JP2009302589A5 - - Google Patents

Claims (37)

1. 金を含む金属層と、
   前記金属層上の第１の極性を有する反射導電層と、
   前記反射導電層上にある第１の表面を備えている、第１の極性を有する第１のＧａＮ層と、
   前記第１のＧａＮ層上の活性層と、
   前記活性層上の第２の極性を有する第２のＧａＮ層と、
   前記第２のＧａＮ層の第２の表面上の第２の極性を有する電極とを有して構成され、
   前記反射導電層が第１の極性を有する電極として機能する、発光ダイオード。
2. 前記金属層が第１のパッドとして機能するように構成される、請求項１に記載の発光ダイオード。
3. 前記反射導電層が、前記活性層からの光を前記第２の表面に向けて反射させて前記第２の表面を通過させるように構成される、請求項１に記載の発光ダイオード。
4. 前記反射導電層および前記第２の表面が、前記反射導電層が前記活性層からの光を前記第２の表面に向けて反射させて前記第２の表面を通過させるように構成される、請求項１に記載の発光ダイオード。
5. 前記金属層が、前記第１の表面と実質的に同一の面積を有する、請求項１に記載の発光ダイオード。
6. 前記反射導電層が、アルミニウム、金、チタンおよびクロムから構成されるグループから選択される金属を含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
7. 前記第２のＧａＮ層上に、透過性導電層をさらに有する、請求項１に記載の発光ダイオード。
8. 透過性導電層が酸化インジウム−錫を含む、請求項７に記載の発光ダイオード。
9. 第２の極性を有する前記電極上に、第２のパッドをさらに有する、請求項１に記載の発光ダイオード。
10. 前記第２のパッドの厚さが約０．５μｍ以上である、請求項９に記載の発光ダイオード。
11. 前記第２のパッドの幅が、第２の極性を有する前記電極の幅と実質的に同一である、請求項９に記載の発光ダイオード。
12. 前記反射導電層が、Ｔｉ／Ａｌ、Ｃｒ／ＡｕおよびＴｉ／Ａｕから構成されるグループから選択される物質を含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
13. 第２の極性を有する前記電極が、Ｎｉ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ、Ｐｄ／ＮｉおよびＰｔから構成されるグループから選択される物質を含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
14. 前記活性層がＡｌＩｎＧａＮを含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
15. 第１の極性がｎ型であり、第２の極性がｐ型である、請求項１に記載の発光ダイオード。
16. 前記活性層と前記第２のＧａＮ層との間に、クラッディング層をさらに有する、請求項１に記載の発光ダイオード。
17. 前記クラッディング層がＡｌＧａＮを含む、請求項１６に記載の発光ダイオード。
18. 前記第１のＧａＮ層が第１の極性を有するＧａＮ緩衝層を含む、請求項１に記載の発光ダイオード。
19. 前記第１のＧａＮ層が前記反射導電層に接触する、請求項１８に記載の発光ダイオード。
20. 前記ＧａＮ緩衝層の厚さが１〜２μｍである、請求項１８に記載の発光ダイオード。
21. 前記第１のＧａＮ層が、シリコンによりドープ処理される、請求項１に記載の発光ダイオード。
22. シリコンのドープ濃度が約１０ ^１７ ｃｍ ^−３ 以上である、請求項２１に記載の発光ダイオード。
23. 前記第２のＧａＮ層が、マグネシウムによりドープ処理される、請求項１に記載の発光ダイオード。
24. マグネシウムのドープ濃度が約１０ ^１７ ｃｍ ^−３ 以上である、請求項２３に記載の発光ダイオード。
25. 第２の極性を有する前記電極が、前記第２の表面の端部に、あるいは端部近傍に配置される、請求項１に記載の発光ダイオード。
26. 前記反射導電層が前記第１の表面に対向する第３の表面を備え、前記第１の表面が前記第３の表面と実質的に同一の面積を有する、請求項１に記載の発光ダイオード。
27. 前記反射導電層の幅が、前記金属層の幅と実質的に同一である、請求項１に記載の発光ダイオード。
28. 前記反射導電層と第２の極性を有する前記電極とが、前記活性層に対して実質的に垂直方向に配置されている、請求項１に記載の発光ダイオード。
29. 前記反射導電層と第２の極性を有する前記電極とが、前記反射導電層と第２の極性を有する前記電極との間の静電気による影響を低減するように配置されている、請求項２８に記載の発光ダイオード。
30. 前記反射導電層と第２の極性を有する前記電極とが、高電圧製品に適合するように配置される、請求項２８に記載の発光ダイオード。
31. 前記反射導電層と第２の極性を有する前記電極とが、発光ダイオードの輝度を増大させるように配置される、請求項２８に記載の発光ダイオード。
32. 発光ダイオードを製造する方法であって、
    基板上に、１〜２μｍの厚さを有する緩衝層を形成する工程と、
    前記緩衝層上に、第１の極性を有する第１のＧａＮ層を形成する工程と、
    前記第１のＧａＮ層上に、活性層を形成する工程と、
    前記活性層上に、第２の極性を有する第２のＧａＮ層を形成する工程と、
    レーザを使用して、前記第１のＧａＮ層から前記基板を分離する工程と、
    前記第１のＧａＮ層上に、第１の極性を有する第１の接触層を形成する工程と、
    前記第２のＧａＮ層上に、第２の極性を有する第２の接触層を形成する工程とを有し、
    前記第１の接触層が、前記活性層からの光を反射する反射層として機能する、発光ダイオード製造方法。
33. 基板を分離する前に、前記第２の接触層が形成される、請求項３２に記載の発光ダイオード製造方法。
34. 緩衝層を形成する前記工程が、
    前記基板上に、第１の緩衝層を形成する工程と、
    前記第１の緩衝層上に、第２の緩衝層を形成する工程とを有する、請求項３２に記載の発光ダイオード製造方法。
35. 前記第２の緩衝層上に、第３の緩衝層を形成する工程をさらに有する、請求項３４に記載の発光ダイオード製造方法。
36. 緩衝層を形成する前記工程が、第１の極性を有するＧａＮ層を形成する工程を有する、請求項３２に記載の発光ダイオード製造方法。
37. 前記第１の接触層上に、金を含む金属層を形成する工程をさらに有する、請求項３２に記載の発光ダイオード製造方法。