JP2004087908A5 - - Google Patents
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- ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、
ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、
ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とが、
この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
前記複数の井戸層は第１の井戸層と第２の井戸層とが交互に配置されたものであり、第１の井戸層と第２の井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、
前記障壁層のＩｎＧａＮ層は第１の井戸層に接し、前記障壁層のＧａＮ層は第２の井戸層に接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記第１の井戸層はｐ型窒化物半導体層側に配置され、前記第２の井戸層はｎ型窒化物半導体層側に配置されることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
- ｎ型窒化物半導体層と、
ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、
ｐ型窒化物半導体層とが、
この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
前記発光層のｐ型窒化物半導体側の最外層が前記障壁層であり、該障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、
前記障壁層のＧａＮ層は井戸層に接し、前記障壁層のＩｎＧａＮ層は前記井戸層と反対側の層に接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - ｎ型窒化物半導体層と、
ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、
ｐ型窒化物半導体層とが、
この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
前記発光層のｐ型窒化物半導体側の最外層が前記障壁層であり、該障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、
前記障壁層のＩｎＧａＮ層は井戸層に接し、前記障壁層のＧａＮ層は前記井戸層と反対側の層に接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - ｎ型窒化物半導体層と、
ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、
ｐ型窒化物半導体層とが、
この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
前記発光層のｎ型窒化物半導体側の最外層が前記障壁層であり、該障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、
前記障壁層のＩｎＧａＮ層は井戸層に接し、前記障壁層のＧａＮ層は前記井戸層と反対側の層に接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - ｎ型窒化物半導体層と、
ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、
ｐ型窒化物半導体層とが、
この順に積層されてなる窒化物半導体発光素子において、
前記発光層のｎ型窒化物半導体側の最外層が前記障壁層であり、該障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、
前記障壁層のＧａＮ層は井戸層に接し、前記障壁層のＩｎＧａＮ層は前記井戸層と反対側の層に接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記障壁層は、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層のみから構成された２層構造であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記障壁層のＩｎＧａＮ層には不純物がドープされておらず、前記障壁層のＧａＮ層にはｎ型不純物がドープされていることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記ＧａＮ層の厚みは、前記障壁層のＩｎＧａＮ層の厚みと等しいかそれよりも薄いことを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記障壁層の厚みは、５ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記井戸層の厚みは、２ｎｍ以上７ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記障壁層のＩｎＧａＮ層はＩｎ x Ｇａ 1-x Ｎ（０＜ｘ≦０．１）であり、且つ前記井戸層はＩｎ y Ｇａ 1-y Ｎ（ｘ＜ｙ≦０．１８）であることを特徴とする請求項１〜１１の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記ｎ型窒化物半導体層、前記発光層、前記ｐ型窒化物半導体層の少なくとも何れかに、Ａｓ又はＰ元素を含むことを特徴とする請求項１〜１２の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記井戸層は不純物がドープされていないＩｎＧａＮ層であることを特徴とする請求項１〜１３の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 請求項１〜１４の何れかに記載の窒化物半導体発光素子を搭載した光学装置。
- ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、
ＩｎＧａＮ層からなる複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層された多重量子井戸構造からなる発光層と、
ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とが、この順に積層され、
前記複数の井戸層は第１の井戸層と第２の井戸層とが交互に配置されたものであり、第１の井戸層と第２の井戸層に接して挟まれた障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、
前記障壁層のＩｎＧａＮ層は第１の井戸層に接し、前記障壁層のＧａＮ層は第２の井戸層に接する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記障壁層のＧａＮ層を積層する工程の温度が、
同じ障壁層のＩｎＧａＮ層を積層する工程の温度と等しいか、それよりも大きく１５０℃以下の範囲内であることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
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