TWI433343B - 具有改良光輸出的垂直構造半導體裝置 - Google Patents

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Description

具有改良光輸出的垂直構造半導體裝置
本發明係關於製造GaN基座且具有一頂部和底部接點結構的垂直構造之半導體裝置，以及製造此垂直構造的裝置之一種方法。
圖1描繪於一絕緣藍寶石基板116上製造一種習知的氮化鎵(GaN)基座半導體裝置100。此裝置可應用於，例如：發光二極體(LED)、雷射二極體(LD)、異質介面雙極電晶體(HBT)、高電子移動性電晶體(HEMT)。習知的製造過程中，該裝置是形成於一藍寶石基板上，並在該裝置的頂部面上形成兩個電極接點。一p型接點102是形成於其頂部，且使用平頂蝕刻除去材料以形成一n型金屬接點118。此結果稱之為一垂直構造裝置，而且經常出現包括弱阻抗靜電放電(ESD)以及散熱等一些問題。這兩個問題限制了該裝置的製造良率和使用的有效期限。此外藍寶石材料非常堅硬，於晶圓研磨和拋光以及裝置分割時產生許多困難。裝置製造的良率是隨著包括覆蓋、拋光、和晶粒分割等後製造程序而決定。
圖2繪製一第二種習知技術，已經對於建構垂直構造的GaN基座的組合半導體200十分有用，其中使用一雷射移除(LLO)製程，藉由施加一具有可穿透藍寶石的波長，通常是在紫外線(UV)範圍的準分子雷射，將該藍寶 石基板從該GaN磊晶層移除。然後，該裝置是以一導體或半導體的第二基板218取代該絕緣藍寶石基板來製造，以建構垂直構造的裝置。這些製程步驟通常是使用晶圓結合技術，於雷射移除將藍寶石基板移除之後或之前能夠永久結合至該第二基板。
然而，對於大量生產垂直型發光二極體(VLEDs)仍缺少一大範圍的雷射移除製程，原因之一是大面積雷射移除的困難在於結合黏著層216與支撐晶圓218和磊晶層214之間、還有與該永久第二基板218之間的均勻性，因為在雷射移除之後該磊晶層表面不是整個晶圓表面完全平坦。此晶圓結合技術的另一個問題，在熔化金屬結合的過程中由於高溫和高壓致使金屬接點的品質損壞。此外，用於永久晶圓結合的基板，比如Si或GaAs，相較於Cu基座的金屬基板，在散熱方面並不是最佳的材料。這些問題都會降低最終的生產良率，也無法提供一個令人滿意的解決方法能夠大量生產商業產品裝置。
圖3A至B繪製一裝置結構300，用於克服該晶圓結合的問題以利製造VLEDs。取代晶圓結合的方式，此製造裝置300的方法包括將一金屬支撐層318裝附至該裝置。然而所知的良率仍低，因為在雷射移除過程中該結合層的薄層脫落。如果其結合不夠穩固、無法抵擋高能量的雷射振動波，該GaN磊晶層於雷射移除之後會彎曲或出現裂痕，也就很難再進行雷射移除後的製程步驟，比方晶圓清潔、裝置製造、解除結合、以及裝置分割，因此裝置製造的 成品良率還是不佳。
圖3A至B顯示以此技術為主的垂直裝置之另一個問題是裝置品質不良。因為在該藍寶石基板上使用噴沙以改善其雷射光能量分佈的均勻度，雷射移除之後該GaN表面通常是粗糙，使得輸出光要比其為平坦光滑的表面時較少。此外，形成於該n型GaN層上的金屬反射層並不如非金屬反射層材料ITO那麼高。
還有，以圖3A至B所顯示技術為主的垂直裝置之另一限制是該p型接點302的位置在該裝置的中心，介於透明接點304a至304b之間。此位置是習知導線結合接點的偏好，但必須將一導線結合至該裝置的中心。
由於習知技術的種種限制，確實需要一種新的技術能夠提升裝置的品質以及大量生產GaN基座的半導體裝置之製造良率。
本發明提供一種可信賴的技術，用於製造一種新型的垂直構造之組合半導體裝置，並具有改良的光輸出。
一種製造發光半導體裝置的方法之一示範實施例，包括形成一發光層、以及在該發光層上形成一波浪形表面的步驟，以改良光輸出的光束輪廓。本發明中光束輪廓的改善是指光輸出在晶片層次的角度。
一實施例中，形成一波浪形表面的步驟包括形成複數個大致是微小透鏡的步驟。此製程包括在該半導體結構上 沉積一遮罩，將該遮罩的一部分除去之步驟，使得複數個大致是圓形的遮罩形成於該半導體結構的表面上，還有蝕刻該半導體結構、以及除去剩餘的遮罩等步驟。
一實施例中，本發明包括形成一發光層、形成一巨觀透鏡於每一個該等半導體裝置的表面上之步驟，以改善光輸出的光束輪廓。從一觀點來看，該巨觀透鏡是形成於該半導體裝置的波浪形表面上；而以另一觀點，該半導體裝置並不具有波浪形的表面。
一實施例中，本方法包括形成一接觸墊於該半導體結構上的步驟，可與該發光層接觸，以及包括將每一個該等半導體裝置封入含有一上引線框和一下引線框的封裝內之步驟，其中與該半導體裝置的接觸是在該上引線框和下引線框之間。從一觀點來看，其接觸是以該上引線框與下引線框間的壓力、熱量、振動之中一種或多種的方式形成。
本發明的優點包括一種改良的技術，適用於製造具有高生產良率、可信賴度佳、以及改良光輸出的半導體裝置。
本發明以參考特定的裝置結構和實施例來敘述。於本技術領域的技術人員將會理解，這些敘述是為呈現並提供得以實施本發明的最佳模式。本發明包括數個製程和沉積的步驟，夠能根據本發明製造一半導體裝置。本說明文所指的將材料沉積於另外材料的上方或以上，為所敘述和繪 製的代表一任何參考架構，並且用以敘述和包括如本技術領域中技術人員所解釋和瞭解，將材料沉積於其他材料的頂部上方、之上、或下方之技術，及其相關的敘述。例如：部分的說明文中敘述由上方所架構的半導體層，以及其他部分敘述從下方所建構的半導體層，而兩種情況下，是有一新生層沉積在一現存層上方，意思是如敘述和繪製表示，其為沉積在該現存層的上方或下方。此處提及的許多製程參數是為呈現最佳模式，同時該參數的變化也會成為在此敘述製程、結構、和優點的結果。本發明的變化形式是以申請專利項所包含與所預期為範圍。
A.裝置結構與製造
圖4是根據本發明之一實施例的流程圖400，呈現一種製造一半導體裝置的方法。該流程圖中繪製的步驟是以展示該範例的實施例和結構為目的，而且本發明包括該方法的修改部分以及在此所呈現的最終架構。步驟402是從一磊晶層晶圓開始，該範例的製程步驟404包括p型接點的形成，步驟406是形成一發光裝置層，例如：GaN基座LED，步驟408包括晶圓載體的結合。該原始的半導體裝置繪製於圖5，參考數字500是用於標示可以得到一種或多種裝置的半導體，於許多裝置的情況下參考標示是以字母順序加在字尾，如500a,500b,500c等，其步驟是以參考圖5至12繪製的半導體結構製造和封裝以及其他圖式所敘述。
如圖5所示，藍寶石/GaN/Cu/Au晶圓是利用一導電的熱塑膠環氧基黏著劑530，結合至一穿孔的晶圓載體532，該穿孔的晶圓載體是以不繡鋼打洞製成。使用金屬晶圓載體的原因是於感應耦合電漿(ICP)蝕刻、晶圓探測、與晶粒隔絕的過程中，提供電力和熱量傳導。藉著使用一金屬晶圓載體，就比較不需要在後製程步驟將晶圓從該載體移除。此外，該穿孔的晶圓載體提供無氣泡的晶圓結合，因為空氣泡在結合的過程中能夠輕易地從該孔洞中離開，同時也提供藍寶石/GaN/Cu/Au晶圓與該晶圓載體之間簡便的解除結合方式，因為溶劑在解除結合的過程中能夠經由孔洞浸透。藉由使用該穿孔的晶圓載體，整個製程變得容易、可信賴並且簡單，即可提高製造垂直裝置的生產良率。晶圓載體的範例厚度是1/16吋，且直徑是2.5吋。範例的孔洞總數是21個，而穿過孔洞的直徑是20/1000吋。同時，範例的晶圓載體表面是以電性拋光變成像鏡面一樣的平坦表面，而能以黏著物均勻結合。
銀基座的導電黏著物，是用於將該藍寶石/GaN/Cu/Au與該穿孔的晶圓載體結合，該導電黏著物是在晶圓探測和晶粒隔絕蝕刻的製程中，提供良好的導電和熱傳導。該熱塑膠環氧基黏著劑具有良好的黏性強度以及良好的熱阻。該熱塑膠環氧基黏著劑的另一個優點是可以非常容易地溶解，例如：丙酮的溶劑中，於解除結合的製程中很有用。
本發明使用一種薄層型的熱塑膠環氧基黏著劑，因為該薄層型環氧基黏著劑的膜層厚度要比液體為主的黏著物 較均勻。其液體為主的黏著物通常會導致厚度不平的均勻性，並且在先前的結合製程中形成氣泡，因為液體為主的黏著物之旋轉塗佈，通常會造成在晶圓邊緣比該晶圓中心區域形成較厚的膜層。而常發生的現象是，液體為主的黏著物在多次旋轉後會得到較厚的黏著層。對於熱塑膠環氧基黏著劑來說，厚度127微米的薄層型熱塑膠環氧基黏著劑是夾在厚的金屬支撐層與穿孔的晶圓載體之間。於熱均衡加壓中，壓力是設定在約10至15psi，溫度維持在攝氏200度以下，在此狀況結合的時間要少於1分鐘。短暫的結合時間相較於液體為主的黏著物具有絕對的優點，否則要耗費超過6小時的凝固時間，才能將該黏著物完全凝固。短暫的結合時間可以大幅地提升製造垂直裝置的生產力。
參考圖6，使用一種248毫微米的KrF紫外線(UV)準分子雷射，(脈衝維持十億分之38秒)，進行雷射移除。選擇此波長的原因是其雷射能夠有助益地穿透該藍寶石基板，但會被GaN磊晶層吸收，為使該GaN在GaN/藍寶石交界面上分解成金屬Ga和氣態氮(N2 )。該雷射光束的大小選擇為一個7毫米乘7毫米的正方形光束，具有的光能量密度介於600至1200mj/cm2 。同時建議該雷射光束的能量密度隨著該藍寶石基板表面的粗糙度來決定。為了在雷射移除之後得到平滑的GaN表面，要使用高於800mj/cm2 的光束能量對藍寶石基板進行機械式拋光，達到RMS值10至20埃。
該藍寶石基板的表面粗糙度是在雷射移除之後能夠得到一平滑GaN表面的一個重要製程參數，如果在雷射移除時使用沒有拋光的藍寶石表面，該GaN表面變得粗糙，會由於形成一最終裝置之後粗糙表面的反射性不佳，而導致該LED裝置的光輸出不良。然而，如果使用一拋光的表面會得到一平滑的GaN表面，因此也能得到較高的光輸出。可是因為該雷射光束是局限在該拋光的藍寶石的表面上，以較高雷射光束強度照射的區域，相較於低雷射光束能量強度照射的區域，會在該GaN表面上產生裂痕。所以，如何選擇一最佳的藍寶石表面粗糙度，又能夠同時得到雷射移除的高良率以及裝置的高品質是非常重要。根據習知技術，通常使用噴沙在拋光的藍寶石表面以得到均勻的雷射光束分佈。然而，噴沙並不可信賴且不可重複，無法持續地得到相同的表面粗糙度。本發明中，在雷射光束與藍寶石基板之間架構一可穿透248毫微米UV雷射的一擴散媒介552，為在該藍寶石表面上得到均勻的雷射光束能量分佈，以此提供該雷射移除的製造良率。該擴散媒介的表面粗糙度之均方根(rms)值是設定在小於30微米，而藍寶石是用於當做擴散物。
參考圖7，雷射移除之後在雷射移除過程中經由GaN分解產生過多的Ga滴液503，要以HCl溶液(室溫下HCl：H2 O=1：1)清潔，或以HCl蒸氣沸騰30秒。因為Ga在室溫下會熔化，在該雷射移除的過程中Ga是液體狀態形成。
參考圖8，為了將n型GaN的磊晶層曝露在外，以乾蝕刻移去該緩衝層505(也就是GaN或AlN和AlGaN緩衝層)，有效地使用感應性耦合反應離子蝕刻(ICPRIE)。本發明進行此蝕刻步驟是為了形成一波浪形表面於該發光層上方，以散開光輸出。從一觀點來看，本發明容許該GaN滴液在該GaN表面上凝固，以協助該波浪形表面的形成；以另一觀點，該波浪形表面是利用如下所述的光阻和蝕刻形成。不論那一種情況，該波浪形表面創造一連串的微小透鏡，其功能是將該光輸出散開成一較大的區域。注意到該波浪形表面可形成凹面和/或凸面結構以改善光輸出。
參考圖9，為了改善該垂直裝置的電流分佈，在該n型GaN的LED表面515上形成n型ITO透明接點534。此圖式繪製該波浪形GaN層與該ITO層的交界面。ITO的組成是10wt%的SnO2 和90wt%的In2 O3 ，以及一層厚度約75至200毫微米的ITO膜，利用一電子束蒸鍍器或濺鍍系統在室溫下沉積。該ITO膜沉積之後，在一管狀火爐內以N2 環圍進行回火5分鐘，其回火的溫度可以在攝氏300至500度之間變化。該ITO膜的最小電阻，在攝氏350度的回火溫度以N2 環圍下約是低的10-4 Ω cm，於超過回火溫度攝氏350度下在460毫微米的穿透量約超過85%。
該ITO透明接點形成之後，在該n型ITO表面上形成一n型接點540，由Ti和Al組成。因為是形成多重接點，參考數字依次為540a,540b,540c等。該n型接點金屬 的厚度分別是5毫微米的Ti和200毫微米的Al。為了在該n型接點的金屬層與一金屬墊542之間形成良好的黏著效果，在該Al頂部沉積一層20毫微米的Cr當做一黏著層。為了要沉積金屬墊，在一電子束蒸鍍腔內不要破壞真空，連續地在該Cr頂部上沉積500毫微米的金。為了形成一歐姆接點，該n型接點金屬在攝氏250度以N2 氣體環繞的火爐內進行回火。
清潔該GaN表面之後，以一MICP(磁化感應性耦合電漿)乾蝕刻技術將個別的裝置隔絕開來。該MICP相較於其他的乾蝕刻方法能夠加速其蝕刻速度，此對於在該蝕刻製程中防止該光阻遮罩著火很有用。該MICP通常提供比習知的ICP約兩倍的蝕刻速度。在具有金屬支撐的垂直裝置的製程建議較快的蝕刻速度，因為該金屬基板會被設計為除去金屬或氧化物遮罩的化學物質襲擊，所以為了在晶粒隔絕蝕刻中使用光阻遮罩，建議快速蝕刻技術。其範例的隔絕溝道尺寸是30微米寬、且3.5微米深，該蝕刻深度是隨著磊晶層晶圓的厚度而改變。該晶粒隔絕也可以機械切割或雷射刻劃中任一種方式進行。
參考圖10，在該裝置的曝露部分上沉積一鈍化層536。為了保護裝置免於外在環境的污染，以及為了藉由調變該鈍化層與該GaN之間的折射率來增加光輸出，將該垂直裝置以一SiO2 薄膜536進行鈍化。該薄膜是以PECVD(電漿增強化學蒸氣沉積)低於攝氏250度下沉積，該膜層的厚度保持在80毫微米為最佳的折射率。
參考圖11A，沉積鈍化層之後，利用溶劑將該穿孔的支撐晶圓載體從該GaN/金屬支撐晶圓上移走。圖11B是裝置的俯視圖，以呈現該Au墊的位置。該解除結合的製程步驟包括將該GaN/金屬晶圓浸泡在丙酮中0.5至1小時，以便從該穿孔的支撐晶圓載體溶解該導電黏著層。該分離的GaN/金屬晶圓進一步浸泡，並在一超音波清潔器以異丙醇潔淨。該GaN裝置表面進一步以DI水沖洗和乾燥來清潔。
參考圖12，為了從該晶圓上將個別的裝置分開，可以使用一Nd；YAG雷射藉由雷射刻劃把該裝置切割開來。將一金屬基板支撐具有垂直裝置的晶圓放置在有氣孔的抽氣支柱上，該Nd；YAG雷射聚焦在以MICP所形成30微米寬的溝道上。完成雷射刻劃之後，將分割開的晶片傳送到黏著晶圓夾的輸送帶。於該拾起和放置的步驟之前，要將該分割開的晶片從該第一晶圓夾翻過面來到另一晶圓夾560，使得該GaN表面位於該裝置的頂部。
本發明進一步包括用於在該發光層上方形成一波浪形表面，以及在該半導體裝置上方形成一巨觀透鏡、封裝該半導體裝置的先進技術。這些技術可以分開地或是一起運用，而且其他替代的技術也可以用於本發明中。
B.微小透鏡的形成
如上所述，形成波浪形狀的技術之一是使用雷射移除步驟之後產生的GaN液滴來協助該波浪形狀的成型，而希 望的結果為一連串大致是凸面的透鏡。其他技術包括遮住預定的區域、再以乾蝕刻，例如：ICPRIE(感應性耦合電漿反應離子蝕刻)蝕刻該GaN表面，以產生具有預定曲度、尺寸、以及位置的透鏡。注意到該微小透鏡形成該波浪形表面可以凹面和或凸面結構來建構，以改善光輸出。
從一觀點來看，n型GaN表面上形成的微小透鏡是高於2微米的透鏡高度。實際上該p型GaN的厚度通常由於磊晶層的品質是比0.5微米要薄，使得要形成2微米高的透鏡結構很困難。因此該磊晶層最好設計為厚度大於2微米的一n型GaN層。
在該n型GaN表面上形成透鏡之前，要將剩餘的GaN和AlGaN緩衝層蝕刻去掉以曝露出該n型GaN表面。此外，也要利用ICPRIE使n型GaN表面平滑的步驟。進行平滑表面的原因是為保持一個平坦的n型GaN表面，以便形成低n型金屬接點。該ICPRIE的表面平滑蝕刻是使用100%的BCl3 氣體進行。通常在粗糙或波浪形表面上形成一金屬接點，相較於在一平坦表面上形成該金屬接點，會導致高接點的特性。
圖13A至F根據本發明之一實施例繪製一種於該n型GaN表面形成微小透鏡的方法。圖13A繪製該發光層515(n型GaN)，並在該半導體結構上沉積一光阻遮罩層602。圖13B繪製除去一部分的遮罩，而得到複數個大致是圓形的遮罩於該半導體結構的表面上。圖13C繪製光阻遮罩迴焊以形成凸面，且最好是半球形的透鏡，此步驟是 將光阻遮罩於攝氏110度下烘烤30秒完成。圖13D至E繪製該半導體結構。ICPRIE蝕刻進行的方式是為得到高度具有各向異性的蝕刻特性，此步驟是在Cl2 與BCl3 的混合氣體以高濃度(大於90%)的Cl2 氣體進行。為能得到半球形的透鏡形狀所使用的方法，該偏壓電壓相較於正常的蝕刻狀況是保持在較高位。圖13F繪製移走剩餘的遮罩，可得到一連串大致是凸面的透鏡。
從一觀點來看，圖13B是一印製圖樣的步驟，其中該光阻被印上一連串的圓形遮罩，直徑約是4微米而圖樣大約是8微米。圖13C繪製的是烘烤該光阻以固定該圖樣。圖13D繪製以Cl2 和Ar進行的ICP蝕刻之一啟始階段；圖13E則繪製以Cl2 和Ar的ICP蝕刻與蝕刻除去的最終階段。圖13F繪製其最後的凸面透鏡，通常一般是一半球形的形狀。
圖14是一流程圖以呈現根據本發明之一實施例執行該微小透鏡形成的步驟。所進行步驟654至676的操作是本發明之此示範實施例於圖4中進行步驟412的延伸。
圖15A至B繪製根據本發明之一實施例中該微小透鏡的範例尺寸和位置。圖式中呈現的透鏡直徑約4微米而圖樣約8微米。
C.巨觀透鏡的形成
在該半導體裝置上方進一步形成一巨觀透鏡，而能夠更增強該光束輪廓。本發明所改善的光束輪廓指的是該光 輸出在晶片層次的角度。一習知的垂直LED具有一斜角基板，通常產生的光是一窄小如鉛筆的光束，因為當該垂直LED以一反射性的引線框封裝起來，其反射物就沒有反射效果，所以該光束輪廓會變得較小，是由於只有發射光束的表面能夠貢獻光束輪廓。以另一觀點，習知的縱向LEDs具有透明基板，通常得利於一引線框反射物而產生一較寬的光束輪廓。此寬廣的光束輪廓對於背光應用的LCD螢幕特別重要，要能產生均勻的光束輪廓和光強度增加，該光源的視角是很重要。
除此之外，對於製造一較薄的背光單元也有較高的需求，因為可攜帶式顯示裝置越來越小、也越薄，所以製造一較薄的背光照明器是LCD面板製造業者的目標之一。當能夠利用在封裝階段的一透鏡形成一較寬的光束輪廓之同時，對於該薄型背光照明單元把光源變得較薄並不實際。
解決具有斜角基板的垂直LEDs所產生問題之一方法，是使用一晶片層次的巨觀透鏡。該巨觀透鏡可以與發光層上方形成的一波浪形表面(即上述的微小透鏡)運用，或者不一起使用。與微小透鏡合併使用時，會得到一寬廣的光束輪廓；即使單獨使用，該巨觀透鏡也能得到一個寬的晶片層次上視角。形成巨觀透鏡的主要概念和製程與形成該微小透鏡相似；然而，該形成巨觀透鏡的差別在於使用具有一理想折射率的透鏡材料，在該LED裝置上形成一巨觀透鏡系統，該微小透鏡則是使用GaN材料以產生從 該半導體裝置所導引出較高的光線。
圖16A至F繪製根據本發明之一實施例中一種形成巨觀透鏡的方法。圖16A繪製一發光層515(GaN)包括一波浪形表面或者不包括其波浪形表面。圖16B繪製沉積一層旋塗式玻璃層702(SoG)。從一觀點來看，該SoG的厚度超過30微米以形成一凹面型式的巨觀透鏡。圖16C繪製以烘烤造成SoG迴焊，SoG迴焊對於形成一凸面型式的透鏡很有用。此步驟可將SoG於攝氏110度烘烤1.5分鐘完成。圖16D繪製以ICPRIE蝕刻，進行此步驟為得到高度的各向異性之蝕刻特性，在Cl2 與BCl3 的混合氣體中以一高濃度(大於90%)的Cl2 氣體完成。為得到凸面型式的透鏡形狀方法，該偏壓的電壓相較於正常的蝕刻狀況是要保持在高電壓。圖16E繪製在該裝置上方沉積光阻704，並在光阻印上圖樣而容許其上接點542蝕刻。圖16F繪製的蝕刻步驟打開該接點542並除去剩餘的光阻，得到具有一巨觀透鏡的裝置成品。
圖17是根據本發明之一實施例的流程圖，以呈現形成該巨觀透鏡的步驟。
圖18A至C繪製根據本發明之一實施例中用於背光照明LCD顯示器的範例光束輪廓。圖18A繪製一種使用4個廣角LEDs，分別是752a至752d的技術。每一個該等LEDs包括以一箭頭表示LED的一光束圖樣。注意到該圖樣770包括充分含蓋整個顯示器。然而，如果使用窄小光束的LEDs，就是圖18B繪製的一黑點暗區域772，其中 提供的背光照明不足以觀看該顯示器。本發明對於該光束窄小的問題提供一個解決方法，以整合透鏡的功能將光束擴展開來得到一個寬廣的晶片層次上視角。從一觀點來看，如圖18C所顯示，該光線能夠大幅地變寬以降低提供背光照明所需要的LEDs數目。圖18C繪製3個LEDs所提供的光束輪廓足以供給全部的背光照明。使用較少LEDs的優點在於花費較低、產生的熱量較少、於可攜帶式產品中電池的消耗也較少。
D.封裝
如上所述，該LED背光單元的最終產品厚度可以利用焊接結合的技術進一步降低。傳統上導線結合技術是用於封裝晶片裝置；然而為了降低最終封裝的裝置厚度，導線結合需要相當的垂直空間，而且對於背光照明的應用產品並不實際，因為這類產品通常有高度的限制，所以根據本發明之一實施例使用焊接結合技術，以降低最終封裝的裝置厚度是有幫助。
然而，如此的焊接結合方法對於一習知垂直LED裝置、且具有一接觸墊位於該裝置角落並不實際，因為一引線框必須與中心接觸就會阻擋該表面發光。所以本發明之一觀點在於提供一種焊接結合方法，用於具有接觸墊位在角落的新型裝置，如本發明實施例中的情況(參考圖11B)。
圖19A至B根據本發明之一實施例繪製一種封裝半導 體裝置的方法。圖19A是一裝置於一封裝800內的側面圖，該封裝包括經由焊接物804接觸該裝置的一下引線框802，而一上引線框806則經由焊接物808接觸該裝置。與該半導體裝置的接觸是保持在該上引線框與下引線框之間。從一觀點，接觸是由該上引線框與下引線框間的壓力、熱量、和振動之中一種或種方式形成。
圖19B是該裝置封裝800的一俯視圖，以呈現該裝置中一相當大的部分能夠將光線擴散至一目標區域。同時可以與上述的該微小透鏡和巨觀透鏡的技術一起建構該裝置、或者單獨運用，所呈現的封裝能夠容許光束有一很大的角度而被擴散至一目標區域。
圖20是一流程圖為呈現用於封裝的步驟。
此封裝步驟的優點包括簡化該裝置的封裝過程，而得到更可信賴的裝置，其中沒有結合或物墊結合，以降低封裝成本。雖然繪製此範例封裝步驟，但本發明仍可運用其他替代的封裝技術。
E.結論
本文已揭示並敘述本發明的示範實施例與優點，尤其是敘述具有示範性的實施例與最佳模式，修改和變化型式可以形成所揭示的實施例，但本發明的保有的內容與精神仍以下列申請專利範圍而定。
100‧‧‧GaN基座的半導體裝置
102、302‧‧‧P型接點
114‧‧‧絕緣藍寶石基板
116‧‧‧N型金屬接點
200‧‧‧垂直構造的GaN基座之組合半導體
214‧‧‧磊晶層
216‧‧‧黏著層
218‧‧‧第二基板支撐晶圓
304‧‧‧透明接點
318‧‧‧金屬支撐
503‧‧‧GaN滴液
505‧‧‧緩衝層
515‧‧‧N型GaN的LED表面
530‧‧‧導電的熱塑膠環氧基黏著劑
532‧‧‧穿孔的晶圓載體
534‧‧‧N型ITO的透明接點
536‧‧‧鈍化層
540‧‧‧N型接點
542‧‧‧金屬墊/接點
552‧‧‧擴散媒介
560‧‧‧晶圓夾
602‧‧‧光阻遮罩層
702‧‧‧旋塗式玻璃
704‧‧‧光阻
800‧‧‧封裝
802‧‧‧下引線框
804、808‧‧‧焊接物
806‧‧‧上引線框
本發明將參考以下圖式敘述
圖1根據習知技術繪製一垂直構造GaN基座的LED，具有兩個金屬接點形成於裝置的頂部面上。
圖2根據習知技術繪製一垂直構造GaN基座的LED，其中一GaN薄膜是結合至一導體或半導體的第二基板。
圖3A至B根據習知技術繪製一垂直構造GaN基座的LED，其中於除去原始的藍寶石基板之後，有一金屬厚層是裝附至一GaN薄膜。
圖4是根據本發明之一實施例的一流程圖，以呈現一種製造半導體裝置的方法。
圖5根據本發明之一實施例繪製一發光半導體裝置，包括以導電黏著劑於雷射移除之前，將一GaN基座的LED晶圓裝附至一穿孔的支撐晶圓載體。
圖6根據本發明之一實施例繪製一準分子雷射光束，經由一擴散的媒介施加至該藍寶石基板且穿透其中，而能在雷射移除的過程中得到均勻的雷射光束能量分佈。
圖7根據本發明之一實施例繪製除去該藍寶石基板、以及雷射移除之後Ga滴液潔淨。
圖8根據本發明之一實施例繪製以蝕刻除去GaN/AlGaN緩衝層。
圖9根據本發明之一實施例繪製一n型ITO透明接點形成於該GaN的LED層上頂部。
圖10根據本發明之一實施例繪製沉積一保護性的SiO2 鈍化層。
圖11A至B根據本發明之一實施例繪製除去支撐晶圓載體以及最後的裝置結構。
圖12根據本發明之一實施例繪製以晶粒切割或雷射刻劃分割裝置。
圖13A至F根據本發明之一實施例繪製一種形成微小透鏡於該n型GaN內的方法。
圖14是根據本發明之一實施例的一流程圖，以呈現形成該微小透鏡的執行步驟。
圖15A至B根據本發明之一實施例繪製該微小透鏡的範例尺寸和位置。
圖16A至F根據本發明之一實施例繪製一種形成巨觀透鏡的方法。
圖17是根據本發明之一實施例的一流程圖，以呈現形成該巨觀透鏡的執行步驟。
圖18A至C根據本發明之一實施例繪製用於背光照射LCD顯示器的範例光束輪廓。
圖19A至B根據本發明之一實施例繪製一種封裝半導體裝置的方法。
圖20是根據本發明之一實施例的一流程圖，以呈現執行封裝的步驟。
515a、515c‧‧‧GaN的LED層
516‧‧‧p型接點
518‧‧‧ITO透明接點/DRB反射物
520‧‧‧黏著層
522‧‧‧Au中間層
526‧‧‧Cu層
528‧‧‧Au保護層
530‧‧‧導電的熱塑膠環氧基黏著劑
532‧‧‧穿孔的晶圓載體
534a、534c‧‧‧n型ITO
536‧‧‧鈍化層

Claims (16)

  1. 一種製造發光半導體裝置的方法，包括以下步驟：形成一包括n型GaN層之發光層；形成一波浪形表面於該發光層上，以改良光輸出的光束輪廓，該波浪形表面被形成於該n型GaN層上；形成一與該波浪形表面交界之n型ITO層；以及形成一巨觀透鏡於每一個該等半導體裝置的波浪形表面上。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中形成一波浪形表面的步驟包括形成複數個微小透鏡的步驟，其包括以下步驟：形成一遮罩於包括該n型GaN層之該發光層之一側面上；除去一部分的該遮罩，使得複數個基本為圓形的遮罩形成於包括該n型GaN層之該發光層之該側面的表面上；以遮罩迴焊定型具有確定曲度的遮罩頂部表面；蝕刻該遮罩之剩餘部分及包括該n型GaN層之該發光層之該側面之曝露表面；以及除去剩餘的遮罩。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該發光層是以厚度超過2微米的該n-GaN層建構，而該複數個微小透鏡是形成於該發光層上。
  4. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該形成遮罩 之步驟包括形成一光阻遮罩於包括該n型GaN層之該發光層之該側面上的步驟，而該定型步驟包括光阻遮罩迴焊的步驟，並將該光阻遮罩於攝氏110度烘烤約1.5分鐘，以形成基本為是半球形的形狀。
  5. 如申請專利範圍第2項之方法，其中在Cl2 與BCl3 的混合氣體中以一高濃度(大於90%)的Cl2 氣體，執行蝕刻以獲得高度各向異性的蝕刻特性，並且為能得到一半球形的透鏡之形態，必須維持一高偏壓的電壓。
  6. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該複數個微小透鏡的直徑大約是4微米，而圖樣大約8微米。
  7. 如申請專利範圍第2項之方法，進一步包括形成一接觸墊於每一個該等半導體裝置中一角落位置的包括該n型GaN層之該發光層之該側面上之步驟。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括以下步驟：形成一接觸墊於包括該n型GaN層之該發光層之該側面上，與該發光層接觸；以及將每一個該等半導體裝置封入含有一上引線框和下引線框的封裝內，其中與該等半導體裝置的接觸是保持在該上引線框與下引線框之間。
  9. 一種發光半導體裝置，包括：一發光層，包括n型GaN層之該發光層之一側面；一波浪形表面於該發光層上，以改良光輸出的光束輪廓，該波浪形表面被形成於該n型GaN層上； 一n型ITO層；以及一巨觀透鏡於該半導體裝置的波浪形表面上。
  10. 如申請專利範圍第9項之發光半導體裝置，其中該波浪形表面包括複數個微小透鏡。
  11. 如申請專利範圍第10項之發光半導體裝置，其中該發光層是以厚度超過2微米的該n-GaN層建構，而該複數個微小透鏡是形成於該發光層上。
  12. 如申請專利範圍第10項之發光半導體裝置，其中該複數個微小透鏡基本為半球形的形狀。
  13. 如申請專利範圍第11項之發光半導體裝置，其中該複數個微小透鏡基本為半球形的形狀。
  14. 如申請專利範圍第10項之發光半導體裝置，其中該複數個微小透鏡的直徑大約為4微米，而圖樣大約是8微米。
  15. 如申請專利範圍第10項之發光半導體裝置，進一步包括一接觸墊位於該裝置中一角落位置的包括該n型GaN層之該發光層之該側面上。
  16. 如申請專利範圍第9項之發光半導體裝置，進一步包括：一接觸墊於包括該n型GaN層之該發光層之該側面上與該發光層接觸；以及一封裝件含有一上引線框和下引線框，其中與該半導體裝置的接觸是保持在該上引線框與下引線框之間。
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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7067849B2 (en) * 2001-07-17 2006-06-27 Lg Electronics Inc. Diode having high brightness and method thereof
US6949395B2 (en) 2001-10-22 2005-09-27 Oriol, Inc. Method of making diode having reflective layer
US7148520B2 (en) 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
KR20110042249A (ko) * 2003-06-04 2011-04-25 유명철 수직 구조 화합물 반도체 디바이스의 제조 방법
EP1730790B1 (en) * 2004-03-15 2011-11-09 Tinggi Technologies Private Limited Fabrication of semiconductor devices
EP1756875A4 (en) 2004-04-07 2010-12-29 Tinggi Technologies Private Ltd FABRICATION OF A RETROFLECTIVE LAYER ON SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT DIODES
CN101901858B (zh) * 2004-04-28 2014-01-29 沃提科尔公司 垂直结构半导体器件
TWI389334B (zh) * 2004-11-15 2013-03-11 Verticle Inc 製造及分離半導體裝置之方法
US7378288B2 (en) * 2005-01-11 2008-05-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing light emitting diode array
SG130975A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
US8124454B1 (en) 2005-10-11 2012-02-28 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Die separation
SG131803A1 (en) 2005-10-19 2007-05-28 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of transistors
US7829909B2 (en) * 2005-11-15 2010-11-09 Verticle, Inc. Light emitting diodes and fabrication methods thereof
SG133432A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
US8101961B2 (en) * 2006-01-25 2012-01-24 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with growth substrates
US7928462B2 (en) 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US7399653B2 (en) * 2006-04-28 2008-07-15 Applied Materials, Inc. Nitride optoelectronic devices with backside deposition
US7593204B1 (en) * 2006-06-06 2009-09-22 Rf Micro Devices, Inc. On-chip ESD protection circuit for radio frequency (RF) integrated circuits
SG140473A1 (en) * 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
SG140512A1 (en) * 2006-09-04 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Electrical current distribution in light emitting devices
US7892891B2 (en) * 2006-10-11 2011-02-22 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Die separation
US8921204B2 (en) 2006-10-11 2014-12-30 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor dice by separating a substrate from semiconductor structures using multiple laser pulses
JP5183913B2 (ja) * 2006-11-24 2013-04-17 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
US20080149946A1 (en) 2006-12-22 2008-06-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor Light Emitting Device Configured To Emit Multiple Wavelengths Of Light
US9484499B2 (en) * 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
TWI462324B (zh) * 2007-05-18 2014-11-21 Delta Electronics Inc 發光二極體裝置及其製造方法
US7683380B2 (en) * 2007-06-25 2010-03-23 Dicon Fiberoptics, Inc. High light efficiency solid-state light emitting structure and methods to manufacturing the same
DE102008038852B4 (de) * 2008-06-03 2024-02-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement
US7881030B1 (en) 2008-07-07 2011-02-01 Rf Micro Devices, Inc. Enhancement-mode field effect transistor based electrostatic discharge protection circuit
US7881029B1 (en) 2008-07-07 2011-02-01 Rf Micro Devices, Inc. Depletion-mode field effect transistor based electrostatic discharge protection circuit
US8580612B2 (en) * 2009-02-12 2013-11-12 Infineon Technologies Ag Chip assembly
US8900893B2 (en) * 2010-02-11 2014-12-02 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Vertical LED chip package on TSV carrier
CN102024898B (zh) * 2010-11-03 2013-03-27 西安神光安瑞光电科技有限公司 发光二极管及其制造方法
CN102130285B (zh) * 2010-11-03 2012-12-26 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
US9324905B2 (en) 2011-03-15 2016-04-26 Micron Technology, Inc. Solid state optoelectronic device with preformed metal support substrate
KR20130059026A (ko) 2011-11-28 2013-06-05 서울옵토디바이스주식회사 에피층을 성장 기판으로부터 분리하는 방법
US8598611B2 (en) 2012-01-09 2013-12-03 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers and solid-state transducer arrays having backside terminals and associated systems and methods
KR101394565B1 (ko) * 2012-08-21 2014-05-14 한국산업기술대학교산학협력단 광 추출 향상 기술이 반영된 질화물 반도체 에피 구조의 기판 및 템플레이트 제조 방법
US9082748B2 (en) * 2012-10-05 2015-07-14 Micron Technology, Inc. Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices
JP6307764B2 (ja) * 2013-09-30 2018-04-11 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置の製造方法
US10323544B2 (en) * 2014-06-16 2019-06-18 Siemens Aktiengesellschaft System and method for supplying an energy grid with energy from an intermittent renewable energy source
US11217735B2 (en) * 2015-02-20 2022-01-04 Luminus, Inc. LED package with surface textures and methods of formation
US10862002B2 (en) * 2018-04-27 2020-12-08 Facebook Technologies, Llc LED surface modification with ultraviolet laser
US11784288B2 (en) * 2018-10-26 2023-10-10 Google Llc Light-emitting diodes with integrated optical elements

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999694A (en) * 1989-08-18 1991-03-12 At&T Bell Laboratories Photodiode
US5331180A (en) * 1992-04-30 1994-07-19 Fujitsu Limited Porous semiconductor light emitting device
JPH06125143A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Seiko Epson Corp 半導体レーザ素子
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
JPH08195505A (ja) * 1995-01-17 1996-07-30 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JPH0964477A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JPH10254370A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Canon Inc 表示パネル及びそれを用いた投射型表示装置
JP3757544B2 (ja) * 1997-05-21 2006-03-22 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JP4352473B2 (ja) * 1998-06-26 2009-10-28 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US6459100B1 (en) * 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED
JP3469484B2 (ja) * 1998-12-24 2003-11-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
US20010042866A1 (en) * 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
US6713789B1 (en) * 1999-03-31 2004-03-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device and method of producing the same
US7071557B2 (en) * 1999-09-01 2006-07-04 Micron Technology, Inc. Metallization structures for semiconductor device interconnects, methods for making same, and semiconductor devices including same
CA2393081C (en) * 1999-12-03 2011-10-11 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
US6586762B2 (en) * 2000-07-07 2003-07-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
JP3882539B2 (ja) * 2000-07-18 2007-02-21 ソニー株式会社 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置
US6562648B1 (en) * 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
US6518198B1 (en) * 2000-08-31 2003-02-11 Micron Technology, Inc. Electroless deposition of doped noble metals and noble metal alloys
US20020103879A1 (en) * 2001-01-26 2002-08-01 Mondragon Oscar A. Method of advertising via the internet
US6864158B2 (en) * 2001-01-29 2005-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing nitride semiconductor substrate
JP4744700B2 (ja) * 2001-01-29 2011-08-10 株式会社日立製作所 薄膜半導体装置及び薄膜半導体装置を含む画像表示装置
JP4148664B2 (ja) * 2001-02-02 2008-09-10 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法
JP2002232013A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP3705142B2 (ja) * 2001-03-27 2005-10-12 ソニー株式会社 窒化物半導体素子及びその作製方法
US6765232B2 (en) * 2001-03-27 2004-07-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US6498113B1 (en) * 2001-06-04 2002-12-24 Cbl Technologies, Inc. Free standing substrates by laser-induced decoherency and regrowth
TW564584B (en) * 2001-06-25 2003-12-01 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
US6787435B2 (en) * 2001-07-05 2004-09-07 Gelcore Llc GaN LED with solderable backside metal
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4091279B2 (ja) * 2001-07-31 2008-05-28 株式会社東芝 半導体発光素子
US6656756B2 (en) * 2001-08-24 2003-12-02 Telecommunication Laboratories, Chunghwa Telecom Co., Ltd. Technique for a surface-emitting laser diode with a metal reflector
JP2003068654A (ja) * 2001-08-27 2003-03-07 Hoya Corp 化合物単結晶の製造方法
US6744072B2 (en) * 2001-10-02 2004-06-01 Xerox Corporation Substrates having increased thermal conductivity for semiconductor structures
US7148520B2 (en) * 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
US6617261B2 (en) * 2001-12-18 2003-09-09 Xerox Corporation Structure and method for fabricating GaN substrates from trench patterned GaN layers on sapphire substrates
US6455340B1 (en) * 2001-12-21 2002-09-24 Xerox Corporation Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff
JP4132869B2 (ja) * 2002-02-26 2008-08-13 株式会社神戸製鋼所 半導体デバイス電極／配線
US6943379B2 (en) * 2002-04-04 2005-09-13 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
US8294172B2 (en) * 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
US6818532B2 (en) * 2002-04-09 2004-11-16 Oriol, Inc. Method of etching substrates
US20030189215A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
JP4233268B2 (ja) * 2002-04-23 2009-03-04 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
US20030222263A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-04 Kopin Corporation High-efficiency light-emitting diodes
KR101030068B1 (ko) * 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
DE10234977A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
US6744196B1 (en) * 2002-12-11 2004-06-01 Oriol, Inc. Thin film LED
JP3966207B2 (ja) * 2003-03-28 2007-08-29 豊田合成株式会社 半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子
KR20110042249A (ko) * 2003-06-04 2011-04-25 유명철 수직 구조 화합물 반도체 디바이스의 제조 방법
DE10340271B4 (de) * 2003-08-29 2019-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnschicht-Leuchtdiodenchip und Verfahren zu seiner Herstellung
US7122827B2 (en) * 2003-10-15 2006-10-17 General Electric Company Monolithic light emitting devices based on wide bandgap semiconductor nanostructures and methods for making same
US20050189551A1 (en) * 2004-02-26 2005-09-01 Hui Peng High power and high brightness white LED assemblies and method for mass production of the same
CN101901858B (zh) * 2004-04-28 2014-01-29 沃提科尔公司 垂直结构半导体器件
TWI389334B (zh) * 2004-11-15 2013-03-11 Verticle Inc 製造及分離半導體裝置之方法
US7829909B2 (en) * 2005-11-15 2010-11-09 Verticle, Inc. Light emitting diodes and fabrication methods thereof

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