JP2011029493A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、つぎのように構成した面発光レーザを提供するものである。
本発明の面発光レーザは、
面発光レーザであって、
第１の半導体多層膜反射鏡と、
前記第１の半導体多層膜反射鏡と対向して配置された第２の半導体多層膜反射鏡と、
前記第１の半導体多層膜反射鏡と前記第２の半導体多層膜反射鏡との間に設けられ、少なくとも第１の活性層と第２の活性層とを有する利得領域と、
前記第１の活性層および前記第２の活性層に注入される電流を狭窄する電流狭窄層と、
前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に設けられ、ｐ型またはｎ型にドーピングされている半導体層からなるスペーサ層と、を有し、
前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも小さい体積を備え、
前記電流狭窄層に対して前記第２の活性層よりも近い位置に配置されていることを特徴とする。
本発明の面発光レーザは、
面発光レーザであって、
第１の半導体多層膜反射鏡と、
前記第１の半導体多層膜反射鏡と対向して配置された第２の半導体多層膜反射鏡と、
前記第１の半導体多層膜反射鏡と前記第２の半導体多層膜反射鏡との間に設けられ、少なくとも第１の活性層と第２の活性層とを有する利得領域と、
前記第１の活性層および前記第２の活性層に注入される電流を狭窄する電流狭窄層と、
前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に設けられ、ｐ型またはｎ型にドーピングされている半導体層からなるスペーサ層と、を有し、
前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも小さい体積を備え、
前記電流狭窄層に対して前記第２の活性層よりも近い位置に配置されていることを特徴とする。
Claims (5)
- 面発光レーザであって、
第１の半導体多層膜反射鏡と、
前記第１の半導体多層膜反射鏡と対向して配置された第２の半導体多層膜反射鏡と、
前記第１の半導体多層膜反射鏡と前記第２の半導体多層膜反射鏡との間に設けられ、少なくとも第１の活性層と第２の活性層とを有する利得領域と、
前記第１の活性層および前記第２の活性層に注入される電流を狭窄する電流狭窄層と、
前記第１の活性層と前記第２の活性層との間に設けられ、ｐ型またはｎ型にドーピングされている半導体層からなるスペーサ層と、を有し、
前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも小さい体積を備え、
前記電流狭窄層に対して前記第２の活性層よりも近い位置に配置されていることを特徴とする面発光レーザ。 - 前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも少ない井戸数を備えることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
- 前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも狭い井戸幅を備えることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
- 前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも広いバリア幅を備えることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
- 前記半導体層が、ＡｌＧａＩｎＰからなり、前記第１の活性層は、前記第２の活性層よりも多いＩｎ組成を備えることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009175352A JP5355276B2 (ja) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | 面発光レーザ |
| PCT/JP2010/061653 WO2011013498A1 (en) | 2009-07-28 | 2010-07-02 | Surface emitting laser with current constriction layer and multiple active region |
| US13/321,438 US8416824B2 (en) | 2009-07-28 | 2010-07-02 | Surface emitting laser with current constriction layer and multiple active regions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009175352A JP5355276B2 (ja) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | 面発光レーザ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011029493A JP2011029493A (ja) | 2011-02-10 |
| JP2011029493A5 true JP2011029493A5 (ja) | 2012-09-06 |
| JP5355276B2 JP5355276B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=42937222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009175352A Expired - Fee Related JP5355276B2 (ja) | 2009-07-28 | 2009-07-28 | 面発光レーザ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8416824B2 (ja) |
| JP (1) | JP5355276B2 (ja) |
| WO (1) | WO2011013498A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011166108A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-08-25 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置 |
| JP5735765B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-06-17 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、面発光レーザアレイを光源とする表示装置、プリンタヘッドおよびプリンタ |
| CN104641517B (zh) * | 2012-08-08 | 2018-01-23 | 丹麦科技大学 | 波长可扫掠激光源 |
| JP6271934B2 (ja) * | 2012-11-02 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | 窒化物半導体面発光レーザ及びその製造方法 |
| US10892601B2 (en) * | 2018-05-24 | 2021-01-12 | Stanley Electric Co., Ltd. | Vertical cavity light-emitting element |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5157680A (en) * | 1989-11-08 | 1992-10-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Integrated semiconductor laser |
| US5343487A (en) | 1992-10-01 | 1994-08-30 | Optical Concepts, Inc. | Electrical pumping scheme for vertical-cavity surface-emitting lasers |
| JP2658883B2 (ja) * | 1994-01-17 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | 面発光素子 |
| GB2295270A (en) * | 1994-11-14 | 1996-05-22 | Sharp Kk | Surface-emitting laser with profiled active region |
| US6760357B1 (en) * | 1998-04-14 | 2004-07-06 | Bandwidth9 | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| JP2000174328A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 垂直微小共振器型発光ダイオード |
| JP2000299492A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Daido Steel Co Ltd | 量子井戸型発光ダイオード |
| EP1081816A3 (en) | 1999-09-03 | 2002-04-24 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) having undoped distributed bragg reflectors and using lateral current injection and method for maximizing gain and minimizing optical cavity loss |
| AU2001239892A1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-09-03 | Bandwidth9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6567454B1 (en) | 2001-05-01 | 2003-05-20 | Sandia Corporation | Coupled-resonator vertical-cavity lasers with two active gain regions |
| JP2004103754A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子および面発光レーザモジュールおよび面発光レーザアレイおよび光伝送システム |
| US6771680B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-08-03 | Agilent Technologies, Inc | Electrically-pumped, multiple active region vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) |
| JP2004227860A (ja) | 2003-01-21 | 2004-08-12 | Electric Power Dev Co Ltd | ナトリウム−硫黄電池及びその小型積層電池 |
| JP4855038B2 (ja) | 2004-10-14 | 2012-01-18 | 三星電子株式会社 | ファンネル構造のｖｅｃｓｅｌ |
| KR100982421B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2010-09-15 | 삼성전자주식회사 | 깔대기 형태의 전류주입영역을 구비하는 면발광 고출력레이저 소자 |
| JP4908837B2 (ja) | 2005-12-13 | 2012-04-04 | キヤノン株式会社 | 発光素子アレイ及び画像形成装置 |
| JP4210690B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2009-01-21 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 面発光素子 |
| JP4110181B2 (ja) | 2006-09-01 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP4343986B2 (ja) * | 2007-02-14 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 赤色面発光レーザ素子、画像形成装置、及び画像表示装置 |
| JP2009010248A (ja) | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Canon Inc | 面発光レーザおよびその製造方法 |
| JP4974981B2 (ja) | 2007-09-21 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 垂直共振器型面発光レーザ素子、及び該垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた画像形成装置 |
| US7839913B2 (en) | 2007-11-22 | 2010-11-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface emitting laser, surface emitting laser array, and image forming apparatus including surface emitting laser |
| JP5058939B2 (ja) | 2007-11-27 | 2012-10-24 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ、該面発光レーザによって構成される光学機器 |
| JP4621263B2 (ja) | 2008-02-22 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザおよび画像形成装置 |
| JP5279393B2 (ja) | 2008-07-31 | 2013-09-04 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザおよびその製造方法、面発光レーザアレイの製造方法、および面発光レーザアレイを備えている光学機器 |
| JP5735765B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-06-17 | キヤノン株式会社 | 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、面発光レーザアレイを光源とする表示装置、プリンタヘッドおよびプリンタ |
-
2009
- 2009-07-28 JP JP2009175352A patent/JP5355276B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-02 US US13/321,438 patent/US8416824B2/en not_active Expired - Fee Related
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