JP2012514329A5

JP2012514329A5 -

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Publication number: JP2012514329A5
Application number: JP2011543557A
Authority: JP
Filing date: 2009-12-10
Publication date: 2013-01-31

Claims

少なくとも３つの共に成長した半導体層、並びに第１の側及び第２の側を有する層状構造体を備える、多層半導体構造体であって、前記少なくとも３つの半導体層が、第１変換波長の光を生成するための第１半導体フォトルミネセント要素と、前記第１変換波長と異なる第２変換波長の光を生成するための第２半導体フォトルミネセント要素とを含み、前記第１変換波長及び前記第２変換波長のうちの少なくとも１つは可視光であり、前記層状構造体の前記第１の側が、前記第１の側からパターン形成され、前記層状構造体の前記第２の側が、前記第２の側からパターン形成される、多層半導体構造体。
前記層状構造体が、ＩＩ〜ＶＩ族半導体材料層を含む、請求項１に記載の多層半導体構造体。
出力側を有するエレクトロルミネセント要素と、
第１の側及び第２の側を有し、前記エレクトロルミネセント要素の前記出力側に取り付けられ、前記第１の側に第１のエッチングされたパターン及び前記第２の側に第２のエッチングされたパターンを有する、半導体波長変換器と、を有する、光生成デバイス。
前記半導体波長変換器が、第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素を含み、前記第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素の各々が、カドミウムマグネシウム亜鉛セレナイド（ＣｄＭｇＺｎＳｅ）の吸収層の間に配置された複数のカドミウム亜鉛セレナイド（ＣｄＺｎＳｅ）量子井戸を含む、請求項３に記載の光生成デバイス。
第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素を形成する半導体層の集積化スタックを含む、半導体構造体であって、
前記第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素が、共通の励起波長の光によって照射されたときに、第１波長の光及び第２波長の光をそれぞれ放射可能であり、
前記第１フォトルミネセント要素がパターン形成されており、パターン形成された前記第１フォトルミネセント要素の少なくとも一部は第１半導体構造体を有し、前記第１半導体構造体の頂部の幅は前記第１半導体構造体の基部の幅と異なり、前記第２フォトルミネセント要素がパターン形成されており、パターン形成された前記第２フォトルミネセント要素の少なくとも一部は第２半導体構造体を有し、前記第２半導体構造体の頂部の幅は前記第２半導体構造体の基部の幅と異なり、
前記第１半導体構造体及び前記第２半導体構造体が、
ｉ）前記第１半導体構造体の頂部及び前記第２半導体構造体の頂部が、それぞれ前記第１半導体構造体の基部及び前記第２半導体構造体の基部よりも狭いこと、及び
ii）前記第１半導体構造体の頂部及び前記第２半導体構造体の頂部が、それぞれ前記第１半導体構造体の基部及び前記第２半導体構造体の基部よりも広いこと、のうちの１つを条件とする、半導体構造体。
前記集積化スタックがＩＩ〜ＶＩ族半導体材料層を含み、前記ＩＩ〜ＶＩ族半導体材料層が少なくとも１つのセレン化亜鉛系半導体層を含む、請求項５に記載の半導体構造体。
励起波長の光を放射可能なエレクトロルミネセントデバイスと、
前記エレクトロルミネセントデバイスに取り付けられた波長変換器と、を有する発光デバイスであって、
前記波長変換器が、単一の半導体層のスタック上にパターン形成された第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素を少なくとも含み、前記第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素が、前記励起波長の光によって照射されたときに、第１波長の光及び第２波長の光をそれぞれ放射可能であり、
前記第１フォトルミネセント要素が、前記エレクトロルミネセントデバイスの第１領域と実質的に重なるが、前記エレクトロルミネセントデバイスの第２領域とは実質的に重ならず、前記第２フォトルミネセント要素が、前記エレクトロルミネセントデバイスの前記第２領域と重なるが、前記エレクトロルミネセントデバイスの第１領域と実質的には重ならない、発光デバイス。
前記第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素の各々が、カドミウムマグネシウム亜鉛セレナイド（ＣｄＭｇＺｎＳｅ）の吸収層の間に配置された、複数のカドミウム亜鉛セレナイド（ＣｄＺｎＳｅ）量子井戸を有する、請求項７に記載の発光デバイス。
第１の側及び第２の側を有する半導体層の集積化スタックであって、第１パターンが前記半導体層のスタックの前記第１の側の第１フォトルミネセント要素内に形成され、第２パターンが前記半導体層のスタックの前記第２の側の第２フォトルミネセント要素内に形成される、集積化スタックと、
前記第１の側のエッチングされたパターンの上に配置される第１不動態化層と、を含む、半導体波長変換器。
前記第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素が、ＩＩ〜ＶＩ族半導体材料を含む、請求項９に記載の半導体波長変換器。
第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素を含む半導体層と、前記第１フォトルミネセント要素及び前記第２フォトルミネセント要素の間に配置される窓層と、を備えたエピタキシャル成長されたスタックを含む半導体波長変換器であって、前記スタックが、前記第１フォトルミネセント要素及び前記第２フォトルミネセント要素から横方向に離間されている第１領域を少なくとも有し、前記第１領域が、前記窓層と、前記窓層の第１の側及び第２の側の上に配置された非エピタキシャル材料と、を含む、半導体波長変換器。
励起波長の光を放射可能なエレクトロルミネセントデバイスと、
前記エレクトロルミネセントデバイスに取り付けられた波長変換器と、を有する発光デバイスであって、
前記波長変換器が、半導体層のスタック上にパターン形成された第１フォトルミネセント要素を少なくとも含み、前記第１フォトルミネセント要素が、励起波長の光によって照射されたときに第１変換波長の光を生成可能であり、前記第１フォトルミネセント要素の１つの側に窓層が前記スタック内で配置され、前記第１フォトルミネセント要素が、前記エレクトロルミネセントデバイスの第１領域と重なり、前記窓層が、前記第１領域から横方向に離間される前記エレクトロルミネセントデバイスの第２領域と重なり、前記第１フォトルミネセント要素が、前記第２領域と実質的に重ならない、発光デバイス。