JP4579294B2 - 第13族元素窒化物の層から製造される高電子移動度トランジスタ(hemt)およびその製造方法 - Google Patents
第13族元素窒化物の層から製造される高電子移動度トランジスタ(hemt)およびその製造方法 Download PDFInfo
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Description
第13族元素含有窒化物は第13族元素、例えばアルミニウム、ガリウム、インジウムのいずれか単独、あるいはいずれかの組み合わせの窒化物を意味し、ガリウム含有窒化物は最も好ましい窒化物である。
我々の実験によれば、固体(ガリウム含有窒化物)と超臨界溶液との間に充分に高い温度および圧力において平衡状態が達成されることが分かっており、それ故にガリウム含有窒化物の溶解度はガリウム含有窒化物の上記溶解プロセスにおいて得られるガリウム錯体化合物の平衡濃度として定義することができる。このプロセスにおいて、平衡濃度、即ち溶解度は溶媒の組成、温度及び/又は圧力を変更することにより制御することができる。
溶解度の負温度係数とはもしすべての他のパラメータが一定である時溶解度が温度の減少関数であることをいう。同様に、溶解度の正温度係数とはすべての他のパラメータが一定である時圧力の増加関数であることを意味する。我々の研究によれば、ガリウム含有窒化物の超臨界アンモニア含有溶媒中の溶解度は少なくとも300℃から550℃の温度範囲において100MPaから550MPaの圧力において負の温度係数(負TCS)及び正の圧力係数(正PCS)を示す。
超臨界アンモニア含有溶液中の可溶性ガリウム化合物の濃度が特定の物理化学状態のガリウム含有化合物の溶解度より高い場合、超臨界アンモニア含有溶液のガリウム含有窒化物に対する過飽和は現実の濃度と溶解度との差異として定義することができる。閉鎖系におけるガリウム含有窒化物を溶解させながら、温度を増加又は圧力を減少させることにより過飽和状態を得ることができる。
本明細書における実際の実施例では、オートクレーブ内の温度測定はオートクレーブが空の状態、即ち超臨界アンモニア含有溶液なしで測定された。このように実施例で示される温度は超臨界状態で行われたプロセスの実際の温度値ではない。圧力は直接測定されたか又は選択されたプロセス温度及びオートクレーブ堆積でのアンモニア含有溶媒の物理及び化学データに基づいて計算された。
ロ基板1とバッファ層3の結晶格子ミスマッチを減少させるために、核のある(NUCLEATION)層2がその間に配置される。例えば、窒化アルミニウムである。この核のある層2の存在により、その上に形成される窒化物層の結晶品質が改善され、HEMT装置の品質およびパラメータが改善される。このHEMTトランジスタは電気コンタクト、ソース7、ゲート8およびドレイン9を含む。コンタクト7,8および9は層5の上に直接形成することもできるし、又はコンタクト層6の上に選択的に形成することもできる。層5および層3の界面にはバッファ層の界面近くに集積するピエゾ電界が形成され、高い移動度を有する二次元自由電子ガス(2DEG)4が形成される。上記効果はAlGaAs/GaAsに対するものよりAlGaN/GaNは5倍強くなることが特筆される。層5に発生したチャージキャリアはバッファ層3に落ち込み、そこでこれらは自由に移動することができる。ソース7とドレイン9の間にはチャンネルが形成され、その中を電流が流れる。ゲート8(チャンネルに沿って位置する)に適用される電圧を変化させるとソース−ドレインシステムの抵抗に変化が生じる(J.Klamka著「Heterozlaczowe przyrzady polprezewodnikowe na zakres mikrofal I fal milimetrowych」第1版2002年、ISBN:83-86217-48-0)。Journalof Applied Physics 87巻No.1,2000の334−344頁にはこの装置の品質はエピタキシャル層の品質、特に層3および5の品質によって改善するとしている。特に、バッファ層3の厚みの増加により層3と5の界面が改善され、自由キャリアの移動度を増加させる。これはバッファ層の厚みが増加すると、HEMT構造の窒化物層とヘテロ基板との間のミスマッチの好ましくない効果が減少する事実により説明することができる。
高圧600cm3のオートクレーブ内の、溶解ゾーンに6N金属ガリウム105g(約1.5モル)のフィードストックを配置し、亜鉛0.05g又はマグネシウム0.02gを加える。次に、4N金属ナトリウム28g(1220ミリモル)をオートクレーブに導入する。HVPE法又は超臨界アンモニア含有溶液からの結晶化により得られる単結晶窒化ガリウムからのウェファで、単結晶のc軸に垂直な歩行の一対の表面を有し、直径25mm(1インチ)、厚み約500μmの9枚をそれぞれシードとして使用する。このシードをオートクレーブの結晶ゾーンに配置する。
WO02/10112の開示により、1350cm3の高圧オートクレーブにガリウム含有フィードストック、シード、ミネラライザーおよびアンモニアを充填する。
第2図は本発明に係るHEMTトランジスタの概要断面図で、第2図によれば、窒化ガリウム基板11を用いるが、実施例1に記載のプロセスで得られ、この上にアンドープの窒化ガリウムからなるバッファ層3がMOCVD法を用いて厚さ0.5μmに形成され、ついでAl0.3Ga0.7Nからなり、Siをおよそ500ppmドープされた層5が10nmの厚みで形成される。次にNi−Ti−Auの電気コンタクトでソース7、ゲート8およびドレイン9を製造する。選択的であるが、コンタクトを形成する前に層5の上にコンタクト層を形成し。このようにして得られたHEMTトランジスタは例外的な好ましい操作パラメータ(例えば、W−CDMA(約2GHz)における平均出力は50Wで、60Vでゲイン25dB)を特徴としている。
Al0.4Ga0.6Nからなり、Siをおよそ500ppmドープされた層5が10nmの厚みで形成されること以外は実施例3と同様に行う。これにより、よりtが会平均出力パワー、例えば、W−CDMA(約2GHz)における平均出力は55Wが得られる。他のパラメータは実施例3と同様である。
実施例2で得られる基板を使用する以外は実施例3と同様に行う。その結果、MOCVDによる層3及び5の成長(実施例3と同一の組成およびパラメータ)は基板の成長方向とは本質的に垂直な方向に行う。これは、本発明の要素のひとつである。このようにして得られるHEMT装置はより好ましい操作パラメータ(例えば、W−CDMA(約2GHz)における平均出力は60Wで、60Vでゲイン35dB)を特徴としている。
T型ゲートを形成する以外は実施例3と同様に行う。これによりさらにゲート抵抗ノイズを減少させることができる。このようにして得られるHEMT装置は実施例3より好ましい操作パラメータ(例えば、W−CDMA(約2GHz)における平均出力は52Wで、63Vでゲイン28dB)を特徴としている。
11 窒化ガリウム基板
Claims (7)
- 絶縁性基板上に形成される第13族元素(IUPAC、1989)窒化物の層から主として構成される高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって、該トランジスタは100〜550MPaの低い圧力かつ300から550℃の低い温度で第1族元素の存在下にガリウム含有窒化物の超臨界アンモニア含有溶媒に対する溶解度の温度係数が負となる超臨界アンモニア法により得られる単結晶であるガリウム含有窒化物の基板(11)と、該基板上に直接エピタキシャル法で形成されるアンドープのGaNからなる層(3)と、その上にエピタキシャル法により形成されるn型AlGaNからなる層(5)を備え、層(3)と層(5)の界面には層(3)の界面近くにピエゾ電界により二次元自由電子ガス(4)が形成され、上記超臨界アンモニア法で形成される基板が超臨界アンモニア法におけるシードに対し、該シードの成長方向に垂直な方向の結晶成長により得られる単結晶で形成され、基板(11)の表面欠陥密度が102/cm2であって、W-CDMAバンド(約2GHz)が50Wより低くなく、そのゲインが60Vで25dBより低くない性能パラメータを有することを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
- 上記基板が半絶縁性(補償された)であることを特徴とする請求項1記載のトランジスタ。
- 上記基板が極性(polar)であることを特徴とする請求項1又は2に記載のトラ
ンジスタ。 - 上記基板が非極性であることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載のトランジスタ。
- バッファ層(3)がエピタキシャル法により製造され、そのプロセスにおける上記バッファ層の成長方向が基板(11)の成長方向に垂直である請求項1〜4のいずれかに記載のトランジスタ。
- 絶縁性基板上に形成される第13族元素(IUPAC、1989)窒化物の層から主として構成される高電子移動度トランジスタ(HEMT)の製造方法であって、
100〜550MPaの低い圧力かつ300から550℃の低い温度で第1族元素の存在下にガリウム含有窒化物の超臨界アンモニア含有溶媒に対する溶解度の温度係数が負となる超臨界アンモニア法でシード上で結晶をシードの成長方向とは垂直な方向に成長させ、表面欠陥密度が102/cm2の単結晶のGaN基板を得る工程と、
該基板上にエピタキシャル法でノンドープのGaNバッファ層を形成する工程と、
該バッファ層上にエピタキシャル法でSiドープのn型AlGaN層を形成する工程とを含み、
W-CDMAバンド(約2GHz)が50Wより低くなく、そのゲインが60Vで25dBより低くない性能パラメータを有する高電子移動度トランジスタの製造方法。 - 上記ノンドープのGaNバッファ層(3)がエピタキシャル法により製造され、そのプロセスにおける上記バッファ層の成長方向が基板(11)の成長方向に垂直である請求項6記載の製造方法。
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