TWI462324B - 發光二極體裝置及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種具微奈米結構之電流擴散層的發光二極體裝置及其製造方法。
發光二極體(light-emitting diode,LED)裝置是一種由半導體材料製作而成的發光元件。由於發光二極體裝置係屬冷發光，具有耗電量低、元件壽命長、反應速度快等優點，再加上體積小容易製成極小或陣列式的元件，因此，近年來隨著技術不斷地進步，其應用範圍涵蓋了電腦或家電產品的指示燈、液晶顯示裝置的背光源乃至交通號誌或是車用指示燈。
然而，目前的發光二極體裝置仍存在有發光效率不佳以及亮度偏低的問題。其中造成發光效率不佳的原因，乃是因由發光二極體所發射之光線係為全方向性，而並非單一對焦於某處之光束。另外，發光二極體所發射之光線僅有部分可以被射出，其餘的光線則會因為反射而被吸收，如此一來，除了降低發光二極體裝置的亮度之外，也增加了其所產生的熱能。
一般而言，發光二極體裝置係可為覆晶式、垂直式或正面式等不同的態樣。為了解決因為反射而降低出光效率的問題。請參照圖1，以垂直式發光二極體裝置為例，發光二極體裝置1係在一基板11之一表面上依序形成一n型半導體摻雜層121、一發光層(active layer)122及一p型半導體摻雜層123，接著，再於p型半導體摻雜層
123上形成一電流擴散層13，並分別於電流擴散層13上以及基板11之另一表面設置一第一電極14及一第二電極15。
在上述結構中，由於發光層122所發出之光線需經過第二半導體層123及電流擴散層13之後才能射出發光二極體裝置1，且由於第二半導體層123、電流擴散層13以及空氣之折射率並無適當的匹配，因此會造成光線在射出的過程中發生全反射，因而降低了出光效率。
爰因於此，如何提供一種能夠有效降低光線全反射以增加出光效率的發光二極體裝置及其製造方法，實屬當前重要課題之一。
有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種能夠降低光線全反射，且可使電流均勻分佈之發光二極體裝置及其製造方法。
緣是，為達上述目的，本發明係提供一種發光二極體裝置係包括一磊晶疊層、一微奈米粗化結構層以及一抗反射層。磊晶疊層係依序具有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層。微奈米粗化結構層係設置於磊晶疊層之第一半導體層上。抗反射層係設置於微奈米粗化結構層上。
為達上述目的，本發明更提供一種發光二極體的製造方法，其包括以下步驟：於一磊晶基板上形成一第一半導體層；於第一半導體層上形成一發光層；於發光層上形
成一第二半導體層，其中第一半導體層、發光層及第二半導體層係構成一磊晶疊層；於磊晶疊層之第一半導體層上形成一微奈米粗化結構層；以及於微奈米粗化結構層上形成一抗反射層。
如上述之發光二極體及其製造方法，其中微奈米粗化結構層之折射率係介於磊晶疊層之折射率與空氣之折射率之間，而抗反射層之折射率係介於微奈米粗化結構層之折射率與空氣之折射率之間。抗反射層係由複數個微奈米粒子所組成，且每一微奈米粒子之粒徑係介於50奈米至50微米。
承上所述，本發明之發光二極體及其製造方法，係利用微奈米粗化結構層以及抗反射層來減少全反射損失，同時藉其達成折射率匹配，以增加發光二極體裝置的出光效率。
以下將參照相關圖式，說明依據本發明較佳實施例之發光二極體裝置及其製造方法。
請參照圖2所示，依據本發明第一實施例之發光二極體裝置的製造方法，其包括步驟S10至步驟S19。以下請同時參照圖3A至圖3K。
如圖3A所示，步驟S10係於一磊晶基板20上形成一第一半導體層211、於第一半導體層211上形成一發光層212，並於發光層212上形成一第二半導體層213。其中，第一
半導體層211、發光層212及第二半導體層213係構成一磊晶疊層21。於本實施例中，第一半導體層211及第二半導體層213係可分別為一P型磊晶層及一N型磊晶層，當然其亦可互換，於此並不加以限制。
如圖3B所示，步驟S11係於第二半導體層213上形成一電流擴散層22。於本實施例中，電流擴散層22之材質係可為銦錫氧化物(Indium tin oxide，ITO)、摻鋁氧化鋅(aluminum doped zinc oxide，AZO)、氧化鋅(ZnO)、鎳/金(Ni/Au)或氧化銻錫，於此並不加以限制，以能夠均勻擴散電流為優先考量。
如圖3C所示，步驟S12係於電流擴散層22上形成一反射層23。於本實施例中，反射層23係可為一金屬反射層，除具有反射功效之外，亦可提供良好的導熱路徑，其材質係可選自鉑、金、銀、鈀、鎳、鉻、鈦、鈦/銀及其組合所構成的群組。另外，反射層23係可為由具有高低折射率之介電質薄膜所組成之一光學反射元件、一金屬反射層、一金屬介電反射層或由微奈米球所組成之一光學反射元件，意即反射層23係可由複數種材質組合或堆疊而成。
如圖3D所示，步驟S13係於反射層23上形成一導熱絕緣層24。於本實施例中，導熱絕緣層24之材質係為熱傳導係數大於或等於150W/mK(瓦特/米．凱氏溫度)之一絕緣材料，例如是氮化鋁或碳化矽等。另外，導熱絕緣層24之折射率係介於磊晶疊層21之折射率以及空氣之折射率之間。
如圖3E所示，步驟S14係將一導熱基板26藉由一導熱黏貼層25而與導熱絕緣層24結合。於本實施例中，導熱黏貼層25之材質係可為純金屬、合金金屬、導電材料、非導電材料或有機材料，其係可選自金、錫膏、錫銀膏、銀膏及其組合所構成之群組。另外，於本實施例中，導熱基板26之材質係可選自矽、砷化鎵、磷化鎵、碳化矽、氮化硼、鋁、氮化鋁、銅及其組合所構成的群組。
如圖3F所示，步驟S15係翻轉於步驟S14所形成之發光二極體裝置2，並移除磊晶基板20。
如圖3G所示，步驟S16係移除部分的磊晶疊層21，意即，其係移除部分的第一半導體層211、部分的發光層212以及部分的第二半導體層213，以暴露出部分的電流擴散層22。
如圖3H所示，步驟S17係形成一第一電極271與部分的第一半導體層212電性連接，並形成一第二電極272與暴露於第一半導體層211、發光層212以及第二半導體層213的電流擴散層22電性連接。
步驟S18係於另一部份的第一半導體層211上以例如但不限於堆疊製程、燒結製程、陽極氧化鋁製程(AAO)、奈米壓印製程、熱壓製程、蝕刻製程或電子束曝光製程(E-beam writer)形成一微奈米粗化結構層28。其中微奈米粗化結構層28係可為奈米球、奈米柱、奈米孔洞、奈米點、奈米線或奈米凹凸結構。於本實施例中，微奈米粗化結構28之折射率係大於空氣之折射率(約為1)，且
小於磊晶疊層31之折射率(約為2.5)，而微奈米粗化結構28之材質係可選自三氧化二鋁(Al2O3)、氮化矽(Si3N4)、二氧化錫(SnO2)、二氧化矽(SiO2)、樹脂、聚碳酸酯(polycarbonate)及其組合所構成之群組。需特別注意的是，微奈米粗化結構層28係可以是另外形成於第一半導體層211上，如圖3I所示。或者，微奈米粗化結構層28可以是直接一體成型於第一半導體層211，如圖3J所示。
另外，如圖3K所示，步驟S19係於微奈米粗化結構層28上更形成一抗反射層29，以構成一正面式發光二極體裝置2’。需特別注意的是，圖3K係以圖3I所示之微奈米粗化結構層28為例，當然，步驟S19亦可以是以圖3J所示之微奈米粗化結構層28為例。於本實施例中，抗反射層29係由複數個微奈米粒子所組成，而每一微奈米粒子之粒徑係介於50奈米至50微米之間。另外，抗反射層之折射率係介於微奈米粗化結構層之折射率與空氣之折射率之間。同時，抗反射層29可為單層或多層之介電質薄膜所形成之結構。
值得一提的是，上述步驟並不僅限於此順序，其可依據製程之需要而進行步驟之調換。
請參照圖4所示，依據本發明第二實施例之發光二極體裝置(係為一垂直式發光二極體)之製造方法，其包括步驟S20至步驟S27。以下請同時參照圖5A至圖5G所示。
如圖5A所示，步驟S20係於一磊晶基板30上形成一磊晶疊
層31，且磊晶疊層31係依序由一第一半導體層311、一發光層312與一第二半導體層313所組成。其中，於本實施例中，第一半導體層311及第二半導體層213係可分別為一P型磊晶層及一N型磊晶層，當然其亦可互換，於此並不加以限制。
如圖5B所示，係顯示實施步驟S21~S23後的結果。步驟S21係於第二半導體層313上形成一電流擴散層32。於本實施例中，電流擴散層32之材質係可為銦錫氧化物(Indium tin oxide，ITO)、摻鋁氧化鋅(aluminum doped zinc oxide，AZO)、氧化鋅(ZnO)、鎳/金(Ni/Au)或氧化銻錫，於此並不加以限制，以能夠均勻擴散電流為優先考量。
步驟S22係於電流擴散層32上形成一反射層33。於本實施例中，反射層33係可為一金屬反射層，除具有反射功效之外，亦可提供良好的導熱路徑，其材質係可選自鉑、金、銀、鈀、鎳、鉻、鈦、鈦/銀及其組合所構成的群組。且反射層33係可由複數種材質組合或堆疊而成。
步驟S23係將一導熱基板36藉由一導熱黏貼層35而與反射層33結合。於本實施例中，導熱黏貼層35之材質係可為純金屬、合金金屬、導電材料、非導電材料或有機材料，其係可選自金、錫膏、錫銀膏、銀膏及其組合所構成之群組。另外，於本實施例中，導熱基板36之材質係可選自矽、砷化鎵、磷化鎵、碳化矽、氮化硼、鋁、氮化鋁、銅及其組合所構成的群組。
接著，如圖5C所示，步驟S24係翻轉於步驟S23所形成之發光二極體裝置3，並移除磊晶基板30。
如圖5D所示，步驟S25係於部分的第一半導體層311上設置一第一電極371，並於導熱基板36相對於導熱黏貼層35之一表面361設置一第二電極372。
如圖5E所示，步驟S26係於另一部份的第一半導體層311上以例如但不限於堆疊製程、燒結製程、陽極氧化鋁製程(AAO)、奈米壓印製程、熱壓製程、蝕刻製程或電子束曝光製程(E-beam writer)形成一微奈米粗化結構層38。其中微奈米粗化結構層38係可為奈米球、奈米柱、奈米孔洞、奈米點、奈米線或奈米凹凸結構。於本實施例中，微奈米粗化結構38之折射率係大於空氣之折射率(約為1)，且小於磊晶疊層31之折射率(約為2.5)。而微奈米粗化結構38之材質係可選自三氧化二鋁(Al2O3)、氮化矽(Si3N4)、二氧化錫(SnO2)、二氧化矽(SiO2)、樹脂、聚碳酸酯(polycarbonate)及其組合所構成之群組。需特別注意的是，微奈米粗化結構層38係可以是另外形成於第一半導體層311上，如圖5E所示。或者，微奈米粗化結構層38可以是直接一體成型於第一半導體層311，如圖5F所示。
另外，如圖5G所示，步驟S27係於微奈米粗化結構層38上更形成一抗反射層39，以構成一垂直式發光二極體裝置3，。需特別注意的是，圖5G係以圖5E所示之微奈米粗化結構層38為例，當然，步驟S27亦可以是以圖5F所示之微奈米粗化結構層38為例。於本實施例中，抗反射層39係
由複數個微奈米粒子所組成，而每一微奈米粒子之粒徑係介於50奈米至50微米之間。另外，抗反射層之折射率係介於微奈米粗化結構層之折射率與空氣之折射率之間。同時，抗反射層29可為單層或多層之介電質薄膜所形成之結構。
在此需特別注意的是，各步驟之進行並不僅限於上述之順序，其可依據製程之需要而進行步驟之調換。
綜上所述，因依據本發明之發光二極體及其製造方法，係利用微奈米粗化結構層以及抗反射層來減少全反射損失，同時藉其達成折射率匹配，以增加發光二極體裝置的出光效率。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
1、2、2’、3、3’‧‧‧發光二極體裝置
11‧‧‧基板
121‧‧‧N型摻雜層
122、212、312‧‧‧發光層
123‧‧‧P型摻雜層
13‧‧‧透明導電層
14、271、371‧‧‧第一電極
15、272、372‧‧‧第二電極
20、30‧‧‧磊晶基板
21‧‧‧磊晶疊層
211、311‧‧‧第一半導體層
213、313‧‧‧第二半導體層
22、32‧‧‧電流擴散層
23、33‧‧‧反射層
24‧‧‧導熱絕緣層
25、35‧‧‧導熱黏貼層
26、36‧‧‧導熱基板
271、371‧‧‧第一電極
272、372‧‧‧第二電極
29、39‧‧‧抗反射層
28、38‧‧‧微奈米粗化結構層
圖1為習知一種發光二極體裝置之一示意圖。
圖2為依據本發明第一實施例之發光二極體裝置的製造方法之一流程圖。
圖3A至圖3K為與圖2配合之發光二極體裝置之示意圖。
圖4為依據本發明第二實施例之發光二極體裝置的製造方法之一流程圖。
圖5A至圖5G為與圖4配合之發光二極體裝置之示意圖。
2’‧‧‧發光二極體裝置
21‧‧‧磊晶疊層
211‧‧‧第一半導體層
212‧‧‧發光層
213‧‧‧第二半導體層
22‧‧‧電流擴散層
23‧‧‧反射層
24‧‧‧導熱絕緣層
25‧‧‧導熱黏貼層
26‧‧‧導熱基板
271‧‧‧第一電極
272‧‧‧第二電極
28‧‧‧微奈米粗化結構層
29‧‧‧抗反射層
Claims (61)
- 一種發光二極體裝置，包括：一磊晶疊層，依序具有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層；一微奈米粗化結構層，係設置於該磊晶疊層之該第一半導體層上，其中該微奈米粗化結構層之折射率係介於該磊晶疊層之折射率與空氣之折射率之間；以及一抗反射層，其係設置於該微奈米粗化結構層上。
- 一種發光二極體裝置，包括：一磊晶疊層，依序具有一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層；一微奈米粗化結構層，係設置於該磊晶疊層之該第一半導體層上；以及一抗反射層，係設置於該微奈米粗化結構層上。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，其中該第一半導體層係為一P型磊晶層或一N型磊晶層。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，其中該第二半導體層係為一P型磊晶層或一N型磊晶層。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，其中該微奈米粗化結構層與該第一半導體層係為一體成型。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，更包括：一導熱基板，係與該第二半導體層相對而設；一導熱黏貼層，係設置於該導熱基板與該第二半導體之間； 一反射層，係設置於該導熱黏貼層與該第二半導體層之間；以及一電流擴散層，係設置於該反射層與該第二半導體層之間。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體裝置，其中部分之該第一半導體層係暴露於該微奈米粗化結構層及該抗反射層。
- 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體裝置，更包括：一第一電極，係與暴露於該微奈米粗化結構層及該抗反射層之該第一半導體層電性連接；以及一第二電極，係與該導熱基板電性連接。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體裝置，更包括一導熱絕緣層，其係設置於該導熱黏貼層與該反射層之間。
- 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體裝置，其中部分之該第一半導體層係暴露於該微奈米粗化結構層及該抗反射層，或部分之該第二半導體層係暴露於該發光層、該第一半導體層、該微奈米粗化結構層及該抗反射層。
- 如申請專利範圍第10項所述之發光二極體裝置，更包括：一第一電極，係與暴露於該微奈米粗化結構層及該抗反射層之該第一半導體層電性連接；以及一第二電極，係與暴露於該發光層、該第一半導體層、該微奈米粗化結構層及該抗反射層之該第二半導體層電性連接。
- 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體裝置，其中該導熱絕緣層之材質係為熱傳導係數大於或等於150W/mK(瓦特/米．凱氏溫度)之一絕緣材料。
- 如申請專利範圍第12項所述之發光二極體裝置，其中該導熱絕緣層之材質係選自氮化鋁或碳化矽。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體裝置，其中該導熱基板係為一導電基板或一絕緣基板。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體裝置，其中該導熱基板之材質係選自矽、砷化鎵、磷化鎵、碳化矽、氮化硼、鋁、氮化鋁、銅及其組合所構成的群組。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體裝置，其中該導熱黏貼層之材質係選自金、錫膏、錫銀膏、銀膏及其組合所構成之群組。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體裝置，其中該導熱黏貼層之材質係為純金屬、合金金屬、導電材料、非導電材料或有機材料。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體裝置，其中該反射層之材質係選自鉑、金、銀、鈀、鎳、鉻、鈦、鈦/銀及其組合所構成的群組。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體裝置，其中該反射層係為由具有高低折射率之介電質薄膜所組成之一光學反射元件、一金屬反射層、一金屬介電反射層或由微奈米球所組成之一光學反射元件。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體裝置，其中該電流擴散層之材質係為銦錫氧化物(Indium tin oxide，ITO)、摻鋁氧化鋅(aluminum doped zinc oxide，AZO)、氧化鋅(ZnO)、鎳/金(Ni/Au)或氧化銻錫。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，其中該微奈米粗化結構層係至少包括一奈米球、一奈米柱、一奈 米孔洞、一奈米點、一奈米線或一奈米凹凸結構。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，其中該微奈米粗化結構層之材質係選自三氧化二鋁(Al2O3)、氮化矽(Si3N4)、二氧化錫(SnO2)、二氧化矽(SiO2)、樹脂、聚碳酸酯(polycarbonate)及其組合所構成之群組。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，其中該微奈米粗化結構層係以堆疊製程、燒結製程、陽極氧化鋁製程(AAO)、奈米壓印製程、熱壓製程、蝕刻製程或電子束曝光製程(E-beam writer)而形成。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，其中該抗反射層之折射率係介於該微奈米粗化結構層之折射率與空氣之折射率之間。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，其中該抗反射層係包括複數個微奈米粒子。
- 如申請專利範圍第25項所述之發光二極體裝置，其中每該微奈米粒子之粒徑係介於50奈米至50微米。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之發光二極體裝置，其中該抗反射層可為單層或多層之介電質薄膜所形成之結構。
- 一種發光二極體裝置的製造方法，包括：於一磊晶基板上形成一第一半導體層；於該第一半導體層上形成一發光層；於該發光層上形成一第二半導體層，其中該第一半導體層、該發光層及該第二半導體層係構成一磊晶疊層；於該磊晶疊層之該第一半導體層上形成一微奈米粗化結構層；以及 於該微奈米粗化結構層上形成一抗反射層。
- 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中該抗反射層之折射率係介於該微奈米粗化結構層之折射率與空氣之折射率之間。
- 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中該抗反射層係包括複數個微奈米粒子。
- 如申請專利範圍第30項所述之製造方法，其中每該微奈米粒子之粒徑係介於50奈米至50微米。
- 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中該抗反射層可為單層或多層之介電質薄膜所形成之結構。
- 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中該第一半導體層係為一P型磊晶層或一N型磊晶層。
- 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中該第二半導體層係為一P型磊晶層或一N型磊晶層。
- 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其更包括以下步驟：於該第二半導體層上形成一電流擴散層；以及於該電流擴散層上形成一反射層。
- 如申請專利範圍第35項所述之製造方法，其中該電流擴散層之材質係為銦錫氧化物(Indium tin oxide，ITO)、摻鋁氧化鋅(aluminum doped zinc oxide，AZO)、氧化鋅(ZnO)、鎳/金(Ni/Au)或氧化銻錫。
- 如申請專利範圍第35項所述之製造方法，其中該反射層之材質係選自鉑、金、銀、鈀、鎳、鉻、鈦、鈦/銀及其組合所構成的群組。
- 如申請專利範圍第35項所述之製造方法，其中該反射層係 為由具有高低折射率之介電質薄膜所組成之一光學反射元件、一金屬反射層、一金屬介電反射層或由微奈米球所組成之一光學反射元件。
- 如申請專利範圍第35項所述之製造方法，其更包括：將一導熱基板藉由一導熱黏貼層與該反射層結合。
- 如申請專利範圍第39項所述之製造方法，其中該導熱基板係為一導電基板或一絕緣基板。
- 如申請專利範圍第39項所述之製造方法，其中該導熱基板之材質係選自矽、砷化鎵、磷化鎵、碳化矽、氮化硼、鋁、氮化鋁、銅及其組合所構成的群組。
- 如申請專利範圍第39項所述之製造方法，其中該導熱黏貼層之材質係選自金、錫膏、錫銀膏、銀膏及其組合所構成之群組。
- 如申請專利範圍第39項所述之製造方法，其中該導熱黏貼層之材質係為純金屬、合金金屬、導電材料、非導電材料或有機材料。
- 如申請專利範圍第39項所述之製造方法，於結合該導熱基板與該反射層之後，更包括一步驟：翻轉該發光二極體裝置。
- 如申請專利範圍第42項所述之製造方法，其更包括：移除該磊晶基板；於部分之該第一半導體層上設置一第一電極；以及於該導熱基板相對於該導熱黏貼層之一表面設置一第二電極。
- 如申請專利範圍第45項所述之製造方法，其中該微奈米粗化結構層係設置於另一部份之該第一半導體層上。
- 如申請專利範圍第35項所述之製造方法，其更包括以下步驟：形成一導熱絕緣層於該反射層上；以及將一導熱基板藉由一導熱黏貼層與該導熱絕緣層結合。
- 如申請專利範圍第47項所述之製造方法，其中該導熱絕緣層之材質係為熱傳導係數大於或等於150W/mK(瓦特/米．凱氏溫度)之一絕緣材料。
- 如申請專利範圍第48項所述之製造方法，其中該導熱絕緣層之材質係選自氮化鋁或碳化矽。
- 如申請專利範圍第47項所述之製造方法，其中該導熱基板係為一導電基板或一絕緣基板。
- 如申請專利範圍第47項所述之製造方法，其中該導熱基板之材質係選自矽、砷化鎵、磷化鎵、碳化矽、氮化硼、鋁、氮化鋁、銅及其組合所構成的群組。
- 如申請專利範圍第47項所述之製造方法，其中該導熱黏貼層之材質係選自金、錫膏、錫銀膏、銀膏及其組合所構成之群組。
- 如申請專利範圍第47項所述之製造方法，其中該導熱黏貼層之材質係為純金屬、合金金屬、導電材料、非導電材料或有機材料。
- 如申請專利範圍第47項所述之製造方法，於結合該導熱基板與該反射層之後，更包括一步驟：翻轉該發光二極體裝置。
- 如申請專利範圍第52項所述之製造方法，其更包括以下步驟：移除該磊晶基板；以及 移除部分之磊晶疊層，以暴露出部分之該電流擴散層。
- 如申請專利範圍第55項所述之製造方法，其更包括以下步驟：於部分之該第一半導體層上設置一第一電極；以及於暴露於該磊晶疊層之部分之該電流擴散層上設置一第二電極。
- 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中該微奈米粗化結構係以堆疊製程、燒結製程、陽極氧化鋁製程、奈米壓印製程、熱壓製程、蝕刻製程或電子束曝光製程形成於該第一半導體層上。
- 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中該微奈米粗化結構層係至少包括一奈米球、一奈米柱、一奈米孔洞、一奈米點、一奈米線或一奈米凹凸結構。
- 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中該微奈米粗化結構層之折射率係介於該磊晶疊層之折射率與空氣之折射率之間。
- 如申請專利範圍第28項所述之製造方法，其中該微奈米粗化結構層之材質係選自三氧化二鋁(Al2O3)、氮化矽(Si3N4)、二氧化錫(SnO2)、二氧化矽(SiO2)、樹脂、聚碳酸酯(polycarbonate)及其組合所構成之群組。
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