JP2007134507A - 半導体発光素子、および半導体発光素子を作製する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子11では、窒化ガリウム系クラッド層13は、1×107cm−2以下の貫通転位密度を有する。活性領域17は、複数の井戸層19および障壁層21を含む量子井戸構造17aを有しており、また量子井戸構造17aは420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられている。井戸層19の各々は、アンドープInXGa1−XN(0<X<0.14、Xは歪み組成)領域を含む。障壁層21は、アンドープInYGa1−YN(0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X)領域を含む。ここで、本実施の形態では、インジウム組成Xは、歪み組成で示されており、緩和組成ではない。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施の形態に係る半導体発光素子を示す図面である。この半導体発光素子は、例えば発光ダイオードであることができる。半導体発光素子11は、第1導電型の窒化ガリウム系クラッド層13と、第2導電型の窒化ガリウム系クラッド層15と、活性領域17とを含む。窒化ガリウム系クラッド層13は、1×107cm−2以下の貫通転位密度を有する。活性領域17は、第1導電型の窒化ガリウム系クラッド層13と第2導電型の窒化ガリウム系クラッド層15との間に設けられている。活性領域17は、複数の井戸層19および障壁層21を含む量子井戸構造17aを有しており、また量子井戸構造17aは420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられている。井戸層19の各々は、アンドープInXGa1−XN(0<X<0.14、Xは歪み組成)領域を含む。障壁層21は、アンドープInYGa1−YN(0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X)領域を含む。ここで、本実施の形態では、インジウム組成Xは、歪み組成で示されており、緩和組成ではない。歪み組成とは結晶が下地結晶のa軸に格子整合して歪んでいることを仮定した組成であり、緩和組成とは結晶が下地結晶の影響を受けておらず歪んでいないことを仮定した組成である。
窒化ガリウム系クラッド層13:n−GaN(Siドープ)
窒化ガリウム系クラッド層15:p−Al0.12Ga0.88N(Mgドープ)
活性領域17の井戸層19:In0.11Ga0.89N(歪み組成)、5nm
活性領域17の障壁層21:In0.01Ga0.99N(歪み組成)、15nm
窒化ガリウム系半導体中間層27:n−Al0.12Ga0.88N
コンタクト層29:p−GaN
第1のオーミック電極31(アノード):Ni/Au(半透明電極)
第2のオーミック電極33(カソード):Ti/Al
を含む。
有機金属気相成長法を用いて、青色(波長420nm以上490nm以下)発光ダイオードを作製する。原料には、トリメチルガリウム(TMGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリメチルインジウム(TMIn)、アンモニア(NH3)、モノシラン(SiH4)、シクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いることができる。(0001)C面を有する窒化ガリウム基板を準備する。窒化ガリウム基板はn導電性を示し、また貫通転位密度は1×106cm−2である。有機金属気相成長炉のサセプタ上に窒化ガリウム基板を配置する。次いで、窒化ガリウム基板のサーマルクリーニングを行う。サーマルクリーニングの条件は、炉内圧力30kPaに制御しながらアンモニアガス(NH3)および水素ガス(H2)を有機金属気相成長炉に供給して、摂氏1050度の基板温度で10分間の熱処理を行う。
井戸層の組成および厚みを除いて、実験例1と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。井戸層の組成(歪み組成)はIn0.14Ga0.86N(緩和組成ではIn0.22Ga0.78N)からなり、また厚さ3nmを有する。実験例1と同様にして、青色LEDチップBが作製される。図5は、この青色LEDチップBにおける電流−光出力の特性を示す図面である。図6は、青色LEDチップBにおける電流−外部量子効率の特性を示す図面である。なお、参考のために、図5および図6には、青色LEDチップAの電流−光出力特性および電流−外部量子効率特性も示されている。これらの測定結果によれば、青色LEDチップBは、電流20mA(電流密度12.5A/cm2)の印加において、ピーク波長448nmを有する発光スペクトル(実質的に単一のピーク)を示す。光出力は4.4mWであり、外部量子効率は7.9%である。また、青色LEDチップBは、電流200mA(電流密度125A/cm2)の印加において、ピーク波長439nmを有する発光スペクトル(実質的に単一のピーク)を示す。光出力は28mWであり、外部量子効率は5.0%である。電流密度12.5A/cm2における外部量子効率は、電流密度125A/cm2における外部量子効率の約63%である。電流密度12.5A/cm2における駆動電圧は3.2ボルトである。このLEDチップAをエポキシ樹脂で封止して、LEDランプを作製する。このLEDランプは、電流密度125A/cm2において、439nmのピーク波長、140mWの光出力、25%の外部量子効率を示す。
有機金属気相成長法を用いて、青色発光ダイオードを作製する。原料には、トリメチルガリウム(TMGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリメチルインジウム(TMIn)、アンモニア(NH3)、モノシラン(SiH4)、シクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いることができる。c面サファイア基板を準備する。有機金属気相成長炉のサセプタ上にサファイア基板を配置する。次いで、サファイア基板上に、GaNバッファ層を作製する。GaNバッファ層は、原料ガス(TMGa、NH3およびH2)を有機金属気相成長炉に供給して、摂氏500度の基板温度で成長される。続いて、摂氏1100度の基板温度に変更した後に、原料ガス(TMGa、TMAl、NH3、SiH4)を用いて成長速度4μm/hで厚さ5μmのn型GaNバッファ層を成長する。次いで、障壁層および井戸層を交互に成長する。障壁層の成長では、101kPaの炉内圧力を用いると共に摂氏900度の基板温度に変更した後に、原料ガス(TMGa、TMIn、NH3)を用いて、厚さ15nmのアンドープIn0.01Ga0.99N層を堆積する。井戸層の成長では、101kPaの炉内圧力を用いると共に摂氏800度の基板温度に変更した後に、原料ガス(TMGa、TMIn、NH3)を用いて、厚さ5nmのアンドープIn0.11Ga0.89N層を堆積する。井戸層および障壁層の成長は、必要な回数だけ繰り返される。この例では、6周期の量子井戸構造を形成する。上記の井戸層および障壁層は歪み組成で示されている。その後、摂氏1050度の基板温度に変更した後に、原料ガス(TMGa、TMAl、NH3、Cp2Mg)を用いて、厚さ20nmのp型Al0.12Ga0.88Nクラッド層を成長する。次いで、原料ガス(TMGa、TMAl、NH3、Cp2Mg)を用いて、厚さ150nmのp型GaNコンタクト層を成長する。これによりLEDエピタキシャル基板が完成する。
井戸層の成長温度および障壁層の成長温度を除いて、実験例1と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。青色LEDチップDは、電流20mA(電流密度12.5A/cm2)の印加において、光出力は1mW以下である。
厚さ15nmのIn0.01Ga0.99N障壁層にSiドープで成長することを除いて、実験例1と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。青色LEDチップEの電流−光出力特性、電流−外部量子効率特性および発光波長は、実験例1の青色LEDチップAとほぼ同じである。電流密度12.5A/cm2における駆動電圧は3.2ボルトである。
有機金属気相成長法を用いて、青色発光ダイオードを作製する。サファイア基板上に低温バッファ層を成長した後に、窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。この窒化ガリウムエピタキシャル層上に、SiO2からなる選択成長用マスクを形成する。このマスクを用いて有機金属気相成長法により、窒化ガリウムのラテラルオーバー成長を行う。成長された窒化ガリウム領域は、1×107cm2以下の貫通転位密度を有する領域を含む。実験例5と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。1×107cm2以下の貫通転位密度を有する領域上に、アノード(1.6×10−3cm2の半透明電極)を作製すると共に、ドライエッチングにより露出されたn−GaN層上にカソード電極を作製する。この青色LEDチップFの電流−光出力特性、電流−外部量子効率特性、発光波長および電流密度12.5A/cm2における駆動電圧は、実験例5の青色LEDチップEとほぼ同じである。
有機金属気相成長法を用いて、青色発光ダイオードを作製する。導電性のSiC基板上にAlNバッファ層を成長した後に、窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。この窒化ガリウムエピタキシャル層上に、SiO2からなる選択成長用マスクを形成する。このマスクを用いて有機金属気相成長法により、窒化ガリウムのラテラルオーバー成長を行う。成長された窒化ガリウム領域は、1×107cm2以下の貫通転位密度を有する領域を含む。実験例5と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。成長された窒化ガリウム領域は、1×107cm2以下の貫通転位密度を有する領域を含む。実験例5と同様にして、青色発光ダイオードを作製する。1×107cm2以下の貫通転位密度を有する領域上に、アノード(1.6×10−3cm2の半透明電極)を作製すると共に、SiC基板の裏面にカソード電極を作製する。青色LEDチップGの電流−光出力特性、電流−外部量子効率特性、発光波長および電流密度12.5A/cm2における駆動電圧は、実験例5の青色LEDチップEとほぼ同じである。
実験例1で用いた作製条件を用いて、インジウム組成の異なる井戸層を有する青色LEDチップを作製する。図9は、電流密度125A/cm2における外部量子効率のインジウム組成に関する依存性を示す図面である。図10は、電流密度12.5A/cm2における外部量子効率に対する電流密度125A/cm2における外部量子効率の比(百分率)のインジウム組成に関する依存性を示す図面である。図10を参照すると、インジウム組成が小さくなるにつれて、外部量子効率の比が大きくなる。この比の値は、インジウム組成0.14、0.11、0.10、0.09において、それぞれ、63.3%、79.0%、72.3%、82.3%である。インジウム組成0.14での値はほぼ65%であるが、インジウム組成の他の値では65%よりも大きいので、インジウム組成0.14未満の井戸層では好適な特性が得られる。外部量子効率の比65%を基準にする理由は従来の青色LEDの標準的な値だからである。
実験例1で用いた作製条件を用いて、厚みの異なる井戸層を有する青色LEDチップを作製する。図11は、電流密度125A/cm2における外部量子効率の井戸層の厚みに関する依存性を示す図面である。図12は、電流密度12.5A/cm2における外部量子効率に対する電流密度125A/cm2における外部量子効率の比(百分率)の井戸層の厚みに関する依存性を示す図面である。図12を参照すると、井戸層の厚みが大きくなるにつれて、外部量子効率の比が大きくなる。この比の値は、井戸層の厚み3nm、4.5nm、5nm、5.5nmにおいて、それぞれ、63.3%、79.0%、72.3%、82.3%である。井戸層の厚み3nmでの値はほぼ65%であるが、井戸層の他の厚みでは65%よりも大きいので、発明者らの他の実験の結果を勘案して井戸層の厚み4nm以上の井戸層で好適である。
図13(A)、図13(B)、図14(A)および図14(B)は、本実施の形態に係る半導体発光素子を作製する方法を示す図面である。貫通転位密度1×107cm−2以下のn型の窒化ガリウム基板51を準備する。この窒化ガリウム基板51を有機金属気相成長炉53のサセプタ上に配置する。図13(A)に示されるようにと、有機金属気相成長炉53を用いて、窒化ガリウム基板51上にn型AlGaN膜55を成長する。AlGaN膜55上にn型窒化ガリウム系半導体膜57を成長する。窒化ガリウム系半導体膜57に先立ってAlGaN膜55を堆積すると、窒化ガリウム基板51の表面に比べて、窒化ガリウム系半導体膜57の成長に好適な表面が提供される。窒化ガリウム基板51を用いているので、窒化ガリウム系半導体膜57の貫通転位密度は1×107cm−2以下である。
Claims (12)
- 1×107cm−2以下の貫通転位密度を有する第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と、
第2導電型窒化ガリウム系クラッド層と、
複数の井戸層および障壁層を含む量子井戸構造を有しており前記第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と前記第2導電型窒化ガリウム系クラッド層との間に設けられた活性領域と
を備え、
前記量子井戸構造は、420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられており、
前記井戸層の各々は、アンドープInXGa1−XN(0<X<0.14、Xは歪み組成)領域を含み、
前記障壁層は、アンドープInYGa1−YN(0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X)領域を含む、ことを特徴とする半導体発光素子。 - 1×107cm−2以下の貫通転位密度を有する第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と、
第2導電型窒化ガリウム系クラッド層と、
複数の井戸層および障壁層を含む量子井戸構造を有しており前記第1導電型窒化ガリウム系クラッド層と前記第2導電型窒化ガリウム系クラッド層との間に設けられた活性領域と
を備え、
前記量子井戸構造は、波長420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられており、
前記井戸層の各々は、アンドープInXGa1−XN(0<X<0.14、Xは歪み組成)領域を含み、
前記障壁層は、n型ドーパントを含むInYGa1−YN(0≦Y≦0.05、Yは歪み組成、Y<X)領域を含む、ことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記井戸層の厚さが4nm以上である、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された半導体発光素子。
- 主面を有するIII族窒化物基板を更に備え、
前記第1導電型窒化ガリウム系クラッド層、前記活性領域および前記第2導電型窒化ガリウム系クラッド層を含む半導体領域は、前記III族窒化物基板の前記主面上に設けられている、ことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された半導体発光素子。 - 前記III族窒化物基板は貫通転位密度1×107cm−2以下である、ことを特徴とする請求項4に記載された半導体発光素子。
- 前記III族窒化物基板は貫通転位密度1×107cm−2以下である窒化ガリウム基板である、ことを特徴とする請求項4に記載された半導体発光素子。
- 半導体発光素子を作製する方法であって、
420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられた量子井戸構造を有する活性領域を貫通転位密度1×107cm−2以下の窒化ガリウム系クラッド領域上に形成する工程を備え、
前記井戸層の成膜温度は前記障壁層の成膜温度より小さく、
前記量子井戸構造の井戸層はアンドープInXGa1−XN(0<X<0.14、Xは歪み組成)領域を含み、
前記量子井戸構造の障壁層はアンドープInYGa1−YN(0≦Y≦0.05、Yは歪み組成)領域を含む、ことを特徴とする方法。 - 半導体発光素子を作製する方法であって、
420nm以上490nm以下の波長範囲内のピーク波長を有する光を発生するように設けられた量子井戸構造を有する活性領域を貫通転位密度1×107cm−2以下の窒化ガリウム系クラッド領域上に形成する工程を備え、
前記井戸層の成膜温度は前記障壁層の成膜温度より小さく、
前記量子井戸構造の井戸層はアンドープInXGa1−XN(0<X<0.14、Xは歪み組成)領域を含み、
前記量子井戸構造の障壁層はn型ドーパントを含むInYGa1−YN(0≦Y≦0.05、Yは歪み組成)領域を含む、ことを特徴とする方法。 - 前記井戸層の厚さが4nm以上であり、
前記井戸層の厚さが10nm以下である、ことを特徴とする請求項7または請求項8に記載された方法。 - 前記窒化ガリウム系クラッド領域をIII族窒化物基板上に成長する工程を更に備える、ことを特徴とする請求項7〜請求項9のいずれか一項に記載された方法。
- 前記III族窒化物基板の貫通転位密度は1×107cm−2以下である、ことを特徴とする請求項10に記載された方法。
- 前記III族窒化物基板は貫通転位密度1×107cm−2以下である窒化ガリウム基板である、ことを特徴とする請求項10に記載された方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005326270A JP5048236B2 (ja) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | 半導体発光素子、および半導体発光素子を作製する方法 |
US11/863,220 US7547910B2 (en) | 2005-11-10 | 2007-09-27 | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005326270A JP5048236B2 (ja) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | 半導体発光素子、および半導体発光素子を作製する方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011173949A Division JP2011223043A (ja) | 2011-08-09 | 2011-08-09 | 半導体発光素子、および半導体発光素子を作製する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007134507A true JP2007134507A (ja) | 2007-05-31 |
JP5048236B2 JP5048236B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=38155917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005326270A Expired - Fee Related JP5048236B2 (ja) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | 半導体発光素子、および半導体発光素子を作製する方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7547910B2 (ja) |
JP (1) | JP5048236B2 (ja) |
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CN116825917B (zh) * | 2023-08-31 | 2023-11-17 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080023708A1 (en) | 2008-01-31 |
US7547910B2 (en) | 2009-06-16 |
JP5048236B2 (ja) | 2012-10-17 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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