JP2010080472A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体装置は、電源系統が分離された複数の回路ブロックと、複数の回路ブロックの接地電位線にそれぞれ接続されたアノードを有する第1群のダイオードと、複数の回路ブロックの接地電位線にそれぞれ接続されたカソードを有する第2群のダイオードと、第1群のダイオードのカソード及び第2群のダイオードのアノードに接続されたフローティング状態の共通放電線とを具備する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す回路図である。この半導体装置は、電源系統が分離された複数の回路ブロックを含んでいる。例えば、半導体装置がアナログ回路ブロックとディジタル回路ブロックとを含む場合には、ディジタル回路ブロックによって誘起される電源ノイズがアナログ回路ブロックに影響を与えないように、電源系統が分離される。以下においては、半導体装置が、電源系統が分離された3つの回路ブロックA〜Cを有する場合について説明する。
Claims (4)
- 電源系統が分離された複数の回路ブロックと、
前記複数の回路ブロックの接地電位線にそれぞれ接続されたアノードを有する第1群のダイオードと、
前記複数の回路ブロックの接地電位線にそれぞれ接続されたカソードを有する第2群のダイオードと、
前記第1群のダイオードのカソード及び前記第2群のダイオードのアノードに接続されたフローティング状態の共通放電線と、
を具備する半導体装置。 - 前記複数の回路ブロックの各々が、電源電位線と接地電位線との間に接続されたサイリスタ及び逆方向ダイオードによって構成される静電保護素子を含む、請求項1記載の半導体装置。
- 前記共通放電線が、配線層に形成されたメタル配線によって構成される、請求項1又は2記載の半導体装置。
- 前記共通放電線が、入出力バッファ領域に形成されている、請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体装置。
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