JP7373763B2 - ScAlMgO4単結晶基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本開示の一実施の形態に係るScAlMgO4単結晶基板の製造方法に使用する、高周波加熱方式炉の構成を示す模式図である。以下、主に高周波加熱方式によりScAlMgO4単結晶基板を製造する場合について説明する。ただし、高周波加熱方式の代わりに、抵抗加熱方式を用いてもよい。本実施の形態の方法によれば、結晶中の酸素濃度が低い(具体的には誘導結合プラズマ発光分光分析法を用いた分析により得られる結晶中の酸素濃度が57atm%以下である)ScAlMgO4単結晶基板を得ることができる。このようなScAlMgO4単結晶基板は、へき開性が高い。したがって、ScAlMgO4単結晶基板上にGaN膜を成長させる際、GaN膜の割れを防止することが可能になる。
σ[N/mm2]≦(Ef×tf 2)×103/(6×(1-vf)×R×ts)
(上記式において、Ef[GPa]は、当該結晶ScAlMgO4単結晶基板上に結晶成長させる膜(ここではGaN膜)のヤング率を表し、vfは結晶成長させる膜(ここではGaN膜)のポアソン比を表し、tf[m]は結晶成長させる膜(ここではGaN膜)の厚さを表す)
図1に示す高周波加熱方式炉100を用いて結晶育成を行い、その後、ScAlMgO4単結晶基板上にGaN膜を成長させた結果を表1に示す。比較例1、および実施例1~2では、炉内の雰囲気(結晶育成工程)の酸素濃度、および融液の液面直下の温度勾配をそれぞれ表1に示すように変化させた。また、表1には、得られたScAlMgO4単結晶基板中の酸素濃度と、引き上げた結晶のへき開強度と、ScAlMgO4単結晶基板上にGaN膜を成長させたときのScAlMgO4単結晶基板の剥離の有無、およびGaN膜の割れの発生の有無も示す。
不活性ガス(窒素)の流量1[l/min]に対し、混合する酸素の流量を1[ml/min]とした。比較例1では、不活性ガス(窒素)の流量1[l/min]に対し、混合する酸素の流量を5[ml/min]とした。なお、表1には示していないが、酸素量を0とした場合、結晶表面が白く着色し、クラックが発生した。これは結晶内の酸素濃度が少なくなり過ぎたためである。
各数値の測定および評価は、以下の方法で行った。
結晶中の酸素濃度は、誘導結合プラズマ発光分光分析法を用いて測定した。具体的には、誘導結合プラズマ発光分光分析装置として、iCAP 7400 Duo(サーモフィッシャーサイエンティフィック社製)を用いて、ScAlMgO4単結晶の主成分であるSc、Al、Mgの分析を行い、OはSc、Al、Mgの分析値を差し引いた残分を全てOとして算出した。
融液の液面直下の温度勾配は、タングステン(W)-レニウム(Re)熱電対(W・5%Re-W・26%Re)をイリジウム製の保護管に挿入し、図1の断熱材130の結晶引き上げ軸150用の貫通孔から、結晶引き上げ軸150の代わりに、イリジウム製の保護管を下降させ、ルツボ120内の溶融したScAlMgO4原料110に着液させて測定した。
へき開強度は、 小型卓上試験機EX-S500N(島津製作所製)を用いて、ScAlMgO4単結晶基板にアルミ製のリベットを接着し、接着したアルミ製のリベットを引っ張り、ScAlMgO4単結晶基板がへき開して剥離したときの力を測定した。
基板の剥離および成長膜の割れは、目視で確認した。
ScAlMgO4単結晶基板の主面上にGaNを結晶成長させる場合に、ScAlMgO4単結晶基板にかかる応力について説明する。ScAlMgO4単結晶基板上に成長させる膜からScAlMgO4単結晶基板にかかる応力σ[N/mm2]は、Stoneyの式(式1)で表される。ここで、Ef[GPa]は成長膜のヤング率、vfは成長膜のポアソン比、tf[m]は成長膜の厚さ、ts[m]はScAlMgO4単結晶基板の厚さ、R[m]は成長膜の曲率半径である。
σ=(Ef×tf 2)×103/(6×(1-vf)×R×ts)・・・(式1)
110 ScAlMgO4原料
120 ルツボ
121 ルツボ支持軸
122 耐火材
130 断熱材
140 加熱コイル
150 結晶引き上げ軸
151 シードホルダ
152 種結晶
300 抵抗加熱方式炉
330 断熱材
340 ヒータ
Claims (4)
- 誘導結合プラズマ発光分光分析法を用いた分析により得られる結晶中の酸素濃度が、56atom%以上57atom%以下である、
ScAlMgO4単結晶基板。 - 結晶成長用の基板であり、
下記式におけるσが5.0N/mm2以上を満たす曲率半径R[m]および厚さts[m]を有し、
前記σが5.0N/mm2以上を満たすときに前記基板がへき開する、
請求項1記載のScAlMgO4単結晶基板。
σ=(Ef×tf 2)×103/(6×(1-vf)×R×ts)
(上記式において、Ef[GPa]は結晶成長させる膜のヤング率を表し、vfは結晶成長させる膜のポアソン比を表し、tf[m]は結晶成長させる膜の厚さを表す) - 前記結晶成長させる膜は、GaNである、
請求項2記載のScAlMgO4単結晶基板。 - 請求項1または2記載のScAlMgO4単結晶基板の製造方法であって、
ScAlMgO4で表される単結晶基板の原料の融液に種結晶を接触させて結晶を生じさせる種付け工程と、
前記種付け工程によって生じた前記結晶を引き上げることで単結晶体を育成する結晶育成工程と、
を有し、
前記結晶育成工程では、酸素濃度が0.1体積%以下の雰囲気下で前記結晶を前記融液から引き上げ、
前記融液の液面直下の温度勾配を4.4℃/mm以上とする、
ScAlMgO4単結晶基板の製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009161433A (ja) | 2009-02-03 | 2009-07-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN単結晶基板、GaN単結晶基板の製造方法、GaN単結晶基板の上に作製した発光素子及びその製造方法 |
JP2015178448A (ja) | 2014-02-28 | 2015-10-08 | 国立大学法人東北大学 | 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法 |
JP2017119597A (ja) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 株式会社福田結晶技術研究所 | ScAlMgO4単結晶の製造方法 |
JP2017178764A (ja) | 2016-03-25 | 2017-10-05 | パナソニック株式会社 | 酸化物単結晶製造方法及び酸化物単結晶製造装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009161433A (ja) | 2009-02-03 | 2009-07-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN単結晶基板、GaN単結晶基板の製造方法、GaN単結晶基板の上に作製した発光素子及びその製造方法 |
JP2015178448A (ja) | 2014-02-28 | 2015-10-08 | 国立大学法人東北大学 | 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法 |
JP2017119597A (ja) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 株式会社福田結晶技術研究所 | ScAlMgO4単結晶の製造方法 |
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