JP2010098151A5 - - Google Patents

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  1. ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に活性層を備え、
    前記活性層は、第１の井戸層と、井戸層の中で最も外側に設けられ、前記第１の井戸層を挟む第２の井戸層と、各井戸層間に設けられた障壁層と、を有し、
    前記第２の井戸層は前記第１の井戸層を構成する窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなり、前記第１の井戸層及び前記第２の井戸層のそれぞれに対応した発光スペクトルのピークを有する窒化物半導体発光素子。
  2. 最も外側に設けられた前記第２の井戸層間において、前記第１の井戸層を複数有する請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  3. 最も外側に設けられた前記第２の井戸層間において、前記ｐ型半導体層側に前記第２の井戸層を一層以上有し、前記第２の井戸層よりも前記ｎ型半導体層側に前記第１の井戸層を一層以上有する請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
  4. 前記第２の井戸層の積層数は、前記第１の井戸層の積層数よりも多い請求項２または３に記載の窒化物半導体発光素子。
  5. 前記第１の井戸層と前記第２の井戸層が交互に複数積層されている請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
  6. 前記第１の井戸層及び前記第２の井戸層のそれぞれに対応した発光スペクトルのピークは、近紫外領域または紫外領域である請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
  7. 前記第１の井戸層はＩｎａＧａ１−ａＮ（０＜ａ＜１）であり、前記第２の井戸層はＩｎｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜１、ａ−ｂ≧０．０２）である請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
  8. 前記第１の井戸層はＩｎａＧａ１−ａＮ（０＜ａ≦０．１）であり、前記第２の井戸層はＩｎｂＧａ１−ｂＮ（０＜ｂ＜０．１、ａ−ｂ≧０．０２）であり、前記障壁層はＡｌｃＧａ１−ｃＮ（０＜ｃ≦０．４）である請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
  9. 前記ｎ型窒化物半導体層及び前記ｐ型窒化物半導体層はＡｌｄＧａ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）である請求項８に記載の窒化物半導体発光素子。
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