JP5836338B2 - 窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス - Google Patents
窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5836338B2 JP5836338B2 JP2013183282A JP2013183282A JP5836338B2 JP 5836338 B2 JP5836338 B2 JP 5836338B2 JP 2013183282 A JP2013183282 A JP 2013183282A JP 2013183282 A JP2013183282 A JP 2013183282A JP 5836338 B2 JP5836338 B2 JP 5836338B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- light emitting
- type semiconductor
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 88
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 25
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910019080 Mg-H Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
窒化物LEDは、小体積、無水銀、高発光効率、長寿命などの特長を有し、オプトエレクトロニクス半導体材料の一つとなっており、III族窒化物の発光波長が可視光のほとんどの範囲をカバーすることができるため、大きな可能性を備えた発光ダイオード材料として見られている。
III族窒化物半導体は、発光デバイス上にPN接合として用いられ、さらに詳細にはn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を形成しなければならない。一般にSi、Snなどのn型ドーパントをドーピングし、p型窒化物半導体層上にn型窒化物半導体層を形成し、Mgをp型ドーパントとして使用するが、MgはHと容易に反応してMg−H錯体(Mg−H complex)を形成し、上述したp型ドーパントはアクセプタの性質を発揮することができず、供給する電荷ホールの濃度が大幅に下がって発光デバイスは正常な機能を発揮することができなくなる。これにより低抵抗(low−resistance)を有するp型窒化物半導体層を従来技術により形成することは容易でなかった。
水素原子は、上述の半導体層中でアクセプタとして用いるp型ドーパント(例えば、Mg)と反応する。そのため、上述のp型ドーパントはその作用が失われ、ドーパント濃度を効果的に高めることができなかった。
また、GaN中のMgの非常に大きな活性化エネルギにより、電荷ホールの活性化効率が非常に低かったため(10%未満)、p型GaNの電荷ホールの濃度を高めることは困難である。そのため、電荷ホールの濃度を高めるためには、MgとHとの反応を減らしてp型GaNの抵抗を十分に低くし、発光効率を高めなければならなかった。
n型半導体層2とp型半導体層3との間には、発光層(active layer)4が形成される。発光層4とp型半導体層3との間には、電荷ホール供給層5が形成される。電荷ホール供給層5はInxGa1-xNであり、ここでxの範囲は0<x<1であり、好適には0<x≦0.1である。
また、電荷ホール供給層5には、濃度1017〜1020cm-3のIV族元素(炭素であることが好ましい)がドーピングされる。本実施形態においてn型半導体層2はn型GaN系半導体層であり、p型半導体層3はp型GaN半導体層である。
本実施形態のp型AlGaNは、電子がp型半導体層3内へ逃げ込むことを防ぎ、電子の移動速度を下げて発光層4に滞在する時間を延ばす。発光層4とn型半導体層2との間にはn型キャリア阻止層7が形成されてもよく、n型キャリア阻止層7は、発光層4より大きなバンドギャップエネルギを有する材料により製作される。本実施形態のn型AlGaNは、電荷ホールがn型半導体層2内へ逃げ入ることを防ぐ。
上述のIV族元素は、C、Si、Ge、Sn、Pbなどでもよいが、Cであることが好ましい。上述のIV族元素がCであることが好ましい理由とは、エピタキシャル工程においてCは、アンモニアガスから分解されて放出された水素と反応して安定した化合物CH4が形成されて窒化物半導体から分離される。このため、Hの含有量が減り、Mg−Hボンドが発生する状況が減り、Mgをイオン形態で活性化させるため、電荷ホール供給層5の電荷密度が高くなり、これにより多くの電荷ホールが発光層4へ入って電子・正孔の結合率が向上する。
また、電荷ホール供給層5には、濃度1017〜1020cm-3のIV族元素(炭素であることが好ましい)がドーピングされる。電荷ホール供給層5は、1〜100nmの厚さを有することが好ましく、1018cm-3より大きな濃度を有するp型ドーパント(例えばマグネシウムである)をドーピングし、電荷ホール供給層5のバンドギャップエネルギは、多重量子井戸構造の井戸層のバンドギャップエネルギより大きい。
n型キャリア阻止層7及びp型キャリア阻止層6は、それぞれ発光層4より高いバンドギャップエネルギを有する材料で製作され、格子不整合により転位が発生してしまう問題の発生を防ぐために、基板1の表面にバッファ層8を形成してもよい。バッファ層8は、AlGayN1-yであり、ここでyの範囲は0<y<1である。
2 n型半導体層
3 p型半導体層
4 発光層
5 電荷ホール供給層
6 p型キャリア阻止層
7 n型キャリア阻止層
8 バッファ層
21 n型電極
31 p型電極
Claims (4)
- n型半導体層及びp型半導体層を含む窒化物半導体構造であって、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間には、発光層が形成され、
前記発光層と前記p型半導体層との間には、電荷ホール供給層が形成され、
前記電荷ホール供給層はInxGa1-xNであり、ここでxの範囲は0<x<1であり、
前記電荷ホール供給層には、濃度1017〜1020cm-3のIV族元素がドーピングされ、
前記IV族元素は炭素であることを特徴とする、
窒化物半導体構造。 - 前記電荷ホール供給層には、濃度が1018cm-3より大きなp型ドーパントがドーピングされることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体構造。
- 前記発光層は、多重量子井戸構造を有し、前記電荷ホール供給層のバンドギャップエネルギは、前記多重量子井戸構造の井戸層のバンドギャップエネルギより大きいことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体構造。
- 基板、n型半導体層、発光層、電荷ホール供給層、p型半導体層、n型電極及びp型電極を備えた半導体発光デバイスであって、
前記n型半導体層は、前記基板上に形成され、
前記発光層は、前記n型半導体層上に形成され、
前記電荷ホール供給層は、前記発光層上に形成されたInxGa1-xNであり、ここでxの範囲は0<x<1であり、前記電荷ホール供給層には、濃度1017〜1020cm-3のIV族元素がドーピングされ、
前記IV族元素は炭素であり、
前記p型半導体層は、前記電荷ホール供給層上に形成され、
前記n型電極は、前記n型半導体層上にオーミックコンタクトされ、
前記p型電極は、前記p型半導体層上にオーミックコンタクトされることを特徴とする、
半導体発光デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101143155 | 2012-11-19 | ||
TW101143155A TWI511325B (zh) | 2012-11-19 | 2012-11-19 | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015156949A Division JP2015222834A (ja) | 2012-11-19 | 2015-08-07 | 窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014103384A JP2014103384A (ja) | 2014-06-05 |
JP5836338B2 true JP5836338B2 (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=50727078
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013183282A Active JP5836338B2 (ja) | 2012-11-19 | 2013-09-04 | 窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス |
JP2015156949A Pending JP2015222834A (ja) | 2012-11-19 | 2015-08-07 | 窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス |
JP2017093911A Pending JP2017135426A (ja) | 2012-11-19 | 2017-05-10 | 窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015156949A Pending JP2015222834A (ja) | 2012-11-19 | 2015-08-07 | 窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス |
JP2017093911A Pending JP2017135426A (ja) | 2012-11-19 | 2017-05-10 | 窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8872157B2 (ja) |
JP (3) | JP5836338B2 (ja) |
TW (1) | TWI511325B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI524551B (zh) * | 2012-11-19 | 2016-03-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 |
TWI499080B (zh) | 2012-11-19 | 2015-09-01 | Genesis Photonics Inc | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 |
US10153394B2 (en) | 2012-11-19 | 2018-12-11 | Genesis Photonics Inc. | Semiconductor structure |
TWI511325B (zh) * | 2012-11-19 | 2015-12-01 | Genesis Photonics Inc | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 |
TWI535055B (zh) | 2012-11-19 | 2016-05-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 |
WO2016197062A1 (en) | 2015-06-05 | 2016-12-08 | Ostendo Technologies, Inc. | Light emitting structures with selective carrier injection into multiple active layers |
TWI738640B (zh) | 2016-03-08 | 2021-09-11 | 新世紀光電股份有限公司 | 半導體結構 |
TWI717386B (zh) | 2016-09-19 | 2021-02-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 含氮半導體元件 |
US10276746B1 (en) * | 2017-10-18 | 2019-04-30 | Bolb Inc. | Polarization electric field assisted hole supplier and p-type contact structure, light emitting device and photodetector using the same |
US10665750B2 (en) * | 2017-11-22 | 2020-05-26 | Epistar Corporation | Semiconductor device |
JPWO2019106931A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2020-11-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体発光素子 |
CN114420812A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-04-29 | 安徽格恩半导体有限公司 | 一种深紫外半导体发光元件 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2890396B2 (ja) * | 1995-03-27 | 1999-05-10 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JPH10144960A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-29 | Nichia Chem Ind Ltd | p型窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子 |
JP2000196143A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
US6833564B2 (en) * | 2001-11-02 | 2004-12-21 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices |
JP2004134750A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | p型III族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
KR100580752B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2006-05-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
WO2007013257A1 (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化物系半導体素子 |
JP2009152448A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
JP2010040842A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ |
US8742459B2 (en) * | 2009-05-14 | 2014-06-03 | Transphorm Inc. | High voltage III-nitride semiconductor devices |
US20110001126A1 (en) * | 2009-07-02 | 2011-01-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor chip, method of fabrication thereof, and semiconductor device |
JP5635246B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2014-12-03 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体光素子及びエピタキシャル基板 |
TWI511325B (zh) * | 2012-11-19 | 2015-12-01 | Genesis Photonics Inc | 氮化物半導體結構及半導體發光元件 |
-
2012
- 2012-11-19 TW TW101143155A patent/TWI511325B/zh active
-
2013
- 2013-08-09 US US13/963,118 patent/US8872157B2/en active Active
- 2013-09-04 JP JP2013183282A patent/JP5836338B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-07 JP JP2015156949A patent/JP2015222834A/ja active Pending
-
2017
- 2017-05-10 JP JP2017093911A patent/JP2017135426A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017135426A (ja) | 2017-08-03 |
US8872157B2 (en) | 2014-10-28 |
US20140138618A1 (en) | 2014-05-22 |
TWI511325B (zh) | 2015-12-01 |
JP2014103384A (ja) | 2014-06-05 |
TW201421727A (zh) | 2014-06-01 |
JP2015222834A (ja) | 2015-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5836338B2 (ja) | 窒化物半導体構造及び半導体発光デバイス | |
JP4892618B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
TWI569467B (zh) | 半導體發光元件 | |
KR20050021237A (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
CN108550670B (zh) | 氮化物半导体结构及半导体发光元件 | |
JP5554739B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP5568009B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR101393884B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP5337862B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
CN111326622A (zh) | 一种基于空穴调整层的发光二极管 | |
KR100999694B1 (ko) | 발광 소자 | |
TWI589018B (zh) | 氮化物半導體結構 | |
CN107316924B (zh) | 氮化物半导体结构及半导体发光元件 | |
KR20090002195A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP5554387B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
Bouchachia et al. | Improvement of InGaN/GaN Blue LED Performance by a BGaN Back-Barrier Layer: Simulation Study | |
TWI631727B (zh) | 氮化物半導體結構 | |
CN106340572B (zh) | 发光二极管及其形成方法 | |
TWI663745B (zh) | 氮化物半導體結構 | |
JP5764184B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
TWI420696B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
JP2014082396A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
KR20120054208A (ko) | 광전소자 및 그 제조방법 | |
JP2009218235A (ja) | 発光ダイオード | |
KR20090002196A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140930 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150810 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151020 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5836338 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |