JP2010541217A5

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Publication number: JP2010541217A5
Application number: JP2010526149A
Authority: JP
Filing date: 2008-08-28
Publication date: 2011-07-07
Anticipated expiration: 2028-08-28

Claims

放射放出用の半導体ボディ（１）であって、
第１の波長（λ_１）の放射を発生させる活性層（２）と、
量子層構造（５）とバリア層構造（６）とを有する量子井戸構造（５）を備える再放出層（３）と、
を備え、
前記活性層および前記再放出層が前記半導体ボディの中にモノリシックに集積化され、
前記再放出層が、前記第１の波長の前記放射が前記バリア層構造において吸収されることによって、第２の波長（λ_２）のインコヒーレントな放射を発生させるように設けられている、
放射放出用の半導体ボディ。
前記再放出層の側面には、前記半導体ボディに電気を供給するためのコンタクト（１５）が、前記放射の出口を前記再放出層から前記側面まで遮断するよう配置されている、
請求項１に記載の放射放出用の半導体ボディ。
前記再放出層（３）の横方向の長さが、前記活性層（２）の対応する横方向の長さよりも小さい、請求項１または２に記載の放射放出用の半導体ボディ。
前記第１の波長の前記放射がインコヒーレントである、請求項１または２に記載の放射放出用の半導体ボディ。
前記量子層構造（５）が少なくとも１つの量子層（７）を備え、前記バリア層構造（６）が少なくとも１つのバリア層（８）を備える、請求項１または２に記載の放射放出用の半導体ボディ。
前記第２の波長（λ_２）の前記放射が前記量子層構造において発生する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
前記活性層（２）がＩｎＧａＮを含み、前記バリア層構造がＧａＮを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
前記第１の波長（λ_１）が３６０ｎｍ〜４００ｎｍである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
前記第１の波長（λ_１）が青色のスペクトル領域内であり、前記放射放出半導体ボディが白色光を放出する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
前記再放出層（３）が、前記第１の波長（λ_１）の前記放射の一部分を前記第２の波長（λ_２）の放射に変換し、前記放射放出半導体ボディが、前記第１の波長の放射および前記第２の波長の放射を放出する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
前記再放出層が、前記第１の波長（λ_１）の前記放射を完全に前記第２の波長（λ_２）の放射に変換する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
薄膜半導体ボディである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
前記第１の波長の前記放射もしくは前記第２の波長の前記放射またはその両方に対して透過性である成長基板（９）を備えている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の放射放出用の半導体ボディ。
半導体ボディ（１）によって混合色の放射を発生させる、または放射を変換する方法であって、
前記半導体ボディ（１）が活性層（２）および再放出層（３）を含み、
前記活性層および前記再放出層が前記半導体ボディの中にモノリシックに集積化され、
前記再放出層が、量子層構造（５）とバリア層構造（６）とを有する量子井戸構造（５）を備える量子井戸構造（４）を有し、
− 前記活性層において第１の波長（λ_１）の好ましくはインコヒーレントな放射を発生させるステップと、
− 前記バリア層構造において、第１の波長（λ_１）の前記放射の少なくとも一部分を吸収するステップと、
− 前記量子層構造において、第２の波長（λ_２）のインコヒーレントな放射を発生させるステップと、
を含む方法。
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体ボディを用いる、請求項１４に記載の方法。