JP2010006685A - AlxGa1−xN単結晶および電磁波透過体 - Google Patents
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Abstract
【課題】電磁波透過体として好適なAlxGa1-xN単結晶およびAlxGa1-xN単結晶を含む電磁波透過体を提供する。
【解決手段】好ましくは昇華法により好適な条件で成長させたAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶2は、25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下である。また、電磁波透過体4は、一主面2mを有するAlxGa1-xN単結晶2を含み、AlxGa1-xN単結晶2は25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下である。
【選択図】図2
【解決手段】好ましくは昇華法により好適な条件で成長させたAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶2は、25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下である。また、電磁波透過体4は、一主面2mを有するAlxGa1-xN単結晶2を含み、AlxGa1-xN単結晶2は25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下である。
【選択図】図2
Description
本発明は、電気部品、電子部品、光学部品などに好適に用いられるAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶およびAlxGa1-xN単結晶を含む電磁波透過体に関する。
ガスに高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマ発生装置において、電磁波透過体として石英ガラスなどが用いられている。この電磁波透過体は、Ar、N2、O2、SiH4などの非腐食性ガスのプラズマに曝されると、高周波の吸収に加えて、イオンボンバートメントやプラズマによる輻射熱により発熱するため、電磁波透過体の発熱の防止と耐熱衝撃性が必要となる。また、電磁波透過体としての石英ガラスは、塩素やフッ素などを含む腐食性ガス、たとえばClF3、NF3、CF4、CHF3、SiH2Cl2、CF3などのガス腐食性ガスのプラズマに曝されると、高速でエッチングされ、石英のエッチング生成物であるSiおよびOがプラズマ中に混入して問題が生じる。
腐食性ガスに対する耐性がある点からは、アルミナ(酸化アルミニウム)が有効である。しかし、アルミナは耐熱衝撃性が悪く、また熱伝導率が低いため、高パワーのプラズマに対しては局所的に高温になり、熱応力で破壊してしまう問題がある。
高パワーのプラズマに対しては、アルミナに比べて耐熱衝撃性があり、熱伝導率が高く、熱膨張係数が低い窒化アルミニウム焼結体セラミックスが、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐性も高く、好適である(たとえば、特開平7−142197号公報(特許文献1)、特開平7−142414号公報(特許文献2)を参照)。しかし、窒化アルミニウム焼結体の電磁波透過体も、高パワーのプラズマに曝されると、温度が急激に上昇して誘電特性が変化し放電が維持できなくなったり、ロット間で誘電特性のばらつきが生じて高周波の透過特性が再現できないなどの問題があった。
このため、特に高周波数の電磁波に対しては、発熱の原因の一つである誘電正接の小さな高品質な電磁波透過体が求められていた。これらの問題を解決するために、焼結体中の珪素濃度(たとえば、特開2000−335974号公報(特許文献3)を参照)または酸素濃度(たとえば、特開2002−172322号公報(特許文献4)を参照)の制御や、プラズマ処理方法に工夫を加えて、電磁波の吸収の原因となる結晶相中の欠陥に起因した双極子密度やその活性化を抑えること(たとえば、特開2002−172322号公報(特許文献4)を参照)や、窒化アルミニウムに酸化イットリウムおよび酸化マグネシウムもしくは窒化マグネシウムを加えて焼結すること(たとえが、特開2006−008493号公報(特許文献5)を参照)が行なわれていた。
しかし、窒化アルミニウム焼結体には、結晶の粒界が多く存在し、また焼結助剤が含まれることも多い。このため、窒化アルミニウム焼結体は、その熱伝導率が窒化アルミニウム単結晶に比べて低く、またその熱膨張係数も局所的にばらついているため、耐熱衝撃性を高めることに限界があった。
また、窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム単結晶に比べて、結晶欠陥が多く、また原料にAl2O3、Y2O5、CaO、MgOなどの焼結助剤を用いるため、酸素濃度が高い。このため、窒化アルミニウム焼結体は、誘電正接が大きくなり、高パワーの高周波電力が印加されると、温度が急激に上昇して誘電特性が変化するという問題があった。
さらに、窒化アルミニウム焼結体は、表面の研磨の際に脱粒が生じるため、表面の平坦化が困難であるという問題もあった。
そこで、本発明は、上記問題を解決して、電磁波透過体として好適なAlxGa1-xN単結晶およびAlxGa1-xN単結晶を含む電磁波透過体を提供することを目的とする。
本発明は、25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であるAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶である。
本発明にかかるAlxGa1-xN単結晶は、1MHzの高周波信号が印加されたときの誘電正接を5×10-3以下とし、かつ、1GHzの高周波信号が印加されたときの誘電正接を5×10-3以下とすることができる。また、本発明にかかるAlxGa1-xN単結晶の酸素濃度を1×1018cm-3以下とすることができる。また、AlxGa1-xN単結晶の転位密度を1×106cm-2以下とすることができる。また、AlxGa1-xN単結晶の幅または直径を10mm以上かつ厚さを300μm以上とすることができる。また、AlxGa1-xN単結晶の表面粗さRMSを100nm以下とすることができる。
また、本発明は、一主面を有するAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶を含み、AlxGa1-xN単結晶は25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下である電磁波透過体である。
本発明にかかる電磁波透過体において、AlxGa1-xN単結晶は、1MHzの高周波信号が印加されたときの誘電正接を5×10-3以下とし、かつ、1GHzの高周波信号が印加されたときの誘電正接を5×10-3以下とすることができる。また、AlxGa1-xN単結晶の酸素濃度を1×1018cm-3以下とすることができる。また、AlxGa1-xN単結晶の転位密度を1×106cm-2以下とすることができる。また、電磁波透過体の幅または直径を10mm以上かつ厚さを300μm以上とすることができる。また、電磁波透過体の表面粗さRMSを100nm以下とすることができる。
本発明によれば、電磁波透過体として好適なAlxGa1-xN単結晶およびAlxGa1-xN単結晶を含む電磁波透過体を提供することができる。
(AlxGa1-xN単結晶)
本発明の一実施形態であるAlxGa1-xN単結晶は、AlN(窒化アルミニウム)焼結体に比べて、熱伝導率が高く、熱膨張係数の局所的なばらつきが小さい。このため、AlxGa1-xN単結晶は、高周波のプラズマに曝されても、熱応力が生じ難く、高い耐熱衝撃性を有する。また、本実施形態のAlxGa1-xN単結晶は、25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であるため、高周波の電磁波が透過しても誘電損失が極めて少なく、電磁波透過体として好適に用いられる。
本発明の一実施形態であるAlxGa1-xN単結晶は、AlN(窒化アルミニウム)焼結体に比べて、熱伝導率が高く、熱膨張係数の局所的なばらつきが小さい。このため、AlxGa1-xN単結晶は、高周波のプラズマに曝されても、熱応力が生じ難く、高い耐熱衝撃性を有する。また、本実施形態のAlxGa1-xN単結晶は、25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であるため、高周波の電磁波が透過しても誘電損失が極めて少なく、電磁波透過体として好適に用いられる。
また、本実施形態のAlxGa1-xN単結晶は、25℃の雰囲気温度下で、1MHzの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であり、かつ、1GHzの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であることが好ましい。かかるAlxGa1-xN単結晶は、MHz単位からGHz単位の広範囲の高周波領域の電磁波が透過しても誘電損失が極めて少なく、電磁波透過体としてより好適に用いられる。
本発明者らの知見によれば、AlxGa1-xN単結晶に含まれた酸素原子は、窒素原子と置換され(置換酸素原子ON)、かつ、アルミニウムの格子欠陥(空孔欠陥VAl)と結合して、複合欠陥VAl−ONを形成する。この複合欠陥VAl−ONが双極子を形成することにより誘電正接が大きくなると考えられる。
したがって、本実施形態のAlxGa1-xN単結晶は、特に制限はないが、酸素濃度を小さくして、複合欠陥VAl−ONの形成を抑制して誘電正接を小さくする観点から、酸素濃度は1×1018cm-3以下が好ましく、5×1017cm-3以下がより好ましく、3×1017cm-3以下がさらに好ましい。
また、本実施形態のAlxGa1-xN単結晶は、特に制限はないが、転位密度を小さくして、複合欠陥VAl−ONの形成を抑制して誘電正接を小さくする観点から、転位密度は1×106cm-2以下が好ましく、5×105cm-2以下がより好ましく、1×105cm-2以下がさらに好ましい。
また、本実施形態のAlxGa1-xN単結晶は、特に制限はないが、電磁波透過体として好ましい大きさおよび機械的強度を有する観点から、AlxGa1-xN単結晶の幅または直径が10mm以上かつ厚さが300μm以上であることが好ましい。同様の観点から、AlxGa1-xN単結晶の幅または直径は50mm以上がより好ましく100mm以上がさらに好ましい。また、AlxGa1-xN単結晶の厚さは、300μm以上が好ましく、1000μm以上がより好ましく、3000μm以上がさらに好ましい。ここで、AlxGa1-xN単結晶の幅とは、単結晶の主面が多角形状のとき、その主面において中央部を挟んで対向する任意に特定される2辺に内接する円の直径を意味する。またAlxGa1-xN単結晶の直径とは、単結晶の主面が円状または楕円状のとき、その主面において任意に特定される直径を意味する。
また、本実施形態のAlxGa1-xN単結晶は、特に制限はないが、表面の平坦性を高めてAlxGa1-xN単結晶とプラズマガスとの相互作用を小さくする観点から、表面粗さRMSは、100nm以下が好ましく、10nm以下がより好ましく、1nm以下がさらに好ましい。ここで、表面粗さRMSとは、JIS B0601に規定する表面の二乗平均粗さ、すなわち、平均面から測定面までの距離(偏差)の二乗を平均した値の平方根を意味する。
本実施形態のAlxGa1-xN単結晶の製造方法は、特に制限はないが、酸素濃度および転位密度が低く、25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であるAlxGa1-xN単結晶の製造が容易な観点から、気相成長法、特に、昇華法(図1を参照)、HVPE(ハイドライド気相成長)法などが好ましく挙げられる。
また、本実施形態のAlxGa1-xN単結晶の製造方法は、上記と同様の観点から、図1を参照して、下地基板1を準備する工程と、下地基板1上にAlxGa1-xN単結晶2を成長させる工程とを備えることが好ましい。ここで、下地基板1は、成長させるAlxGa1-xN単結晶と格子定数の不整合を小さくする観点から、AlzGa1-zN単結晶(0<z≦1)が好ましく、AlzGa1-zN単結晶においてz=xであることがより好ましい。また、転位密度が低く結晶性の高いAlxGa1-xN単結晶を成長させるのが容易な観点から、下地基板1たるAlzGa1-zN単結晶は、転位密度が1×106cm-2以下で、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が100arcsec以下であることが好ましい。
(電磁波透過体)
図2を参照して、本発明の他の実施形態である電磁波透過体4は、一主面2mを有するAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶2を含み、かかるAlxGa1-xN単結晶2は、25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下である。このため、本実施形態の電磁波透過体は、高周波の電磁波が透過しても誘電損失が極めて少ない。
図2を参照して、本発明の他の実施形態である電磁波透過体4は、一主面2mを有するAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶2を含み、かかるAlxGa1-xN単結晶2は、25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下である。このため、本実施形態の電磁波透過体は、高周波の電磁波が透過しても誘電損失が極めて少ない。
また、本実施形態の電磁波透過体4に含まれるAlxGa1-xN単結晶2は、25℃の雰囲気温度下で、1MHzの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であり、かつ、1GHzの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であることが好ましい。かかる電磁波透過体は、MHz単位からGHz単位の広範囲の高周波領域の電磁波が透過しても誘電損失が極めて少ない。
本実施形態の電磁波透過体4は、一主面2mを有するAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶2を含む。かかるAlxGa1-xN単結晶2は、AlN焼結体に比べて、熱伝導率が高く、熱膨張係数の局所的なばらつきが小さい。このため、電磁波透過体は、それに含まれるAlxGa1-xN単結晶の上記一主面2mにおいて、高周波のプラズマに曝されても、熱応力が生じ難く、高い耐熱衝撃性を有する。
本実施形態の電磁波透過体4は、一主面を有するAlxGa1-xN単結晶を含んで入れば足り、図2(a)に示すように電磁波透過体4の全部がAlxGa1-xN単結晶2で形成されていてもよく、図2(b)に示すように電磁波透過体4の一部がAlxGa1-xN単結晶2で形成されていてもよい。図2(b)のように本実施形態の電磁波透過体4が一主面2mを有するAlxGa1-xN単結晶2とAlxGa1-xN単結晶2以外の電磁波透過材3を含む場合、かかる電磁波透過材3は、電磁波の透過を特に妨げるものでない限り特に制限はなく、たとえば、石英ガラス、アルミナ、AlN焼結体などを用いることができる。かかる場合には、電磁波透過体4は、AlxGa1-xN単結晶2の主面2mがより厳しい環境(たとえば、腐食性ガスのプラズマ、高パワーのプラズマに曝されるなど)に置かれるように配置される。
また、本実施形態の電磁波透過体4は、それに含まれるAlxGa1-xN単結晶が、25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であるため、高周波の電磁波が透過しても誘電損失が極めて少ない。
本実施形態の電磁波透過体4に含まれるAlxGa1-xN単結晶2は、特に制限はないが、酸素濃度を小さくして、複合欠陥VAl−ONの形成を抑制して誘電正接を小さくする観点から、酸素濃度は1×1018cm-3以下が好ましく、5×1017cm-3以下がより好ましく、3×1017cm-3以下がさらに好ましい。
また、本実施形態の電磁波透過体4に含まれるAlxGa1-xN単結晶2は、特に制限はないが、転位密度を小さくして、複合欠陥VAl−ONの形成を抑制して誘電正接を小さくする観点から、転位密度は1×106cm-2以下が好ましく、5×105cm-2以下がより好ましく、1×105cm-2以下がさらに好ましい。
また、本実施形態の電磁波透過体4は、特に制限はないが、電磁波透過体として好ましい大きさおよび機械的強度を有する観点から、電磁波透過体の幅または直径が10mm以上かつ厚さが300μm以上であることが好ましい。同様の観点から、電磁波透過体の幅または直径は50mm以上がより好ましく100mm以上がさらに好ましい。また、電磁波透過体の厚さは、300μm以上が好ましく、1000μm以上がより好ましく、3000μm以上がさらに好ましい。ここで、電磁波透過体の幅とは、透過体の主面が多角形状のとき、その主面において中央部を挟んで対向する任意に特定される2つの頂点間の距離を意味する。また電磁波透過体の直径とは、透過体の主面が円状または楕円状のとき、その主面において任意に特定される直径を意味する。
また、本実施形態の電磁波透過体は、特に制限はないが、表面の平坦性を高めて電磁波透過体とプラズマガスとの相互作用を小さくする観点から、表面粗さRMSは、100nm以下が好ましく、10nm以下がより好ましく、1nm以下がさらに好ましい。
本実施形態の電磁波透過体の製造方法は、特に制限はないが、酸素濃度および転位密度が低く、25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であり一主面を有するAlxGa1-xN単結晶を含む電磁波透過体の製造が容易な観点から、気相成長法(特に好ましくは昇華法またはHVPE法)により成長させたAlxGa1-xN単結晶から所定の形状に加工する方法、または上記所定の形状に加工したAlxGa1-xN単結晶に他の電磁波透過材(たとえば、石英ガラス、アルミナ、AlN焼結体など)を貼り合わせる方法などが挙げられる。
ここで、気相成長法(特に好ましくは昇華法またはHVPE法)により成長させたAlxGa1-xN単結晶から所定の形状に加工する方法には、特に制限はないが、図1および図2(a)を参照して、下地基板1の主面上に成長させたAlxGa1-xN単結晶2を下地基板1の主面に平行な面でスライスして、スライス面を研削および/または研磨により平坦化して主面2m,2nを形成する方法などが挙げられる。また、所定の形状に加工したAlxGa1-xN単結晶に他の電磁波透過材を貼り合わせる方法には、特に制限はないが、図2(b)を参照して、平坦化された主面2m,2nを有するAlxGa1-xN単結晶2の一方の主面2nに他の電磁波透過材を貼り合わせる方法などが挙げられる。こうして、主面2mを有するAlxGa1-xN単結晶2を含む電磁波透過体4が得られる。
(実施例1)
1.AlN単結晶の製造
昇華法により、AlxGa1-xN単結晶2としてAlN単結晶を成長させた。本実施例のAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)の成長においては、図1に示すような高周波加熱方式の縦型の昇華炉10を用いた。この縦型の昇華炉10における反応容器11の中央部には、結晶成長容器として排気口12cを有するWC製の坩堝12が設けられ、坩堝12の周りに坩堝の内部から外部への通気を確保するように加熱体14が設けられている。また、反応容器11の外側中央部には、坩堝12を加熱する加熱体14を加熱するための高周波加熱コイル15が設けられている。さらに、反応容器11の端部には、反応容器11の坩堝12の外側にN2ガスを流すためのN2ガス導入口11aおよびN2ガス排気口11cと、坩堝12の下面および上面の温度を測定するための放射温度計16が設けられている。
1.AlN単結晶の製造
昇華法により、AlxGa1-xN単結晶2としてAlN単結晶を成長させた。本実施例のAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)の成長においては、図1に示すような高周波加熱方式の縦型の昇華炉10を用いた。この縦型の昇華炉10における反応容器11の中央部には、結晶成長容器として排気口12cを有するWC製の坩堝12が設けられ、坩堝12の周りに坩堝の内部から外部への通気を確保するように加熱体14が設けられている。また、反応容器11の外側中央部には、坩堝12を加熱する加熱体14を加熱するための高周波加熱コイル15が設けられている。さらに、反応容器11の端部には、反応容器11の坩堝12の外側にN2ガスを流すためのN2ガス導入口11aおよびN2ガス排気口11cと、坩堝12の下面および上面の温度を測定するための放射温度計16が設けられている。
図1を参照して、WC製の坩堝12の下部にAlyGa1-yN(0<y≦1)原料5としてAlN粉末を収納し、坩堝12の上部に下地基板1として直径12mmで厚さ1mmのAlN下地基板を配置した。このAlN下地基板1は、AlN単結晶で形成され、転位密度が1×106cm-2以下で、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が100arcsec以下であった。ここで、このAlN下地基板1は、そのAl表面がAlyGa1-yN原料5に対向するように、坩堝12と同一の材質の坩堝蓋13に保持され落下しないように配置した。
次に、反応容器11内にN2ガスを流しながら、N2ガスの分圧が10kPa〜100kPaになるようにN2ガス導入量とN2ガス排出量とを制御しながら、高周波加熱コイル15を用いて坩堝12内の温度を上昇させた。坩堝12内の昇温中は、坩堝12のAlN下地基板1側の温度をAlyGa1-yN原料5側の温度よりも高くして、昇温中にAlN下地基板1の表面をエッチングにより清浄するとともに、昇温中にAlN下地基板1および坩堝12内部から放出された不純物を、排気口12cを通じて除去した。
次に、坩堝12のAlN粉末(AlyGa1-yN原料5)側の温度が2050℃に達した後、N2ガスの分圧を80kPa、AlN粉末(AlxGa1-xN原料5)側の温度を2350℃、AlN下地基板1側の温度が1910℃になるように制御して、AlN粉末(AlyGa1-yN原料5)からAlNを昇華させて、坩堝12の上部に配置されたAlN下地基板1上で、AlNを再度固化させてAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を成長させた。AlN単結晶成長中も、反応容器11内の坩堝12の外側にN2ガスを流し続け、反応容器11内の坩堝12の外側のガス分圧が10kPa〜100kPaになるように、N2ガス導入量とN2ガス排気量とを制御した。上記の結晶成長条件で40時間、AlN下地基板1上にAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を成長させた後、室温(25℃)まで冷却して、AlN単結晶を得た。得られたAlN単結晶は、直径約12mmで厚さ約4.2mmであり、結晶成長速度は105μm/hrと見積もられた。
2.AlN単結晶の評価
図1および図2(a)を参照して、得られたAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を、AlN単結晶の結晶成長面に平行な面でスライスして、数枚の板状のAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を得た。次いで、上記板状AlN単結晶に隣接する板状AlN単結晶の両側の主面2m,2nを研削および研磨により平坦化した。板状AlN単結晶のAl表面側の主面2mの表面粗さRMSは、AFM(原子間力顕微鏡)を用いて50μm□(50μm×50μmの正方形領域)の視野内で測定したところ、28nmと小さかった。
図1および図2(a)を参照して、得られたAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を、AlN単結晶の結晶成長面に平行な面でスライスして、数枚の板状のAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を得た。次いで、上記板状AlN単結晶に隣接する板状AlN単結晶の両側の主面2m,2nを研削および研磨により平坦化した。板状AlN単結晶のAl表面側の主面2mの表面粗さRMSは、AFM(原子間力顕微鏡)を用いて50μm□(50μm×50μmの正方形領域)の視野内で測定したところ、28nmと小さかった。
AlN単結晶の最上部の板状AlN単結晶は、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が35arcsecと小さく、高品質の結晶であった。さらに、この板状AlN単結晶の転位密度は、EPD(エッチピット密度)法により算出したところ、3×104cm-2と低かった。ここで、EPD法による転位密度の算出は、250℃で溶融させたKOH:NaOHの質量比が1:1の融液中に、板状AlN単結晶を30分間浸漬させてエッチングし、板状AlN単結晶を洗浄した後、顕微鏡を用いて板状AlN単結晶の主面に発生したエッチピットの単位面積あたりの個数を算出することにより行なった。
また、図3を参照して、LCRメータ20を用いて、25℃の雰囲気温度下で1MHzの交流による高周波信号を印加して、AlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)の誘電率と誘電正接を測定した。具体的には、この板状AlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)の両側の主面2m,2nに、電極8として、蒸着法により、Ti/Al/Ti/Au電極(厚さは、20nm/100nm/20nm/50nm)を形成し、赤外線ランプ加熱炉内に入れてN2ガス雰囲気下600℃で1分間アニールさせて電極8を合金化させた。次いで、LCRメータ20を用いて、25℃の雰囲気温度下で板状AlN単結晶の両側の主面2m,2n上に形成された電極8間に1MHzの交流による高周波信号を印加して、板状AlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)の誘電率と誘電正接を測定した。こうして得られた25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号が印加された板状AlN単結晶の誘電率εおよび誘電正接tanδは、それぞれε=8.9およびtanδ=5.3×10-5であった。
また、AlN単結晶中の酸素濃度は、別の板状AlN単結晶の中心から切り出した5mm□の試料を用いてSIMS(2次イオン質量分析)をしたところ、5.2×1017cm-3と小さかった。
(実施例2)
N2ガスの分圧を50kPa、AlN粉末(AlyGa1-yN原料5)側の温度を2300℃としたこと以外は、実施例1と同様にしてAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を成長させた。得られたAlN単結晶は、厚さが5.2mm、成長速度が130μm/hr、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が42arcsec、転位密度が4.0×104cm-2、表面粗さRMSが43nm、25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号を印加したときの誘電率εが8.7で誘電正接tanδが7.2×10-5であり、酸素濃度が4.7×1017cm-3であった。結果を表1にまとめた。
N2ガスの分圧を50kPa、AlN粉末(AlyGa1-yN原料5)側の温度を2300℃としたこと以外は、実施例1と同様にしてAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を成長させた。得られたAlN単結晶は、厚さが5.2mm、成長速度が130μm/hr、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が42arcsec、転位密度が4.0×104cm-2、表面粗さRMSが43nm、25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号を印加したときの誘電率εが8.7で誘電正接tanδが7.2×10-5であり、酸素濃度が4.7×1017cm-3であった。結果を表1にまとめた。
(実施例3)
N2ガスの分圧を10kPa、AlN粉末(AlyGa1-yN原料5)側の温度を2250℃としたこと以外は、実施例1と同様にしてAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を成長させた。得られたAlN単結晶は、厚さが5.8mm、成長速度が145μm/hr、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が72arcsec、転位密度が9.0×104cm-2、表面粗さRMSが28nm、25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号を印加したときの誘電率εが8.7で誘電正接tanδが2.8×10-4であり、酸素濃度が5.1×1017cm-3であった。結果を表1にまとめた。
N2ガスの分圧を10kPa、AlN粉末(AlyGa1-yN原料5)側の温度を2250℃としたこと以外は、実施例1と同様にしてAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を成長させた。得られたAlN単結晶は、厚さが5.8mm、成長速度が145μm/hr、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が72arcsec、転位密度が9.0×104cm-2、表面粗さRMSが28nm、25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号を印加したときの誘電率εが8.7で誘電正接tanδが2.8×10-4であり、酸素濃度が5.1×1017cm-3であった。結果を表1にまとめた。
(実施例4)
下地基板1として直径50.8mm(2インチ)のSiC下地基板を用いて、N2ガスの分圧を50kPa、SiC下地基板1側の温度を1730℃、AlN粉末(AlyGa1-yN原料5)側の温度を2050℃としたこと以外は、実施例1と同様にしてAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を成長させた。得られたAlN単結晶は、厚さが4.3mm、成長速度が107.5μm/hr、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が115arcsec、転位密度が5.6×105cm-2、表面粗さRMSが40nm、25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号を印加したときの誘電率εが8.6で誘電正接tanδが1.6×10-3であり、酸素濃度が1.4×1018cm-3であった。
下地基板1として直径50.8mm(2インチ)のSiC下地基板を用いて、N2ガスの分圧を50kPa、SiC下地基板1側の温度を1730℃、AlN粉末(AlyGa1-yN原料5)側の温度を2050℃としたこと以外は、実施例1と同様にしてAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を成長させた。得られたAlN単結晶は、厚さが4.3mm、成長速度が107.5μm/hr、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が115arcsec、転位密度が5.6×105cm-2、表面粗さRMSが40nm、25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号を印加したときの誘電率εが8.6で誘電正接tanδが1.6×10-3であり、酸素濃度が1.4×1018cm-3であった。
また、図4を参照して、空洞共振器法により、25℃の雰囲気温度下で1GHzの高周波信号を印加して、AlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)の誘電率と誘電正接を測定した。ここで、空洞共振器法においては、図4に示す測定システムが使用される。すなわち、円筒型の空洞共振器31は、銅、アルミニウムなどの良導体で形成されており、内部が中空となっている。この中空空間が、電磁界の共振場として利用される。この空洞共振器31は、共振器を励振するための電磁波による高周波信号を入力するための信号入力用の開口部32と、共振状態を測定するための信号検出用の開口部33とを備える。高周波信号発生器35により発生させた電磁波による高周波信号は、たとえば信号線36を介して開口部32から空洞共振器31に入力される。これにより、空洞共振器31内に所定のモードの電磁界の共振状態を生じさせる。この共振状態を示す信号を、開口部33から信号線37を介して取り出し、スペクトルアナライザなどの共振状態分析器38に送る。共振状態分析器38は、検出した信号から共振状態を測定し、この測定結果から測定対象物であるAlN単結晶の誘電物性値を求めることができる。
すなわち、上記の測定システムにおいて、空洞共振器31内に、別の板状AlN単結晶から切り出した1mm×1mm×30mmのAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)の結晶片を入れた時と出した時の共振状態の変化を検出し、かかる共振状態の変化を演算処理することにより、AlN単結晶の誘電率εおよび誘電正接tanδを算出した。こうして得られた25℃の雰囲気温度下で1GHzの高周波信号が印加されたAlN単結晶の誘電率εおよび誘電正接tanδは、それぞれε=8.5およびtanδ=1.9×10-3であった。結果を表1にまとめた。
(実施例5)
下地基板1として直径50.8mm(2インチ)のAlN下地基板を用いて、N2ガスの分圧を50kPa、AlN下地基板1側の温度を1930℃、AlN粉末(AlyGa1-yN原料5)側の温度を2310℃としたこと以外は、実施例1と同様にしてAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を成長させた。得られたAlN単結晶は、厚さが3.2mm、成長速度が80μm/hr、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が86arcsec、転位密度が1.3×105cm-2、表面粗さRMSが35nm、25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号を印加したときの誘電率εが8.8で誘電正接tanδが6.2×10-4であり、25℃の雰囲気温度下で1GHzの高周波信号を印加したときの誘電率εが8.7で誘電正接tanδが6.5×10-4であり、酸素濃度が5.8×1017cm-3であった。結果を表1にまとめた。
下地基板1として直径50.8mm(2インチ)のAlN下地基板を用いて、N2ガスの分圧を50kPa、AlN下地基板1側の温度を1930℃、AlN粉末(AlyGa1-yN原料5)側の温度を2310℃としたこと以外は、実施例1と同様にしてAlN単結晶(AlxGa1-xN単結晶2)を成長させた。得られたAlN単結晶は、厚さが3.2mm、成長速度が80μm/hr、(0002)面に関するX線回折ピークの半値幅が86arcsec、転位密度が1.3×105cm-2、表面粗さRMSが35nm、25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号を印加したときの誘電率εが8.8で誘電正接tanδが6.2×10-4であり、25℃の雰囲気温度下で1GHzの高周波信号を印加したときの誘電率εが8.7で誘電正接tanδが6.5×10-4であり、酸素濃度が5.8×1017cm-3であった。結果を表1にまとめた。
表1から明らかなように、酸素濃度および転位密度を低減(好ましくは、酸素濃度を1×1018cm-3以下、転位密度を1×106cm-2以下)することにより25℃の雰囲気温度下で1MHzの高周波信号を印加されたときの誘電正接が5×10-3以下および/または25℃の雰囲気温度下で1GHzの高周波信号を印加されたときの誘電正接が5×10-3以下である誘電損失が極めて小さいAlxGa1-xN単結晶が得られる。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 下地基板、2 AlxGa1-xN単結晶、2m,2n 主面、3 他の電磁波透過材、4 電磁波透過体、5 AlyGa1-yN原料、8 電極、10 昇華炉、11 反応容器、11a N2ガス導入口、11c N2ガス排気口、12 坩堝、12c 排気口、13 坩堝蓋、14 加熱体、15 高周波加熱コイル、16 放射温度計、20 LCRメータ、31 空洞共振器、32,33 開口部、35 高周波信号発生器、36,37 信号線、38 共振状態分析器。
Claims (12)
- 25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下であるAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶。
- 1MHzの高周波信号が印加されたときの前記誘電正接が5×10-3以下であり、かつ、1GHzの高周波信号が印加されたときの前記誘電正接が5×10-3以下である請求項1に記載のAlxGa1-xN単結晶。
- 酸素濃度が1×1018cm-3以下である請求項1または請求項2に記載のAlxGa1-xN単結晶。
- 転位密度が1×106cm-2以下である請求項1または請求項2に記載のAlxGa1-xN単結晶。
- 幅または直径が10mm以上かつ厚さが300μm以上である請求項1から請求項4までのいずれかに記載のAlxGa1-xN単結晶。
- 表面粗さRMSが100nm以下である請求項1から請求項5までのいずれかに記載のAlxGa1-xN単結晶。
- 一主面を有するAlxGa1-xN(0<x≦1)単結晶を含み、
前記AlxGa1-xN単結晶は、25℃の雰囲気温度下で1MHzおよび1GHzの少なくともいずれかの高周波信号が印加されたときの誘電正接が5×10-3以下である電磁波透過体。 - 前記AlxGa1-xN単結晶は、1MHzの高周波信号が印加されたときの前記誘電正接が5×10-3以下であり、かつ、1GHzの高周波信号が印加されたときの前記誘電正接が5×10-3以下である請求項7に記載の電磁波透過体。
- 前記AlxGa1-xN単結晶は酸素濃度が1×1018cm-3以下である請求項7または請求項8に記載の電磁波透過体。
- 前記AlxGa1-xN単結晶は転位密度が1×106cm-2以下である請求項7または請求項8に記載の電磁波透過体。
- 幅または直径が10mm以上かつ厚さが300μm以上である請求項7から請求項10までのいずれかに記載の電磁波透過体。
- 表面粗さRMSが100nm以下である請求項7から請求項11までのいずれかに記載の電磁波透過体。
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