JP2008103711A5

JP2008103711A5 -

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Publication number: JP2008103711A5
Application number: JP2007259068A
Authority: JP
Filing date: 2007-10-02
Publication date: 2011-01-13

Claims

基板上に形成されたｎ型コンタクト層と、
前記ｎ型コンタクト層上に形成され、二つ以上の量子ウェル層と二つ以上の障壁層とを備える活性層と、
前記活性層上に形成されたｐ型コンタクト層と、
を備え、
前記量子ウェル層と前記障壁層のうち少なくとも一つのエネルギーバンドギャップと層の厚さのうち少なくとも一つは、前記ｎ型コンタクト層からの距離に依存して異なることを特徴とする半導体発光素子。
前記活性層に備えられる量子ウェル層のエネルギーバンドギャップは、前記ｎ型コンタクト層に近いほど大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
前記量子ウェル層は、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ層（０．０５≦ｘ≦０．５）であることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
前記量子ウェル層のインジウム含有量は、前記ｎ型コンタクト層に近いほど少ないことを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
前記ｎ型コンタクト層に近い量子ウェル層から番号を付与する時、Ｎ番目の量子ウェル層のインジウム含有量（原子％）は、Ｎ＋１番目の量子ウェル層のインジウム含有量（原子％）よりも５〜２０％少ないことを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
前記量子ウェル層の厚さは、前記ｎ型コンタクト層に近いほど薄いことを特徴とする請求項２から５のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記ｎ型コンタクト層に近い量子ウェル層から番号を付与する時、Ｎ番目の量子ウェル層の厚さは、Ｎ＋１番目の量子ウェル層の厚さよりも５〜２０％薄いことを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。
前記活性層に備えられる障壁層のエネルギーバンドギャップは、前記ｎ型コンタクト層に近いほど大きいことを特徴とする請求項２から７のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記障壁層は、Ｉｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ層（０≦ｙ≦０．１）であることを特徴とする請求項２から８のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記障壁層のインジウム含有量は、前記ｎ型コンタクト層に近いほど少ないことを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子。
前記ｎ型コンタクト層に近い障壁層から番号を付与する時、Ｎ番目の障壁層のインジウム含有量（原子％）は、Ｎ＋１番目の障壁層のインジウム含有量（原子％）よりも５〜２０％少ないことを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光素子。
前記活性層と前記ｐ型コンタクト層との間に電子遮断層がさらに備えられることを特徴とする請求項２から１１のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記活性層に備えられる量子ウェル層の厚さは、前記ｎ型コンタクト層に近いほど薄いことを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記ｎ型コンタクト層に近い量子ウェル層から番号を付与する時、Ｎ番目の量子ウェル層の厚さは、Ｎ＋１番目の量子ウェル層の厚さよりも５〜２０％薄いことを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子。
前記量子ウェル層は、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ層（０．０５≦ｘ≦０．５）であることを特徴とする請求項１３または１４に記載の半導体発光素子。
前記量子ウェル層のインジウム含有量は、前記ｎ型コンタクト層に近いほど少ないことを特徴とする請求項１５に記載の半導体発光素子。
前記ｎ型コンタクト層に近い量子ウェル層から番号を付与する時、Ｎ番目の量子ウェル層のインジウム含有量（原子％）は、Ｎ＋１番目の量子ウェル層のインジウム含有量（原子％）よりも５〜２０％少ないことを特徴とする請求項１６に記載の半導体発光素子。
前記活性層に備えられる障壁層のエネルギーバンドギャップは、前記ｎ型コンタクト層に近いほど大きいことを特徴とする請求項１３から１７のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記障壁層は、Ｉｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ層（０≦ｙ≦０．１）であることを特徴とする請求項１３から１８のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記障壁層のインジウム含有量は、前記ｎ型コンタクト層に近いほど少ないことを特徴とする請求項１９に記載の半導体発光素子。
前記ｎ型コンタクト層に近い障壁層から番号を付与する時、Ｎ番目の障壁層のインジウム含有量（原子％）は、Ｎ＋１番目の障壁層のインジウム含有量（原子％）よりも５〜２０％少ないことを特徴とする請求項２０に記載の半導体発光素子。
前記活性層と前記ｐ型コンタクト層との間に電子遮断層がさらに備えられることを特徴とする請求項１３から２１のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記活性層に備えられる障壁層のエネルギーバンドギャップは、前記ｎ型コンタクト層に近いほど大きいことを特徴とする請求項１から２２のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記障壁層は、Ｉｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ層（０≦ｙ≦０．１）であることを特徴とする請求項２３に記載の半導体発光素子。
前記障壁層のインジウム含有量は、前記ｎ型コンタクト層に近いほど少ないことを特徴とする請求項２４に記載の半導体発光素子。
前記ｎ型コンタクト層に近い障壁層から番号を付与する時、Ｎ番目の障壁層のインジウム含有量（原子％）は、Ｎ＋１番目の障壁層のインジウム含有量（原子％）よりも５〜２０％少ないことを特徴とする請求項２５に記載の半導体発光素子。
前記ｎ型コンタクト層に近い量子ウェル層から番号を付与する時、Ｎ番目の量子ウェル層の厚さは、Ｎ＋１番目の量子ウェル層の厚さよりも５〜２０％薄いことを特徴とする請求項２３から２６のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記活性層に備えられる量子ウェル層は、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ層（０．０５≦ｘ≦０．５）であることを特徴とする請求項２３から２７のいずれかに記載の半導体発光素子。
前記量子ウェル層のインジウム含有量は、前記ｎ型コンタクト層に近いほど少ないことを特徴とする請求項２８に記載の半導体発光素子。
前記ｎ型コンタクト層に近い量子ウェル層から番号を付与する時、Ｎ番目の量子ウェル層のインジウム含有量（原子％）は、Ｎ＋１番目の量子ウェル層のインジウム含有量（原子％）よりも５〜２０％少ないことを特徴とする請求項２９に記載の半導体発光素子。
前記活性層と前記ｐ型コンタクト層との間に電子遮断層がさらに備えられることを特徴とする請求項２３から３０のいずれかに記載の半導体発光素子。