JP6049513B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
成長基板上方に、n型GaN系半導体層を形成する工程と、
前記n型GaN系半導体層上に、発光層を形成する工程と、
前記発光層上に、p型GaN系半導体層を形成する工程と
を有し、
前記発光層を形成する工程は、
前記n型GaN系半導体層側からInGaN部分障壁層とGaN部分障壁層とが積層されたInGaN/GaN障壁層と、InGaN井戸層とを交互に成長させる工程を有し、
前記InGaN/GaN障壁層と前記InGaN井戸層とを成長させる工程は、
キャリアガスとしてN2とH2とを用い、
キャリアガスとしてN2を用いて有機ガリウム原料及び有機インジウム原料を供給し、前記InGaN部分障壁層を成長させる工程と、
前記InGaN部分障壁層の成長の後、有機インジウム原料の供給を停止するのと同時に、キャリアガスをN2からH2を85%以上含むガスに切り替えて、有機ガリウム原料を供給し、前記GaN部分障壁層を成長させる工程と、
前記GaN部分障壁層の成長の後、キャリアガスを、H2を85%以上含むガスとしたまま有機インジウム原料の供給を再開し、さらに、有機インジウム原料の供給再開タイミングよりも遅いタイミングで、キャリアガスを、H2を85%以上含むガスからN2に切り替えて、有機ガリウム原料及び有機インジウム原料を供給し、前記InGaN井戸層を成長させる工程と
を有する半導体発光素子の製造方法が提供される。
2 カーボンサセプタ
3 成長基板
4 ヒータ
5 熱電対(または放射温度計)
6 ヒータ電源
7 フローチャネル(反応ガス噴射管)
8a〜8d ガス供給系
9a〜9d ガス流量調整装置
10a、10b バルブ
11 制御装置
12 圧力計
13 圧力制御弁
14 排気ポンプ
21 サファイア基板
22 GaNバッファ層
23 アンドープGaN層
24 n型GaN層
25 SLS層
26 発光層
26A InGaN第1障壁層
26B InGaN井戸層
26C 積層障壁層
26C1 InGaN部分障壁層
26C2 GaN部分障壁層
27 p型AlGaN層
28 p+型GaN層
Claims (3)
- 成長基板上方に、n型GaN系半導体層を形成する工程と、
前記n型GaN系半導体層上に、発光層を形成する工程と、
前記発光層上に、p型GaN系半導体層を形成する工程と
を有し、
前記発光層を形成する工程は、
前記n型GaN系半導体層側からInGaN部分障壁層とGaN部分障壁層とが積層されたInGaN/GaN障壁層と、InGaN井戸層とを交互に成長させる工程を有し、
前記InGaN/GaN障壁層と前記InGaN井戸層とを成長させる工程は、
キャリアガスとしてN2とH2とを用い、
キャリアガスとしてN2を用いて有機ガリウム原料及び有機インジウム原料を供給し、前記InGaN部分障壁層を成長させる工程と、
前記InGaN部分障壁層の成長の後、有機インジウム原料の供給を停止するのと同時に、キャリアガスをN2からH2を85%以上含むガスに切り替えて、有機ガリウム原料を供給し、前記GaN部分障壁層を成長させる工程と、
前記GaN部分障壁層の成長の後、キャリアガスを、H2を85%以上含むガスとしたまま有機インジウム原料の供給を再開し、さらに、有機インジウム原料の供給再開タイミングよりも遅いタイミングで、キャリアガスを、H2を85%以上含むガスからN2に切り替えて、有機ガリウム原料及び有機インジウム原料を供給し、前記InGaN井戸層を成長させる工程と
を有する半導体発光素子の製造方法。 - 前記InGaN井戸層を成長させる工程において、前記有機インジウム原料の供給を再開するタイミングから、キャリアガスを、H2を85%以上含むガスからN2に切り替えるタイミングまでの期間は、この期間にGaN層が2モノレイヤー以下成長するように設定されている請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記InGaN/GaN障壁層と前記InGaN井戸層とを成長させる工程は、一定温度で行われる請求項1または2に記載の半導体発光素子の製造方法。
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