JP2008193019A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電源マージ手段を兼ねるMOS型ESD保護素子の放電能力を向上させる。
【解決手段】互いに並列接続された複数のトランジスタ素子をP型基板8上に形成し、これらを取り囲むようにウェルコンタクト1をP型拡散層により構成する。各トランジスタ素子は、N型拡散層により構成されたドレイン4及びソース5と、ドレイン4とソース5との間のチャネル領域上に形成されたゲート3と、ドレイン4に隣接する位置にP型拡散層により構成されたウェルコンタクト1とを有する。各トランジスタ素子のドレイン4は第1の配線6に、ソース5とウェルコンタクト1とは第2の配線7に、ゲート3は制御線にそれぞれ接続される。各トランジスタ素子のドレイン4とウェルコンタクト1との間に形成された寄生ダイオード素子がESD保護素子として利用されるとともに、各トランジスタ素子のゲート3に共通に供給される制御信号に応じて配線間接続が制御される。
【選択図】図5
【解決手段】互いに並列接続された複数のトランジスタ素子をP型基板8上に形成し、これらを取り囲むようにウェルコンタクト1をP型拡散層により構成する。各トランジスタ素子は、N型拡散層により構成されたドレイン4及びソース5と、ドレイン4とソース5との間のチャネル領域上に形成されたゲート3と、ドレイン4に隣接する位置にP型拡散層により構成されたウェルコンタクト1とを有する。各トランジスタ素子のドレイン4は第1の配線6に、ソース5とウェルコンタクト1とは第2の配線7に、ゲート3は制御線にそれぞれ接続される。各トランジスタ素子のドレイン4とウェルコンタクト1との間に形成された寄生ダイオード素子がESD保護素子として利用されるとともに、各トランジスタ素子のゲート3に共通に供給される制御信号に応じて配線間接続が制御される。
【選択図】図5
Description
本発明は、スイッチ機能付きESD(electrostatic discharge:静電気放電)保護素子を備えた半導体集積回路装置に関するものである。
近年、システムLSIの高機能化に伴い、1チップ内に複数のデジタル回路ブロックや複数のアナログ回路ブロックが混載されている。ここで問題になるのは、デジタル回路ブロックからアナログ回路ブロックへのノイズ伝播である。そこで、通例は、デジタル回路ブロックの電源とアナログ回路ブロックの電源とを分離する。
ところが、システムLSIがESDに起因するダメージを受けることがある。そこで、デジタル回路ブロックの電源とアナログ回路ブロックの電源との間に、例えばPN接合ダイオードを互いに逆方向に配置してなる1組のESD保護素子を挿入する。PN接合ダイオードの各々に代えて、ダイオード接続されたMOSトランジスタをそれぞれ用いることもある。これらのESD保護素子の挿入により、電源ノイズの伝播を緩和することができるとともにサージ耐性も確保することが可能である(特許文献1及び2参照)。
一方、MOSトランジスタを用いたESD保護素子のゲートをWLBI(wafer lebel burn-in)時に制御することにより複数の電源を一時的にマージして、検査プローブ数を減らす技術も知られている(特許文献3参照)。
特開昭63−36557号公報
特開平3−234063号公報
特開2005−109238号公報
上記のとおり、MOS型のESD保護素子は電源マージ手段を兼ねることができる。実用的には、大きな電流が流れることを考慮して、複数のトランジスタ素子を並列接続してなるMOSトランジスタがESD保護素子として使用される。
ここで、例えばP型基板上に各々N型拡散層により構成されたドレイン及びソースと、これらドレインとソースとの間のチャネル領域上に形成されたゲートとを複数のトランジスタ素子が有し、これら複数のトランジスタ素子を取り囲むように配置されたP型拡散層にウェルコンタクトが形成され、各々のドレインが第1の配線に、各々のソースとウェルコンタクトとが第2の配線に、各々のゲートが制御線にそれぞれ接続されてなるESD保護素子を考えると、複数のトランジスタ素子の各々のドレインとウェルコンタクトとの間に形成された寄生ダイオード素子が第1の配線と第2の配線との間の保護素子として利用されるとともに、複数のトランジスタ素子の各々のゲートに共通に供給される制御信号に応じて第1の配線と第2の配線との間の接続が制御される。
ところが、このような構造を持つESD保護素子では、各々寄生ダイオードのアノードを構成するウェルコンタクトからカソードを構成するドレインまでの距離が長いため、ウェル抵抗が大きくなり、ESD印加時の放電抵抗が大きくなる結果、放電能力が劣ってしまう。したがって、電源マージ手段として要求されるサイズを上回るトランジスタサイズが必要となり、結果として面積的なデメリットが生じる。
本発明の目的は、電源マージ手段を兼ねるMOS型ESD保護素子の放電能力を向上させることにある。
前記目的を達成するために、本発明では、電源マージ手段を兼ねるMOS型ESD保護素子において、各トランジスタ素子のドレイン又はソースのいずれかに隣接するようにウェルコンタクトを配置することとした。
具体的に説明すると、本発明に係る半導体集積回路装置は、各々第1導電型拡散層により構成されたドレイン及びソースと、これらドレインとソースとの間のチャネル領域上に形成されたゲートと、ドレイン又はソースのいずれかに隣接する位置に第2導電型拡散層により構成されたウェルコンタクトとを有する複数のトランジスタ素子を備え、これら複数のトランジスタ素子の各々のドレインが第1の配線に、各々のソースとウェルコンタクトとが第2の配線にそれぞれ接続され、各々のドレインとウェルコンタクトとの間に形成された寄生ダイオード素子が第1の配線と第2の配線との間のESD保護素子として利用されるとともに、各々のゲートに共通に供給される制御信号に応じて第1の配線と第2の配線との間の接続が制御されるようにしたものである。
本発明の半導体集積回路装置によれば、各トランジスタ素子のドレインとウェルコンタクトとの間の距離が短いため、各寄生ダイオード素子のウェル抵抗が小さくなり、ESD印加時の放電抵抗が小さくなる結果、放電能力が向上する。したがって、MOS型ESD保護素子に電源マージ手段を兼ねさせつつ、面積増加を伴わずに高いサージ耐性を半導体集積回路装置に付与することができる。
以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。
図1は本発明に係る半導体集積回路装置の構成例を示す平面図であり、図2は図1のII−II断面図である。この構成例によれば、互いに並列接続された2個のトランジスタ素子がP型基板8上に形成され、これら2個のトランジスタ素子を取り囲むようにウェルコンタクト1がP型拡散層により構成されている。各トランジスタ素子は、N型拡散層により構成されたドレイン4及びソース5と、これらドレイン4とソース5との間のチャネル領域上に形成されたゲート3と、ソース5に隣接する位置にP型拡散層により構成されたウェルコンタクト1とを有する。ただし、ドレイン4は2個のトランジスタ素子に共通のドレインである。
また、2個のトランジスタ素子の各々のドレイン4がコンタクトホール2を介して第1の配線6に、各々のソース5とウェルコンタクト1とがコンタクトホール2を介して第2の配線7にそれぞれ接続されている。更に、各々のゲート3が制御線(不図示)に接続される。ただし、図2では、P型基板8上のN型拡散層及びP型拡散層と第1及び第2の配線6,7との間に形成される絶縁層の図示が省略され、ここにコンタクトホール2のみが描かれている。図2には、更に、2個のトランジスタ素子の各々のドレイン4とウェルコンタクト1との間に形成された寄生ダイオード素子を表すシンボルと、そのウェル抵抗を表すシンボルとがそれぞれ描かれている。
図1及び図2に示した半導体集積回路装置では、2個のトランジスタ素子の各々のドレイン4とウェルコンタクト1との間に形成された寄生ダイオード素子が第1の配線6と第2の配線7との間のESD保護素子として利用されるとともに、2個のトランジスタ素子の各々のゲート3に共通に供給される制御信号に応じて第1の配線6と第2の配線7との間の接続が制御される。しかも、各々のソース5に隣接するようにウェルコンタクト1が配置されているので、各々寄生ダイオード素子のアノードを構成するウェルコンタクト1からカソードを構成するドレイン4までの距離が短く、ウェル抵抗が小さくなり、ESD印加時の放電抵抗が小さくなる結果、放電能力が向上する。したがって、MOS型ESD保護素子に電源マージ手段を兼ねさせつつ、面積増加を伴わずに高いサージ耐性を半導体集積回路装置に付与することができる。
図3は、本発明に係る半導体集積回路装置の他の構成例を示す平面図である。この構成例によれば、互いに並列接続された4個のトランジスタ素子が形成され、これら4個のトランジスタ素子の各々のソース5に隣接するようにP型ウェルコンタクト1が配置されている。すなわち、本発明はトランジスタ素子の並列本数による制限を受けずに適用可能である。
図4は本発明に係る半導体集積回路装置の更に他の構成例を示す平面図であり、図5は図4のV−V断面図である。この構成例によれば、互いに並列接続された2個のトランジスタ素子がP型基板8上に形成され、これら2個のトランジスタ素子の各々のドレイン4に隣接するようにP型ウェルコンタクト1が配置されている。更に、2個のトランジスタ素子の各々のドレイン4がコンタクトホール2を介して第1の配線6に、各々のソース5とウェルコンタクト1とがコンタクトホール2を介して第2の配線7にそれぞれ接続されている。更に、各々のゲート3が制御線(不図示)に接続される。
図4及び図5に示した半導体集積回路装置では、各々のドレイン4に隣接するようにウェルコンタクト1が配置されているので、各々寄生ダイオード素子のアノードを構成するウェルコンタクト1からカソードを構成するドレイン4までの距離が図1及び図2の場合よりも短く、ウェル抵抗をほとんど無視できる結果、ESD放電能力が更に向上する。
以上の説明中の互いに並列接続された複数のトランジスタ素子は、電源マージ手段である1個のNチャネルMOSトランジスタを構成するものとみなすことができる。ただし、次に説明するように、電源マージ手段としてPチャネルMOSトランジスタを利用することも可能である。
図6は本発明に係る半導体集積回路装置の更に他の構成例を示す平面図であり、図7は図6のVII−VII断面図である。この構成例によれば、P型基板8上にN型ウェル12を設け、このN型ウェル12上に互いに並列接続された2個のトランジスタ素子が形成され、これら2個のトランジスタ素子を取り囲むようにウェルコンタクト9がN型拡散層により構成されている。各トランジスタ素子は、P型拡散層により構成されたドレイン10及びソース11と、これらドレイン10とソース11との間のチャネル領域上に形成されたゲート3と、ドレイン10に隣接する位置にN型拡散層により構成されたウェルコンタクト9とを有する。更に、2個のトランジスタ素子の各々のドレイン10がコンタクトホール2を介して第1の配線6に、各々のソース11とウェルコンタクト9とがコンタクトホール2を介して第2の配線7にそれぞれ接続されている。更に、各々のゲート3が制御線(不図示)に接続される。
図6及び図7に示した半導体集積回路装置でも、図4及び図5の場合と同様に各々のドレイン10に隣接するようにウェルコンタクト9が配置されているので、各々寄生ダイオードのアノードを構成するドレイン10からカソードを構成するウェルコンタクト9までの距離が短く、ウェル抵抗をほとんど無視できる結果、高いESD放電能力が得られる。
図8は、本発明に係る半導体集積回路装置の更に他の構成例を示す回路図である。図8によれば、第1のNチャネルMOSトランジスタ21のドレインが第1の接地電位配線に、当該第1のNチャネルMOSトランジスタ21のソース及びウェルコンタクトが第2の接地電位配線に、当該第1のNチャネルMOSトランジスタ21のゲートが制御線にそれぞれ接続されている。更に、第2のNチャネルMOSトランジスタ22のドレインが前記第2の接地電位配線に、当該第2のNチャネルMOSトランジスタ22のソース及びウェルコンタクトが前記第1の接地電位配線に、当該第2のNチャネルMOSトランジスタ22のゲートが前記制御線にそれぞれ接続されている。第1及び第2のNチャネルMOSトランジスタ21,22の各々の詳細構成は、図1〜図5に示したもの又はそれらの変形である。
図9は、本発明に係る半導体集積回路装置の更に他の構成例を示す回路図である。図9によれば、第1のPチャネルMOSトランジスタ23のドレインが第1の電源電位配線に、当該第1のPチャネルMOSトランジスタ23のソース及びウェルコンタクトが第2の電源電位配線に、当該第1のPチャネルMOSトランジスタ23のゲートが制御線にそれぞれ接続されている。更に、第2のPチャネルMOSトランジスタ24のドレインが前記第2の電源電位配線に、当該第2のPチャネルMOSトランジスタ24のソース及びウェルコンタクトが前記第1の電源電位配線に、当該第2のPチャネルMOSトランジスタ24のゲートが前記制御線にそれぞれ接続されている。第1及び第2のPチャネルMOSトランジスタ23,24の各々の詳細構成は、図6及び図7に示したもの又はその変形である。
図10は、本発明に係る半導体集積回路装置の更に他の構成例を示す回路図である。図10によれば、NチャネルMOSトランジスタ31のドレインが第1の接地電位配線に、当該NチャネルMOSトランジスタ31のソース及びウェルコンタクトが第2の接地電位配線に、当該NチャネルMOSトランジスタ31のゲートが制御線にそれぞれ接続されている。32は、当該NチャネルMOSトランジスタ31のウェルコンタクトとドレインとの間に形成された寄生ダイオードを表す。更に、この寄生ダイオードの向きと逆向きにPN接合ダイオード33が接続されている。すなわち、当該PN接合ダイオード33のアノードが前記第1の接地電位配線に、当該PN接合ダイオード33のカソードが前記第2の接地電位配線にそれぞれ接続されている。NチャネルMOSトランジスタ31の詳細構成は、図1〜図5に示したもの又はそれらの変形である。
図11は、本発明に係る半導体集積回路装置の更に他の構成例を示す回路図である。図11によれば、PチャネルMOSトランジスタ34のドレインが第1の電源電位配線に、当該PチャネルMOSトランジスタ34のソース及びウェルコンタクトが第2の電源電位配線に、当該PチャネルMOSトランジスタ34のゲートが制御線にそれぞれ接続されている。35は、当該PチャネルMOSトランジスタ34のドレインとウェルコンタクトとの間に形成された寄生ダイオードを表す。更に、この寄生ダイオードの向きと逆向きにPN接合ダイオード36が接続されている。すなわち、当該PN接合ダイオード36のカソードが前記第1の電源電位配線に、当該PN接合ダイオード36のアノードが前記第2の電源電位配線にそれぞれ接続されている。PチャネルMOSトランジスタ34の詳細構成は、図6及び図7に示したもの又はその変形である。
図12は、本発明に係る半導体集積回路装置の更に他の構成例を示す回路図である。図12の構成例は、図10中のPN接合ダイオード33の配設を省略したものである。
図13は、本発明に係る半導体集積回路装置の更に他の構成例を示す回路図である。図13の構成例は、図11中のPN接合ダイオード36の配設を省略したものである。
以上、図8〜図13のいずれの構成例によっても、電源マージ手段を兼ねるMOS型ESD保護素子の放電能力を向上させることができる。例えば、図8、図10又は図12において第1の接地電位線をデジタル用接地電位に、第2の接地電位線をアナログ用接地電位にそれぞれ接続し、図9、図11又は図13において第1の電源電位線をデジタル用電源電位に、第2の電源電位線をアナログ用電源電位にそれぞれ接続すれば、デジタル回路ブロックとアナログ回路ブロックとの間の電源分離技術への応用を実現できる。
以上説明してきたとおり、本発明は、MOS型ESD保護素子に電源マージ手段を兼ねさせつつ、面積増加を伴わずに高いサージ耐性を実現することができるので、システムLSIにおけるデジタル回路ブロックとアナログ回路ブロックとの間の電源分離技術等として有用である。
1 ウェルコンタクト(P型拡散層)
2 コンタクトホール
3 ゲート
4 ドレイン(N型拡散層)
5 ソース(N型拡散層)
6 第1の配線
7 第2の配線
8 P型基板
9 ウェルコンタクト(N型拡散層)
10 ドレイン(P型拡散層)
11 ソース(P型拡散層)
12 N型ウェル
21,22,31 NチャネルMOSトランジスタ
23,24,34 PチャネルMOSトランジスタ
32,35 寄生ダイオード
33,36 PN接合ダイオード
2 コンタクトホール
3 ゲート
4 ドレイン(N型拡散層)
5 ソース(N型拡散層)
6 第1の配線
7 第2の配線
8 P型基板
9 ウェルコンタクト(N型拡散層)
10 ドレイン(P型拡散層)
11 ソース(P型拡散層)
12 N型ウェル
21,22,31 NチャネルMOSトランジスタ
23,24,34 PチャネルMOSトランジスタ
32,35 寄生ダイオード
33,36 PN接合ダイオード
Claims (7)
- 各々第1導電型拡散層により構成されたドレイン及びソースと、前記ドレインと前記ソースとの間のチャネル領域上に形成されたゲートと、前記ドレイン又は前記ソースのいずれかに隣接する位置に第2導電型拡散層により構成されたウェルコンタクトとを有する複数のトランジスタ素子を備え、
前記複数のトランジスタ素子の各々のドレインが第1の配線に、前記複数のトランジスタ素子の各々のソースとウェルコンタクトとが第2の配線にそれぞれ接続され、
前記複数のトランジスタ素子の各々のドレインとウェルコンタクトとの間に形成された寄生ダイオード素子が前記第1の配線と前記第2の配線との間のESD保護素子として利用されるとともに、前記複数のトランジスタ素子の各々のゲートに共通に供給される制御信号に応じて前記第1の配線と前記第2の配線との間の接続が制御されるように構成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記複数のトランジスタ素子により構成された第1のMOSトランジスタと同様の構成を有する第2のMOSトランジスタを更に備え、
前記第2のMOSトランジスタを構成する複数のトランジスタ素子の各々のソースとウェルコンタクトとが前記第1の配線に、前記第2のMOSトランジスタを構成する前記複数のトランジスタ素子の各々のドレインが前記第2の配線にそれぞれ接続され、
前記第2のMOSトランジスタを構成する前記複数のトランジスタ素子の各々のドレインとウェルコンタクトとの間に形成された寄生ダイオード素子が前記第1の配線と前記第2の配線との間の他のESD保護素子として利用されるとともに、前記第1のMOSトランジスタを構成する前記複数のトランジスタ素子と前記第2のMOSトランジスタを構成する前記複数のトランジスタ素子との各々のゲートに共通に供給される制御信号に応じて前記第1の配線と前記第2の配線との間の接続が制御されるように構成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置において、
前記複数のトランジスタ素子により構成されたMOSトランジスタが有する寄生ダイオードの向きと逆向きに前記第1の配線と前記第2の配線との間に接続されたPN接合ダイオードを更に備え、
前記PN接合ダイオードが前記第1の配線と前記第2の配線との間の他のESD保護素子として利用されるように構成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1及び第2の配線が各々接地電位に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項4記載の半導体集積回路装置において、
前記第1の配線又は前記第2の配線のいずれかがアナログ用接地電位に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1及び第2の配線が各々電源電位に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求項6記載の半導体集積回路装置において、
前記第1の配線又は前記第2の配線のいずれかがアナログ用電源電位に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007028821A JP2008193019A (ja) | 2007-02-08 | 2007-02-08 | 半導体集積回路装置 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013048209A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-03-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路 |
WO2014112293A1 (ja) | 2013-01-18 | 2014-07-24 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置 |
EP3176823A4 (en) * | 2014-07-31 | 2018-03-28 | SII Semiconductor Corporation | Semiconductor device having esd element |
WO2021251081A1 (ja) * | 2020-06-08 | 2021-12-16 | ローム株式会社 | 半導体装置、電子機器 |
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2007
- 2007-02-08 JP JP2007028821A patent/JP2008193019A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013048209A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-03-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体集積回路 |
US9941358B2 (en) | 2011-07-25 | 2018-04-10 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit with guard ring |
US10411095B2 (en) | 2011-07-25 | 2019-09-10 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit with guard ring |
WO2014112293A1 (ja) | 2013-01-18 | 2014-07-24 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置 |
KR20150109360A (ko) | 2013-01-18 | 2015-10-01 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
EP3176823A4 (en) * | 2014-07-31 | 2018-03-28 | SII Semiconductor Corporation | Semiconductor device having esd element |
WO2021251081A1 (ja) * | 2020-06-08 | 2021-12-16 | ローム株式会社 | 半導体装置、電子機器 |
DE112021002303B4 (de) | 2020-06-08 | 2023-09-21 | Rohm Co. Ltd. | Halbleiterbauelement |
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