JP2009218235A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【課題】発光効率の高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】基板10と、基板10上に設けられたn型の第1半導体層20と、第1半導体層20上に設けられた活性層30と、活性層30の直上に接して設けられ、真性半導体であるバリア層42と、バリア層42上に設けられ、n型のキャリアである電子が第1半導体層20から活性層30を超えて拡散するのを阻止するキャリアブロック層44と、キャリアブロック層44上に設けられたp型の第2半導体層50とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】基板10と、基板10上に設けられたn型の第1半導体層20と、第1半導体層20上に設けられた活性層30と、活性層30の直上に接して設けられ、真性半導体であるバリア層42と、バリア層42上に設けられ、n型のキャリアである電子が第1半導体層20から活性層30を超えて拡散するのを阻止するキャリアブロック層44と、キャリアブロック層44上に設けられたp型の第2半導体層50とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光ダイオードに関し、特に窒化物半導体の発光ダイオードに関する。
従来より発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)等の半導体発光デバイスの材料として、窒化物半導体は注目されている。従来のダブルへテロ構造のLEDとしては、例えば、サファイア等の基板と、基板上に設けられた窒化ガリウム(GaN)のn型コンタクト層と、n型コンタクト層上に設けられた窒化インジウムガリウム(InGaN)の活性層と、活性層上に設けられた窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)にマグネシウム(Mg)をドープしたp型電子ブロック層と、p型電子ブロック層上に設けられたAlGaNのp型コンタクト層とを備えるものがある。LDも基本的にはLEDと同様の構造を有し得る。しかしながら、特にLDの場合は、光とキャリアとを別々に閉じこめる分離閉じ込め型構造が用いられることが多い(例えば、特許文献1,2参照)。
上述した従来のLEDにおいて、活性層の直上に接して配置されたp型電子ブロック層は、n型領域から活性層を超えてp型領域に注入される電子を阻止することを目的として配置されている。p型電子ブロック層を活性層の直上に接して配置するためには、活性層を形成した後にp型電子ブロック層を形成しなければならない。p型電子ブロック層を含むp型領域の形成方法としては、活性層の形成温度よりも200〜300℃程度高温で、30〜90分程度の時間を要してエピタキシャル成長させる。
しかしながら、活性層の直上に接してp型領域を形成することにより、p型電子ブロック層にドープしたMgが活性層に拡散して発光効率を低下させる原因となってしまっている。また、Mgが活性層に拡散しない場合でも、活性層内に閉じ込められたキャリアが隣接して配置されたp型電子ブロック層のディープレベルにトラップされて非発光再結合をすることで発光効率が低下してしまうという問題もある。
特開平9−148678号公報
特開2002−374044号公報
本発明は、発光効率の高い発光ダイオードを提供することを目的とする。
本願発明の一態様によれば、基板と、基板上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、第1半導体層上に設けられた活性層と、活性層の直上に接して設けられ、真性半導体であるバリア層と、バリア層上に設けられ、第1導電型のキャリアが第1半導体層から活性層を超えて拡散するのを阻止するキャリアブロック層と、キャリアブロック層上に設けられた第2導電型の第2半導体層とを備える発光ダイオードであることを要旨とする。
本発明によれば、発光効率の高い発光ダイオードを提供することができる。
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
本発明の実施の形態に係る発光ダイオードは、図1に示すように、基板10と、基板10上に設けられたn型(第1導電型)の第1半導体層20と、第1半導体層20上に設けられた活性層30と、活性層30の直上に接して設けられ、真性半導体であるバリア層42と、バリア層42上に設けられ、n型のキャリアである電子が第1半導体層20から活性層30を超えて拡散するのを阻止するキャリアブロック層44と、キャリアブロック層44上に設けられたp型(第2導電型)の第2半導体層50とを備える。実施の形態に係る発光ダイオードは、更に、第1半導体層20に電圧を印加する第1電極(カソード電極)60と、第2半導体層50に電圧を印加する第2電極(アノード電極)62を備える。
基板10は、基板10上にエピタキシャル成長させる第1半導体層20、活性層30及び第2半導体層50等の半導体層をエピタキシャル成長させるための機械的支持基板としての機能を有する。基板10としては、エピタキシャル成長させる半導体層を欠陥のない晶癖で形成することができるものであればよく、例えば、サファイヤ基板及びGaN基板等を用いることができる。
第1半導体層20は、活性層30に電子を拡散させる機能を有し、例えば、n型のドーパントとしてシリコン(Si)がドープされたn型GaN層等の窒化物半導体で形成される。第1半導体層20は、一部領域がメサエッチングにより露出され、露出された箇所に第1電極60が配置されている。
活性層30は、図2に示すように、例えば、井戸層32を井戸層32よりもバンドギャップの大きな障壁層34でサンドイッチ状に挟んだ量子井戸(quantum well)構造を採用可能である。なお、図2で示した量子井戸構造は、井戸層32が多重化された多重量子井戸構造(MQW)であるが、井戸層32が多重化してなく1つの単一量子井戸構造(SQW)であってもよい。MQWである活性層30は、井戸層32としてのInGaNと障壁層34としてのInGaNとが交互に2〜4ペア積層された構造とすることができる。
バリア層42は、キャリアブロック層44にドープするマグネシウム(Mg)が活性層30へ拡散するのを防ぐ機能を有する。バリア層42は、活性層30の井戸層32よりもバンドキャップが大きく、不純物をドープしていない真性半導体が用いられる。バリア層42としては、例えば、AlGaNを用いることができる。バリア層42にAlGaNを用いた場合のアルミニウムの組成は、5〜20%であることが好ましい。バリア層42の膜厚は、50〜500オングストロームとすることが好ましい。バリア層42の膜厚は、上記の範囲以下であるとMgの拡散を防ぐことができなくなり、上記の範囲以上であると活性層30と第2半導体層50との距離が遠くなって第2半導体層50から活性層30に正孔が届かなくなってしまうからである。
キャリアブロック層44は、第1半導体層20から電子が活性層30を通り抜けて第2半導体層50まで到達するのを防ぐものである。電子が第2半導体層50まで到達すると、電子は第2半導体層50での欠陥準位に補捉されて、第2半導体層50の結晶に過剰にエネルギーが与えられて欠陥の増殖を招いてしまうので好ましくない。キャリアブロック層44は、活性層30の井戸層32よりもバンドキャップが大きく、例えば、p型のドーパントとしてMgがドープされたp型AlGaN層等の窒化物半導体で形成される。
バリア層42とキャリアブロック層44でなるブロック層40の膜厚は、200〜1000オングストロームであることが好ましい。ブロック層40の膜厚は、上記の範囲以下であるとバリア層42及びキャリアブロック層44の機能を有さなくなり、上記の範囲以上であると活性層30と第2半導体層50との距離が遠くなって第2半導体層50から活性層30に正孔が届かなくなってしまうからである。
第2半導体層50は、活性層30に正孔を拡散させる機能を有し、例えば、p型のドーパントとしてMgがドープされたp型GaN層等により形成されるからなる。
第1電極60は、例えばAl等の金属からなり、第2電極62は、例えばパラジウム(Pd)−金(Au)合金からなる。第2電極62と第2半導体層50の間には、活性層30から発せられる光を透過可能なZnO及びニッケル(Ni)−Au合金等からなる透明電極61が設けられる。透明電極61は、第2半導体層50とオーミック接続されるとともに、活性層30等の水平方向(積層方向と直交する方向)の全領域に均一に電流を流すために第2半導体層30上の略全面を覆うように形成されている。第2電極62は、第2半導体層50側から光を取り出すことを考慮すると面積が小さい方が好ましい。そして、第1電極60は第1半導体層20に、オーミック接続される。なお、第1半導体層20と第1電極60の間に、第1導電型のコンタクト層を配置してもよい。
以下に、実施の形態に係る発光ダイオードの製造方法を説明する。
まず、GaNの単結晶からなり、約300μmの厚みの基板10を用意する。そして、用意した基板10の表面上に、有機金属気相成長法(MOCVD法)により、第1半導体層20、活性層30及び第2半導体層50等の半導体層をエピタキシャル成長させていく。具体的には、基板10をMOCVD装置(図示略)の処理室に導入し、加熱及び回転可能なサセプタ上に配置する。尚、処理室内は、1/10気圧〜常圧になるように、処理室内の雰囲気が排気されている。
次に、キャリアガスによりアンモニアガス、トリメチルガリウム(TMG)ガス及びシランを処理室に供給して、Siがドープされたn型GaN層からなる第1半導体層20を基板10の表面にエピタキシャル成長させる。
次に、基板10の温度を約700℃〜約800℃に設定した後、第1半導体層20上に活性層30を形成する。具体的には、キャリアガスによりアンモニアガス及びTMGガスを処理室内に供給して、ノンドープのGaN層からなる障壁層34をエピタキシャル成長させる。また、基板10を同じ温度に保った状態で、キャリアガスによってアンモニアガス、TMGガス、トリメチルアルミニウム(TMA)ガス及びシランガスを供給して、シリコンがドープされたn型AlGaN層からなる井戸層32をエピタキシャル成長させる。そして、上述した方法により障壁層34及び井戸層32を所望の回数交互に形成することによって、活性層30を形成する。
次に、キャリアガスによってアンモニアガス、TMGガス及びTMAガスを処理室に供給して、活性層30上に真性半導体であるAlGaN層からなるバリア層42を成長させる。そして、基板10の温度を約1000℃〜約1100℃まで昇温した後、キャリアガスによりアンモニアガス、TMGガス、TMAガス及びビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)ガスを処理室に供給して、マグネシウムがドープされたp型AlGaN層からなるキャリアブロック層44をバリア層42上にエピタキシャル成長させる。
次に、基板10の温度を約1000℃〜約1100℃に保った状態で、キャリアガスによりアンモニアガス、TMGガス及びCp2Mgガスを処理室に供給して、マグネシウムがドープされたp型GaN層からなる第2半導体層50をキャリアブロック層44上にエピタキシャル成長させる。
次に、第2半導体層50上にレジストを所望のパターンに形成して、第1半導体層20、活性層30及び第2半導体層50をエッチングすることにより、第1半導体層20の一部領域がメサエッチングされて電極面が露出する。そして、露出された電極面において、抵抗加熱法または電子ビーム法等の真空蒸着法によりTi層及びAl層を順に積層して第1電極60を形成する。また、第2半導体層50上には、Alよりなる第2電極62を形成する。
本発明の実施の形態に係る発光ダイオードによれば、活性層30の直上に接している真性半導体であるバリア層42は、キャリアブロック層44にドープしたMgが活性層に拡散することを防ぐことができる。Mgが活性層に拡散することがなくなるので、活性層30の発光効率を良好に保ったままp型領域を成長させることができる。活性層30の発光効率が低下することなくp型領域を成長させるので、発光ダイオードの発光効率は高く維持されたままにすることができる。
更に、実施の形態に係る発光ダイオードによれば、活性層30の直上に接している真性半導体であるバリア層42があるので、活性層30内に閉じ込められたキャリアがキャリアブロック層44に拡散するのを防ぐことができる。活性層30内に閉じ込められたキャリアがキャリアブロック層44に拡散しないので、活性層30内のキャリアがキャリアブロック層44のディープレベルにトラップされて非発光再結合をすることがなくなる。非発光再結合がなくなることによって、発光ダイオードの発光効率の低下を防ぐことができる。
更に、実施の形態に係る発光ダイオードによれば、リーク電流増大の原因となるMgの拡散を制御することができるので、優れた電気特性を有し、発光ダイオードの品質に対する信頼性の向上に繋がる。
(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
例えば、実施の形態において活性層30は、ノンドープのGaN層からなる障壁層34と、Siがドープされたn型InGaN層からなる井戸層32とによって構成されていると記載したが、障壁層34と井戸層32がどちらもノンドープであっても構わない。また、障壁層34と井戸層32がどちらもドープされていても構わない。更に、SiがドープされたGaN層からなる障壁層34と、ノンドープのn型InGaN層からなる井戸層32であっても構わないし、ノンドープのGaN層からなる障壁層34と、ノンドープのn型InGaN層からなる井戸層32であっても構わない。つまり、活性層30の障壁層34と井戸層32の組み合わせは、実施の形態に記載されたものに限定されない。
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
10…基板
20…第1半導体層
30…活性層
32…井戸層
34…障壁層
40…ブロック層
42…バリア層
44…キャリアブロック層
50…第2半導体層
60…第1電極
61…透明電極
62…第2電極
20…第1半導体層
30…活性層
32…井戸層
34…障壁層
40…ブロック層
42…バリア層
44…キャリアブロック層
50…第2半導体層
60…第1電極
61…透明電極
62…第2電極
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に設けられた第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に設けられた活性層と、
前記活性層の直上に接して設けられ、真性半導体であるバリア層と、
前記バリア層上に設けられ、第1導電型のキャリアが前記第1半導体層から前記活性層を超えて拡散するのを阻止するキャリアブロック層と、
前記キャリアブロック層上に設けられた第2導電型の第2半導体層
とを備えることを特徴とする発光ダイオード。 - 前記バリア層は、窒化アルミニウムガリウムであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層のアルミニウムの組成は、5〜20%であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層の膜厚は、50〜500オングストロームであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
- 前記バリア層と前記キャリアブロック層でなるブロック層の膜厚は、200〜1000オングストロームであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008057012A JP2009218235A (ja) | 2008-03-06 | 2008-03-06 | 発光ダイオード |
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2008
- 2008-03-06 JP JP2008057012A patent/JP2009218235A/ja active Pending
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