて突出しており、
   前記反射電極層の前記周辺部に保護層をさらに備え、
   前記保護層は、絶縁材料で構成されており、
   前記保護層は、前記反射電極層の上面及び側面と接触し、
   前記エッチング溝の幅は、前記保護層の幅よりも小さい、発光ダイオード。
2. 前記第１導電型の半導体層は、ＧａＮ系化合物半導体で構成されたｎ型半導体層であり、
   前記活性層は、量子井戸構造を有し、
   前記第２導電型の半導体層は、ＧａＮ系化合物半導体で構成されたｐ型半導体層である、請求項１に記載の発光ダイオード。
3. 前記反射電極層はｐ型電極として機能する、請求項１又は２に記載の発光ダイオード。
4. 前記反射電極層は、Ａｇ、Ｎｉ及びＰｔのうちの少なくとも１つを含む、請求項１から３のいずれかに記載の発光ダイオード。
5. 前記反射電極層は、Ａｇ及びＮｉを含む、請求項４に記載の発光ダイオード。
6. 前記反射電極層は、Ａｇ、Ｎｉ及びＰｔを含む、請求項４又は５に記載の発光ダイオード。
7. 前記導電性支持基板は金又は銅を含む、請求項１から６のいずれかに記載の発光ダイオード。
8. 前記保護層は、前記第２導電型の半導体層と接触する、請求項１から７のいずれかに記載の発光ダイオード。
9. 前記保護層は、前記第２導電型の半導体層の下面と接触する、請求項８に記載の発光ダイオード。
10. 前記保護層は、前記第２導電型の下面周辺部に接触する、請求項９に記載の発光ダイオード。
11. 前記反射電極層は、前記第２導電型の半導体層の下面中央部に接触する、請求項１から１０のいずれかに記載の発光ダイオード。
12. 前記第２導電型の半導体層の下に第３導電型の半導体層をさらに備える、請求項１から１１のいずれかに記載の発光ダイオード。
13. 前記反射電極層は、オーミックコンタクト機能を有する請求項１から１２のいずれかに記載の発光ダイオード。
14. 前記保護層の幅は２０μｍ〜６００μｍであり、高さは５μｍ〜５００μｍである、請求項１から１３のいずれかに記載の発光ダイオード。