JP2010531058A5 - - Google Patents
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- 第１導電型半導体層と、第２導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層との間にある活性層とを含む発光構造物と、
前記第１導電型半導体層の上の第１電極と、を含み、
前記発光構造物は、該発光構造物の外側領域に形成された周縁溝を含み、該発光構造物の外側領域の厚みが該発光構造物の内側領域の厚みよりも小さい、
半導体発光素子。 - 前記周縁溝の幅は１０μｍ〜５００μｍである請求項１に記載の半導体発光素子。
- 前記発光構造物の下にある反射電極層と、
前記反射電極層の下にある伝導性支持基板と、を更に含む請求項１または２に記載の半導体発光素子。 - 前記反射電極層は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及びそれらの組み合わせの一つを有する、単層または多層で形成されている請求項３に記載の半導体発光素子。
- 前記反射電極層の外側に配置された周縁部保護層を更に含む請求項３または４に記載の半導体発光素子。
- 前記周縁部保護層は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNの中の少なくとも一つを含み、ｎ型ドーパント若しくはｐ型ドーパントでドープされている、またはドーパントがドープされていない請求項５に記載の半導体発光素子。
- 前記周縁部保護層は、前記第２導電型半導体層と同一材料から形成されている請求項５または６に記載の半導体発光素子。
- 前記周縁部保護層は、前記発光構造物を、前記伝導性支持基板または前記反射電極層から離隔させている請求項５乃至７のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 前記発光構造物の周縁部にある別途の絶縁膜を更に含む請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 前記周縁部保護層は、前記周縁溝の幅より大きな幅を有する請求項５乃至８のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 前記周縁部保護層の幅は、２０μｍ〜６００μｍである請求項５〜８，１０のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 前記活性層は、InGaNからなる量子井戸層とGaNからなる量子障壁層とを交互に含んでいることを請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 前記第２導電型半導体層の下にある透明電極層を更に含む請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
- 前記周縁溝は、前記第１導電型半導体層から、前記第２導電型半導体層または前記周縁部保護層の一部が露出する深さまで、形成されている請求項１または５に記載の半導体発光素子。
- 前記周縁溝は、前記第１導電型半導体層から、前記周縁部保護層の一部が露出する深さまで、形成されている請求項５〜８，１０のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
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