JP2018531517A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 発光デバイスと、
   前記発光デバイスの上に配置された波長変換構造と、
   基板と、
   透光層と
   を有し、
   前記波長変換構造は、前記基板と前記発光デバイスとの間に配置され、
   前記基板の第１の表面の第１の部分が、前記波長変換構造と接続され、前記基板の前記第１の表面の第２の部分が、前記波長変換構造と前記基板の前記第１の表面の当該第２の部分との間の前記透光層と接触し、
   前記基板の第２の表面がテクスチャ加工されている、
   構造体。
2. 前記第１の表面の前記第１の部分が複数のピラーを有し、前記透光層が前記ピラーの間に配置されるようにされている、請求項１に記載の構造体。
3. 前記基板の前記第２の表面は、アレイにて配列された複数のフィーチャを有するようにテクスチャ加工されており、フィーチャ間のピークツーピーク間隔が、５０ｎｍと５００ｎｍとの間である、請求項１に記載の構造体。
4. 前記フィーチャは、柱、角錐、円錐、角錐台、円錐台、ジョンソンの立体、及び近ジョンソンの立体からなる群から選択された形状を有する、請求項３に記載の構造体。
5. 前記基板はサファイアである、請求項１に記載の構造体。
6. 前記基板は、
   本体と、
   該本体上に成長された誘電体層であり、当該誘電体層がテクスチャ加工されて前記テクスチャ加工された第２の表面を形成している、誘電体層と
   を有する、請求項１に記載の構造体。
7. 前記本体はサファイアであり、前記誘電体層は、前記本体上に成長されたＩＩＩ族窒化物層を有する、請求項６に記載の構造体。
8. 前記本体は、接着層によって前記波長変換構造に取り付けられている、請求項７に記載の構造体。
9. 前記接着層は非ＩＩＩ族窒化物材料である、請求項８に記載の構造体。
10. 前記基板は第１の基板であり、当該構造体は更に、前記第１の基板の上に配置された第２の基板を有し、該第２の基板の第２の表面が、テクスチャ加工され、且つ前記第１の基板に面しない側にある、請求項１に記載の構造体。
11. 前記波長変換構造の屈折率が前記透光層の屈折率よりも高い、請求項１に記載の構造体。
12. 前記透光層の前記屈折率が前記基板の屈折率よりも低い、請求項１１に記載の構造体。
13. 前記基板の前記屈折率と前記透光層の前記屈折率との間の差が少なくとも０．５である、請求項１２に記載の構造体。
14. 半導体発光デバイスと、
    前記半導体発光デバイスの上に配置された波長変換構造と、
    前記波長変換構造の上に配置された基板であり、前記波長変換構造と当該基板の第１の表面の第１の部分との間に透光層が位置するように且つ前記基板の前記第１の表面の第２の部分が前記波長変換構造と接続されるように配置され、当該基板は、
    本体と、
    該本体上に成長された誘電体層であり、当該誘電体層の第２の表面がテクスチャ加工されている、誘電体層と
    を有する、基板と、
    を有する構造体。
15. 前記本体はサファイアであり、前記誘電体層はＩＩＩ族窒化物材料である、請求項１４に記載の構造体。
16. 前記本体と前記波長変換構造との間に配置された非ＩＩＩ族窒化物接着材、を更に有する請求項１４に記載の構造体。
17. 前記基板は第１の基板であり、当該構造体は更に、前記半導体発光デバイスの上に配置された第２の基板を有し、該第２の基板の第２の表面が、前記半導体発光デバイスに面しない側にあり、且つテクスチャ加工されている、請求項１６に記載の構造体。
18. 半導体発光デバイスの上に波長変換構造を付与することと、
    前記波長変換構造の上に基板を付与することであり、前記波長変換構造に面しない前記基板の第２の表面がテクスチャ加工され、前記基板の第１の表面の第１の部分が、前記波長変換構造と接続するようにされ、前記基板の前記第１の表面の第２の部分が、前記波長変換構造と前記基板の前記第１の表面の当該第２の部分との間の透光層と接触するようにされる、付与することと、
    を有する方法。
19. 前記第１の表面の前記第１の部分が複数のピラーを有し、前記透光層が前記ピラーの間に配置されるようにされる、請求項１８に記載の方法。
20. 前記基板が誘電体層を有し、該誘電体層がテクスチャ加工されて前記テクスチャ加工された第２の表面を形成するようにされる、請求項１８に記載の方法。