JP2016189472A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 基板上に、前記基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と、前記複数のＧａＮ系半導体層の最上層に形成された電極とを備え、前記複数のＧａＮ系半導体層が、ｎ側窒化物半導体層、活性層、およびｐ側窒化物半導体層を有し、前記活性層で発生した光を前記電極側又は基板側から取り出すようにした半導体発光ダイオードにおいて、
前記ｎ側窒化物半導体層の膜厚が、前記ｐ側窒化物半導体層の膜厚よりも厚く、
前記基板の表面は、前記活性層で発生した光を散乱又は回折させる凸部が繰り返され、かつ前記凸部同士の間が平坦である形状を有しており、
前記凸部は、前記凸部の上面に対して１２０°より大きく、１６０°以下の角度で傾斜している側面を有し、平面視において、大略多角形であり、前記複数のＧａＮ系半導体層のＡ軸に平行な構成辺を有していない
ことを特徴とする半導体発光ダイオード。 - 前記側面は、前記凸部の上面に対して１５０°以下の角度で傾斜している、請求項１記載の半導体発光ダイオード。
- 前記基板がＣ面を主面とするサファイア基板である請求項１または２に記載の半導体発光ダイオード。
- 前記半導体発光ダイオードの発光波長をλ、前記ＧａＮ系半導体の屈折率をｎとしたとき、前記凸部の大きさが、少なくともλ／４ｎ以上、２０μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光ダイオード。
- 前記凸部のピッチが１０μｍ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光ダイオード。
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