JP2004031770A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、キャリアをトラップする複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層されて成る多重量子井戸構造である活性層と、ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とから成り、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性層と前記ｐ型窒化物半導体層とが順に積層された窒化物半導体発光素子において、
   前記障壁層が、ｎ型不純物がドープされたドープ層と、ｎ型不純物がドープされていないアンドープ層とを有し、
   前記障壁層の前記ドープ層が前記井戸層と接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
2. 前記ドープ層がＧａＮドープ層であり、
   前記アンドープ層がＩｎｘＧａｙＮアンドープ層（但し、ｘ＋ｙ＝１，ｘ＞０，ｙ＞０）であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
3. 前記障壁層を構成する前記ドープ層及び前記アンドープ層の総数が３層以上であるとともに、前記アンドープ層が前記井戸層と接していないことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
4. 前記ドープ層の膜厚ｄａが、０．３ｎｍ≦ｄａ≦３ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
5. 前記障壁層が、１つの前記ドープ層と１つの前記アンドープ層の２層で構成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
6. 前記ドープ層の膜厚ｄａが、０．３ｎｍ≦ｄａ≦４ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。
7. 前記障壁層の膜厚ｄｂが、７ｎｍ≦ｄｂ≦１２ｎｍであることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
8. 前記ドープ層にドープされたｎ型不純物の濃度Ｘが、５×１０¹⁵ｃｍ^-3≦Ｘ≦１×１０²⁰ｃｍ^-3であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
9. 前記井戸層の膜厚ｄｃが、２ｎｍ≦ｄｃ≦７ｎｍであることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
10. 前記障壁層がＧａＮ層であることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
11. 前記アンドープ層の組成にＩｎが含まれることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物半導体発光素子。
12. 前記ドープ層の組成にＩｎが含まれることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の窒化物半導体発光素子。
13. 前記井戸層がＩｎＧａＮ層であるとともに、ｎ型不純物がドープされていないことを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。