JP2009071220A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. III族窒化物系化合物半導体の積層構造から成る発光部を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
   基板と、
   前記基板上に積層されたIII族窒化物系化合物半導体層と、該III族窒化物系化合物半導体層の最上層上に形成されたドレイン電極と、ソース電極と、前記ドレイン電極と前記ソース電極の間の前記III族窒化物系化合物半導体層に形成されるチャネルを有した高電子移動度トランジスタを構成する定電流素子層と、
   前記定電流素子層のチャネル以外の領域の最上層上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体の積層構造から成る発光部と、
   を有し、
   前記発光部のｎ電極と前記ドレイン電極とが共通化されている
   ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
2. 高電子移動度トランジスタはノーマリオン型のトランジスタであって、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間には、ゲート電極が存在しないことを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
3. 前記定電流素子層の最上層上には、ドレイン電極とソース電極との間に、ゲート電極を有することを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
4. ダイオードである前記発光部を５個以上有し、
   ４つの端子点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対し、ＡＢ間、ＢＤ間、ＤＣ間、ＣＢ間、ＤＡ間に、各々１個の前記発光部が接続されるか、又は複数個の前記発光部が直列接続されており、
   Ａ点が高電位でＣ点が低電位である場合にＡＢ間、ＢＤ間、ＤＣ間の前記発光部が全て順方向の直列接続を形成し、
   Ｃ点が高電位でＡ点が低電位である場合にＣＢ間、ＢＤ間、ＤＡ間の前記発光部が全て順方向の直列接続を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。