JP5836338B2 - 窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス - Google Patents
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Description
窒化物LEDは、小体積、無水銀、高発光効率、長寿命などの特長を有し、オプトエレクトロニクス半導体材料の一つとなっており、III族窒化物の発光波長が可視光のほとんどの範囲をカバーすることができるため、大きな可能性を備えた発光ダイオード材料として見られている。
III族窒化物半導体は、発光デバイス上にPN接合として用いられ、さらに詳細にはn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を形成しなければならない。一般にSi、Snなどのn型ドーパントをドーピングし、p型窒化物半導体層上にn型窒化物半導体層を形成し、Mgをp型ドーパントとして使用するが、MgはHと容易に反応してMg−H錯体(Mg−H complex)を形成し、上述したp型ドーパントはアクセプタの性質を発揮することができず、供給する電荷ホールの濃度が大幅に下がって発光デバイスは正常な機能を発揮することができなくなる。これにより低抵抗(low−resistance)を有するp型窒化物半導体層を従来技術により形成することは容易でなかった。
水素原子は、上述の半導体層中でアクセプタとして用いるp型ドーパント(例えば、Mg)と反応する。そのため、上述のp型ドーパントはその作用が失われ、ドーパント濃度を効果的に高めることができなかった。
また、GaN中のMgの非常に大きな活性化エネルギにより、電荷ホールの活性化効率が非常に低かったため(10%未満)、p型GaNの電荷ホールの濃度を高めることは困難である。そのため、電荷ホールの濃度を高めるためには、MgとHとの反応を減らしてp型GaNの抵抗を十分に低くし、発光効率を高めなければならなかった。
n型半導体層2とp型半導体層3との間には、発光層(active layer)4が形成される。発光層4とp型半導体層3との間には、電荷ホール供給層5が形成される。電荷ホール供給層5はInxGa1-xNであり、ここでxの範囲は0<x<1であり、好適には0<x≦0.1である。
また、電荷ホール供給層5には、濃度1017〜1020cm-3のIV族元素(炭素であることが好ましい)がドーピングされる。本実施形態においてn型半導体層2はn型GaN系半導体層であり、p型半導体層3はp型GaN半導体層である。
本実施形態のp型AlGaNは、電子がp型半導体層3内へ逃げ込むことを防ぎ、電子の移動速度を下げて発光層4に滞在する時間を延ばす。発光層4とn型半導体層2との間にはn型キャリア阻止層7が形成されてもよく、n型キャリア阻止層7は、発光層4より大きなバンドギャップエネルギを有する材料により製作される。本実施形態のn型AlGaNは、電荷ホールがn型半導体層2内へ逃げ入ることを防ぐ。
上述のIV族元素は、C、Si、Ge、Sn、Pbなどでもよいが、Cであることが好ましい。上述のIV族元素がCであることが好ましい理由とは、エピタキシャル工程においてCは、アンモニアガスから分解されて放出された水素と反応して安定した化合物CH4が形成されて窒化物半導体から分離される。このため、Hの含有量が減り、Mg−Hボンドが発生する状況が減り、Mgをイオン形態で活性化させるため、電荷ホール供給層5の電荷密度が高くなり、これにより多くの電荷ホールが発光層4へ入って電子・正孔の結合率が向上する。
また、電荷ホール供給層5には、濃度1017〜1020cm-3のIV族元素(炭素であることが好ましい)がドーピングされる。電荷ホール供給層5は、1〜100nmの厚さを有することが好ましく、1018cm-3より大きな濃度を有するp型ドーパント(例えばマグネシウムである)をドーピングし、電荷ホール供給層5のバンドギャップエネルギは、多重量子井戸構造の井戸層のバンドギャップエネルギより大きい。
n型キャリア阻止層7及びp型キャリア阻止層6は、それぞれ発光層4より高いバンドギャップエネルギを有する材料で製作され、格子不整合により転位が発生してしまう問題の発生を防ぐために、基板1の表面にバッファ層8を形成してもよい。バッファ層8は、AlGayN1-yであり、ここでyの範囲は0<y<1である。
2 n型半導体層
3 p型半導体層
4 発光層
5 電荷ホール供給層
6 p型キャリア阻止層
7 n型キャリア阻止層
8 バッファ層
21 n型電極
31 p型電極
Claims (4)
- n型半導体層及びp型半導体層を含む窒化物半導体構造であって、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間には、発光層が形成され、
前記発光層と前記p型半導体層との間には、電荷ホール供給層が形成され、
前記電荷ホール供給層はInxGa1-xNであり、ここでxの範囲は0<x<1であり、
前記電荷ホール供給層には、濃度1017〜1020cm-3のIV族元素がドーピングされ、
前記IV族元素は炭素であることを特徴とする、
窒化物半導体構造。 - 前記電荷ホール供給層には、濃度が1018cm-3より大きなp型ドーパントがドーピングされることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体構造。
- 前記発光層は、多重量子井戸構造を有し、前記電荷ホール供給層のバンドギャップエネルギは、前記多重量子井戸構造の井戸層のバンドギャップエネルギより大きいことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体構造。
- 基板、n型半導体層、発光層、電荷ホール供給層、p型半導体層、n型電極及びp型電極を備えた半導体発光デバイスであって、
前記n型半導体層は、前記基板上に形成され、
前記発光層は、前記n型半導体層上に形成され、
前記電荷ホール供給層は、前記発光層上に形成されたInxGa1-xNであり、ここでxの範囲は0<x<1であり、前記電荷ホール供給層には、濃度1017〜1020cm-3のIV族元素がドーピングされ、
前記IV族元素は炭素であり、
前記p型半導体層は、前記電荷ホール供給層上に形成され、
前記n型電極は、前記n型半導体層上にオーミックコンタクトされ、
前記p型電極は、前記p型半導体層上にオーミックコンタクトされることを特徴とする、
半導体発光デバイス。
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