RU2011154093A - Полупроводниковое устройство - Google Patents

Полупроводниковое устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2011154093A
RU2011154093A RU2011154093/28A RU2011154093A RU2011154093A RU 2011154093 A RU2011154093 A RU 2011154093A RU 2011154093/28 A RU2011154093/28 A RU 2011154093/28A RU 2011154093 A RU2011154093 A RU 2011154093A RU 2011154093 A RU2011154093 A RU 2011154093A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diode
electrode
thin
film
region
Prior art date
Application number
RU2011154093/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2488191C1 (ru
Inventor
Хироюки МОРИВАКИ
Original Assignee
Шарп Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шарп Кабусики Кайся filed Critical Шарп Кабусики Кайся
Application granted granted Critical
Publication of RU2011154093A publication Critical patent/RU2011154093A/ru
Publication of RU2488191C1 publication Critical patent/RU2488191C1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/016—Thin-film circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

1. Полупроводниковое устройство, содержащее схему, которая была сформирована на подложке и которая включает в себя тонкопленочный диод и схему защиты с защитным диодом,причем тонкопленочный диод содержит:по меньшей мере, один полупроводниковый слой, который располагается на подложке и который имеет первую область, вторую область и канальную область, находящуюся между первой и второй областями;электрод затвора, который располагается таким образом, чтобы перекрываться с канальной областью;изолирующий слой затвора, который располагается между электродом затвора и полупроводниковым слоем;первый электрод, который располагается на первой области и который электрически соединен с первой областью и электродом затвора; ивторой электрод, который располагается на второй области и электрически соединен с ней, ипри этом (a) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является N-типом, и анодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, илипри этом (b) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является P-типом, и катодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, ипри этом защитный диод и тонкопленочный диод не соединяются параллельно, ипри этом схема защиты не включает в себя другие диоды, соединенные с линией так, чтобы получать направление течения тока, противоположное защитному диоду.2. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором защитный диод содержит:по меньшей мере, один полупроводниковый слой, который �

Claims (12)

1. Полупроводниковое устройство, содержащее схему, которая была сформирована на подложке и которая включает в себя тонкопленочный диод и схему защиты с защитным диодом,
причем тонкопленочный диод содержит:
по меньшей мере, один полупроводниковый слой, который располагается на подложке и который имеет первую область, вторую область и канальную область, находящуюся между первой и второй областями;
электрод затвора, который располагается таким образом, чтобы перекрываться с канальной областью;
изолирующий слой затвора, который располагается между электродом затвора и полупроводниковым слоем;
первый электрод, который располагается на первой области и который электрически соединен с первой областью и электродом затвора; и
второй электрод, который располагается на второй области и электрически соединен с ней, и
при этом (a) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является N-типом, и анодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, или
при этом (b) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является P-типом, и катодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, и
при этом защитный диод и тонкопленочный диод не соединяются параллельно, и
при этом схема защиты не включает в себя другие диоды, соединенные с линией так, чтобы получать направление течения тока, противоположное защитному диоду.
2. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором защитный диод содержит:
по меньшей мере, один полупроводниковый слой, который располагается на подложке и который имеет первую область, вторую область и канальную область, находящуюся между первой и второй областями;
электрод затвора, который располагается таким образом, чтобы перекрываться с канальной областью;
изолирующий слой затвора, который располагается между электродом затвора и полупроводниковым слоем;
первый электрод, который располагается на первой области и который электрически соединен с первой областью и электродом затвора; и
второй электрод, который располагается на второй области и электрически соединен с ней.
3. Полупроводниковое устройство по п.2, в котором соответственные полупроводниковые слои тонкопленочного диода и защитного диода выполнены из одной и той же полупроводниковой пленки.
4. Полупроводниковое устройство по одному из пп.1-3, дополнительно содержащее множественные тонкопленочные транзисторы,
при этом тонкопленочные транзисторы имеют тот же тип удельной проводимости, что и тонкопленочный диод, и
при этом соответственные полупроводниковые слои тонкопленочных транзисторов и тонкопленочного диода выполнены из одной и той же полупроводниковой пленки.
5. Полупроводниковое устройство по п.4, в котором не предусматриваются схемы защиты для линии, которая соединена с электродом затвора каждого из упомянутых тонкопленочных транзисторов.
6. Полупроводниковое устройство по одному из пп.1-3 и 5, в котором схема включает в себя либо входную секцию для ввода сигнала от внешнего устройства в схему, либо выходную секцию для вывода сигнала из схемы на внешнее устройство, и
при этом линия, которая соединяет друг с другом тонкопленочный диод и защитный диод, имеет меньшую длину, чем линия, которая соединяет друг с другом входную или выходную секцию и защитный диод.
7. Полупроводниковое устройство по п.6, в котором линия, которая соединяет друг с другом тонкопленочный диод и защитный диод, имеет длину 1 мм или меньше.
8. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором (a) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является N-типом, и анодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, и
при этом, когда потенциал анодного электрода защитного диода является высоким, потенциал катодного электрода защитного диода тоже является высоким.
9. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором (a) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является N-типом, и анодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, и
при этом катодный электрод защитного диода соединяется с линией, ведущей к источнику питания VDD.
10. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором (b) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является P-типом, и катодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, и
при этом, когда потенциал катодного электрода защитного диода является низким, потенциал анодного электрода защитного диода тоже является низким.
11. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором (b) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является P-типом, и катодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, и
при этом анодный электрод защитного диода соединяется с линией, ведущей к источнику питания VSS.
12. Полупроводниковое устройство по одному из пп.1-3, 5 и 7-11, в котором схема содержит сдвиговый регистр.
RU2011154093/28A 2009-06-09 2010-06-01 Полупроводниковое устройство RU2488191C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009138470 2009-06-09
JP2009-138470 2009-06-09
PCT/JP2010/059246 WO2010143557A1 (ja) 2009-06-09 2010-06-01 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011154093A true RU2011154093A (ru) 2013-07-20
RU2488191C1 RU2488191C1 (ru) 2013-07-20

Family

ID=43308812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011154093/28A RU2488191C1 (ru) 2009-06-09 2010-06-01 Полупроводниковое устройство

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8598667B2 (ru)
EP (1) EP2442366B1 (ru)
JP (1) JP5269991B2 (ru)
CN (1) CN102460711B (ru)
BR (1) BRPI1011202A2 (ru)
RU (1) RU2488191C1 (ru)
WO (1) WO2010143557A1 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9817032B2 (en) * 2012-05-23 2017-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Measurement device
US20150022211A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Detection circuit for display panel
CN103944154A (zh) 2013-12-11 2014-07-23 厦门天马微电子有限公司 一种静电保护电路及液晶显示器
CN105701440B (zh) * 2014-12-11 2019-01-15 义隆电子股份有限公司 具静电防护的指纹感测器
US9984275B2 (en) * 2016-03-30 2018-05-29 Elan Microelectronics Corporation Fingerprint sensor having electrostatic discharge protection
CN106950775A (zh) * 2017-05-16 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和显示装置
US10578800B2 (en) * 2017-06-06 2020-03-03 Sifotonics Technologies Co., Ltd. Silicon photonic integrated circuit with electrostatic discharge protection mechanism for static electric shocks

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5916378A (ja) * 1982-07-19 1984-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPS6179258A (ja) * 1984-09-26 1986-04-22 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜２端子素子
JPS62102566A (ja) * 1985-10-29 1987-05-13 Sharp Corp 化合物半導体装置
JP2780289B2 (ja) * 1988-11-17 1998-07-30 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
JPH03206666A (ja) 1990-01-08 1991-09-10 Ricoh Co Ltd 一導電型ｍｏｓ型半導体装置の保護回路
JP3348734B2 (ja) 1992-07-30 2002-11-20 ソニー株式会社 保護回路
JPH06204477A (ja) * 1993-01-07 1994-07-22 Seiko Epson Corp 半導体装置
JP2616721B2 (ja) 1994-11-22 1997-06-04 日本電気株式会社 半導体集積回路装置
US5610790A (en) * 1995-01-20 1997-03-11 Xilinx, Inc. Method and structure for providing ESD protection for silicon on insulator integrated circuits
KR0145615B1 (ko) 1995-03-13 1998-12-01 김광호 박막 트랜지스터 액정 표시장치의 구동장치
KR100206567B1 (ko) 1995-09-07 1999-07-01 윤종용 박막 트랜지스터 액정표시장치의 화면 지움 회로와 그 구동방법
KR100188109B1 (ko) 1995-12-13 1999-06-01 김광호 오프전압의 레벨이 조절되는 오프전압 발생회로
JP3111944B2 (ja) 1997-10-20 2000-11-27 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
JPH11174970A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Hitachi Ltd 薄膜デバイス
JP4057716B2 (ja) 1998-09-25 2008-03-05 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 保護回路を具えた絶縁ゲート型トランジスタ回路装置
JP3729082B2 (ja) * 2001-04-25 2005-12-21 日本電信電話株式会社 半導体保護回路
JP4440244B2 (ja) 2002-12-25 2010-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR101114892B1 (ko) 2002-12-25 2012-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 보정 회로를 구비한 디지털 회로 및 그것을 갖는 전자기기
US6909149B2 (en) * 2003-04-16 2005-06-21 Sarnoff Corporation Low voltage silicon controlled rectifier (SCR) for electrostatic discharge (ESD) protection of silicon-on-insulator technologies
RU2003111439A (ru) * 2003-04-22 2004-11-20 Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз" (RU) Схема защиты кмоп-схем от электростатических разрядов
JP4574158B2 (ja) * 2003-10-28 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置及びその作製方法
JP4207858B2 (ja) * 2004-07-05 2009-01-14 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、表示装置及び電子機器
US7405861B2 (en) * 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge
KR20060082517A (ko) * 2005-01-12 2006-07-19 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판 및 그 검사방법
TWI260094B (en) * 2005-06-13 2006-08-11 Au Optronics Corp Active device matrix substrate
JP4039446B2 (ja) * 2005-08-02 2008-01-30 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2007042775A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 保護ダイオード、保護ダイオードの製造方法、及び電気光学装置
RU2308146C2 (ru) * 2005-12-13 2007-10-10 Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз" Устройство защиты выводов интегральных схем со структурой мдп от электростатических разрядов
KR101404542B1 (ko) * 2006-05-25 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP5108389B2 (ja) 2006-06-05 2012-12-26 三星電子株式会社 レベルシフト回路およびこれを搭載した表示装置
KR101196711B1 (ko) 2006-06-05 2012-11-07 삼성디스플레이 주식회사 레벨 쉬프트 회로 및 이를 탑재한 표시장치
JP4305486B2 (ja) * 2006-09-28 2009-07-29 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示パネル

Also Published As

Publication number Publication date
JP5269991B2 (ja) 2013-08-21
EP2442366A4 (en) 2013-06-05
CN102460711A (zh) 2012-05-16
US20120086081A1 (en) 2012-04-12
JPWO2010143557A1 (ja) 2012-11-22
BRPI1011202A2 (pt) 2016-03-15
CN102460711B (zh) 2014-10-08
US8598667B2 (en) 2013-12-03
WO2010143557A1 (ja) 2010-12-16
EP2442366A1 (en) 2012-04-18
EP2442366B1 (en) 2018-10-17
RU2488191C1 (ru) 2013-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012101613A (ru) Полупроводниковое устройство
RU2011154093A (ru) Полупроводниковое устройство
KR100392027B1 (ko) 반도체 집적 회로
JP2009047688A5 (ru)
CN101577277B (zh) 半导体装置
JP2010041042A5 (ru)
US10453840B2 (en) Semiconductor integrated circuit
TW200742096A (en) Semiconductor device
US9035363B2 (en) JFET ESD protection circuit for low voltage applications
CN201409119Y (zh) 一种cmos开关芯片电路
US20130075798A1 (en) Semiconductor device
TW200733386A (en) Semiconductor device
JP2006140371A (ja) 静電破壊保護機能を備えた半導体装置、及び静電破壊保護回路
TW201639302A (zh) 電源切換電路以及半導體裝置
JP2010080472A (ja) 半導体装置
US9245988B2 (en) Electrostatic discharge protection device and electronic apparatus thereof
US9337077B2 (en) Semiconductor device
KR20150109359A (ko) 반도체 장치
US8547163B2 (en) Temperature sensor device
KR20100081836A (ko) 적층된 반도체 산화물 트랜지스터를 구비한 논리소자
CN102082181A (zh) 一种有机发光器件像素电路的薄膜晶体管结构
TW578293B (en) Electrostatic discharge protection device
CN201252102Y (zh) Soi/cmos集成电路输出缓冲器的esd保护结构
US8866200B2 (en) JFET ESD protection circuit for low voltage applications
CN208226981U (zh) 一种nmos管保护电路及其芯片

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170602